「OF Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the forming method of low dielectric constant porous film consisting of Si-O cohesion mainly through vapor phase method.例文帳に追加

主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF JOINED BODY OF Si-SiC COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法 - 特許庁

The central segregation of the bearing steel containing 0.93 to 1.10 wt.% of C. 0.15 to 0.35 wt.% of Si, 0 to 0.50 wt.% of Mn, and 1.30 to 1.60 wt.% of Cr is reduced as follows.例文帳に追加

C[wt%]を0.93〜1.10と、Si[wt%]を0.15〜0.35と、Mn[wt%]を0〜0.50と、Cr[wt%]を1.30〜1.60とする軸受鋼の中心偏析の改善は、以下のような方法で行う。 - 特許庁

The central segregation of the spring steel containing 0.55 to 0.65 wt.% of C. 1.30 to 2.10 wt.% of Si, 0.40 to 1.10 wt.% of Mn, and 0.10 to 0.70 wt.% of Cr is reduced as follows.例文帳に追加

C[wt%]を0.55〜0.65と、Si[wt%]を1.30〜2.10と、Mn[wt%]を0.40〜1.10と、Cr[wt%]を0.10〜0.70とするバネ用鋼の中心偏析の改善は、以下のような方法で行う。 - 特許庁

This anti-staining layer is present so that the ratio b/a of the infrared absorbance (b) of Si-O of the outermost surface and the infrared absorbance (a) of Si-O-Si is 0.01-0.2.例文帳に追加

最表面のＳｉ−Ｏの赤外吸光度ｂとＳｉ−Ｏ−Ｓｉの赤外吸光度ａの比ｂ／ａが０．０１〜０．２で存在することを特徴とする防汚層。 - 特許庁

Preferably, the film with the Ar quantity in the insulator film of 17% or less in the atomicity ratio for Si (Ar/Si≤17 at.%) is prepared.例文帳に追加

また望ましくは前記絶縁体膜中のＡｒ量が、Ｓｉに対して原子数比で１７％以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。 - 特許庁

Alternatively, the content of Si is controlled to ≤3%, and Al to 0.2 to 1.9% in the same chemical components.例文帳に追加

また、この発明の化学成分の内SiとAlをSi：3%以下、Al：0.2〜1.9%としたことを特徴とする高周波特性に優れた無方向性電磁鋼板。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high Si-containing high tensile strength steel sheet excellent in a chemical conversion treatment property.例文帳に追加

化成処理性に優れた高Si含有高張力鋼板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably prevent the generation of surface flaws caused by red scales in an Si-contg. hot rolled steel sheet.例文帳に追加

含Si熱延鋼板において、赤スケールに起因した表面疵の発生を安定した防止する。 - 特許庁

A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加

Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁

The Si substrate 1 is a bulk single crystal substrate or a thin film substrate an uppermost layer of which is Si.例文帳に追加

Ｓｉ基板１は、バルク単結晶基板又は最上層がＳｉである薄膜基板である。 - 特許庁

Scattered light, caused by roughness of Si or a metal film surface, has high distribution on its rear side.例文帳に追加

Siや金属膜表面のラフネスで発生する散乱光は後方側に強い分布を持つ。 - 特許庁

Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加

多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The pulsed laser beam 16 is delivered to the Ge material after going through the second Si lump from the top of the drawing.例文帳に追加

パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR BENDING Si-BASED MATERIAL, AND CORE WIRE MEMBER MADE OF Si-BASED MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ系材料の曲げ加工方法、曲げ加工装置、及びＳｉ系材料製芯線部材 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法 - 特許庁

METHOD FOR MODIFYING INNER PORTION OF Si-O-Si BOND-CONTAINING COMPOUND, DEVICE AND ARTIFICIAL SKIN FOR ROBOT例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物の内部改質法、デバイス及びロボット用人工皮膚 - 特許庁

