「OF Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In this electric resistor comprising a structure composed by coating the surface of a ceramic base material having an electric insulation property with a resistance coating formed of a Si group alloy, 0.03-5% of B is contained in the Si group alloy.例文帳に追加

電気絶縁性のセラミックス基材の表面にSi基合金からなる抵抗被膜を被覆した構造からなる電気抵抗体において、該Si基合金の中にBを0.03〜5％含有させることを特徴とする。 - 特許庁

In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加

これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁

By adding a Si raw material 35 to the SiC raw material 32, the vapor pressure of Si in the raw material gas increases, which reduces a ratio (C/Si) of C to Si of the raw material gas on the crystal growth surface.例文帳に追加

このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。 - 特許庁

To remove metal impurities beneath the surface of Si, the main cause of surface defects on the Si surface, especially Ni of a transition metal, to make a high-cleanness Si surface and to planarize the Si surface accompanied therewith.例文帳に追加

Ｓｉ表面上の表面欠陥の主たる原因である表面下の金属不純物、特に遷移金属であるＮｉを除去し、Ｓｉ表面を高純度化し、それにともないＳｉ表面を平坦化する。 - 特許庁

On the upper part of a burnt body Si containing SiC as a main component, a crucible filled with Si is set, the crucible is heated to become a melted state, and a molten Si of the Si is supplied to the surface of the burnt body through the holes that the crucible has, to impregnate the Si in the burnt body.例文帳に追加

ＳｉＣを主成分とする焼成体の上部にＳｉを入れた坩堝を設置し、該坩堝を加熱してＳｉを溶融状態とし、Ｓｉの融液を坩堝が有する孔を通じて焼成体表面に供給し、Ｓｉを焼成体に含浸させる。 - 特許庁

This heat equalization material consists of an Si-SiC composite material comprising Si and powdery SiC.例文帳に追加

ＳｉとＳｉＣ粉末とからなるＳｉ−ＳｉＣ複合材料からなることとしたヒーター用均熱材。 - 特許庁

Then a gel film is obtained, by uniformly applying the hafnia sol solution to the surface of an Si wafer by the spinner method (500 rpm/5 seconds to 2,000 rpm/30 seconds).例文帳に追加

このゾル液をSiウェハにスピンナー法（500rpm/5秒→2000rpm/30秒）により均一に塗布してゲル膜を得る。 - 特許庁

First, a resist 2 is applied on a base plate 1 made of Si or SiO_2 in such a manner that the thickness may become 350 nm or higher.例文帳に追加

まず、Si又はSiＯ_２からなる基板１の上にレジスト２を350nm以上の厚さとなるように塗布する。 - 特許庁

To advantageously improve the noise characteristics in a silicon steel sheet containing Si in the range of 2.0 to 4.0 mass %.例文帳に追加

Siを 2.0〜4.0 mass％の範囲で含有する電磁鋼板において、騒音特性の有利な改善を図る。 - 特許庁

The vibration damping performance can be further improved by including 0.01 to 4 mass% of Si.例文帳に追加

Siを0.01質量％以上4質量％以下含有すると、更に、制振性を向上することができる。 - 特許庁

To provide a Co-Si-based copper alloy sheet which has excellent solder wettability and which undergoes formation of pinholes is reduced upon being soldered.例文帳に追加

はんだ濡れ性に優れ、かつ半田付けの際のピンホールが少ないCo-Si系銅合金板を提供する。 - 特許庁

A support member 21 for supporting the Si layer 5 is then formed, to be extended from the interior of the groove h onto the Si layer 5.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５を支持する支持体２１を溝ｈ内からＳｉ層５上にかけて形成する。 - 特許庁

To provide a process capable of combining an a-Si process and a poly-Si process.例文帳に追加

ａ−Ｓｉプロセスと、ポリ−Ｓｉプロセスとを組み合わせることが可能なプロセスを提供することである。 - 特許庁

Also, the region just under the drain bus wiring 61 of the high resistance Si layer is formed so that a low resistance can be obtained.例文帳に追加

また、高抵抗のSi層のうち、ドレインバス配線61の直下の領域は低抵抗化されている。 - 特許庁

In the Si-layer formation process, an Si layer 71 is formed on the surface of a monocrystal SiC base 70.例文帳に追加

Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。 - 特許庁

INTER-SI PSEUDO HYDROPHOBIC WAFER BONDING USING SOLUTION OF INTERFACE BONDING OXIDE AND HYDROPHILIC SI SURFACE例文帳に追加

親水性Ｓｉ表面と界面接合酸化物の溶解とを用いるＳｉ間擬似疎水性ウェハ接合 - 特許庁

The drain bus wiring 61 is formed of aluminum wiring with an SiO2 film interposed with the Si substrate.例文帳に追加

ドレインバス配線61はアルミ配線で形成されており、Si基板との間にSiO_2膜を挟んだ構造になっている。 - 特許庁

To provide a method for measuring a temperature of an Si wafer capable of accurately measuring the temperature of the Si wafer under low temperatures, even though the Si wafer having a thin thickness is an object of the measurement.例文帳に追加

厚さの薄いＳｉウエハが測定対象であっても、低温下においてそのＳｉウエハの温度を正確に測定することができるＳｉウエハの温度測定方法を提供する。 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF CRYSTALLINITY OF 3C-SiC LAYER ON Si SUBSTRATE例文帳に追加

Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性の評価方法 - 特許庁

Carbon equivalent (%)=the amount of C(%)+(1/3)×the amount of Si(%).例文帳に追加

炭素当量（％）＝Ｃ量（％）＋（１／３）×Ｓｉ量（％） …（１） - 特許庁

This method includes (1) a manufacturing process of the lever 3, (2) a manufacturing process of the Si chip 2, and (3) a bonding process of the Si chip 2 and the lever 3.例文帳に追加

（１）レバー３の製造工程、（２）Ｓｉチップ２の製造工程、（３）Ｓｉチップ２とレバー３の接合工程とからなる。 - 特許庁

The product (SI×g) of degree of swelling (SI) by graft ratio (g) of the rubber component in the styrenic-graft copolymer is 13-80.例文帳に追加

前記スチレン系グラフト共重合体中のゴム成分の膨潤度（ＳＩ）とグラフト率（ｇ）との積（ＳＩ×ｇ）は１３〜８０である。 - 特許庁

As a result, the upper surface edge part of the Si layer 2 can be oxidized without causing oxidation of a lower surface edge part of the Si layer 2.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化を伴うことなくＳｉ層２の上面エッジ部を酸化することができる。 - 特許庁

The SiC wafer 12 temporarily fixed to the Si wafer 18 is overlaid on an Si wafer 14 having the same diameter as that of the Si wafer 18 with an SOG film 16P interposed therebetween.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１８に仮留めされたＳｉＣウェハ１２を、ＳＯＧ膜１６Ｐを介してＳｉウェハ１８と同じ口径のＳｉウェハ１４に重ね合わせる。 - 特許庁

RAW MATERIAL POWDER FOR Al-Si BASED ALLOY SINTERED COMPONENT, METHOD OF PRODUCING Al-Si BASED ALLOY SINTERED COMPONENT, AND Al-Si BASED ALLOY SINTERED COMPONENT例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ系合金焼結部品用原料粉末、Ａｌ−Ｓｉ系合金焼結部品の製造方法およびＡｌ−Ｓｉ系合金焼結部品 - 特許庁

The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.例文帳に追加

洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁

A hot-dip Al-Si alloy plated steel sheet having an Al-Si plated layer having an Si content in the range of 5 to 13 mass% is prepared.例文帳に追加

Ｓｉ含有量が５〜１３質量％の範囲内のＡｌ−Ｓｉめっき層を有する溶融Ａｌ−Ｓｉ合金めっき鋼板を準備する。 - 特許庁

When a preferential-acquisition control unit 122 acquires the prediction information, it is controlled so as to acquire the SI data in the order from the preferential SI data on the basis of the information.例文帳に追加

優先取得制御部１２２は、その予測情報を取得すると、その情報に基づいて、優先すべきSIデータから取得するように制御を行う。 - 特許庁

The layer 30 is composed of an upper Si film 12 and epitaxially grown Si layer 13, SiGe film 14, and Si film 15.例文帳に追加

半導体層３０は、上部Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ層１３，ＳｉＧｅ膜１４，Ｓｉ膜１５とから構成されている。 - 特許庁

