「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

A plasma processing device 100 starts supplying an Ar gas from a first inert gas supply source 19a and a second inert gas supply source 19c at t1.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００では、ｔ１で第１の不活性ガス供給源１９ａ，第２の不活性ガス供給源１９ｃから、それぞれＡｒガスの供給を開始する。 - 特許庁

A theoretical expression by the Plank's law of thermal radiation and a sum of the plasma radiation spectra are fit to a measured spectrum by a least square method to be evaluated, in fitting processing S4.例文帳に追加

フィッティング処理Ｓ４では、プランクの放射則による理論式とプラズマ輻射スペクトルの和を最少自乗法によって測定スペクトルにフィッティングさせ、評価を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing device by which films having formality in quality and thickness can be formed on a large-area substrate such as a substrate for liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネル用基板のような大面積の基板であっても膜質および膜厚の均一な膜を形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display apparatus and its processing method capable of maintaining grayscale linearity and/or preventing occurrence of a moving image false contour.例文帳に追加

階調の線形性を維持し、及び／又は動画擬似輪郭の発生を防止することができるプラズマディスプレイ装置及びその処理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Otherwise, after depositing a carbon film on the compression-bonding side of a mold support substrate and forming an uneven pattern in this carbon film, a release layer is formed by fluorine plasma processing.例文帳に追加

あるいはモールド支持基板の圧着面に炭素膜を成膜し、この炭素膜に凹凸パターンを形成した後、フッ素プラズマ処理により離型層を形成する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing apparatus having a simple structure and using an electrode on the surface of which a solid dielectric is formed directly.例文帳に追加

放電プラズマ処理装置において、簡易な構成で電極の表面に直接固体誘電体を形成した電極を用いる放電プラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

In the plasma processing container, a liner 102 is inserted at a bonding position between a side wall 1b and a top board 1c and its end reaches an inner O-ring 111.例文帳に追加

プラズマ処理容器において、ライナー１０２は、側壁１ｂと天板１ｃとの接合部位に挿入されており、その先端は、内側Ｏリング１１１に達している。 - 特許庁

The current detecting unit 17 always monitors a current flowing through the lower electrode 12 during a plasma processing at all times to detect an overcurrent caused when insulation breakdown takes place.例文帳に追加

電流検知器１７は、プラズマ処理中、下部電極１２に流れる電流を常時モニタし、絶縁破壊が起こったときに発生する過電流を検知する。 - 特許庁

The substrate processing container 10 has a structure in which an inner wall surface is processed resistive to plasma, and a stage 13 integrally formed with a container body 11 to place a substrate S.例文帳に追加

基板処理容器１０は、内壁面に耐プラズマ処理が施された容器本体１１と、基板Ｓを載置するステージ１３とが一体的に形成された構成を有している。 - 特許庁

An apparatus (106) and the methods for reactive atom plasma processing can be used to shape, polish, planarize, and clean the surface of material with minimal subsurface damage.例文帳に追加

表面下の損傷を最小限に抑えて材料の表面を成形、研磨、平坦化、及び洗浄する反応原子プラズマ処理のための装置（１０６）及び方法。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a chamber 1 for accommodating a substrate 11, a microwave generator 5 for generating microwave, and an antenna section 3 for radiating microwave.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板１１を収容するチャンバ１と、マイクロ波を発生するためマイクロ波発生器５と、マイクロ波を放射するためのアンテナ部３とを備えている。 - 特許庁

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁

Further, the impedance is controlled within a predetermined impedance variable range by an automatic control during the plasma processing with the first and second matching devices 404 and 416.例文帳に追加

そして、第１および第２の整合器４０４，４１６によるプラズマ処理中のインピーダンス調整を、予め設定されたインピーダンス可変範囲内で自動制御により行う。 - 特許庁

To provide a device and a method for processing plasma, which easily conduct a desorption of a substrate after it is held and processed with an electrostatic absorption.例文帳に追加

静電吸着で基板の保持を行って処理した後に，基板の脱離を容易に行うことを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

An equivalent investigation results can be obtained as in the cases that measurement is made by shifting the generation place of plasma and that measurement is made by performing signal processing and using a large opening antenna with sharp directivity.例文帳に追加

プラズマの生成位置をずらしながら計測し、信号処理を施し大開口で指向性の鋭いアンテナを使って計測した場合と、等価な探査結果を得る。 - 特許庁

To provide a technique to make small an apparatus for processing an exhaust gas discharged from a plasma CVD apparatus for forming a silicon thin film used for solar cells.例文帳に追加

