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N-Aの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 34114



例文

A semiconductor substrate 1 is composed of a heavily-doped n-type layer 2 and a lightly-doped n-type layer 3 on it.例文帳に追加

半導体基板1は高濃度n型層2とその上の低濃度n型層3からなる。 - 特許庁

To provide an optical switch of a 1×N (N≥3) type which has a high reliability and a short changeover time.例文帳に追加

信頼性が高く、切り換え時間が短い1×N型(Nは3以上)の光スイッチを提供する。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子1のn型層11は、サファイア基板10上に第1n型層111、第2n型層112、第3n型層113の順に積層された構造であり、V/Alからなるn電極16は第2n型層112上に形成されている。 - 特許庁

例文

A signal path is provided with a first entry for inputting the output of (n) bits from an ADC 19 and a second entry for inputting the expression of (k) bits showing a DC offset component correction value and on the condition of k=n+m, (m) is a number of bits expressing a value smaller than one LSB of n-bit expression.例文帳に追加

信号路は、ADC19のnビット出力を入力するための第1の入力と、DCオフセット成分補正値のkビット表現を入力するための第2の入力を有する合計ノード19Aを包含し、ここで、k=n+mであり、mは、前記nビット表現の最下位ビット(LSB)1個より小さい値を表すビット数である。 - 特許庁


例文

If a lost-frame code B_n of the current frame indicates that "the n-th frame is a lost frame" and if a lost-frame code B_n+1 of the next frame indicates that "the n+1-th frame is a normal frame", a changeover switch (309) selects a vector output from the adder (308).例文帳に追加

切替スイッチ(309)は、現フレームのフレーム消失符号B_nが「第nフレームは消失フレームである」ことを示し、かつ、次フレームのフレーム消失符号B_n+1が「第n+1フレームは正常フレームである」ことを示す場合には、加算器(308)から出力されたベクトルを選択する。 - 特許庁

Packs a fixed length list (array) of homogeneous items. nis the length of the list; it is not packed into the buffer,but a ValueError exception is raised iflen(array) is not equal to n. 例文帳に追加

n はリストの長さです。 この値はデータバッファにパックされません が、len(array) が n と等しくない場合、例外 ValueError が送出されます。 - Python

The negative ion A- is a fluorine complex ion represented by MFn- (M=B, n=4, or M=P, As or Sb, n=6).例文帳に追加

陰イオンA^- は、MF_n^-(M=B、n=4、またはM=P,As,Sb、n=6)で表されるフッ素錯イオンである。 - 特許庁

To provide a method for producing a B,B',B"-trialkyl-N,N',N"-trialkylborazine of low halogen content.例文帳に追加

ハロゲン含有量の少ないB,B’,B”−トリアルキル−N,N’,N”−トリアルキルボラジンを製造する手段を提供する。 - 特許庁

例文

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P.例文帳に追加

そしてこのn型窒化ガリウム層Nが露出した部位にn電極NTを、p型窒化ガリウム層P上にp電極PTを形成する。 - 特許庁

例文

The gold material is changed to a gold carbonyl complex [Au(CO)_n]^+(n = 1 or 2) through a reaction that the surface absorbs carbon monoxide, which dissolves in the concentrated sulfuric acid.例文帳に追加

金材料は、その表面が一酸化炭素を吸収して金カルボニル錯体[Au(CO)_n]^+(n=1,2)となり、濃硫酸中に溶解する。 - 特許庁

The hash part finds a hash value h_n corresponding to each segment data S_n using a hash function H_n.例文帳に追加

ハッシュ部は、分割データS_nごとに、対応するハッシュ関数H_nを用いて分割データS_nに対応するハッシュ値h_nを求める。 - 特許庁

In a roller vane type pump having N vanes, the motor shaft has a number of sides S determined by the formula S=N±1, and N>3.例文帳に追加

N個の羽板を有するローラー羽板型のポンプにおいて、前記モーター軸は、式S=N±1、N>3、で決まるS個の側面を有する。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、n型半導体領域と、n型半導体領域におけるn+領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

A distance Y between the n^- region 2b and the n^- region 2c is formed longer than a width X of the n^- region 2b.例文帳に追加

n^-領域2bの幅Xよりもn^-領域2bとn^-領域2cとの距離Yが長くなるように形成されている。 - 特許庁

On a surface of the n-type semiconductor substrate 13, a collector n^+ type region 16 and an emitter n^+ type region 17 are formed apart each other.例文帳に追加

n型半導体基板13の表面部には、コレクタn^+ 型領域16とエミッタn^+ 型領域17が互いに離れて形成されている。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台9に、n=2以上のn相交流電圧を印加する電極1、2、3を設け、n相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

The adjacent standard nozzles are disposed away by a standard nozzle pitch N, wherein N=n*ds, and ds is a dot pitch.例文帳に追加

