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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > PLASMA-PROCESSINGの意味・解説 > PLASMA-PROCESSINGに関連した英語例文

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PLASMA-PROCESSINGの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3220



例文

To provide a process system which can uniformize the flow of gas and the form of a plasma, to provide a small processing system by the occupation area of the device, to reduce the loss of high-frequency power put in a high-frequency plasma process, and to generate and maintain the plasma efficiently.例文帳に追加

ガスの流れやプラズマ形状を均一にすることが可能であり、かつ、装置の占有面積が小さなプロセス装置を提供すること、高周波プラズマプロセスで投入した高周波電力の損失を減らし、効率的にプラズマを発生、維持させることが可能なプロセス装置を提供すること。 - 特許庁

A plasma processing device 10 has a vacuum vessel 11, an antenna (plasma generating means) support 12 that is provided to project to an internal space 111 of the vacuum vessel 11, and a high-frequency antenna (plasma generating means) 13 that is attached to the antenna support 12.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理装置10は、真空容器11と、真空容器11の内部空間111に突出するように設けられたアンテナ(プラズマ生成手段)支持部12と、アンテナ支持部12に取り付けられた高周波アンテナ(プラズマ生成手段)13と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In this case, the protrusion of the irregularities formed on a processing face 14a of the substrate 14 by digging by the hollow discharge plasma Ph is etched by glow discharge plasma Pg formed in the outer periphery of the hollow discharge plasma Ph so that the highly precise substrate is flattened.例文帳に追加

このとき、ホロー放電プラズマPhによる深堀加工によって形成される基板14の処理面14aの凹凸を、ホロー放電プラズマPhの外周部に形成されたグロー放電プラズマPgによってその凸部をエッチングすることから、高精度の基板を平坦化することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with a method of supplying high-frequency power for biasing to an electrode of a mounting table to mount a workpiece, capable of suppressing vibration of plasma potential, generating stable plasma, and preventing contamination from occurring due to sputtering of metal counter electrodes.例文帳に追加

被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。 - 特許庁

例文

The method and device for processing the exhaust gas from the engine include a plasma generator installed in a passage for the exhaust gas from the engine for generating plasma, whereby the nitrogen component of the exhaust gas is turned into plasma so that nitrogen dioxide is produced, and graphite particulates in the exhaust gas are oxidated and combusted.例文帳に追加

エンジンからの排ガスの流路に備えられるプラズマ発生器によってプラズマを発生させ、該排ガス中の窒素成分をプラズマ化して二酸化窒素を生成し、排ガス中の黒鉛微粒子を酸化燃焼することを特徴とするエンジン排ガスの処理方法、並びに、エンジン排ガスの処理装置。 - 特許庁


例文

To provide a plasma resistant ceramic member having excellent corrosion resistance against a halogen-based corrosive gas and plasma thereof and easily controllable electrical resistivity and being suitably used as a semiconductor, a liqud crystal manufacture apparatus or the like, particularly a member for a plasma processing apparatus such as an electrostatic chuck.例文帳に追加

ハロゲン系腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐食性に優れ、かつ、体積抵抗率を容易に制御可能であり、半導体・液晶製造装置等、特に、静電チャック等のプラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができる耐プラズマ性セラミックス部材を提供する。 - 特許庁

A plasma etching apparatus 2 is provided with a plasma generating chamber 23 consisting of a quartz bulb connecting at its one end a glow starter 24 and also connecting at its other end a processing chamber 21 via a transporting chamber 22, and this plasma generating chamber 23 can freely rotate around the quartz bulb.例文帳に追加

プラズマエッチング装置2には、一端にグロースタータ24が接続され他端に輸送室22を介して処理室21が接続された石英管からなるプラズマ発生室23が備えられており、このプラズマ発生室23は石英管の軸を中心にして回転自在に設けられている。 - 特許庁

The coolant gas from the air-cooling part 4b is sent to a quartz tube 7c in a plasma torch 7, an auxiliary gas is sent to a quartz tube 7b, a plasma is generated at the tip of the plasma torch 7, its emission is spectrally diffracted by a spectroscope 8, and data in a data processing part 9 is displayed on a display part 10.例文帳に追加