太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。 - 特許庁

To reduce the thickness of a dielectric plate in a plasma processing device while obtaining a mechanical strength in consideration of the deformation of the dielectric plate when a pressure is reduced in a chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、チャンバ内を減圧した際の誘電体板の変形を考慮して機械的強度を確保しつつ、誘電体板の薄型化を図る。 - 特許庁

To provide an electrostatic attracting structure which can rapidly and stably release a material to be processed, and to provide a method for electrostatically attracting, an apparatus and a method for plasma processing.例文帳に追加

速やかにかつ安定に被処理体を離脱可能な、静電吸着構造および静電吸着方法ならびにプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a higher sensitivity (higher accuracy) and a long-time continuous stable operation of a monitor for monitoring an etched amount or a remaining quantity of etching of the plane of a workpiece in a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の被加工試料面のエッチング量またはエッチング残量モニタの高感度化（高精度化）と長期連続安定動作を両立して可能とする。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device which prevents plasma charging damage to a memory unit of a resistance change element and damage and mechanical stress caused by processing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

抵抗変化素子の記憶部へのプラズマチャージングダメージや、加工による機械的な応力やダメージを防ぐ不揮発性記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing device 11 includes a container 12 capable of introducing cleaning water W, an ultrasonic generation device 13, a microwave generation device 14, and a pressure reduction device 15.例文帳に追加

プラズマ処理装置１１は、洗浄水Ｗを導入可能な容器１２と、超音波発生装置１３と、マイクロ波発生装置１４と、減圧装置１５とを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with hermetic properties and adsorption power, with respect to a workpiece by a method, wherein ceramics which are high in sealing properties and ceramics strong in adsorption force are arranged.例文帳に追加

シール性の高いセラミックスと、吸着力の強いセラミックを配置することにより、被処理体とのシール性と吸着力を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, a protective film 105 formed by a resin material having plasma resistance and absorption property is expanded and contracted to closely fix to outer surfaces of components in the processing chamber 1.例文帳に追加

また、耐プラズマ性且つ吸水性を有する樹脂材料で形成された保護膜１０５を膨張収縮させて、処理室１内の部品の外面に密着固定する。 - 特許庁

Then, an etching process with a high frequency inert gas plasma of Ar, etc. is performed in the same processing apparatus for maintaining, for example, a vacuum state in this dry etching.例文帳に追加

次に、例えばこのドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、Ａｒ等の高周波不活性ガスプラズマによるエッチング処理を行う。 - 特許庁

To prevent, in a plasma processing apparatus, corrosion of a lower end part of an inner electrode in an arrangement of three or more electrodes, which is caused by corrosive components generated from surface discharge.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、３つ以上並べられた電極のうち内側電極の下端部が、沿面放電に起因する腐蝕性成分により腐蝕するのを防止する。 - 特許庁

To suppress image quality deterioration resulting from a dither process by using a matrix-like random pattern as a dither toggle pattern in signal processing for display such as a plasma display.例文帳に追加

プラズマディスプレイなどの表示用信号処理において、ディザトグルパターンとしてマトリクス状のランダムパターンを用いることで、ディザ処理に起因する画質劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus, in which microwave propagation characteristics are not adversely affected even when an inner conductor of a coaxial waveguide is thermally expanded or shrunk.例文帳に追加

同軸導波管の内導体が熱膨張・熱収縮しても、マイクロ波の伝播特性に悪影響を及ぼすことのないマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An error spread processing circuit 3 performs error spread for low-order 4 bits of the 12 bit R, G and B signals, and inputs the signals equivalent 12 bit into a plasma display panel(PDP) 4.例文帳に追加

誤差拡散処理回路３は、１２ビットのＲ，Ｇ，Ｂ信号の下位４ビットを誤差拡散して、１２ビット相当の信号としてＰＤＰ４に入力する。 - 特許庁

The atmospheric pressure plasma processing system is contained airtightly in a housing equipped with an exhausting system capable of evacuating the entire system including an atmospheric pressure chamber to a negative pressure level as compared with the atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧プラズマ処理装置は、大気圧チャンバを含む装置全体が大気圧より負圧に排気できる排気系を備えたハウジング内に気密に収容される。 - 特許庁

Furthermore, the covering of inside wall of a transport pipe 30 with reaction products, such as aluminum fluoride in advance, allows the changes with time in the plasma processing rate to be repressed.例文帳に追加