The amorphous Si film 23 is laser-annealed in this state, and a single crystal of the same orientation as the Si pillar 13 is formed at the contact part with the Si pillar 13.例文帳に追加

この状態でアモルファスＳｉ膜２３をレーザアニールして、Ｓｉ柱１３との接触部に、Ｓｉ柱１３と同一方位の単結晶を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si semiconductor device having the quantum well structure comprises steps of forming an Si insulating layer 120 on an Si substrate 110, and further forming a thin metal layer 130 having a thickness of 10 nm or less on the layer 120.例文帳に追加

Ｓｉ系基板１１０の上にＳｉ系絶縁層１２０を形成し、さらにその上に、厚みが１０ｎｍ以下の薄い金属層１３０を形成する。 - 特許庁

Since the support windings SI, SO are formed into toroidal windings, and coil ends of the motor winding M and coil ends of the support windings SI, SO are made not to overlap each other, the coil end length can be shortened.例文帳に追加

支持巻線SI、SOをトロイダル巻線とし、モータ巻線Ｍのコイルエンドと支持巻線ＳI、SOのコイルエンドとが重ならないようにしたため、コイルエンド長を短く形成できる。 - 特許庁

The Chinese character '寸' is also used for the decimeter (dm) of International Unit System (SI), so, to make a distinction, the sun used in their traditional system of measurement is called 'shi cun,' and the sun in SI is called 'gong cun.' 例文帳に追加

また、国際単位系のデシメートル(dm)にも「寸」の字を宛てており、区別のため尺貫法（市制(単位系)）の寸を「市寸」、SI（公制）の寸を「公寸」と呼ぶ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Si-containing molecules which do not contain an organic group are adsorbed to a surface of an Si substrate 1 having a semiconductor element portion to form an adsorption layer 12 of the Si-containing molecules.例文帳に追加

半導体素子部を有するＳｉ基板１の表面に有機基を含まないＳｉ含有分子を吸着させ、Ｓｉ含有分子による吸着層１２を形成する。 - 特許庁

Sn-PLATED STRIP OF Cu-Ni-Si-Zn-BASED ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系合金Ｓｎめっき条 - 特許庁

The crystal thin film 42 consists of i-type poly-Si.例文帳に追加

結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。 - 特許庁

A sacrificial layer 2 is formed on the surface of a Si substrate 1, and an etching stop layer 4 is formed on the surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に犠牲層２を形成し、エッチングストップ層４をＳｉ基板１の表面に形成する。 - 特許庁

Zeolite with Si/Al mole ratio of at least 40 and crystal particle size of 1 μm or below is used as a carrier, and a noble metal is supported on the carrier.例文帳に追加

Si／Alモル比が40以上で結晶粒径が１μｍ以下のゼオライトを担体とし、その担体に貴金属を担持した。 - 特許庁

The β-zeolite having a Si/2A1 ratio of 20-2,000 is used.例文帳に追加

Ｓｉ／２Ａｌ比が２０〜２０００のβ−ゼオライトを用いる。 - 特許庁

A mole ratio [Si/Fe]_c of Si to Fe from the particle center through to the vicinity of the surface is 0.002-0.15.例文帳に追加

粒子の中心から表面近傍にかけてのＳｉとＦｅとのモル比〔Ｓｉ／Ｆｅ〕_Cは０．００２〜０．１５である。 - 特許庁

PRODUCTION OF BULK Si-C-N CERAMIC MATERIAL例文帳に追加

バルク状Ｓｉ−Ｃ−Ｎ系セラミックス材料の製造方法 - 特許庁

As the componential values of the steel after secondary refining, the componential values of ≥5 elements including C, Si, Mn, P and S are analyzed per charge.例文帳に追加

二次精錬後の鋼の成分値として、C、Si、Mn、P、Sを含む５以上の元素の成分値をチャージ毎に分析する。 - 特許庁

Moreover, the elution of Si from a substrate front surface is suppressed.例文帳に追加

また、基板表面からのＳｉの溶出が抑制される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING Si/C COMPLEX TYPE NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ／Ｃ複合体型負極活物質の製造方法 - 特許庁

A plurality of acoustic sensors 51 are provided on a Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。 - 特許庁