噴霧室空冷部4bからのクーラントガスが、プラズマトーチ7の石英管7cに送られ、補助ガスが石英管7bに送られ、プラズマトーチ7の先端でプラズマが発生し、その発光が分光器8で分光され、データ処理部9のデータが表示部10で表示される。 - 特許庁

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極22,24を備え、真空容器12にマイクロ波を放射し、真空容器12を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置10を設ける。 - 特許庁

例文

By irradiation of microwave on a wafer W via a planar antenna member SPA under an existence of a processing gas containing oxygen and rare gas, plasma is formed containing the oxygen and rare gas (or plasma containing nitrogen and rare gas, or plasma containing nitrogen, rare gas, and hydrogen).例文帳に追加

酸素、および希ガスを含む処理ガスの存在下で、ウエハW上に平面アンテナ部材SPAを介してマイクロ波を照射することにより、酸素と希ガスとを含むプラズマ(ないし窒素と希ガスとを含むプラズマ、または窒素と希ガスと水素を含むプラズマ)を形成する。 - 特許庁

例文

A movable substrate holder is situated within the chamber body, the substrate holder is situated at a first position wherein the substrate is positioned below the plasma source opening for in-situ plasma cleaning of the chamber, and a second position wherein the substrate is positioned above the plasma source opening for substrate processing.例文帳に追加

前記チャンバ本体内には、前記基板が前記プラズマ源開口の下方に配置されるときに、前記チャンバのin‐situプラズマ洗浄用の第1の位置をとり、前記基板が前記プラズマ源開口の上方に配置されるときに、基板処理用の第2の位置をとる可動基板ホルダが設置される。 - 特許庁

A transmission window 10 which can transmit the high frequency wave is formed on the upper surface of the processing container 1 in the plasma processing equipment, and the radio frequency wave antenna 2 is attached on the window 10.例文帳に追加

プラズマ処理装置における処理容器1の上面に、高周波を透過可能な透過窓10が設けられ、この透過窓10上に高周波アンテナ2が取り付けられている。 - 特許庁

The surface processing method includes a process for spraying fine particles on an object to be processed, and a process for plasma-processing the object with the fine particles as a mask.例文帳に追加

被処理物上に微粒子を散布する工程と、前記微粒子をマスクとして、前記被処理物をプラズマ処理する工程と、を備えたことを特徴とする表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a processing method thereof for preventing a breakdown of a lower portion of vacuum vessels, such as a vacuum vessel and a pump caused by an abnormal electrical discharge like an arc electrical discharge or the like.例文帳に追加

アーク放電などの異常放電による真空容器およびポンプなど真空容器の下方部の破壊を防止するプラズマ処理装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

The device driving the interlace type plasma display panel (PDP) has a delay element, an image upper/lower edge detecting element, an image boundary processing element, and an image processing analog control loop.例文帳に追加

インタレース型プラズマ表示パネル(PDP)を駆動する装置であって、遅延素子、画像上下縁検出素子、画像境界処理素子、および画像処理アナログ制御ループを有する。 - 特許庁

This method includes a step of performing the plasma pre-heating of at least one processing volume structure in a processing volume surrounding the substrate when the substrate is present in the deposition chamber.例文帳に追加

本方法は、堆積チャンバ内に基板が存在する場合に、基板を取り囲んでいる処理容積内の少なくとも1つの処理容積構造体をプラズマ予熱することを含んでいる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of detecting cleaning end point even when any plasma is not generated, and a method for detecting the cleaning end point of the substrate processing apparatus.例文帳に追加

プラズマを発生させない場合であってもクリーニングの終点を検出することができる基板処理装置、基板処理装置のクリーニングの終点検出方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a processing container 1, a stationary base 14, a piping 4, microwave irradiating means 8, 9 and 10, and ultraviolet ray irradiating means 34a, 34e, 16a and 16b.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、処理容器1と固定台14と配管4とマイクロ波照射手段8、9、10と紫外線照射手段34a、34e、16a、16bとを備える。 - 特許庁

In the first etching processing chamber 1, a substrate 6 is etched by a high density plasma, and this substrate 6 is passed through the gate valve 8 and is moved to the second etching processing chamber 9.例文帳に追加