また、輸送管３０の内壁に、フッ化アルミニウムなどの反応生成物を予め被覆しておくことにより、経時的なプラズマ処理速度の変動を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for preventing the failure of transport and the like due to electrostatic destruction and electrostatic suction by a stripped charge electrifying the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に帯電する剥離電荷による静電破壊や静電吸着による搬送不可などを防止することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, which can process the surface of a substrate with high uniformity, and is excellent in conservativeness, such as maintenance, without complicating the device structure.例文帳に追加

装置構造を複雑化することなく、基板表面に均一性の高い処理を施すことができ、メンテナンス等の保守性のよいプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To surely prevent a defect of precision of a form at a corner due to a delay in follow-up of a plasma arc processing machine and a delay of cutting of a lower part of a cutting surface without generating a waste of material.例文帳に追加

材料の無駄を生じずに、加工機の追従遅れや切断面下部の切断遅れに起因するコーナ部での形状精度不良を確実に防止する。 - 特許庁

A silicon nitride film 18 is formed, after plasma processing surface of a copper wiring 17 with a raw gas, including nitrogen element to form copper nitride layer 24.例文帳に追加

銅配線１７上表面を窒素元素を含む原料ガスを用いてプラズマ処理することにより窒化銅層２４を形成し、その後、シリコン窒化膜１８を形成する。 - 特許庁

The method includes generating a nitrogen-containing plasma in a processing chamber via a smooth-varying modulated RF power source to reduce electron temperature spike.例文帳に追加

この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。 - 特許庁

To provide a plasma processing device wherein damages are prevented by preventing creeping discharge on the side end surfaces of an electrode, and particles are prevented from being generated while reducing maintenance frequency.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、電極の側端面等における沿面放電を防止して損傷を防ぎ、メンテナンス頻度を削減するとともにパーティクルの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of uniformizing a process result within a wafer face by minimizing ununiformity of a potential distribution around the outer circumference of the wafer.例文帳に追加

ウエハ外周付近の電位分布の不均一を最小限にとどめ、ウエハ面内のプロセス結果を均一にすることができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

Before forming the visor film in a visor film formation intended domain 20' in the perimeter surface 18a of the shroud tube 18, a plasma processing is performed to the shroud tube 18.例文帳に追加

シュラウドチューブ１８の外周面１８ａおける遮光膜形成予定領域２０´に遮光膜を形成する前に、シュラウドチューブ１８にプラズマ処理を施す。 - 特許庁

In one embodiment, a plasma formed from NF3 is diluted with N2 to etch residue from the surfaces of the processing chamber used to deposit silicon oxide glass.例文帳に追加

実施形態においては、ＮＦ_3から生成されたプラズマをＮ_2で希釈して、酸化ケイ素ガラスを堆積するために用いた処理チャンバの表面から残渣をエッチングする。 - 特許庁

To provide a normal pressure plasma processing apparatus wherein one electrode is made movable safely with a small force, and a base member is made to be easily taken into or taken out from between electrodes.例文帳に追加

常圧プラズマ処理装置において、一の電極を小さな力で安全に移動できるようにするとともに電極間への基材の出し入れを容易化する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element capable of keeping a high COD level even when a resonator edge face is cleaned by plasma processing before forming an edge coating film.例文帳に追加

端面コート膜の形成の前に、プラズマ処理によって共振器端面を清浄化しても、高いＣＯＤレベルを維持できる窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity of processing of a substrate in a plasma apparatus in which a bias electric field is formed between a substrate on a susceptor and the side wall of the treatment vessel.例文帳に追加

サセプター上の基板と処理容器の側壁との間にバイアスの電解が形成されるプラズマ装置において、基板に対する処理の均一化を向上させる。 - 特許庁

A patterning processing using plasma etching is performed on the conduction layer, and the conduction path is formed in a state where the conductive layer is electrically connected to the semiconductor substrate via the through part.例文帳に追加

導電層が貫通部を経て半導体基板に電気的に接続された状態で、導電層にプラズマエッチングを用いたパターニング処理を施して導電路を形成する。 - 特許庁

To provide an internal antenna type plasma processing apparatus capable of achieving reduction in the volume of a vacuum container, efficient utilization of high-frequency power, and efficient utilization of supplied gas.例文帳に追加

内部アンテナ型のプラズマ処理装置において、真空容器の小容積化、高周波電力の効率的な利用および供給ガスの効率的な利用を可能にする。 - 特許庁