「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A coating device includes at least a processing chamber, a base material holding means to arrange a base material for an electronic device at a predetermined position in the processing chamber, a coating material supplying means to supply the coating material, and a plasma source to irradiate plasma to the base material for an electronic device.例文帳に追加

処理チャンバと、 該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。 - 特許庁

To provide a surface processor and a surface processing method for executing uniform plasma surface processing even to a 1mx1m class large area substrate by uniformly generating a plasma in a VHF band(30 to 300MHz) between a pair of electrodes in a vacuum container with satisfactory reproducibility.例文帳に追加

１ｍｘ１ｍ級大面積基板に対しても、真空容器内の一対の電極間にＶＨＦ帯（３０〜３００ＭＨｚ）のプラズマが再現性良く、均一に生成され、基板に対する均一なプラズマ表面処理が可能となる表面処理装置および表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

The device for forming the carbon nanotube comprises at least a processing chamber, a base material holding means to arrange a base material at a specified position in the processing chamber, a carbon nanotube forming material supplying means to supply a carbon nanotube forming material and a plasma source for plasma irradiation on the base material.例文帳に追加

処理チャンバと、該処理チャンバ内の所定位置に基材を配置するための基材保持手段と、カーボンナノチューブ形成材料を供給するためのカーボンナノチューブ形成材料供給手段と、前記基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むカーボンナノチューブ形成装置。 - 特許庁

This inductively-coupled plasma processing device is structured such that, even at any one point on the outermost periphery of a processing object 2, all lines passing through the inside of a plasma introduction opening 12 from the one point have intersecting points on the inner surface of a bottom surface part 13 of the dielectric wall vessel 11.例文帳に追加

被処理物２の最外周上のいずれの一点においても、当該一点から前記プラズマ導入口１２内を通る直線が総て誘電体壁容器１１の底面部１３の内面上に交点を有する誘導結合形プラズマ処理装置とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus of which the component consumption cost is reduced by extending the life of an electrode member configuring a lower electrode and the inside of which is prevented from being contaminated due to attachment of scattered objects, and to provide the electrode member to be used for the plasma processing apparatus.例文帳に追加

下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the substrate holder for plasma processing and a plasma processing method, the substrate 4 is pressed by a contact part 5 installed in a holder body 3c, and the center part of the substrate 4 is fixed by preventing it from being brought into direct contact with the holder body 3c.例文帳に追加

基板４がホルダー本体３ｃに設けられた接触部５に押え込まれることで、前記基板４の中央部がホルダー本体３ｃに直接接触しないようにして固定されるようになっているプラズマプロセス用基板ホルダーおよびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing system 100a performing specified processing of a substrate 11 comprises a chamber 1 in which a plasma generation region 13 is formed and the substrate 11 is introduced, and an electron generating member 201 disposed in the chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００ａは、基板１１に所定の処理を施すためのプラズマ処理装置であって、プラズマ生成領域１３を発生させ、基板１１を導入するチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、電子を発生させることが可能な電子発生部材２０１とを備える。 - 特許庁

While plasma cleaning is continued, magnetic field produced by a magnetic field generator 151 from the outside of a processing container 100 produces electron cyclotron resonance around the outer periphery of the electrode 112 for placement within the processing container, and plasma density is reduced on the electrode 112 for placement.例文帳に追加

プラズマ洗浄を行っている間、磁場発生装置１５１により処理容器１００外から発生させた磁場により、処理容器内の載置用電極１１２外周部に電子サイクロトロン共鳴を発生させ、載置用電極１１２上でのプラズマ密度を低下させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device that performs plasma processing using gas containing SF_6 in a chamber having a member comprising alumite, wherein a reducing agent is allowed to contact the member comprising the alumite after plasma processing is performed by using the gas containing SF_6 and the like.例文帳に追加