隣接する標準ノズルは標準ノズルピッチNだけ離間しており、ここでN=n*dsであり、dsはドットピッチである。 - 特許庁

The excitation light P_i comprises n pieces of excitation light sources (1A to 1N) in which a period is T, and a pulse width is T/n (n is integer of 2 or over).例文帳に追加

また、励起光P_iが周期T、パルス幅T/n(nは2以上の整数)であるn個の励起光源(1A〜1N)で構成されている。 - 特許庁

A high-speed terminal 2 transmits a transmission signal TxH obtained by modulating symbol data X_1-X_n into N sub carriers.例文帳に追加

高速端末2は、N個のサブキャリアにシンボルデータX_1〜X_nを変調した送信信号TxHを送信する。 - 特許庁

To provide a method for producing N,N',N"-trihydroxyisocyanuric acid from easily available inexpensive raw materials simply in a short process.例文帳に追加

入手しやすい安価な原料から短い工程で簡易にN,N′,N″−トリヒドロキシイソシアヌル酸を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

A C/N (carrier to noise ratio) determining part 26a detects the C/N of each signal wave and outputs a C/N determination value as signal wave receiving sensitivity.例文帳に追加

C/N判定部26aは信号波毎にそのC/Nを検出して信号波受信感度としてC/N判定値を出力する。 - 特許庁

Furthermore, the unit time magnification (n) and the reflection ratio (a) are changed in accordance with y0(n), y(n) from a GCR signal arithmetic means 21.例文帳に追加

また、GCR信号演算手段21からのy0(n)、y(n)に応じて、単位時間倍率n及び反映比率aを変更する。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is a number of 1 to 7].例文帳に追加

R−O−(C_3H_6O_2)_n−H (I)(式中、Rは炭素数6〜22の炭化水素基を、nは1〜7の数を示す。) - 特許庁

In a use symbol extracting part 31, M' points (L≤M'<(NTGI/T) are extracted from the end of a valid symbol from N+(NTGI/T) compound digital signals.例文帳に追加

使用シンボル抽出部31では、N+(NT_GI/T)個の複素ディジタル信号から有効シンボルの末尾からM'点(L≦M'<N+(NT_GI/T))を抽出する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

N型GaAs基板1の裏面に、N型電極Au−Ge層とN型電極Ni層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

This self-luminous display device 10 is provided with a display panel 20 comprising N lines (N is a natural number) of scanning lines X_1 to X_N.例文帳に追加

この自己発光型表示装置10は、N本(Nは自然数)の走査線X_1〜X_Nを有する表示パネル20を備える。 - 特許庁

The integer number M is preferably set to be a value except a value of (N×n+1) ('n' is an integer number not less than 1).例文帳に追加

この整数Mは、(N×n+1)以外の値(nは1以上の任意の整数)に設定されていることが好ましい。 - 特許庁

Data on a plurality of positions (node points) Nd[n] on a road is acquired, and the degree of curvature Rc[n] of the road in each node point Nd[n] is calculated.例文帳に追加

道路上の複数の位置データ(ノード点)Nd[n]が取得され、各ノード点Nd[n]における道路の屈曲度Rc[n]が演算される。 - 特許庁

And, an estimated error e (n) which is a difference between the estimated current value x (n) and a current feedback value i (n) FB is calculated.例文帳に追加

そして、推定電流値x(n)と電流フィードバック値i(n)FBとの差である推定誤差e(n)を求める。 - 特許庁

A calculation section 25a calculates the product of the area (S_N) and exposure time (t_N) of an N-th shot at a predetermined unit obtained from pattern drawing data.例文帳に追加

描画データから得られた所定単位におけるN番目のショットの面積(S_N)と照射時間(t_N)の積を演算部25aにて演算する。 - 特許庁

An n-bit decoder circuit 103 decodes a frequency division number n preset in a memory 101 into n bits.例文帳に追加

記憶装置101に設定された分周数nをnビットデコード回路103でnビットにデコードする。 - 特許庁

When V(n) is less than Vth, a section (n) is acknowledged as an intermittent measurement section, and a measurement period is set to C(n) = C1 regardless of the previous period.例文帳に追加

V(n)がVth未満のとき、区間nは間欠計測区間と認定され、計測周期は前の周期に拘わらずC(n)=C1に設定される。 - 特許庁

Then a server 3 informs a corresponding printer 4 about the value (n) of the n-up print, the direction of the image and the order of image arrangement of the n-up print.例文帳に追加

そして、サーバ3が、n−upのnの値と、イメージの向きと、n−upの画像の並べる順番を該当するプリンタ4に知らせる。 - 特許庁

An N-ary (M>N≥2) image is generated from an encoded image that is an M-nary image, and a reference image and the N-nary image is used to perform a motion search.例文帳に追加

M値画像である符号化画像及び参照画像からN(M>N≧2)値化した画像を生成し、N値化画像を使用して動き探索を行う。 - 特許庁

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35.例文帳に追加

MOSFET1は、n^+SiC基板10と、n^−SiC層20と、pウェル21と、n^+ソース領域22と、絶縁層35とを備えている。 - 特許庁

In such a case, a state of N-bit data transmitted just before is kept as it is for invalid data (N-N/m bits).例文帳に追加