SURFACE MODIFYING METHOD OF SOLID COMPOUND HAVING Si-O-Si BOND BY USING LASER BEAM例文帳に追加

レーザー光を用いたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の表面改質法 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The abrasive part 2 is mainly composed of iron, and carbon equivalent weight Ceq expressed by a formula: Ceq=C+Mn/6+Si/24+Ni/40+Cr/5+Mo/4+V/14, is set to be 0.02 mass% or less.例文帳に追加

Ｃｅｑ＝Ｃ＋Ｍｎ／６＋Ｓｉ／２４＋Ｎｉ／４０＋Ｃｒ／５＋Ｍｏ／４＋Ｖ／１４ - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SI WAFER HAVING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加

シリコン酸化膜を有するＳｉウェーハの製造方法 - 特許庁

The surface of the Si wafer or the surface of the film formed on the Si wafer is subjected to etching, whereby the surface of the Si wafer or the surface of the film formed on the Si wafer is turned uneven.例文帳に追加

Ｓｉウェーハ表面もしくはＳｉウェーハ表面に形成された膜を、エッチングすることによって該Ｓｉウェーハ表面もしくは該Ｓｉウェーハ表面に形成された膜に凹凸を形成するようにした。 - 特許庁

To provide a composite treating device which continuously subjects a film-like long-sized substrate to deposition of a-Si and p-Si chemical conversion treatment of a-Si.例文帳に追加

フィルム状の長尺基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置を提供する。 - 特許庁

As such an anode material, a single Si, an alloy or a compound of Sn, or a single Si, an alloy, or a compound of Si can be cited.例文帳に追加

このような負極材料としては、Ｓｎの単体，合金，あるいは化合物、またはＳｉの単体，合金，あるいは化合物などが挙げられる。 - 特許庁

A powder of Si-X alloy (X is one or more elements to form an inter-metal compound or solid solution together with Si) whose structure includes an Si-phase having a large Li-occluding ability is manufactured by a rapid cooling solidification method with a cooling speed of 100°C/sec (gas atomizing method, rapid cool rolling method, etc.).例文帳に追加

Si−Ｘ (ＸはSiと金属間化合物または固溶体を形成する１種以上の元素) 合金であって、組織中にLi吸蔵能の大きいSi相を有する合金の粉末を、冷却速度100 ℃/sec以上の急冷凝固法 (ガスアトマイズ法、急冷ロール法等)により製造する。 - 特許庁

The non-metal Ge compound layer contains, for example, a compound of Sr and Ge, a compound of Ba and Ge, or a compound of Ba, Si, and Ge.例文帳に追加

非金属Ge化合物層は、例えばSrとGeの化合物、BaとGeの化合物もしくはBaとSiとGeの化合物を有する。 - 特許庁

The intermediate layer 14 is constituted of a non-magnetic alloy consisting essentially of Co and Cr and oxides of Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and the like.例文帳に追加

中間層14はCoおよびCrを主原料とする非磁性合金と、Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zr等の酸化物で構成される。 - 特許庁

In this laser element, a layer which is grown to bury the mesa strip 15a is constituted of an Si current blocking layer 18 containing AlGaAs, and Si current blocking layers 19 and 20 containing AlGaInP.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、メサストライプ１５ａを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層１８及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層１９、２０から構成されている。 - 特許庁

A first Si oxide film 102, a diamond-like film (DLC film) 103, an ashing protective film (a-Si film) 104 and a second Si oxide film 105 are formed in order on the surface of an Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１表面に第１のＳｉ酸化膜１０２、ダイヤモンドライク膜（ＤＬＣ膜）１０３、アッシング保護膜（ａＳｉ膜）１０４、第２のＳｉ酸化膜１０５を順次形成する。 - 特許庁

The electric resistance welded steel pipe can optionally contain 0.03 to 0.59% of C, 0.10 to 1.50% of Si, 0.40 to 2.10% of Mn, 0.01 to 0.35% of Al, and further, can optionally contain Ca and Cr.例文帳に追加

