「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

When the lower electrode 106 is arranged at a processing position, the second ring-shaped body 16 is positioned inside the cylinder 124, and a plasma space 102a is formed.例文帳に追加

下部電極１０６を処理位置に配置すると，第２環状体１１６が筒状体１２４の内側に配され，プラズマ空間１０２ａが形成される。 - 特許庁

Emission intensity of plasma in the processing unit is acquired by an OES detector 21, and an etching controller 31 determines a regression equation by nonlinear regression analysis.例文帳に追加

処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。 - 特許庁

Thus, gas exhaustion can be conducted uniformly without bias, and a compact apparatus for plasma processing can be realized, while the uniformity of etching distribution is assured.例文帳に追加

これにより、ガス排気を偏りなく均一に行うことができ、エッチング分布の均一化を確保しつつコンパクトなプラズマ処理装置を実現することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a method therefor which are capable of restraining an arc discharge from occurring in an electrode where a high-frequency power is applied.例文帳に追加

高周波電力が印加される電極に生じるアーク放電を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a light source 5 for starting discharge by irradiating a light in the reaction container 2 in the state wherein a voltage is impressed between the electrodes 3, 4.例文帳に追加

電極３、４間に電圧を印加した状態で、反応容器２内に光を照射して放電を開始させるための光源部５を備える。 - 特許庁

In the imprinting method after depositing a carbon film on the pattern front surface of a mold wherein an uneven pattern is formed, a release layer is formed by fluorine plasma processing.例文帳に追加

インプリント法において、凹凸パターンを形成したモールドのパターン表面に炭素膜を成膜した後、フッ素プラズマ処理により離型層を形成する。 - 特許庁

To provide an inductive coupled plasma processing apparatus capable of efficiently reducing the impedance in a high frequency antenna without increasing capacitive coupling component.例文帳に追加

容量結合成分を増加させることなく効果的に高周波アンテナのインピーダンスを低下することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The insulator, comprising one or more insulation unit layer and being etched by a wet process, is subjected to plasma processing following wet etching.例文帳に追加

ウェットプロセスによってエッチング可能な、一層以上の絶縁ユニット層を積層した絶縁体が、ウエットエッチングされた後にプラズマ処理されて得られた絶縁体である。 - 特許庁

A discharge electrode 22 and a support table 34 supporting a workpiece W are placed opposite inside a treatment tank 21 in the plasma processing apparatus 20.例文帳に追加

プラズマ処理装置２０においては、処理槽２１の内部に放電電極２２と、ワークＷを支持する支持テーブル３４とが対向配置されている。 - 特許庁

The plasma processing device 100 includes a flat antenna plate 31 having a first slot 32a and a second slot 32b which are arranged in the concentric circle state.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、同心円状に配列された第１のスロット３２ａおよび第２のスロット３２ｂを有する平面アンテナ板３１を備えている。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a reaction tube 203 having an inner space sectioned by a barrier wall 236 into a film forming space and a plasma generating space 237.例文帳に追加

基板処理装置は、内部空間が隔壁２３６により成膜空間とプラズマ生成空間２３７とに区画される反応管２０３を有している。 - 特許庁

To detect and correct a wafer shift if the wafer shift is made in a chamber processing room of a plasma device used in a stage of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で使用されるプラズマ装置に際して、チャンバー処理室内でウエハズレが発生した場合に、それを検知して修正する。 - 特許庁

In addition, the stable plasma assists in the etching of doped and undoped silicon and polysilicon substrates at substantially the same rate, while providing a clean etching processing.例文帳に追加

更に、安定プラズマにより、ドープしたのとドープしないシリコンとポリシリコン基板を実質的に同じ速度でエッチングすることが出来、清浄なエッチングプロセスを与える。 - 特許庁

The manufacturing method of phosphor paste for the plasma display panel has a process of putting inorganic phosphor synthesized by a liquid phase method under a wet decentralized processing.例文帳に追加

液相法で合成した無機蛍光体を湿式分散処理する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用蛍光体ペーストの製造方法。 - 特許庁

