「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, electric field intensity in the lower electrode 5 is uniformed, ion energy accelerated by an electric field is uniformed in the substrate face and the uniformity of the plasma processing is improved.例文帳に追加

その結果、下部電極５面内の電界強度が均一化され、電界により加速されるイオンエネルギーが基板面内で均一になり、プラズマ処理の均一性が向上する。 - 特許庁

This plasma processing device 100 includes a power source part 103, a step-up transformer 107, electrodes 101a and 101b, and pregrounded ground electrodes 109a and 109b.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、電源部１０３と、昇圧トランス１０７と、電極１０１ａ，１０１ｂと、予め接地されている接地電極１０９ａ，１０９ｂとを含む。 - 特許庁

The cleaning gas, which has been turned into a plasma by a radical generator 110 provided outside a chamber 101 of the processing equipment, is introduced into the chamber 101 to conduct cleaning.例文帳に追加

処理装置のチャンバ１０１の外部に備えられたラジカル発生装置１１０によりプラズマ化されたクリーニングガスをチャンバ１０１内に導入して、クリーニングを行う。 - 特許庁

The plasma processing method is used for forming high aspect ratio vias by implementing an etching step and a protective film forming step alternatively in a repeated manner.例文帳に追加

本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing device capable of etching fine patterns with high uniformity on, for example, the TFT portion of a large size substrate used in a liquid crystal display and the like.例文帳に追加

液晶ディスプレイ等に用いる大面積基板のＴＦＴ部等の微細パターンを均一性良くエッチングするのに有効なプラズマエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of preventing a dielectric member from breaking and falling off, by preventing a nozzle member integrally having the holding part of the dielectric part from being thermally deformed.例文帳に追加

誘電部材の保持部を一体に有するノズル部材が熱変形を来たすのを防止し、誘電部材の破損、脱落を防止可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In a system performing plasma processing by exciting plasma in an enclosed vacuum chamber, beveling amount at the corner part of a lower electrode for mounting a substrate being processed is set higher than that at the corner part of the substrate being processed.例文帳に追加

密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する下部電極の角部の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

A bonding equipment is equipped with: a plasma processing device for performing a plasma cleaning treatment on a circuit board; an ultraviolet-ray irradiation device for irradiating two or more electronic components transferred by a component feeder with ultraviolet rays; and a bonding head which bonds the electronic components on the circuit board.例文帳に追加

接合装置は、回路基板にプラズマ洗浄処理を行うプラズマ処理装置、部品供給装置により搬送される複数の電子部品に紫外線を照射する紫外線照射装置、及び、回路基板に電子部品を接合する接合ヘッドを備える。 - 特許庁

The plasma processing device comprises a vacuum vessel 1 which has a substrate 14 arranged within it and plasma processes the substrate 14, and a dust-excluding electrode 31 arranged under the substrate 14 for forming a slant isoelectric surface over the substrate 14.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、内部に基板１４を配置して、基板１４に対するプラズマ処理を行なうための真空容器１と、傾斜する等電位面を基板１４の上方に形成するために基板１４の下側に配置されたダスト排除電極３１とを備える。 - 特許庁

A processing gas is introduced into the vacuum chamber 10, plasma is generated by an electric field between the RF electrode 30 and the grounding electrode 12, and the translucent member 22 charged to a negative auto-bias potential Vf is cleaned by ions in the plasma.例文帳に追加

真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a satisfactorily qualified polysilicon film on a substrate in the process for manufacturing semiconductor by continuously generating uniform plasma under the pressure in the vicinity of atmospheric pressure and processing the substrate by the plasma.例文帳に追加

半導体素子の製造工程におけるポリ−Ｓｉ膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質のポリ−Ｓｉ膜を製造する方法及びその装置の提供。 - 特許庁

In an insulating film forming device 32, Ar gas is supplied to a plasma producing region R1 in a processing vessel 50 as gas for producing plasma, while butyne gas having multiple bonds is supplied to a film-producing region R2 of the substrate W side as the material gas.例文帳に追加

絶縁膜形成装置３２において，処理容器５０内のプラズマ生成領域Ｒ１には，プラズマ生成用のガスとしてＡｒガスを供給し，基板Ｗ側の成膜領域Ｒ２には，原料ガスとして多重結合を有するブチンガスを供給する。 - 特許庁

To provide an insulator that surely secures an insulating state by preventing the grounding fault of an electrode which generates a plasma and, at the same time, has a small size and secure the strength that can cope with the manufacturing of a large-area substrate, and to provide a plasma processing apparatus provided with the insulator.例文帳に追加