第1のエッチング処理室1では高密度プラズマによるエッチングが基板6に対して行われ、この基板6はゲートバルブ8を通って第2のエッチング処理室9に移動する。 - 特許庁

Formation due to a sputtering method of the transparent conductive film deposits after performing a surface reformation in a plasma processing by performing a flattening processing by grinding after forming the coloring pixel.例文帳に追加

着色画素の形成後に研磨による平坦化処理を行い、透明導電膜のスパッタリング法による形成はプラズマ処理にて表面改質を行ったのちに成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display element includes a process of performing alignment processing by continuously processing the surface of an alignment layer formed on a surface of a substrate with gas made into plasma.例文帳に追加

基板の表面に形成された配向膜の表面をプラズマ化したガスで連続的に処理することにより配向処理を施す工程を有する液晶表示素子の製造方法。 - 特許庁

A mounting pedestal 3 is provided in the bottom portion of a processing container 2 of an apparatus 1 for forming a film by a plasma, and a radial line slot antenna 12 is provided in the upper portion of the apparatus 1.例文帳に追加

プラズマ成膜装置1の処理容器2内の底部に載置台3を設け,上部にラジアルラインスロットアンテナ12を設ける。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for conducting desirable surface treatment without the occurrence of abnormal discharge such as arc discharge.例文帳に追加

アーク放電等の異常放電が発生することなく、望ましい表面処理を施すことのできるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost plasma processing method, by overcoming the fault of a thin film forming process at an early stage, in a method of manufacturing an electronic device.例文帳に追加

電子デバイスの製造工程にて、薄膜形成工程の異常を早期に解決し、かつ低コストのプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is superior in ease of attachment and detachment of a component and improves mass-productivity.例文帳に追加

部品の組立及び取り外しの簡便性に優れたものとすることができ、量産性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which has superior mass-productivity by controlling a deposition film deposited on a vacuum vessel inner wall.例文帳に追加

真空真空容器内壁に堆積する堆積膜を制御することにより量産安定性に優れたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing apparatus has an antenna 30 in which a high-frequency current I_R is flowed from one end part to the other end part in an X direction.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、X方向の一端部から他端部に高周波電流I_R が流されるアンテナ30を備えている。 - 特許庁

To provide a generation method and a generation device of thin line-like atmospheric discharge plasma capable of processing the inside of an elongated tube.例文帳に追加

細長い管の内部を処理することが可能な細線状大気圧放電プラズマの生成方法および生成装置の提供。 - 特許庁

At the time of depositing a film, plasma is generated in a processing chamber 2 by applying a high frequency power for source to coils 12t and 12s.例文帳に追加

成膜処理を行うときは、コイル12t,12sにソース用高周波電力を印加して、処理チャンバ2内にプラズマを発生させる。 - 特許庁

To provide a workpiece processing device capable of easily elongating an average life of a plurality of plasma generating nozzles mounted on the device.例文帳に追加

装置に取り付けられた複数のプラズマ発生ノズルの平均寿命を容易に延ばすことが可能なワーク処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the deposition of evaporated substance of a processing material such as powder on the bottom inner wall of an anode cylinder of a direct-current plasma generating body.例文帳に追加

直流プラズマ発生体の陽極筒の底部内壁に粉末等の処理物質の蒸発物が付着することが防止する。 - 特許庁

A plasma CVD device which forms a film by generating plasma by introducing a microwave into a processing container by a plane antenna having a plurality of holes forms the silicon nitride film which includes plenty of traps by performing plasma CVD, wherein the pressure in the processing container is set to 0.1 to 8 Pa, using a processing gas containing: a gas of a compound composed of silicon atoms and chlorine atoms; and a nitrogen gas.例文帳に追加

複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して成膜を行うプラズマCVD装置においてシリコン原子と塩素原子からなる化合物のガスと窒素ガスを含む処理ガスを用い、処理容器内の圧力を0.1Pa以上8Pa以下の範囲内に設定してプラズマCVDを行うことにより、多くのトラップを含む窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁

