「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

A showerhead 10A for introducing material gas into the chamber 1 is provided in a surface wave exiting plasma processing device 100.例文帳に追加

表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ１内へ材料ガスを導入するためのシャワーヘッド１０Ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film on a substrate using plasma processing, which can realize high speed film forming and a high quality film at the same time.例文帳に追加

プラズマ処理により基板上に薄膜を形成する方法において、高速成膜と高い膜品質とを同時に実現する。 - 特許庁

To prevent depositions from sticking on a gate valve communicating with a processing chamber of a plasma etching apparatus, etc., and prevent valve leakage and the generation of particles.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理チャンバにつながるゲートバルブでのデポ付着を防止し、バルブリーク及びパーティクル発生の防止を図る。 - 特許庁

A plasma emission spectrum coming from indium in etching processing atmosphere is measured to detect the etching end from the intensity variation of this spectrum.例文帳に追加

エッチング処理雰囲気内のインジウム由来のプラズマ発光スペクトルを測定し、このスペクトルの強度変化からエッチング終点を検出する。 - 特許庁

The water vapor is decomposed into hydrogen and oxygen in a plasma processing, which combines with fluorine of decomposed fluorine gas to generate hydrogen fluoride.例文帳に追加

プラズマ処理によって水蒸気は水素と酸素とに分解され、分解されたフッ素系ガスのフッ素と結合しフッ化水素を生成する。 - 特許庁

In a discharge plasma processing apparatus, at least one of oppositely-faced parallel-plane electrodes 2, 3 of the apparatus is provided with a solid dielectric 4.例文帳に追加

放電プラズマ処理装置の平行平板型の対向する電極２、３のうち、少なくとも一方に固体誘電体４を設ける。 - 特許庁

An electrode (a) 102 and the EL layer 103 are arranged on an insulator 101, and a plasma processing is performed on the EL layer 103.例文帳に追加

絶縁体１０１上に電極（ａ）１０２、ＥＬ層１０３が設けられ、ＥＬ層１０３に対してプラズマ処理が行われる。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 20, microwaves are inputted from a microwave generator 355 as energy for exciting the introduced gas.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０は、また、導入されたガスを励起させるためのエネルギーとしてマイクロ波発生器３５５からマイクロ波を投入する。 - 特許庁

Plasma processing is carried out for a recessed and projected pattern 103 while maintaining the pattern 103 at a temperature near the melting point of the photoresist.例文帳に追加

このプラズマ処理は、凹凸パターン１０３をフォトレジストの溶融点近傍の温度に保ちながら、凹凸パターン１０３に対して行う。 - 特許庁

To provide a specific ceramic material having corrosion/erosion resistance in semiconductor processing conditions using a corrosive/erosive plasma.例文帳に追加

腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。 - 特許庁

A plasma treatment device 10 served as a substrate processing apparatus is provided with a mounting base 35 which electrostatically chucks a mounted wafer W.例文帳に追加

基板処理装置としてのプラズマ処理装置１０は、載置されたウエハＷを静電気的に吸着する載置台３５を具備する。 - 特許庁

A dual-chamber plasma processing apparatus comprises two reaction spaces which are equipped with different gas inlet lines and different RF systems.例文帳に追加

デュアル反応チャンバプラズマ処理装置は、異なるガス流入ライン及び異なるRFシステムが取り付けられた２つの反応チャンバから成る。 - 特許庁

The processing method for the medical container irradiates the part in contact with liquid of the medical container made of a polyethylene terephthalate with light and/or plasma.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート製医療用容器の接液部に、光照射および／またはプラズマ照射する医療用容器の処理方法。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of generating a stable electrical discharge in the atmosphere without using a helium gas.例文帳に追加

ヘリウムガスを使用することなく、大気圧中で安定した放電を行なえるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Helium, supplied from a helium cylinder 1, is made to come into direct contact with pure water 5 in a steam mixer 3 and is supplied to a plasma processing unit 4.例文帳に追加