プラズマを発生させる電極の地絡を断って絶縁状態を確実に確保するとともに、小型でありつつ大面積基板の製造に対応しうる強度を確保した絶縁碍子及びこれを具備するプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a member with plasma resistance, which improves corrosion resistance to plasma, and can be suitably used for members such as a chamber, a chamber liner, a shower plate, a baffle plate, and an electrode, which are used for a dry processing apparatus for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal.例文帳に追加

プラズマに対する耐食性の向上を図り、半導体または液晶製造のためのドライプラセス装置に用いられるチャンバー、チャンバーライナー、シャワープレート、バッフル板、電極等の部材に好適に用いることができる耐プラズマ性部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

When pulse modulated AC power is employed in the second plasma processing step of high discharge start voltage, uniform plasma is generated and sustained between the electrodes and the electric energy being fed between the electrodes can be reduced.例文帳に追加

放電開始電圧が高い条件の第２のプラズマ処理工程においてパルス変調された交流電力を用いることにより、均一なプラズマを電極間に発生および維持させ、かつ、電極間に投入される電力量を低減することが可能となる。 - 特許庁

Second, plasma is confined by the impedance confinement scheme of reducing a voltage supplied to the top electrode by a voltage ratio during plasma processing and supplying the remaining voltage supplied to the top electrode at a negative phase at the substrate support or the substrate.例文帳に追加

第２に，頂部電極に供給される電圧をプラズマ処理中に電圧比で低減し、かつ頂部電極に供給された残りの電圧を逆相で基板支持体，又は基板に供給するインピーダンス閉じ込めスキームに依ってプラズマを閉じ込める。 - 特許庁

In the plasma processing unit 4, plasma is generated by the application of a high-frequency voltage from a high-frequency power supply 6, and organic substances on a work 43 are removed by the oxidizing action of the oxygen and the reducing action of hydrogen generated by the activated water.例文帳に追加

このプラズマ処理部４では、高周波電源６からの高周波電圧が印加されることにより、プラズマが生成されて、活性化された水により発生する酸素の酸化作用及び水素の還元作用により、ワーク４３上の有機物が除去される。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can control a reflection electric power generated when an etching primary process and a deposition primary process are switched or when on and off of a high frequency electric power which is supplied to a plasma generation device or an electrode are switched.例文帳に追加

エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のＯＮ／ＯＦＦを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 comprises: a stage 14 on which a processed substrate is mounted; a processing container 12; first gas supply means 30; a shielding section 20; a dielectric member 40; microwave introduction means 42; and second gas supply means 46.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０は、被処理基体を搭載するステージ１４、処理容器１２、第１のガス供給手段３０、遮蔽部２０、誘電体部材４０、マイクロ波導入手段４２、及び、第２のガス供給手段４６を備えている。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.例文帳に追加

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁

By the above, a multiple function, such as local plasma processing, and inspection, analysis, fine processing using charged particle beam or the like, is realized.例文帳に追加

荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 - 特許庁

A first conductive member 230 is provided in the vacuum container 202 on an outer peripheral side of the high-frequency electrode 210, and comes into contact with a surface of a flexible substrate 50 on a side to be subjected to film formation processing during plasma processing.例文帳に追加

第１導電部材２３０は、真空容器２０２の中のうち高周波電極２１０の外周側に設けられており、かつプラズマ処理時に可撓性基板５０のうち成膜処理が行われる側の面に接する。 - 特許庁

The pressure in the processing chamber is reduced, the flow of a process gas is started in the processing chamber, the impedance of an RF system including an electrode is controlled to match desired impedance, and uniformly dense plasma of ions is provided.例文帳に追加

処理チャンバ内の圧力は低減され、処理ガスのフローが処理チャンバに開始され、電極を含むＲＦシステムのインピーダンスを所望のインピーダンスに整合するよう制御され、イオンの均一な密度のプラズマが提供される。 - 特許庁

To improve a device for coping with various problems caused by scale-up of the device in an inductive coupling plasma processing device where a dielectric wall is disposed at the ceiling of a processing chamber corresponding to a high frequency antenna.例文帳に追加

高周波アンテナに対応して処理室の天井に誘電体壁が配設された誘導結合プラズマ処理装置において、装置の大型化に伴って生じる種々の問題に対処するための改良を装置に加える。 - 特許庁

To provide a technique capable of readily and properly adjusting the impedance of an impedance adjustment unit aimed at preventing overdischarges, which is provided between an anode electrode and a processing container of a plasma processing apparatus.例文帳に追加

