「OF Si」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an Si-added high strength steel sheet having excellent phosphate treatability by controlling Si based oxides produced on the surface of the Si-added steel sheet having phosphate treatability remarkably inferior to that of soft steel.例文帳に追加

軟鋼よりも遥かにリン酸塩処理性が劣るSi添加鋼に対し、鋼板表面に生成するSi系酸化物を制御することで、リン酸塩処理性に優れたSi添加高強度鋼板を提供する。 - 特許庁

Prior to the measurement of the steel product with unknown Si concentration, a calibration curve for determining Si concentration from a sensor output in a differential magnetic permeability used for the measurement is formed by use of a sample with known Si concentration.例文帳に追加

Si濃度が未知の鋼材を測定する前に、まずSi濃度が既知のサンプルを用いて、測定に使用する微分透磁率におけるセンサ出力からSi濃度を求める校正線を作成する。 - 特許庁

By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF Si FINE CRYSTAL STRUCTURE例文帳に追加

Ｓｉ微結晶構造の製造方法 - 特許庁

An Si layer of the I/O region 15 is an Si epitaxial layer 18 whose thickness is larger than that of the Si layer 13 of the core region 14.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ領域１５のＳｉ層は、コア領域１４のＳｉ層１３より厚いＳｉエピタキシャル層１８である。 - 特許庁

Gyeongsan-si (Gyeongsangbuk-do, Republic of Korea) 例文帳に追加

慶山市（大韓民国慶尚北道） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

The Heusler alloy material has a composition ratio of Co_2(Fe_xMn_1-x)Si alloy (x=0.1 to 0.9).例文帳に追加

ホイスラー合金材料は、Co_2(Fe_xMn_1-x)Si合金（x=0.1〜0.9）の組成比を有している。 - 特許庁

Uh, normal nsa employees have a combination of clearances called ts, si, tk, and gamma.例文帳に追加

通常の NSA 職員は TS、SI、TK 及びガンマと呼ばれる 権限を持っている - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Uh, normal nsa employees have a combination of clearances called ts, si, tk, and gamma.例文帳に追加

通常の nsa 職員は ts、si、tk 及びガンマと呼ばれる 権限を持っている - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

METHOD OF FORMING SILICON CONTAINING THIN FILM USING ORGANIC COMPOUND CONTAINING SI WITH SI-SI BOND例文帳に追加

Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する有機Ｓｉ含有化合物を用いたＳｉ含有薄膜の形成方法 - 特許庁

The Si single crystal 1 is curved and the position of the probe 6 is displaced by the bimetal operation between the PZT thin film 3 and the Si single crystal 1.例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜３とSi単結晶１とのバイメタル作用により、Si単結晶１が湾曲して探針６の位置が変位する。 - 特許庁

In the Ainu language, Heshiko becomes pe-si-kor: pe meaning the liquid coming out of something, si, in this case, meaning 'it' and kor meaning 'maintain' or 'create.' 例文帳に追加

アイヌ語にあてはめると、へしこ＝pe-si-kor、peとは何かからにじみ出てくる液、siはこの場合「それを」、korは「護持する」「生成する」を意味する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

Information (ESOB_TY:b12="1" or invalid value of information of PSI, SI) indicating invalidity of information (PSI, SI) about broadcasting contents is included in the management information (ESOB_TY) of a type (TYPE_B) not specifying the broadcasting station.例文帳に追加

前記放送局を特定しないタイプ（TYPE_B）の管理情報（ESOB_TY）内に放送コンテンツに関する情報（PSI, SI）の無効を示す情報（ESOB_TY：b12=“1”またはPSI, SIの情報の無効値）を含む。 - 特許庁

PRODUCTION OF SiC-Si COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 - 特許庁

Si MONOCHROMATOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

Ｓｉモノクロメータおよびその製造方法 - 特許庁

SINTERING METHOD OF Fe-Si POWDER例文帳に追加

Ｆｅ−Ｓｉ系粉末の焼結方法 - 特許庁

METHOD OF STACKING Si SINGLE CRYSTAL FINE PARTICLES例文帳に追加

Ｓｉ単結晶微粒子積層方法 - 特許庁

METHOD FOR HIGH-SPEED FILM GROWTH OF EPITAXIAL Si例文帳に追加

エピタキシャルＳｉの高速成膜方法 - 特許庁

COLUMNLESS SPACE SKELETON SYSTEM OF SI CONSTRUCTION例文帳に追加

ＳＩ建築の無柱空間スケルトンシステム - 特許庁

I am shibuya of si pharmaceutical co., ltd. good job.例文帳に追加

エスアイ製薬の渋谷です。 お疲れさま。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The core 2 is formed of Si-Al-O-N and the clad part 3 is formed of SiO_2.例文帳に追加

前記コア部２は、Si-Al-O-Nから形成され、前記クラッド部３はSiO_2から形成される。 - 特許庁

The coating layer consists of a material containing Si and has a thickness of 3 to 100 μm.例文帳に追加

