「PLASMA-PROCESSING」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

A method includes: flowing a pre-coat gas mixture into a plasma processing chamber, where the pre-coat gas mixture has an affinity for an etchant gas mixture; irradiating a substrate with a first plasma from the pre-coat gas mixture; and introducing the substrate comprising the substrate material.例文帳に追加

本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。 - 特許庁

The plasma processing device controls the state of electric energy generated by electromagnetic waves emitted into a plasma and magnetic fields, and the state of capacitive coupling discharge, of inductive coupling discharge, and of electronic cyclotron resonance discharge, thereby controls the generation of active species.例文帳に追加

プラズマ中に放射する電磁波と磁場による電子エネルギ状態制御、及び容量結合放電、誘導結合放電、電子サイクロトロン共鳴放電の各放電状態制御により、電子エネルギ状態を制御し、活性種発生を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device for reducing charged particles, such as ions and electrons, having positive or negative charges applied to a body to be processed from plasma in which the discharge state at the initial stage of discharging is unstable.例文帳に追加

本発明の目的は、放電初期の放電状態が不安定なプラズマから被処理体へ照射される正、又は負の電荷をもったイオンや電子等の荷電粒子を低減することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To stabilize plasma generation in a microwave plasma processing apparatus which suppressing generation of reflected waves at the connection part between a microwave supply waveguide and a microwave antenna, for improving charging efficiency, and suppressing discharging.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波供給導波管とマイクロ波アンテナとの接続部における反射波の形成を抑制し、給電効率を向上させ、放電を抑制し、プラズマ処理装置中におけるプラズマ形成を安定化させる。 - 特許庁

Components including a gas distribution plate 22, a chamber liner 30 and a focus ring 14 that constitute a plasma processing chamber 10 are subjected to surface plasma-splaying of ceramics or high temperature polymers having surface roughness properties to improve polymer adhesion for coating 32 thereof.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。 - 特許庁

Adoption of a step, for the processing processes, of controlling the plasma distribution to be higher toward external portions through the application of a lower source power and a wafer bias power in the plasma ON/OFF states to form a thicker sheath around the center and a thinner sheath than the thickness of the sheath above around the outer circumference above the wafer.例文帳に追加

プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 - 特許庁

A magnetic field variation amount formation part produces a variation amount of the electromagnetic field which is a differential between the initial value of the magnetic field measured by the magnetic sensor 21 and the variation value changed from the initial value, and outputs it to a plasma processing control part 17 as a plasma variation information.例文帳に追加

磁界変化量生成部は、磁気センサ２１で計測された磁界の初期値と当該初期値から変化した変化値との差分である、電磁界の変化量を生成し、プラズマ変化情報としてプラズマ処理制御部１７に出力する。 - 特許庁

A substrate processing device is constituted by a chamber (10) providing an internal space in which a substrate is located, a plasma generation unit for generating plasma in the internal space to perform a step of the substrate, and an end point detection unit for detecting a step end point.例文帳に追加

基板が置かれる内部空間を提供するチャンバー（１０）と、内部空間にプラズマを生成し、基板に対する工程を行うプラズマ生成ユニットと、工程の終点を検出する終点検出ユニットとを含んで基板処理装置を構成する。 - 特許庁

Then, by supplying plasma 13 blew by the plasma processing apparatus A into the gap 30 between the semiconductor chip 14 and the mounting substrate 15, the surface of semiconductor chip 14 and the surface of mounting substrate 15 and the surface of bump 16 are cleaned.例文帳に追加

この後、プラズマ処理装置Ａから吹き出されるプラズマ１３を半導体チップ１４と実装基板１５の間隙３０に供給することによって半導体チップ１４の表面と実装基板１５の表面とバンプ１６の表面を洗浄する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To diffusibly introduce processing gas while dispersing the gas, by making use of the porousness of a ceramic body, homogenize the processing gas in a vessel, homogenize the density of plasma generated in a vessel by the homogenization of the processing gas in the vessel, reduce processing unevenness on the surface of a substrate for raising processing quality, and improve workability by enhancing processing speed.例文帳に追加

セラミック体の多孔質性により処理用ガスを分散して拡散導入することができ、容器体内の処理用ガスの均一化を図ることができ、処理用ガスの均一化により容器体内に発生するプラズマのプラズマ密度の均一化を図ることができ、基板表面の処理むらを抑制して処理品質を高めることができると共に処理速度を高めて作業性を向上することができる。 - 特許庁