ヘリウムボンベ１からのヘリウムは、水蒸気混合器３で純水５と直接に接触されて、プラズマ処理部４に供給される。 - 特許庁

To improve the yield by greatly reducing foreign matter sticking on a wafer in a plasma processing process when a semiconductor device is manufactured.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a compact plasma CVD apparatus capable of protecting a semiconductor wafer against contamination, and independently of controlling the dissociation of a plurality of processing gases.例文帳に追加

半導体ウエハの汚染を防止し、複数の処理ガスの解離を独立に制御することが可能で、コンパクトなプラズマCVD装置を与える。 - 特許庁

To automatically measure a thickness of each tray and properly control the trays in a plasma processing system including the trays in which substrates are placed to be transferred.例文帳に追加

基板を載置して搬送するトレイを備えるプラズマ処理システムにおいて、トレイの厚さを自動的に測定して適切に管理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus reducing contamination of a placed substrate to be processed without breaking a cover.例文帳に追加

カバーの破壊等を生じさせることなく、載置された被処理基板の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

This plasma processing system is for depositing a film on a large-area substrate 17 by means of a CVD process in a reactor 10.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、反応容器１０でＣＤＶ過程によって大面積基板１７に成膜を行うためのものである。 - 特許庁

As a result, a uniform plasma is generated in the plane of a wafer W and hence a uniform film forming processing can be made.例文帳に追加

この結果成膜時はウエハＷの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。 - 特許庁

To uniformly strip a resist on a wafer surface, while keeping the wafer temp. uniform at a low temp. in a single-wafer processing plasma ashing developing apparatus.例文帳に追加

枚葉式プラズマアッシング現像装置において、低温で均一にウェハ１０の温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離する。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing method capable of reducing a work defect in the terminal edge of a large diameter wafer and raising production yield.例文帳に追加

大口径ウエハの最エッジ部での加工不良を低減し、生産歩留まりを向上できるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 11 includes a processing container 12 for internally performing plasma processing on a treated substrate, a slot antenna plate 18 wherein a plurality of slot holes 17 for supplying microwaves into the processing container 12 are arranged, and a rod 52 as a microwave radiation amount adjusting mechanism for adjusting an amount of microwave radiation radiated from the slot holes 17 by changing openings of the slot holes 17.例文帳に追加

プラズマ処理装置１１は、内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器１２と、マイクロ波を処理容器１２内へ供給するためのスロット孔１７が複数設けられたスロットアンテナ板１８と、スロット孔１７の開度を変化させてスロット孔１７から放射されるマイクロ波の放射量を調整するマイクロ波放射量調整機構としてのロッド５２とを備える。 - 特許庁

The resist removing apparatus D comprises a plasma processing section 10 for irradiating resist with plasma processing gas of any one of N_2 gas, O_2 gas, H_2O gas or their mixture gas, and a steam processing section 20 for stripping and removing resist 4 from the substrate 1 by touching the resist irradiated with processing gas to steam blown out from a steam blow-out nozzle 23.例文帳に追加

レジスト除去装置Ｄは、大気圧近傍の圧力下で、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２Ｏガスのいずれか、あるいはこれらの混合ガスをプラズマ化した処理ガスをレジストに照射するプラズマ処理部１０と、処理ガスを照射されたレジストにスチーム吹き出しノズル２３から吹き出したスチームを接触させて基板１からレジスト４を剥離させて除去するスチーム処理部２０とを備える。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus provided with a gas injecting means including a plurality of gas injecting ports 18 to the surface opposing to the processing object 8 in order to conduct the process to the processing object 8, the uniform plasma process can be implemented to the processing object by injecting a mixed gas having different flow rate ratios of two or more kinds of gas from different gas injecting ports.例文帳に追加

被処理体８に対する対向面に複数のガス噴出口１８を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体８に処理を施すプラズマ処理装置において、２種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。 - 特許庁