アルマイトからなる部材を備えたチャンバー内でSF_6含有ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記SF_6含有ガスを用いたプラズマ処理後に、前記アルマイトからなる部材に還元剤を接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法など。 - 特許庁

Multiple electrodes are arranged at opposing positions for a single electrode in a processing vessel to form multiple sets of electrode pairs, and discharge plasma is generated by the application of an electric field between the multiple sets of electrode pair under atmospheric pressure or the vicinity for plasma processing between each electrode.例文帳に追加

処理容器内に設置された１つの電極に対し、複数の電極を対向配置して複数組の電極対を設け、それら複数組の電極間に大気圧近傍下で電界を印加することにより放電プラズマを発生させて、各電極間でプラズマ処理を行う。 - 特許庁

In a process chamber in which a processing plasma is generated adjacent to a substrate 215 held on a substrate holder 216, free-standing, electrically insulative liners 220 to 223 are disposed adjacent to metallic walls 212 of the process chamber facing the processing plasma.例文帳に追加

内部で、基板ホルダ２１６上に保持された基板２１５に隣接して、処理プラズマが発生する処理チャンバであって、自立型の電気絶縁性のライナー２２０〜２２３が、処理プラズマに面する処理チャンバの金属壁２１２に隣接して配置されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

The inner wall of an reactor is heated up to optimal temperature by plasma discharging prior to etching processing, and while taking a period of etching operation stoppage (idling) into account, the generation of plasma 402 is intermittently repeated during idling, so as to keep the surface temperature of inner wall of a vacuum processing chamber.例文帳に追加

エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma processing apparatus that successively performs plasma processing on substrates while transporting many setters carrying the substrates by arranging the setters in a row, can relieve the effect of another gas flow exerted upon the blown-off flow of a process gas and, at the same time, can prevent the temperature drop of a substrate caused by intruded outside air.例文帳に追加

多数のセッタを一列に並べて搬送しながら順次プラズマ処理する装置であって、処理ガスの吹出し流が、他のガス流の影響を受けるのを緩和するとともに外気進入により基材温度が低下するのを防止できる装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device comprises the chamber 1 for processing a plasma at its inside, a top plate 15 made of dielectric blocking the upper side of the chamber 1, and an antenna part 3 functioning as a high frequency supplying means supplying high frequency in the chamber 1 through the top plate 15.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ処理を内部で行なうためのチャンバ１と、このチャンバ１の上側を塞ぐ誘電体からなる天板１５と、この天板１５を介して高周波をチャンバ１内に供給する高周波供給手段としてのアンテナ部３とを備える。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing device forming two discharge spaces, using three electrodes, capable of easily finely adjusting a distance between the electrodes of both the discharge spaces and continuously stably processing by generating uniform plasma.例文帳に追加

３枚の電極を用いて２つの放電空間を形成する放電プラズマ処理装置において、簡便に両放電空間の電極間距離を微調整することができ、均一なプラズマを発生させ、継続して安定した処理を行うことのできる放電プラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

To supply only hydrogen radicals to a processing chamber by blocking ultraviolet rays and hydrogen ions generated from plasma generated in a plasma generation chamber, and to properly capture the hydrogen ions while preventing metal atoms and a material constituting a plate-like member from scattering and intruding into the processing chamber.例文帳に追加

プラズマ生成室で生成されたプラズマから発生する紫外光と水素イオンを遮蔽して水素ラジカルのみを処理室に供給できるとともに，金属原子や板状部材を構成する材料が飛散して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus of a substrate, which can accurately process a substrate by increasing a radical species density suitable for substrate processing, can control ion radical energy to an energy value suitable for substrate processing and to a small band energy width, and can form an excellent embedded film, and to provide a plasma treatment method thereof.例文帳に追加

基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The lower surface of an insulating window 30 is formed such that a distance between the lower surface and a horizontal surface formed by a chuck in a processing chamber becomes larger in a region where the density of a plasma formed within the processing chamber is high than in a region where the density of the plasma is low.例文帳に追加