The discharge plasma processing method and the apparatus thereof are characterized, by setting a solid dielectric on at least one opposite surface of a pair of opposed electrodes under a pressure near the atmospheric pressure, introducing a process gas between the opposed electrodes, applying a pulse-like electric field to obtain a plasma, and exposing a circuit board to the plasma.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法及び装置。 - 特許庁

A signal processing part 24 obtains the reciprocal of resultant impedance Z of a gap capacitance Cg and a plasma impedance Zp, obtains resultant capacitance which is the total of the gap capacitance Cg and a capacitance component included in the plasma impedance from the imaginary part of the reciprocal and obtains a resistance component included in the plasma impedance from the real part of the reciprocal.例文帳に追加

信号処理部２４はギャップ静電容量ＣｇとプラズマインピーダンスＺｐとの合成インピーダンスＺの逆数を求めて、当該逆数の虚部からギャップ静電容量Ｃｇとプラズマインピーダンスに含まれる静電容量成分との和である合成静電容量を求め、当該逆数の実部からプラズマインピーダンスに含まれる抵抗成分を求める。 - 特許庁

In the plasma processing method, a dummy substrate D having, on a surface thereof, organic matter similar to that on the surface of the substrate W is disposed in front of the substrate W with respect to the entering direction of the substrate W, and the dummy substrate D is entered into the plasma generation area P before entering the substrate W into the plasma generation area P.例文帳に追加

このプラズマ処理方法では、基板Ｗの表面における有機物と同様の有機物が表面にあるダミー基板Ｄを、基板Ｗの進入方向に対して、基板Ｗの前方に置き、基板Ｗにおけるプラズマ発生領域Ｐ内への進入に先立って、ダミー基板Ｄをプラズマ発生領域Ｐ内に進入させる。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with a focus ring optimized for the purpose of the process and configured with a dielectric body, a conductor or a semiconductor to which a high frequency is applied by clarifying physical conditions that a sheath-plasma boundary 74 on a wafer 72 and a sheath-plasma boundary on the focus ring 80 are flat so as to establish the design method of its concrete structure.例文帳に追加

ウエハ７２上のシース・プラズマ界面７４とフォーカスリング８０上のシース・プラズマ界面が平坦であるための物理的条件を明らかにし、その具体的構造の設計手法を確立することによって、プロセスの目的に最適化された、高周波を印加した誘電体あるいは導体や半導体で構成されたフォーカスリングを装備する。 - 特許庁

To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece.例文帳に追加

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus is provided with a reactor R, formed of an insulating base material 1 equipped with: a plurality of through-holes 2 for introducing a plasma-generating gas G from openings on one side and for discharging the activated plasma generating gas G from openings on the other end side; and electrodes 3 and 4 for respectively generating discharge in the respective through-holes 2.例文帳に追加

一端側の開口からプラズマ生成用ガスＧが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスＧが流出する複数の貫通孔２と、各貫通孔２内でそれぞれ放電を発生させるための電極３，４とが設けられた絶縁基材１からなる反応器Ｒを具備する。 - 特許庁

On the surface of a nozzle plate 21 previously subjected to surface roughening (oxygen plasma processing or sand blasting) to have a surface roughness (Ra) of 0.01-0.1, a plasma polymerization film having a thickness of 0.5 μm or less is formed by plasma CVD using a compound containing fluorine or silane as a material and then it is coated with fluororesin to form an ink repellent film.例文帳に追加

予め粗面化処理（酸素プラズマ処理又はサンドブラスト処理）により表面粗さ（Ｒａ）０．０１〜０．１とされたノズルプレート２１表面に、フッ素含有化合物又はシラン化合物を原料としてプラズマＣＶＤ法により０．５μｍ以下のプラズマ重合膜を形成し、その皮膜上にフッ素樹脂を塗布し、撥インク膜を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel(PDP) processing facility that does not cause much hindrance to operation, even if a heating furnace becomes unavailable by sequentially operating batch processing and each batch-type heating furnace to perform a function similar to a continuous processing furnace and can cope with small lot multi-varietal production as well.例文帳に追加

バッチ処理と、各バッチ式加熱炉を順次操業して連続式処理炉と同様機能を行なわせ、１つの加熱炉が使用不能となっても操業に大きな支障を与えず、かつ少量多品種生産にも対応できるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の処理設備を提供する。 - 特許庁

