「P in an」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

For example, to pass the PID of the process that is being dumped, specify %p in an argument. 例文帳に追加

例えば、ダンプされるプロセスの PID を渡すには、引き数に%pを指定する。 - JM

If an item in p is matches key, return 1, otherwise return0.例文帳に追加

p の要素が key に一致した場合は 1 を返し、それ以外の場合には 0 を返します。 - Python

To solve the problem, a P-P path is defined between an Ethernet device (3-2) and an Ethernet device (3-3) to perform communication between LANs #A in the Ethernet network (3-1).例文帳に追加

Ethernet網（３−１）にLAN＃A間の通信を行うためにEthernet装置（３−２）とEthernet装置（３−３）との間にP−Pのパスを定義することで課題を解決する。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

A typical circuit that generates a chrominance vector absolute value in real time within an error of 1.5-% p-p is shown.例文帳に追加

１．５−％p-p誤差の範囲内で、リアルタイムなクロミナンスベクトル絶対値を生成する模範的な回路を示す。 - 特許庁

Polylactic acid (p-la) and an olefinic elastomer (Oep) are mixed with the ratio of p-la/Oep=90/10-60/40 in the polylactic acid composition.例文帳に追加

ポリ乳酸（p-la）とオレフィン系エラストマー（Ｏep）とを比p-la／Ｏep＝９０／１０〜６０／４０の範囲で混練されている。 - 特許庁

In the image display apparatus, image data P(d) obtained from an arbitrary view point d is selected from image data P(1), P(2), ..., P(N).例文帳に追加

画像データＰ（１）、Ｐ（２）、…、Ｐ（Ｎ）の中から、任意の視点ｄの画像データＰ（ｄ）が選択される。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

An air flow rate measured value AFM and an intercooler pressure measured value P_ic for the engine in normal state are obtained.例文帳に追加

エンジンが定常状態のときの空気流量測定値AFMとインタークーラ圧測定値P_icとを得る。 - 特許庁

A transfer support apparatus 1 is an apparatus for supporting transfer of the care-receiver P in an upright sitting position.例文帳に追加

移乗支援装置１は、端座位の被介護者Pの移乗を支援するためのものである。 - 特許庁

To manufacture and supply an LED lighting lamp (P) of panel shape in which a lighting lamp fixing frame (S) of the LED lighting lamp (P) is made a heat sink part, and heat generated from the LED lighting lamp (P) is radiated to prevent deterioration of the lifetime of an LED by the heat.例文帳に追加

本発明は、パネル状のLED照明灯(P)においてLED照明灯(P)の照明灯固定用周囲枠（S）をヒートシンク部とすることにより、LED照明灯（P）から生じる熱を放出して、前記熱によりLEDの寿命を低下させることのないLED照明（P）を製作し提供することにある。 - 特許庁

In a moving body 11, slits 12 having respectively the width of (1/2)P are bored with an arrangement pitch of P in the moving direction.例文帳に追加

移動体１１には、移動方向に配列ピッチＰで(１/２)Ｐの幅のスリット１２が穿設されている。 - 特許庁

An aligning and feeding device aligns the parts P in a specified direction by an attitude selection mechanism 50 and discharges the parts P, while transferring the parts P by a moving mechanism.例文帳に追加

パーツの整列供給装置は、パーツＰを移送機構で移送しながら、姿勢選別機構５０で特定の方向に整列して排出する。 - 特許庁

The p-type GaAs single crystal has an average dislocation density of ≤100/cm^-2 and contains Si, Zn, B and In as dopants.例文帳に追加

本発明のp型GaAs単結晶は、平均転位密度100cm^-2以下のp型GaAs単結晶であって、ドーパントとして、Si，Zn，B，及びInを含有することを特徴とする。 - 特許庁

The control unit 140 sets an output to which y_p^2 stored in the storage unit 110 and y_p are inputted in the multiplier unit 130 to be output y_p^3 and calculates a pairing value, based on the obtained x_p^3 and y_p^3.例文帳に追加

制御部１４０は、乗算部１３０に記憶部１１０に格納したｙ_ｐ^２とｙ_ｐを入力した出力をｙ_ｐ^３とし、算出したｘ_ｐ^３及びｙ_ｐ^３に基づきペアリング値を算出する。 - 特許庁