アノード電極と処理容器との間にインピーダンス調整部を設けたプラズマ処理装置において、異常放電を抑えるためのインピーダンス調整部のインピーダンス調整を容易に適切に行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma reactor performing the processing of etching, ashing and CVD and the like on a semiconductor substrate and easily and mechanically adjusting a resonance frequency and impedance, when it is installed and a processing condition is changed.例文帳に追加

半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマリアクターであって、設置時や処理条件の変更時に共振周波数やインピーダンスの機械的調整を一層容易に行い得るプラズマリアクターを提供する。 - 特許庁

To grasp local plasma etching processing characteristics by semiconductor wafer lot before large-quantity processing starts, to decrease defectives due to nanotopography, and to comply with contrary requests for the nanotopography and a computation load.例文帳に追加

大量加工に入る前に、半導体ウェハの各ロット毎に局所プラズマエッチング加工特性が把握し、ナノトポグラフィーによる不良品発生を低減させること、およびナノトポグラフィーと計算負荷との相反する要求に応えることを課題とする。 - 特許庁

A glass workpiece 32 being processed in a vacuum plasma processing chamber is dechucked from a monopolar electrostatic chuck by gradually reducing chucking voltage during the processing while voltage is maintained high enough to clamp the workpiece.例文帳に追加

真空プラズマ処理チャンバ内で処理されているガラスワークピース３２は、ワークピースを締め付けるのに十分なほどの高さに電圧を維持しつつ、処理中にチャック電圧を徐々に削減することによりモノポール静電チャックからチャック解除される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus provided with a gas feed means which feeds gas in pulses into a reaction chamber, where the processing speed and shape of a sample can be set uniform through all its surface, even if an ultrasonic free flow is not established.例文帳に追加

反応室にパルス的にガスを供給する手段を備えたプラズマ処理装置において、超音速自由流が成立しない場合においても試料の処理速度および形状の試料面内での均一化を図る。 - 特許庁

To overcome the problem that when an electrostatic chunk made of sprayed ceramic which is subjected to sealing processing by a silicon resin is used to apply high frequency power to a wafer in a high vacuum area (for example 100m Torr) for plasma processing, as the applied time of high frequency power, extends surface temperature of the wafer under plasma processing gradually drops lower than the initial surface temperature with time.例文帳に追加

シリコーン樹脂によって封孔処理を行ったセラミック溶射製の静電チャックを用いて高真空領域（例えば、１００ｍＴｏｒｒ）で高周波電力を印加してウエハＷのプラズマ処理を行っていると、図７の に示すように高周波電力の印加時間が長くなるに連れてプラズマ処理中のウエハ表面温度が初期の表面温度から経時的に徐々に低下する。 - 特許庁

For a semiconductor manufacturing device and a semiconductor processing method that perform processing using plasma, a pickup driving unit 111 is provided which varies an observation direction and an observation position of a light emitting pickup 11 for observing plasma light emission for each process condition, and an observation in the most suitable direction and at the most suitable position corresponding to a condition is made with the single light emitting pickup.例文帳に追加

プラズマによる処理を行う半導体製造装置及び半導体処理方法において、プロセス条件ごとにプラズマ発光を観測する発光ピックアップ１１の観測方向や観測位置を可変とするピックアップ駆動手段１１１を設けて、条件に応じた最適な方向および位置での観測を単一の発光ピックアップにて行う。 - 特許庁

In the method of etching process for selectively etching a silicon nitride film for a silicon oxide film after arranging, within a plasma processing chamber, a laminated film formed by laminating the silicon nitride film 15 on the silicon oxide film 14, a gas including oxygen is supplied into the plasma processing chamber using a halogen gas including boron as the principal gas as an additive gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を積層してなる積層膜をプラズマ処理室内に配置して、前記シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするエッチング処理方法において、前記プラズマ処理室内に、主ガスとしてホウ素を含むハロゲンガスを、添加ガスとして酸素含有ガスを供給する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which component consumption cost is reduced by prolonging the lifetime of an electrode member composing a lower electrode and contamination on the inside of the apparatus due to adhesion of scattering matters can be prevented, and to provide an electrode member for the plasma processing apparatus, a process for producing the electrode member and a method for recycling it.例文帳に追加

下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材ならびに電極部材の製造方法およびリサイクル方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resist removing apparatus D comprises a plasma processing section 10 for lowering adhesion of resist 4 and a substrate 1 by irradiating the resist with fluorine based plasma processing gas under pressure in the vicinity of atmospheric pressure, and a section 20 for stripping and removing the resist 4 from the substrate 1 by supplying water to the resist 4 subjected to lowering adhesion.例文帳に追加