A branch RF antenna characterized by having a plurality of main branches and subbranches brings about the improved coverage of a processing area, the reduced influence of standing wave, the improved uniformity of an induction coupled electromagnetic field, the generation of more uniform plasma, and a more homogeneous processing state in the entire processing area.例文帳に追加

複数の主分岐及び副分岐が特徴である分岐ＲＦアンテナは、改良された処理面積のカバレージ、減少された定在波の影響、改良された誘導結合電磁界の均一性、より均一なプラズマ生成、及び全処理面積中のより均質的な処理状態をもたらす。 - 特許庁

To achieve high productivity and quality stabilization of a plasma processing apparatus by enabling an introduction position for a process gas to be set with a high degree of freedom in accordance with an arrangement of a substrate (especially, in batch processing) and the size of the substrate (especially, in sheet processing) with a simple, low-cost configuration.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、簡易かつ低コストの構成で、プロセスガスの導入位置を基板の配置（特にバッチ処理の場合）や基板のサイズ（特に枚葉処理の場合）に応じて高い自由度で設定可能とし、それによって高生産性と品質安定化を達成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus providing a stable processing result even when variation exists in a process by adding a process model expressing a variation in a state of a process processor to a control loop in Run-to-Run control for changing a processing condition in each wafer treatment.例文帳に追加

ウエハ処理毎に処理条件を変更するRun-to-Run制御において、制御ループにプロセス処理装置の状態の変動を表すプロセスモデルを付加することによりプロセスに変動が存在する場合においても、安定な処理結果を得ることのできるプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and an apparatus thereof that enlarge the radiation amount and radiation area of an excited species to the surface of an object to be processed, and uniformly irradiate on the whole region of a surface, and then make significant improvement in processing performance and processing efficiency by suppressing the loss of an effective excited species.例文帳に追加

被処理物表面に対する励起種の照射量及び照射面積を拡大できるとともに、表面全域に均一に照射することができ、しかも、有効励起種のロスを抑制して処理性能、処理効率の著しい向上を図ることができるようにする。 - 特許庁

A process module constituting the plasma processing apparatus includes a module controller 113 for controlling the entire processing operation, a plurality of control devices 305 to 319 for processing a sample, and an I/O board 201 for sending a control signal to the plurality of control devices in accordance with instructions from the module controller.例文帳に追加

プラズマ処理装置を構成するプロセスモジュールは、全体の処理動作を制御するモジュールコントローラ113と、試料を処理するための複数の制御機器305〜319と、モジュールコントローラからの指示に従って複数の制御機器に制御信号を送信する入出力基板201とを備える。 - 特許庁

To provide a method and the device capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure condition in a peeling process in a semiconductor manufacturing process, and performing ashing by using a simple device and a discharge plasma processing capable of a processing with the small amount of processing gas.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができる方法及びその装置を提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can make in-plane uniformity of processing higher than before, can be made compact by reducing an unnecessary space in a processing chamber, and can easily vary the interval between an upper electrode and a lower electrode.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

For the plasma etching to an Si wafer W placed on a susceptor 2 within a processing vessel 1, a mixed gas obtained by adding silicon fluoride, for example, SiF4 to phosphorus fluoride or carbon fluoride, for example, SF_6/O_2 gas system is introduced as the etching gas to the processing vessel 1 from a processing gas supplying system 23.例文帳に追加

処理容器１内のサセプタ２にＳｉウエハＷを載置してプラズマエッチングを行なうに際して、処理ガス供給系２３よりフッ化硫黄またはフッ化炭素たとえばＳＦ_６／Ｏ_２ガス系にフッ化ケイ素たとえばＳｉＦ_４を添加した混合ガスをエッチングガスとして処理容器１に導入する。 - 特許庁

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which particles can be removed with less detrimental effects in simple structure and its method for removing particles.例文帳に追加

プラズマ処理への悪影響少なくかつ簡易な構成でパーティクル除去を行なうことが可能なプラズマ処理装置およびそのパーティクル除去方法を提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber 101, a pressure measurement equipment 401 that measures the pressure inside the process chamber 101, and a pump 403 that ejects gas inside the process chamber 101.例文帳に追加

プロセスチャンバー１０１と、プロセスチャンバー１０１内の圧力を測定する圧力測定器４０１と、プロセスチャンバー１０１内のガスを排出するポンプ４０３とを備える。 - 特許庁