絶縁窓３０の下部面の形状が、下部面と工程チャンバーの内部のチャックが形成する水平面の間の離隔距離が工程チャンバーの内部に形成されるプラズマの密度が低い領域よりもプラズマの密度が高い領域でさらに遠くなるように形成されている。 - 特許庁

In this cleaning method of a plasma processor, provided with metal components inside the processing chamber, at the removing of a deposited film generated during plasma processing and stuck to the surface of the metal component by cleaning, the cleaning is ended to leave a part in the thickness direction of the deposited film.例文帳に追加

処理室内部に金属部品を有するプラズマ処理装置のクリーニング方法において、プラズマ処理中に発生し、金属部品の表面に付着した堆積膜をクリーニングによって除去する際に、該堆積膜の厚さ方向の一部を残して前記クリーニングを終了することにより、達成される。 - 特許庁

The substrate processing equipment comprises a processing container 203 for processing the substrate by plasma, a susceptor 217 provided in the processing container 203 and provided with a grounding electrode 22, and a substrate mounting body 10 provided with a support 11 for supporting the peripheral edge of the substrate at least and provided on the susceptor.例文帳に追加

基板処理装置は、プラズマにより基板を処理する処理容器２０３と、前記処理容器２０３の中に設けられ、アース電極２２を有するサセプタ２１７と、少なくとも基板の周縁部を支持する支持部１１を有して前記サセプタ上に設けられる基板載置体１０とを備えている。 - 特許庁

In a step 12, a plurality of wafers of each lot are subjected to atmospheric pressure plasma treatment 121, one lot at a time, during transfer processing toward plating process.例文帳に追加

ステップ１２では複数のロット毎のウェハをメッキ処理工程に向けて搬送する搬送処理中に大気圧プラズマ処理１２１を経る。 - 特許庁

A device is provided with a contact member, which is exposed to a plasma forming region in a semiconductor wafer processing chamber 116 and which floats electrically.例文帳に追加

装置は、例えば半導体ウェーハ処理チャンバ１１６内のプラズマ形成領域に曝され、電気的に浮いているコンタクト部材を備えている。 - 特許庁

To provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of preventing occurrence of notch as much as possible, when etching a micropattern on a processed substrate.例文帳に追加

処理基板に微細パターンをエッチングする際にノッチの発生を極力防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a state detecting device and the like for accurately detecting a state between a laser processing nozzle and a work, for example, a gap length or plasma.例文帳に追加

レーザ加工ノズルとワークの間の状態、例えば、ギャップ長やプラズマなどを精度良く検出できる状態検出装置などを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of removing contamination particles at the upper portion of a workpiece during discharge or before/after the discharge.例文帳に追加

放電中あるいは放電の前後において被処理体上方にある異物粒子を除去することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a device capable of realizing a high speed treatment in a comparatively high pressure of 0.1-100 atmospheric pressure.例文帳に追加

０．１気圧〜１００気圧という比較的高い圧力下で高速な処理を実現できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a general-purpose setting method of the range of a supply current frequency, enabling securing electric power efficiency and stability in normal pressure plasma processing.例文帳に追加

常圧プラズマ処理において、電力効率と安定性を確保可能な給電周波数の範囲の汎用的な設定方法を提供する。 - 特許庁

To realize a uniform plasma processing (such as etching) within a wafer plane by increasing the uniformity of an incident ion energy distribution function within the wafer plane.例文帳に追加

ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理（エッチング等）を実現する。 - 特許庁

To use the ability of a CPU intensively to control a control device having high priority in a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置における優先度の高い制御機器に対する制御をＣＰＵの能力を集中させて行うことができるようにする。 - 特許庁

The neutral particle beam is generated by generating a negative ion by plasma processing of the gas and neutralizing the negative ion and collimated via an orifice board 4 wherein an orifice 4a is formed.例文帳に追加