この際、無効データ(N-N/Mビット)は、直前に送信したNビットデータの状態をそのまま保持する。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p-well 21, an n^+source region 22, and an insulating layer 35.例文帳に追加

MOSFET1は、n^+SiC基板10と、n^−SiC層20と、pウェル21と、n^+ソース領域22と、絶縁層35とを備えている。 - 特許庁

The positions at which slits 15 are disposed in open state are set to the positions distant from the closed end of the antenna 12 by n×λg/2 (n is integer, n≥0 and λg is a wave length of a microwave propagating in antenna).例文帳に追加

また、スリット15,15,…の開設位置は、導波管型アンテナ部12の閉塞した端部からn・λg/2の位置に定めてある。 - 特許庁

In a step S17, an SOH^n is calculated by using the updated F^n(t); and in a step S19, an SOC^n is calculated.例文帳に追加

更新されたF^n(t)を用いてステップS17でSOH^nを算出し、ステップS19でSOC^nを算出する。 - 特許庁

Digital image data of n-bit is converted to n+m-bit by a γ compensation table and is displayed by using the D/A converter of n+m-bit.例文帳に追加

nビットのデジタル画像データをγ補正テーブルでn+mビットに変換し、n+mビットのD/Aコンバータを用いて表示する。 - 特許庁

The pitch (a) between the pole teeth 115 positioned in each angle range θ is set in the range of (90°/n) [4-m/(n-m)]<a<(360°/n).例文帳に追加

各角度範囲θ内に位置する極歯115間のピッチaを、(90°/n)[4−m/(n−m)]<a<(360°/n)の範囲内の値とする。 - 特許庁

N pieces of machining cells are used for machining a workpiece, and N+1 (however, N is a number of two or more) pieces of workpiece fixtures are used for fixing the workpiece.例文帳に追加

ワークを加工するための加工セルN個と、ワークを固定するワーク固定治具N+1個(但しNの個数は2以上)とを用いる。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 can hold data of (n) bits corresponding to a threshold value level of 2^n pieces.例文帳に追加

メモリセルアレイ100中のメモリセルの各々は、2^n個のしきい値レベルに対応してnビットのデータを保持できる。 - 特許庁

A salary table generating means 11 generates the salary table 38 of the year of N+1 an a correspondence classified salary table 39 from the salary table of the year N.例文帳に追加

給料表作成手段11は,N年度の給料表からN+1 年度の給料表38,対応号給給料表39を作成する。 - 特許庁

A range counter (frequency dividing ratio control section) 56 then variably controls a frequency dividing ratio N in the frequency divider 18 in accordance with the second synchronizing control signals (m), (n).例文帳に追加

そして、レンジカウンタ(分周比制御部)56は、分周器18おける分周比Nを第2の同期制御信号(m),(n)にしたがって可変制御する。 - 特許庁

The control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (13) or the control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (14).例文帳に追加

そしてステップ〔13〕でプログラムアクセス(PGN #n)の制御指令が発行されるか、ステップ〔14〕でプログラムアクセス(PGN #1)の制御指令が発行される。 - 特許庁

An account server generates a new password P_n+1 of a user, uses the new password P_n+1, a current password P_n and a second function G for calculating ΔP_n+1, registers P_n+1 as the current password, and transmits ΔP_n+1 to a synchronizing server.例文帳に追加

アカウントサーバはユーザの新しいパスワードP_n+1を生成し、新しいパスワードP_n+1と現在のパスワードP_nと第2の関数Gを用いてΔP_n+1を算出し、P_n+1を現在のパスワードとして登録し、ΔP_n+1を同期サーバへ送信する。 - 特許庁

In the case of an NTSC system, a counter 1 is cleared at the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(N) of the system via the NTSC terminal of a switching circuit 4, and the counter counts a horizontal synchronizing signal PH(N) of the system and outputs a scan signal L(N)i at each clearing.例文帳に追加

NTSC方式の場合、切換回路4のNTSC端子を介して該方式の垂直同期信号P_V(N)の後縁でカウンタ1をクリアし、カウンタは、クリア毎に該方式の水平同期信号P_H(N)を計数して走査信号L_(N)iを出力する。 - 特許庁

例文

A transmission FIFO 8a receives data D0(n)-D2(n) with a sampling period (n) at a trailing of the sampling clock WCK 1 and receives data D0(n+1)-D2(n+1) with a sampling period (n+1) at a leading of the sampling clock WCK 1.例文帳に追加

送信FIFO8aにおいては、サンプリングクロックWCKIの立ち下がり時に、サンプリング周期(n)のデータD0(n)〜D2(n)を入力し、サンプリングクロックWCKIの立ち上がり時に、サンプリング周期(n+1)のデータD0(n+1)〜D2(n+1)を入力する。 - 特許庁

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