Returns true if p is a dict object or an instance of a subtype of the dict type.Changed in version 2.2:Allowed subtypes to be accepted.例文帳に追加

引数が PyDictObject のときに真を返します。 - Python

In an electrooptical device, a unit circuit P includes element parts U1 and U2.例文帳に追加

単位回路Ｐは素子部Ｕ1・Ｕ2を含む。 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

An NMOS region is formed in the P-type well.例文帳に追加

Ｐ型ウェル内にはＮＭＯＳ領域が形成されている。 - 特許庁

To position an arc shaped bend pipe P in a certain attitude.例文帳に追加

弧状曲管Ｐを一定の姿勢に位置決めする。 - 特許庁

To equalize a P+ electrode and an emitter electrode in potential, and to prevent breakdown of the P+ electrode.例文帳に追加

Ｐ^+電極とエミッタ電極を同電位とし、Ｐ^+電極の破壊を防止する。 - 特許庁

In one aspect, a weighted projective point P on an elliptic curve, P having coordinates (x, y, z) is identified.例文帳に追加

一態様では、座標が（ｘ，ｙ，ｚ）である、楕円曲線上の重み付け射影点Ｐが特定される。 - 特許庁

An amount of radiation in the environment is measured with the cylindrical probe P or the radiation measurement device.例文帳に追加

筒状のプローブP又は放射線測定器で環境中の放射線量を測定する。 - 特許庁

Each frame P-GOB has an image block subjected to in-frame compression as a key GOB.例文帳に追加

各フレームP-GOBは、フレーム内圧縮された画像ブロックを、キーＧＯＢとして有する。 - 特許庁

In this case, an n-type deep region may be interposed between a p-type partition region and a p-type well region.例文帳に追加

また、ｐ仕切り領域とｐウェル領域との間にｎ深部領域を挟んでも良い。 - 特許庁

A conveyance roller 2 comes into contact with an upper face of the paper P on the downstream side in the direction A of conveyance of the paper P.例文帳に追加

用紙Ｐの搬送方向Ａの下流側の上面には搬送ローラ２が接している。 - 特許庁

An identification member having the individual identification information of the P sensor 310 is provided in the P sensor 310.例文帳に追加

また、Ｐセンサ３１０にＰセンサ３１０の個体識別情報を有する識別部材を設けている。 - 特許庁

In a game of the player, and an actual payment rate PP/BP is computed from the expenditure history BP and the income history PP, and the actual payment rate and a previously fixed set payment rate P/B are compared.例文帳に追加

そして、そのプレイヤーのゲームにおいて、支出履歴Ｂ_P及び収入履歴Ｐ_Pから過去の実質払出率Ｐ_P／Ｂ_Pを算出し、その実質払出率と、予め決められた設定払出率Ｐ／Ｂとを比較する。 - 特許庁

A control unit 140 of the pairing calculation device 100 inputs y_p and y_p into a multiplier unit 130 with respect to a given point (x_p, y_p) on an ellipsoidal curve, causes the multiplier unit to calculate y_p^2, and stores the result in a storage unit 110.例文帳に追加

ペアリング算出装置１００の制御部１４０は、楕円曲線上の任意の点（ｘ_ｐ、ｙ_ｐ）に対し、乗算部１３０にｙ_ｐとｙ_ｐとを入力してｙ_ｐ^２を算出させて記憶部１１０に格納する。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

A p well 2 is formed on the surface of a p-type substrate, and then an n well 3 is formed within the p well 2 in a plane view.例文帳に追加

Ｐ型基板の表面にＰウエル２を形成し、平面視でＰウエル２の内部にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

In this screen panel connecting device, a plurality of screen panels P and P are arranged in an endless manner, a connecting pin 4 is arranged between the adjacent screen panels P and P so that the screen panels P and P can be connected to each other, and the connecting member 5 made of an elastic body is interposed along the connecting pin 4 of this connection part.例文帳に追加

複数枚のスクリーンパネルＰ、Ｐをエンドレス状に配設し、この隣接スクリーンパネルＰ、Ｐ間に連結ピン４を配設して連結接続し、この連結接続部の連結ピン４に沿って弾性体製の連結部材５を介在させて構成する。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