中性粒子ビームは、上記ガスをプラズマ化することにより負イオンを生成し、この負イオンを中性化することにより生成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and apparatus whereby cleaning is performed dependent on the degree of pollution, and to provide a program and data storing medium.例文帳に追加

汚れ度合いに応じてクリーニングを施すことができるプラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a useful polymer at a low cost by subjecting the surfaces of a polymer to plasma processing with atmospheric pressure-glow discharge under a pressure near the atmospheric pressure.例文帳に追加

ポリマーの表面に、大気圧近傍の圧力下での大気圧グロー放電プラズマ処理することにより、有用なポリマーを安価に提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which a large amount of nitrogen is not introduced into a silicon oxide film and a dangling bond is prevented from being generated.例文帳に追加

窒素がシリコン酸化膜の内部にまで大量に導入せずまた、ダングリングボンドが発生するのを防止するプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing deposition of particles to a semiconductor wafer even in a plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を行う場合であっても、半導体ウェハ上へのパーティクルの付着を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a device which are capable of processing a magnetic material while restraining carbon monoxide from dissociating in plasma.例文帳に追加

プラズマ中の一酸化炭素の解離を抑制しつつ磁性体材料の加工を行うドライエッチング方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR ESTIMATING ITS PERFORMANCE AND MAINTAINING IT, AND SYSTEM FOR MANAGING AND CONFIRMING ITS PERFORMANCE例文帳に追加

プラズマ処理装置の性能評価方法、保守方法、及び性能管理システム、並びにプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の性能確認システム - 特許庁

To uniformly execute plasma processing in the width direction, without fluctuations, and moreover to easily manufacture a reaction vessel at a low cost.例文帳に追加

幅方向でプラズマ処理をムラなくほぼ均一に行なうことができ、しかも、反応容器を簡単に安価に作製することができるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a back base board of a plasma display panel, which can reduce processing time and the number of processes, and can restrain generation of dust.例文帳に追加

工程時間及び工程数を減らし、粉塵の発生を抑制し得る、プラズマディスプレーパネルの背面基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma film forming apparatus 1 has a processing chamber 2, a pedestal 7, a means for introducing a process gas, coils 12, 17, and a magnetic shield 35.例文帳に追加

プラズマ成膜装置１は、処理チャンバ２と、ペデスタル７と、プロセスガスを導入するための手段と、コイル１２、１７と、磁気シールド３５とを備える。 - 特許庁

A shield 81 is provided inside a processing chamber 2D covering a plasma forming space, where the shield 81 is equipped with an open side and a closed side.例文帳に追加

処理チャンバー２Ｄ内のプラズマ形成空間を覆うようにして設けられたシールド８１は、一端が閉じていて他端が開口である。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of increasing the amount of active species generated in a plasma, and to provide a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises an electrode ring, having a larger diameter than that of an electrode for mounting a substrate and disposed on the periphery of the substrate in an evacuated tank.例文帳に追加

真空槽内に、基板を搭載する電極の径に比べ、径の大きな電極リングを、基板周囲に配置することで解決できる。 - 特許庁

To reduce granular noise corresponding to a minimum display level generated when gradations of a PDP(Plasma Display Panel) is increased by error diffusion processing.例文帳に追加

誤差拡散処理によってＰＤＰの階調を増加させた際に生じる表示最小レベル値に相当する粒状ノイズを低減する。 - 特許庁

An upper electrode on the parallel flat plate type plasma etching system is provided with many opening areas 3 for supplying the reactant gas into a processing chamber.例文帳に追加

平行平板型のプラズマエッチング装置の上部電極には、処理室内に反応ガスを供給する複数の開口部３が設けられている。 - 特許庁

A dielectric member 60 is arranged on a discharge surface 42 facing an electric field applied electrode 30 of the earth electrode 40 of the plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置の接地電極４０における電界印加電極３０を向く放電面４２上に誘電部材６０を配置する。 - 特許庁