この被覆層は、Siを含有する材料で構成され、厚さが3〜100μｍである。 - 特許庁

The oxidation-resistant coating method for a carbon/carbon composite material comprises (a) the step of coating the carbon/carbon composite material with Si and (b) the step of thermally treating the applied Si to impregnate it into the composite material to form a SiC layer and a Si layer successively.例文帳に追加

(a)炭素/炭素複合材料上にSiを塗布する工程、及び(b)塗布されたSiを熱処理して、前記複合材料にSiを含浸させることにより、SiC層とSi層を順次形成する工程を含む炭素/炭素複合材料の耐酸化コーティング方法。 - 特許庁

The alloy having an amorphous structure is composed of the components (Fe-Ni-Co)-(B-Si-C).例文帳に追加

非晶質組織を有する合金は（Fe-Ni-Co)-(Ｂ-Si-Ｃ）の成分系からなる。 - 特許庁

The oxygen limits the formation of -Si-H and -Si-OH groups in the low dielectric constant material, thereby reducing the occurrence of moisture absorption and oxidation in the low dielectric constant material.例文帳に追加

酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 - 特許庁

Line image data S40 of input image data Si is outputted from a frame memory 40.例文帳に追加

フレームメモリ40から入力画像データSiのライン画像データS40が出力される。 - 特許庁

Line image data S10 of input image data Si is outputted from a frame memory 10.例文帳に追加

フレームメモリ10から入力画像データSiのライン画像データS10が出力される。 - 特許庁

A first cover member consisting of Si and a second cover member consisting of Si are joined directly on either side of the Si substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉから成る第１カバー部材３と、Ｓｉから成る第２カバー部材４とを、Ｓｉ基板２の両側で直接接合する。 - 特許庁

A mole ratio [Si/Fe]_s of Si to Fe at the particle surface part with a high concentration of Si, is 0.004-1.例文帳に追加

Ｓｉが高濃度である粒子表面部位におけるＳｉとＦｅとのモル比〔Ｓｉ／Ｆｅ〕_Sは０．００４〜１である。 - 特許庁

To provide a method of producing a single crystal silicon by which the high quality single crystal silicon, wherein the concentration of any one of silicon isotopes Si-28, Si-29 and Si-30 is higher than that in the natural silicon element, can be produced in large quantities.例文帳に追加

シリコン同位体Si-28，Si-29，Si-30のうちのいずれかの濃度が天然のシリコン元素よりも高い単結晶シリコンを、品質良く、且つ大量生産が可能なように製造することができる単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.例文帳に追加

質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁

A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).例文帳に追加

グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

To provide a joining method between an insulating body and an Si substrate of different coefficients of thermal expansion.例文帳に追加

熱膨張係数の異なる絶縁体とSi基板との接合方法を提供する。 - 特許庁

PRODUCTION OF HYPEREUTECTIC Al-Si ALLOY例文帳に追加

過共晶Ａｌ—Ｓｉ合金の製造方法 - 特許庁

There is disclosed agglomerates of faujasite X with an Si/Al ratio of 1.例文帳に追加

本発明はSi／Al比が１であるフォージャサイトＸの凝集塊に関するものである。 - 特許庁

The thin Si layer is consumed by oxidation of an interface of the thin Si with the embedded oxide.例文帳に追加

薄いＳｉ層は埋込み酸化物／薄いＳｉの界面の酸化によって消費される。 - 特許庁

In the lithium silicate, the atomic ratio of Li/Si is 0.8 to 4.0, and the mass ratio of the lubricant/lithium silicate is 0.1 to 2.0.例文帳に追加

リチウムシリケートはLi／Si原子比＝ 0.8〜4.0 であり、潤滑剤／リチウムシリケート質量比＝ 0.1〜2.0 とする。 - 特許庁

The Si crystal thin film is formed on the main surface of an Si substrate by bringing an Si melt into contact with the main surface of the Si substrate made of a metallurgical Si raw material or the like and performing liquid phase epitaxial growth at a temperature close to the melting point of Si.例文帳に追加

メタラジカルＳｉ原料などからなるＳｉ基板の主面に対してＳｉ融液を接触させ、Ｓｉの融点近傍で液相エピタキシャル成長を行い、前記Ｓｉ基板の前記主面上にＳｉ結晶薄膜を形成する。 - 特許庁

Figure 1 shows a HREM image of Si [110]. For the atomic arrangement, see the inset. 例文帳に追加

図1は、Si[110]のHREM像を示す。原子配列については挿入図を参照のこと。 - 科学技術論文動詞集

The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、（Feを主成分として、Si、Al（またはCr）等を添加した）Ｆｅ系合金磁性材に、P（リン）が０．２〜０．５w％添加されて構成される。 - 特許庁

To reduce the amount of transmission of PSI/SI information.例文帳に追加

ＰＳＩ／ＳＩ情報の送信量を削減する。 - 特許庁