The plasma is generated from the processing gas with flow ratio of C_6F_6 gas to oxygen gas (oxygen gas flow/C_6F_6 gas flow: 2.8 to 3.3) using C_6F_6 gas, rare gas and oxygen gas for the plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングには、Ｃ_6Ｆ_6ガスと、希ガスと、酸素ガスとを含み、Ｃ_6Ｆ_6ガスに対する酸素ガスの流量比（酸素ガス流量／Ｃ_6Ｆ_6ガス流量）が２．８〜３．３の処理ガスを用い、この処理ガスからプラズマを生成する。 - 特許庁

To improve the in-plane uniformity of plasma processing by reducing the field intensity of plasma at the center of a processed substrate.例文帳に追加

被処理基板の中央部におけるプラズマの電界強度を低くして、これによりプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置用の載置台及び、この載置台を備えたプラズマ処理装置を提供する - 特許庁

Processing gas, excited by plasma generated by a plasma generation means 8 is discharged to the substrate to be processed S from the side of the substrate to be processed S by a gas supply means 9 and is supplied to an etching face.例文帳に追加

プラズマ生成手段８にて生成されたプラズマにより励起されたプロセスガスは、ガス供給手段９により被処理基板Ｓの側方から被処理基板Ｓに向けて放出されてエッチング面に供給される。 - 特許庁

Before conducting plasma processing on a substrate 12 to be treated, the front and back sides of the substrate 12 to be processed are simultaneously exposed by feeble plasma in the gas, composed mainly of inert gases.例文帳に追加

被処理基板１２をプラズマ処理する前に、不活性ガスを主体としたガス中で微弱なプラズマにて被処理基板１２の表裏を同時に曝すことで、被処理基板１２の電荷を取り除くことが可能となる。 - 特許庁

This allows unevenness in plasma density distribution caused by the standing wave of the high frequency power formed on the high frequency coil 23 to be improved, thereby enabling the system to achieve an even plasma processing over the entire substrate.例文帳に追加

これにより、高周波コイル２３上に形成される高周波電力の定在波を原因とするプラズマ密度分布の不均一性が改善され、基板の全面にわたって均一なプラズマ処理が実現可能となる。 - 特許庁

To provide a low temperature plasma radiation device suitable for surface modification of a body to be processed in various materials and shapes, especially for surface processing for improving hydrophilicity and the like, and to provide a low temperature plasma radiation method.例文帳に追加

種々の材料・形状を持つ被処理体の表面改質、特に親水性を高めるための表面処理などに好適な低温プラズマ照射装置及び低温プラズマ照射方法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film on a wafer W is subjected to modifying treatment by supplying a plasma gas as a processing gas to the film from an active gas injector 220 having a plurality of plasma generators 80 arranged on the circumferential direction of a turn-table 2.例文帳に追加

回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。 - 特許庁

To provide a deposit protection cover and a plasma processing apparatus capable of providing a simple solution to deposits adhered to portions originally considered to be unreachable by plasma without increasing manufacturing cost.例文帳に追加

本来プラズマが入り込まないと想定されている部位等における堆積物に対して、製造コストの増大を招くことなく簡易に対策を行うことのできる堆積物対策用カバー及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An SiOCH film is formed by lamination a plurality SiOCH films, and each of the SiOCH films is formed by a deposition step by a plasma CVD method, and a modification step by a hydrogen plasma processing.例文帳に追加

ＳｉＯＣＨ膜を複数のＳｉＯＣＨ膜部分の積層により形成し、各々のＳｉＯＣＨ膜部分は、プラズマＣＶＤ法による堆積工程と、水素プラズマ処理による改質工程により形成される。 - 特許庁