To aim at simplification of a plasma processing device by mixing atmosphere gas into process-gas flow when an added component of the process gas is same as the atmosphere gas.例文帳に追加

プロセスガスの添加成分が雰囲気ガス成分と同じである場合、雰囲気ガスをプロセスガス流に混入することにより、設備の簡素化を図る。 - 特許庁

To obtain a high-frequency power supply device and a plasma processing apparatus which are capable of improving power utilization efficiency, and to obtain a method for manufacturing a semiconductor thin film.例文帳に追加

電力利用効率を向上できる高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a processor, a processing method and a plasma processor for preventing the damage of a sealing member due to activated treatment gas.例文帳に追加

活性化された処理ガスによる封止部材の損傷を防止するようにした処理装置、処理方法およびプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a microwave plasma processing system which can be installed in a limited space by reducing the total size as much as possible even if a reactor has a large diameter.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくでき、小さなスペースに設置し得るマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus suitable for improving the yield of a device by preventing micro arcing and for reducing foreign matters and metallic contamination.例文帳に追加

マイクロアークの発生を抑制し、異物の発生および金属汚染を低減することにより、デバイスの歩留まり向上に好適なプラズマ処理装置に提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system for processing the surface of an article uniformly through a simple method by controlling plasma gas standing on the surface of the article.例文帳に追加

被処理体面上におけるプラズマガスの滞留を抑え、簡単な方法で被処理体表面を均一に処理できる処理方法及びその装置の提供。 - 特許庁

In response to these strong field regions, plasmas are generated in a processing chamber 2 of a reaction vessel 1, and dispersed to provided a uniform plasma.例文帳に追加

これらの強電界領域に対応して反応容器１の処理室２内にてプラズマが生成され、それらが拡散して均一なプラズマが得られる。 - 特許庁

To provide a plasma processor for miniaturizing and simplifying the processor as well as preventing a processing gas or the like from being leaked to the outside of the processor.例文帳に追加

処理ガスなどが装置の外部へ漏洩することを防止できると共に、装置の小型化、簡略化を図ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress a blowout or an oxidation degradation of a static charge eliminating part which captures charged particles in jetting gas of a plasma processing device and eliminates static charges of them, and to suppress yield from lowering.例文帳に追加

プラズマ処理装置の噴出ガス中の荷電粒子を捕捉し除電する除電部の融断や酸化劣化を防止し、歩留まり低下を防止する。 - 特許庁

To prevent a trace amount of scraps chipped off from the surface of a beam-like structure in plasma processing equipment having the beam-like structure for supporting a dielectric board.例文帳に追加

誘電体板を支持する梁状構造物を有するプラズマ処理装置において、梁状構造物表面の微量の削れを高水準で防止する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus wherein a transmission path of microwaves is maintained in an appropriate state even after the temperature increases, and to provide a method of supplying the microwaves.例文帳に追加

昇温後においてもマイクロ波の伝送路を適正な状態に保つマイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波の給電方法の提供。 - 特許庁

The recess is provided in the center of the surface facing a gas introducing means 12, which is provided in the close vicinity of the antenna section 7 and which introduces a gas into the plasma processing chamber.例文帳に追加

この凹部は、アンテナ部７に近接して設けられプラズマ処理室１にガスを導入するガス導入手段１２と対向する面の中央部に設ける。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a projection 52 provided while protruding downward from the lower surface side of the tray 6, and a projection fitting-in hole 53 provided to be recessed downward on a tray mounting surface 5.例文帳に追加

トレイ６の下面側から下方に突出して設けられた突起５２と、トレイ載置面５に下方に窪んで設けられた突起嵌入穴５３を有する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a post-treatment method which can prevent etching not only in a processing chamber, but also surely in a carrier system.例文帳に追加

処理チャンバー内だけでなく、搬送システムにおける腐食も確実に防止できるようなプラズマ処理方法および後処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which in-plane uniformity can be enhanced when compared with prior art, and to provide a treatment gas supply structure thereof.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。 - 特許庁