In a prediction model memory 201, a proportional expression λ∝P^2/3 is memorized as a prediction model indicative of an increase in a frequency λ of communication between users in relation to an increase in a service coverage P.例文帳に追加

予測モデル記憶部２０１には、サービス普及率Pの増加に対するユーザ間通信頻度λの伸びを表す予測モデルとして、比例式λ∝P^2/3が記憶されている。 - 特許庁

As for waveform data W(p) of performance strength (mp) and performance strength (p), which are weaker than the waveform (mf), an attack section waveform data Wa(mp) and an attack section waveform data Wa(p) which are created by similar attack waveform creation processing B and C, are stored in the waveform memory 23.例文帳に追加

演奏強度(mf)より弱い演奏強度(mp)、演奏強度(p)の波形データW(p)については、同様のアタック波形作成処理Ｂ、Ｃを行う作成したアタック部波形データWa(mp)、アタック部波形データWa(p)を波形メモリ２３に記憶する。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, an active layer is formed on a p-side clad layer side and an n-side guide layer has an index of refraction higher than the p-side guide layer.例文帳に追加

半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。 - 特許庁

A solar battery 10 is constituted by laminating an upper cell 12 stacking an n+-layer, a p-layer, and a p+-layer upon a lower cell 14 in which n+-layers and p+-layers are arranged in the lower section of a p-layer along the rear surface of the cell 14.例文帳に追加

ｎ^+層、ｐ層、ｐ^+層で構成された上部セル１２とｐ層の下部に裏面に沿ってｎ^+層とｐ^+層を並べた下部セル１４とを積層し太陽電池１０とする。 - 特許庁

An ink jet printer has copy reading sections 20 scanning a copy D in the width direction for reading the image of the copy, and printing sections 21 executing printing to recording paper P by an ink jet system by scanning in the width direction of the recording paper P.例文帳に追加

インクジェットプリンタは、原稿Dを幅方向に走査して原稿の画像を読み取る原稿読み取り部20と、記録用紙Pを幅方向に走査して記録用紙Pにインクジェット方式による印字を行う印字部21とを備えている。 - 特許庁

A cyclic p^+ diffusion region 3 is formed on a top surface of a P-type substrate 1 in such a way as to surround an internal circuit 2b and a shunt circuit 4 is formed in an area including the region directly above the p^+ diffusion region 3 on the P-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１の表面に、内部回路２ｂを囲むようにリング状のｐ^＋拡散領域３を形成し、Ｐ型基板１上のｐ^＋拡散領域３の直上域を含む領域にシャント配線４を形成する。 - 特許庁

Preferably, the hole array 12 has an interval P between holes 14 satisfying 250 nm<P<400 nm as an average interval and a diameter D of the hole 14 with respect to the interval P between the holes 14 is in a range of 0.7<D/P<0.85.例文帳に追加

また、ホールアレイ１２は、各ホール１４間の間隔Ｐは２５０ｎｍ＜Ｐ＜４００ｎｍの平均間隔を有し、ホール１４の直径Ｄは各ホール１４間の間隔Ｐに対して０．７＜Ｄ／Ｐ＜０．８５の範囲であることが好ましい。 - 特許庁

The scramble key buffer 61 sets an n-p bit pseudo random number supplied from a random number output device in higher-order n-p bits and combines the n-p bit with a lower-order fixed value to generate an n-bit scramble key.例文帳に追加

スクランブル鍵バッファ６１は、乱数出力器から供給されたｎ−pビットの疑似乱数をレジスタの上位のｎ−ｐビットに設定し、下位の固定値と合わせてｎビットのスクランブル鍵を生成する。 - 特許庁

In relation to P frames used for unidirectional motion compensation prediction, two kinds of the P frames such as P+ frames 503, 507 for rounding up a value obtained by adding 0.5 to an integer, and P- frames 505, 509 for rounding down a value obtained by adding 0.5 to an integer are prepared.例文帳に追加

片方向の動き補償予測を行うＰフレームに関し、整数に0.5を加えた値を切り上げるＰ＋フレーム５０３、５０７と、整数に0.5を加えた値を切り捨てるＰ−フレーム５０５、５０９の２種類を用意する。 - 特許庁

Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