電縫鋼管は、Ｃ：0.03〜0.59％、Si：0.10〜1.50％、Mn：0.40〜2.10％、Al：0.01〜0.35％を含有し、あるいはさらに、Ca、Crを含有してもよい。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING REORIENTED Si OF LOW DEFECT DENSITY例文帳に追加

配向変更された低欠陥密度のＳｉを製造する方法 - 特許庁

The identification signal Si of each electronic tag unit 10i is repeatedly read outside the void 1; and during or after the injection of the liquid material C into the void 1, the infilling of the liquid material C into a place Pi for attaching the unit 10i transmitting the identification signal Si is checked by the identification signal Si, the reading of which is stopped.例文帳に追加

空隙１の外側で各電子タグユニット10iの識別信号Siを繰り返し読み取り、空隙１内への液状物質Ｃの注入時又は後に、読み取りの停止した識別信号Siによりその識別信号Siの電子タグユニット10iの取り付け部位Piへの液状物質Ｃの充填を確認する。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

In the producing method, a rate of decrease of Si content in the Si phase after the burning process to Si content in the Si phase before the burning process is suppressed to 10 mass % or less.例文帳に追加

焼成工程前のＳｉ相中のＳｉ含有量に対する焼成工程後のＳｉ相中のＳｉ含有量の低下率を質量１０％以下に抑制する製造方法である。 - 特許庁

It is possible that, in the blending raw materials, the total of the carbonate is controlled to 10 to 35%, the content of the carbon for regulating slag formation speed is controlled to 0.1 to 5%, and further, as exoergic metal, a Ca-Si alloy and/or Si is blended.例文帳に追加

上記配合原料のうち、炭酸塩の合計を10〜35％、滓化速度調整用カーボンを0.1〜5％として、さらに発熱金属としてCa-Si合金および／またはSiを配合することができる。 - 特許庁

The central segregation of the machine structural steel containing 0.47 to 0.60 wt.% of C. 0.10 to 0.30 wt.% of Si, 0.50 to 1.00 wt.% of Mn, and 0.10 to 0.30 wt.% of Cr is reduced as follows.例文帳に追加

C[wt%]を0.47〜0.60と、Si[wt%]を0.10〜0.30と、Mn[wt%]を0.50〜1.00と、Cr[wt%]を0.10〜0.30とする機械構造用鋼の中心偏析の改善は、以下のような方法で行う。 - 特許庁

The balanced/unbalanced conversion circuit is also provided with another inversion amplifier Q12 which adds an output signal -Si of the inversion amplifier Q11 and the other signal -Si out of the pair of balanced signals ±Si.例文帳に追加

この反転アンプＱ11の出力信号−Ｓiと、１対の平衡信号±Ｓiのうちの他方の信号−Ｓiとを加算する別の反転アンプＱ12を設ける。 - 特許庁

To suppress reduction of a resistance value of an Si substrate when growing AlN and GaN on the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。 - 特許庁

In ferritic heat resistant steel contg. 8.0 to 13.5% Cr, respectively, the content of S is controlled to 0.002 to 0.04%, and that of Si is controlled to ≤0.7%.例文帳に追加

Cr：8.0〜13.5％を含むフェライト系耐熱鋼において、Ｓを0.002〜0.04％に、Siを0.7％以下に、それぞれ制御する。 - 特許庁

To suppress the frequency of wasteful "SI reporting".例文帳に追加

無駄な「ＳＩ ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ」の頻度を抑圧する。 - 特許庁

SiC/Si COMPOSITE MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料及びその製造方法 - 特許庁

To suppress frequency of wasteful "SI reporting".例文帳に追加

無駄な「ＳＩ ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ」の頻度を抑圧する。 - 特許庁

Then, an a-Si layer is formed on the upper, the entire surface of the Si substrate 1 so that the inside of the cavity section is embedded therewith.例文帳に追加

そして、空洞部内を埋め込むようにＳｉ基板１の上方全面にａ−Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