To eliminate the need to use an organic masking layer solvent, and to etch a portion of an insulating layer after a plasma metal etching step, in a metal etch processing sequence.例文帳に追加

金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。 - 特許庁

This causes the gate electrode 13 to be electrically connected to the protection diode D1, and thereby charging is evaded thereafter even if it is subjected to a process associated with plasma processing.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１３は保護ダイオードＤ１と電気的に接続され、以降、プラズマ処理を伴う工程を経てもチャージングは回避される。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a removing method of contaminant in a plasma processor, which can inexpensively, speedily and securely remove the contaminant in a processing container.例文帳に追加

少ないコストで迅速に、且つ確実に処理容器内の汚染物等を排除することが可能なプラズマ処理装置の汚染物の除去方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the IPA molecules contained in the thin film are selectively removed by plasma processing using an ammonia gas to form pores uniformly in the thickness direction.例文帳に追加

さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、薄膜中に含まれるＩＰＡ分子を選択的に脱離させて、厚さ方向に均一な空孔を形成する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements, not causing the side etch, in a phase change device manufacturing method.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 16 is subjected to plasma processing using gas containing a dopant to increase an impurity concentration of a surface layer 18 of the semiconductor layer 16.例文帳に追加

半導体層１６に対して、ドーパントを含有するガスによるプラズマ処理を行って、半導体層１６の表層１８の不純物濃度を高める。 - 特許庁

The photoresist pattern 6 on a methyl polysiloxane film which is a low dielectric constant insulation film is removed, using a gas consisting of oxygen and nitrogen in a plasma processing.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜であるメチルポリシロキサン膜５上のフォトレジストパターン６を、酸素および窒素を含むガスを用いたプラズマ処理により剥離する。 - 特許庁

The apparatus is configured so that the gas is excited by the electromagnetic wave from the scanning antenna 20 to generate a plasma, thereby processing the substrate 100.例文帳に追加

走査アンテナ２０からの電磁波によってガスを励起させることでプラズマを発生させて被処理基板１００を処理するように構成されている。 - 特許庁

To provide a high frequency coil arrangement which supplies high frequency energy efficiently even to a large area in an induction coupling plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合プラズマ処理装置において、大きな面積であっても効率的に高周波エネルギーを供給する高周波コイル配置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which throughput is enhanced by shortening the time required for supplying inert gas to the lower surface of a substrate until a specified pressure level is reached.例文帳に追加

基板下面に不活性ガスを所定圧力に達するまで供給する時間を短縮させてスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of eliminating an alteration layer including SiC formed on the surface of silicon by plasma processing while minimizing erosion to the silicon surface.例文帳に追加

プラズマ処理によりシリコン表面に形成される、ＳｉＣを含む変質層を、シリコン表面の侵食を最小限に抑止しながら除去する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system, which restricts the effects of transition resume particularly relating to pressure changes of fluids during various types of switching of feedstreams.例文帳に追加

様々な供給流路の切り替え中の流体の圧力の変化に特に関連した移行レジームの影響を制限するプラズマ処理システムの提供。 - 特許庁

Consequently, the chamber can improve plasma processing performance by concentrating more of the RF output in the region between the two electrodes.例文帳に追加

結果的に、発明は２電極間の領域にＲＦ出力をより集中させることによって、プラズマ処理能力を向上することが可能である。 - 特許庁

To prevent unevenness on ribs as much as possible in a method for forming the ribs on a substrate for a plasma display by means of thermal processing using a laser beam.例文帳に追加

レーザー光を用いた熱加工によりプラズマディスプレイ用基板上にリブを形成する方法であって、リブにできるだけ凹凸を生じさせないようにする。 - 特許庁

To prevent the space between intermediate parts in the longitudinal direction of a pair of elongated electrodes of a plasma processing device from becoming narrow due to the Coulomb force, etc.例文帳に追加

プラズマ処理装置の一対の長尺電極の長手方向の中間部どうし間の間隔がクーロン力等によって狭くなるのを防止する。 - 特許庁