レジスト除去装置Ｄは、大気圧近傍の圧力下で、フッ素系ガスをプラズマ化した処理ガスをレジストに照射することによりレジスト４と基板１との密着性を低下させるプラズマ処理部１０と、密着性が低下されたレジスト４に水分を供給し、基板上から剥離して除去する除去処理部２０とを備える。 - 特許庁

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。 - 特許庁

To provide a substrate-mounting stand for plasma processing apparatus, capable of keeping satisfactory contact conditions between the stand and an electrostatic chuck, preventing the occurrence of increase in the temperature of the substrate to be processed, and improving the availability factor and decreasing running cost of the apparatus, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

基台部と静電チャック部との間の接着状態を長期に亘って良好な状態に保つことができ、被処理基板の温度上昇の発生等を防止することができるとともに、従来に比べて装置稼働率の向上と、ランニングコストの低減を図ることのできるプラズマ処理装置用基板載置台及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

The resin is a phenol resin or an epoxy resin, and the carbon material is exposed so that the upper face becomes an area ratio of 10 to 90% to the whole surface area of the upper face by at least one of blast process mechanical polishing processing, heating processing, plasma processing, and oxidant processing after forming the composition in a separator shape.例文帳に追加

また樹脂はフェノール樹脂またはエポキシ樹脂であり，上記の導電性樹脂組成物をセパレータ形状に成形した後，隔壁の上面を，ブラスト処理機械的研磨処理，加熱処理，プラズマ処理及び酸化剤処理の少なくとも１つにより隔壁上面の全表面積に対して10〜90％の面積比になるように炭素材料を露出させる。 - 特許庁

An antenna member having conductivity is arranged in a processing space 20a surrounded by a conductive material with the inside set at atmospheric pressure so that its length in the processing space is set to a predetermined length Lver and one end in the processing space is grounded to the conductive material; and microwaves are radiated into the processing space to generate plasma.例文帳に追加

導電体で囲まれるとともに内部が大気圧の処理空間２０ａ内に、当該処理空間内における長さが所定長さＬｖｅｒとなるように、且つ処理空間内における一方の端が前記導電体に接地するように導電性を有するアンテナ部材を配置し、前記処理空間内にマイクロ波を照射してプラズマを生成する。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus 100 for supplying high-frequency biasing power to an electrode 7 embedded in a mounting stage 5, a surface, exposed to plasma, of a lid part 27 made of aluminum, which functions as a counter electrode for the placement stage 5 is coated with a Y_2O_3 film 48 as a protective film.例文帳に追加

載置台５に埋設された電極７にバイアス用の高周波電力を供給するプラズマ処理装置１００では、載置台５に対して対向電極として機能するアルミニウム製の蓋部２７のプラズマに曝される表面に、保護膜としてのＹ_２Ｏ_３膜４８がコーティングされている。 - 特許庁

The dimensions of the electrodes 11, 21 and 12 are set so that the plasma paths for development may have a path length until a processing profile in the flowing direction of the process gas becomes a prescribed range, and so that the plasma paths for the selected area may have a path length corresponding to the prescribed part (selected area).例文帳に追加

助走用プラズマ通路部が、プロセスガスの流れ方向の処理プロファイルが所定の範囲になるまでの路長を有し、前記選択領域用プラズマ通路部が、前記所定部分（選択領域）に対応する路長を有するように、電極１１，２１，１２を寸法設定する。 - 特許庁

The antenna part 40 has one or more slot holes 41 in a wall 40a whose cross section makes a short side, and converts the processing gas supplied into the rectangular waveguide 22 placed in an atmospheric pressure state to plasma by the microwave to emit the converted plasma from the slot holes 41 toward a processed object on the outside.例文帳に追加

アンテナ部４０は、その断面において短辺をなす壁４０ａに１又は複数のスロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 - 特許庁

To prevent a base material from receiving abnormal discharge such as arc from an edge or the like of an electrode and prevent the base material from being damaged in an apparatus to dispose a base material to be processed outside between electrodes under pressure near the atmospheric pressure and to perform plasma processing by contacting plasma from between electrodes to the base material .例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、電極間の外部に被処理基材を配置し、この基材に電極間からのプラズマを接触させてプラズマ処理する装置において、電極のエッジ等からアーク等の異常放電が基材に落ちるのを防止し、基材にダメージを与えないようにする。 - 特許庁