Both ends of the plasma processing head 20 are placed on the supports 70 respectively and the head 20 is bridged between the paired supports 70 so as to cover the conveyer 10.例文帳に追加

そして、プラズマ処理ヘッド２０の両端部をヘッド支持台７０に載置し、プラズマ処理ヘッドをローラコンベアに被さるように一対のヘッド支持台の間に架け渡す。 - 特許庁

To attain suppression of particles due to peeling of a reactive product from a chamber inner wall and stabilization of an in-chamber atmosphere by simple control and structure in a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。 - 特許庁

The system further comprises a factory interface coupled with the workpiece carrier and carrying the workpiece to/from a factory environment on the outside of the plasma processing system.例文帳に追加

前記システムは、前記プラズマ処理システムの外部のファクトリ環境との間でワークピースを搬送する、前記ワークピース搬送装置に結合されたファクトリインタフェースをさらに備えている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is scarcely broken even when it is subjected to a local stress, and wherein even when it is broken, damage is scarcely done to the inside of the vacuum vessel.例文帳に追加

局所的応力がかかった場合にも破損し難く、たとえ破損した場合にも真空容器内が損傷を被り難いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generator used in processing of a workpiece such as reforming of a substrate in which after-treatment of a plasmolyzed treating gas irradiated on the workpiece to be treated is carried out.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、被処理ワークに照射されたプラズマ化した処理ガスの後処理を行うようにする。 - 特許庁

The image processing method of the plasma display device firstly carries out detection of a moving image block part and a still image block part from inputted image signals.例文帳に追加

本発明にかかるプラズマ表示装置の画像処理方法は，まず，入力される画像信号から動画像ブロック部分と静止画像ブロック部分を検出する。 - 特許庁

Holes 5 are bored in the insulating base material 2 by the use of the conductor layer 1 with the holes 4 as a mask layer through a laser processing method, a plasma etching method, or a wet etching method.例文帳に追加

この孔４を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に孔５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, by covering an inside wall of a transport pipe with reaction products, such as aluminum fluoride in advance, changes with the passage of time in the plasma processing rate can be repressed.例文帳に追加

また、輸送管の内壁に、フッ化アルミニウムなどの反応生成物を予め被覆しておくことにより、経時的なプラズマ処理速度の変動を抑えることができる。 - 特許庁

In a first plasma processing, the gas containing such a hydrofluorocarbon as CHF_3, CH_2F_2, CH_3F is used to form deposition substances D at least on the side walls of a groove 110.例文帳に追加

第１のプラズマ処理では、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆ等のハイドロフルオロカーボンを含むガスを用い、溝部１１０の少なくとも側壁に堆積物Ｄを形成する。 - 特許庁

Here, before the second photoresist pattern 110 is removed, the semi-insulating GaAs substrate 101 is subjected to a plasma processing in an H_2S-containing atmosphere in order to stabilize the surface of the gate recess 111 with sulfur.例文帳に追加

ここで、ゲートリセス１１１を硫黄で表面安定化するため、第２のフォトレジストパターン１１０を除去する前にＨ_２Ｓを含む雰囲気下でプラズマ処理を加える。 - 特許庁

To suppress breakage of a cover which covers the lower surface of a window member and production of particles and to easily attach and detach the cover to/from an induction coupling plasma processing apparatus.例文帳に追加

誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制し、且つカバーを容易に着脱できるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which generation of abnormal discharge is prevented at the corner part of a lower electrode for mounting an angular substrate in any process pressure region.例文帳に追加

いかなるプロセス圧力領域にあっても、角型基板を設置する下部電極の角部において異常放電の発生を防ぐプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

According to the processing method, the carbon monoxide-containing gas to be treated is treated with a low-temperature plasma in the presence of a hydrogen peroxide to oxidize the carbon monoxide and to convert it into carbon dioxide.例文帳に追加

処理方法は、一酸化炭素含有被処理気体を過酸化水素存在下、低温プラズマで処理して一酸化炭素を酸化し、二酸化炭素に変換する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for doubling component life of a ring for expanding plasma arranged within a processing chamber, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor device and an Si ring.例文帳に追加

処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and method which can process an object to be processed with high quality by removing impurities.例文帳に追加

本発明は、不純物を除去することにより被処理体への高品質な処理を施すことが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供することを例示的目的とする。 - 特許庁