A dry etching apparatus 11 includes a coil 36 for generating a plasma in a vacuum container 12, and a camera 45 which photoes the image of the surface to be etched of the substrate (1) which generates the plasma and is under processing by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング装置１１は、真空容器１２内にプラズマを発生させるコイル３６と、プラズマが発生してドライエッチングにより加工中である基板（１）の被エッチング面の画像を撮影するカメラ４５を備える。 - 特許庁

To provide an induction coupled antenna with improved uniformity of plasma, capable of reducing a capacity coupling, power loss, and damage generated at a base board, and provide a plasma processing device using the same.例文帳に追加

プラズマの均一度が向上され、容量結合とパワー損失および基板に加えられる損傷を減らすことができる構造を有した誘導結合型アンテナおよびこれを採用したプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

To provide a plasma jet generator which injects a high-density plasma in the form of jet from a fine nozzle to subject a local site of an article to be processed to a processing or surface treatment such as fusing, etching or thin film deposition at high speed.例文帳に追加

高密度プラズマを細いノズルからジェット状に噴出させ、被加工物の局所部位に溶断、エッチング、薄膜堆積などの加工、表面処理を高速で行うプラズマジェット発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma stabilization and dummy substrates in a vacuum processing apparatus, in which uniform and satisfactory cleaning can be achieved without extending a cleaning time by forming the uniform plasma of cleaning gas.例文帳に追加

均一なクリーニグガスのプラズマを形成することによりクリーニング時間を延長することなく均一で良好なクリーニングを実現し得る真空処理装置におけるプラズマ安定化方法及びダミー基板を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which the concentration of residual sulphur (S) on a substrate to be processed can be controlled to a specified value or below after an oxide film is subjected to plasma etching by using CF based gas and COS gas.例文帳に追加

ＣＦ系ガスとＣＯＳガスとを用いて酸化膜をプラズマエッチングした後に、被処理基板上に残留する硫黄（Ｓ）の濃度を所定値以下に制御することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method which controls usage of highly corrosive processing gas, and forms a pattern of a desired shape with high precision, and to provide a plasma-etching apparatus and a computer storage medium.例文帳に追加

腐食性の高い処理ガスの使用を抑制することができるとともに、所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

When the plasma-processed substrate is transferred from a vacuum plasma processing chamber to an another vacuum chamber, the substrate is moved while inert gas and H_2O gas are introduced so that it becomes constant pressure.例文帳に追加

プラズマ処理された基板を、真空プラズマ処理室から別の真空室へ移載する場合、一定の圧力になるように不活性ガスとＨ_２Ｏガスを導入しながら前記基板を移動させることで解決できる。 - 特許庁

By irradiating the titanium nitride film formed on a semiconductor substrate with plasma obtained by changing a processing gas containing a rare gas or nitrogen without containing oxygen into plasma, specific resistivity of the titanium nitride film is increased.例文帳に追加

半導体基板上に形成された窒化チタン膜に対して、希ガスまたは窒素を含み、酸素を含まない処理ガスをプラズマ化して得たプラズマを照射することにより、前記窒化チタン膜の比抵抗率を増加させる。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 100, an electromagnetic field is formed in a processing vessel 1 by microwaves radiated into the processing vessel 1 from a planar antenna 31 through a microwave transmission plate 28, and Ar gas and N_2 gas are each plasmatized.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００では、平面アンテナ３１からマイクロ波透過板２８を経て処理容器１内に放射されたマイクロ波により、処理容器１内で電磁界が形成され、ＡｒガスおよびＮ_２ガスがそれぞれプラズマ化する。 - 特許庁

To provide a surface processing method for enabling plasma to be generated at a desired location in an easy construction to perform surface processing at a desired location, and to provide a surface processing apparatus, a pattern forming substrate, a method for manufacturing an electrooptical device, and an electrooptical device.例文帳に追加

プラズマを簡単な構成で所望の箇所に発生し所望の箇所に表面処理ができる表面処理方法、表面処理装置、パターン形成用基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供する。 - 特許庁