On a side wall 8 of a chamber 2 of a plasma processing apparatus 1, an earth wire 9 is attached which fixes the chamber 2 at a ground potential.例文帳に追加

プラズマ処理装置1のチャンバー2の側壁部8には、チャンバー2を接地電位に固定するアース線9が取り付けられている。 - 特許庁

To provide a showerhead, a substrate treatment apparatus, and a substrate manufacturing method in which high density plasma can be stably generated in a processing chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ内に安定した高密度プラズマを発生させることができるシャワーヘッド、基板処理装置、基板製造方法を提供する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus has a variable resistor 15 for correcting the impedance between a matching unit 14 of a high-frequency power supply 13 and an electrostatic attracting electrode 16.例文帳に追加

高周波電源13の整合器14と静電吸着電極16間にインピーダンス補正用の可変抵抗器15を設ける。 - 特許庁

To provide a plasma display device which reduces a false contour and prevents occurrence of low discharge at grayscales, and also to provide an image processing method thereof.例文帳に追加

擬似輪郭を低減させ且つ階調低放電の発生を防ぐプラズマ表示装置およびその画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The number of holes of the plural gas diffusion plates 11 and 12 is larger on the side of the substrate processing region more than on the side of the plasma generation region.例文帳に追加

複数のガス拡散板11,12の孔の数は、プラズマ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が多い。 - 特許庁

A part of a substrate 1 (for example, an edge) is located between the surface frame body 5 and the back side frame body 6 during the plasma processing.例文帳に追加

そして表面枠体5及び裏面枠体6は、プラズマ処理時に、基板1の一部(例えば縁)を互いの間に位置させる。 - 特許庁

To provide a method for driving a plasma display panel permitting dither processing without loss of display quality.例文帳に追加

表示品質を低下させることなくディザ処理を行うことができるプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, resist films formed on the front surface Wb and the rear surface Wa of the semiconductor substrate W are subjected simultaneously to ashing processing inside the plasma.例文帳に追加

そして、半導体基板Wの表面Wb及び裏面Waに形成したレジスト膜を同時に、プラズマにてアッシング処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of correctly and easily positioning an electrode, and suppressing deformation of a shape of a discharge space.例文帳に追加

電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To easily ignite plasma without the need for special selection or changeover of the processing condition and influencing processes.例文帳に追加

処理条件の特別な選定や切り替えを要することなく、またプロセスに影響を与えることなくプラズマを容易に着火させること。 - 特許庁

To provide a method of plasma processing in which reliability is high and a throughput is high in the detachment and attachment of a wafer from and to a substrate electrode.例文帳に追加

ウェハの基板電極への脱吸着に対して、信頼性が高くさらにスループットの高いプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To improve power efficiency of a high frequency plasma processing system utilizing a higher frequency ion VHF bands, for example.例文帳に追加

VHF帯のようなより高い周波数の高周波を利用する高周波プラズマ処理装置において、電力効率を改善する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that can fast and evenly process a single crystal AlN substrate without causing damage to its surface.例文帳に追加

単結晶AlN基板を表面にダメージを与えることなく高速かつ均一に加工可能なプラズマ加工方法を提供する。 - 特許庁

To effectively eliminate deposits even at a narrow place without damaging an exposure surface in a processing chamber by plasma.例文帳に追加

処理チャンバー内の露出面をプラズマで損傷することなく狭い場所でも効果的に堆積物を除去することができるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing an increase in cost thereof and capable of remarkably improving the cooling efficiency of a focus ring.例文帳に追加

コスト上昇を抑制する共に、フォーカスリングの冷却効率を飛躍的に改善することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is capable of restraining an arc discharge from occurring in an electrode where a high-frequency power is applied.例文帳に追加

高周波電力が印加される電極に生じるアーク放電を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning method capable of cleaning without giving damage to the processing container, etc., in a film forming device by plasma.例文帳に追加

成膜装置の処理容器内等にプラズマによるダメージを与えることなくクリーニングを行なうことができるクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a plasma processing apparatus which prevents a warp of an electrode unit composed of a metal electrode, and a dielectric that is caused by a temperature change.例文帳に追加

金属電極と誘電体で構成される電極ユニットの温度変化による反りを防止するプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁




  
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