「Plasma processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

The world’s first successful development of automated nano-etching equipment that automatically optimizes ultra-fine processing based on radical measurement The Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster successfully manufactured a prototype of equipment that enables optimum nano-etching through automated control that ensures an optimum plasma state based on the feedback of the real-time measurement of the density of radicals with the use of the above-mentioned radical monitor.例文帳に追加

世界で初めて、ラジカル計測により微細加工を自律的に最適化する自律型ナノエッチング装置の開発に成功上記のラジカルモニターを活用することにより、ラジカル等の密度等をリアルタイムに計測し、装置にフィードバックすることで、プラズマの状態が常に最適となるように自律的に制御して最適なナノエッチングが可能となる装置の試作に成功した。 - 経済産業省

A method for processing the organic material film comprises a step of forming a resist film 13 on a partial area of a substrate, a step of forming an organic material film 11 on the substrate according to a plasma CVD method so as to cover the film 13, and a step of releasing and removing the film 11 disposed on the film 13 together with the film 13 by removing the film 13.例文帳に追加

基板上の一部の領域にレジスト膜１３を形成する工程と、レジスト膜１３を覆うようにプラズマＣＶＤ法によって、基板上に有機材料膜１１を形成する工程と、レジスト膜１３を除去することによって、レジスト膜１３とともにレジスト膜１３上に位置する有機材料膜１１を剥離除去する工程とを包含する、有機材料膜の加工方法である。 - 特許庁

To provide a reformer capable of reforming a surface in response to a change in a thickness of a workpiece, an image forming device having this reformer and a postprocessing device of the image forming device, in the reformer for reforming the surface by contacting plasma with a processing object surface of the sheet-like workpiece formed by applying the image formation in the image forming device.例文帳に追加

画像形成装置において画像形成が施されること等により形成されたシート状の被加工物の被加工面にプラズマを接触させて同面の改質を行う改質装置であって、被加工物の厚みの変化に対応して表面改質を行うことが可能な改質装置、この改質装置を備えた画像形成装置、画像形成装置の後処理装置を提供する。 - 特許庁

The surface processing method has a third step to introduce an ion source 31 of a gaseous carbon cluster into a vacuum chamber 12 in which the workpiece 32 is contained without using a carrier gas, subsequently to apply a high frequency voltage to the ion source and making it into plasma to generate a carbon cluster ion 33, and to apply a negative voltage to the workpiece 32 and to ion process it by making its surface irradiated with the carbon cluster ion 33.例文帳に追加

被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 - 特許庁

The manufacturing method of an electronic device can be realized using the plasma processing method.例文帳に追加

プラズマ励起用のガスを用いてプラズマを発生させ、処理用ガスを前記プラズマ内に導入して被処理物を処理するプラズマ処理方法で、処理用ガスは亜酸化窒素ガスを含み、かつ前記亜酸化窒素ガスを電子温度が２．２４ｅＶ未満のプラズマ中に導入することで絶縁膜にダメージを与えるイオンの発生を軽減させることで、高品質な酸窒化を実現できるプラズマ処理方法、及びこのプラズマ処理方法を使った電子装置の製造方法を実現できる。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁

To provide a method of processing the surface of an object 3 placed between two opposing electrodes 4 and 11 by applying a high-frequency electric power to the electrodes 4 and 11 to generate plasma while continuously feeding and discharging a prescribed gas, wherein the high-frequency electric power is intermittently applied to the electrodes in synchronism with time when the prescribed gas passes by the object 3.例文帳に追加

相互に対向する２つの電極間４，１１に所定のガスを連続的に導入および排出させながら、両電極４，１１に高周波電力を印加して、プラズマを発生させ、両電極４，１１間に配置した被処理物３の表面処理を行う時、前記高周波電力を、前記所定のガスが前記被処理物３を通過する時間に同期させて、両電極に間欠的に印加する。 - 特許庁

The plasma processing method comprises controlling the degrees of openings of an upper pressure control valve 134 and a lower pressure control valve 146 disposed between an upper exhaust chamber UC and an upper vacuum exhaust system 136, and between a lower vacuum exhaust chamber DC and a lower vacuum exhaust system 148, respectively, to generate a predetermined displacement difference between the upper exhaust chamber UC and the lower exhaust chamber DC.例文帳に追加

本発明によれば，上部排気室ＵＣと上部真空排気系１３６の間及び下部真空排気室ＤＣと下部真空排気系１４８との間にそれぞれ設けられている，上部圧力調整弁１３４及び下部圧力調整弁１４６の開度を調整することにより，上部排気室ＵＣと下部排気室ＤＣとの間に所定の排気量差を生じさる構成とした。 - 特許庁

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material.例文帳に追加

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 - 特許庁

To provide an inspecting device and a manufacturing method for a plasma display panel rear plate which can perform image processing by selecting and switching some of plural video signals, reduce the number of expensive image processors and the memory capacity in the image processors, lower the device cost, facilitate replacing operation in maintenance by decreasing the wiring quantity of a movable part, and perform inspection with high precision.例文帳に追加

複数の映像信号から一部を選択して切り換えて画像処理することが可能で、高価な画像処理装置の数を低減したり、画像処理装置内のメモリー容量を低減することができ、装置コストを抑えることが可能な、かつ、可動部の配線量を減らしメンテナンス時の交換作業を容易化可能な、しかも、高精度な検査が可能なプラズマディスプレイパネル背面板の検査装置と製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 - 特許庁

A dry etching device 1 includes a transfer mechanism 15 transferring trays between a tray stock part housing each tray on which a substrate is placed and a plasma processing part 11, a centering mechanism 27 positioning each tray at a predetermined position in an alignment part 14, and a height measurement sensor 37 measuring a height of the predetermined position of the positioned tray.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。 - 特許庁

A plasma processing device according to the invention comprises: a chamber; a gas supply part for supplying required gas to inside the chamber; a first electrode which is disposed in the chamber and to which high frequency power is applied; capacitor parts formed above the first electrode and electrically connected with the first electrode; and a plurality of second electrodes formed above the capacitor parts and electrically connected with the capacitor parts.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this device for generating glow discharge plasma by applying electric field between counter electrodes having two discharge spaces formed by three electrodes of which at least one of the counter surfaces is covered by solid dielectrics and processing an object, the center electrode of three of the electrodes is fixed while the other two of both ends are immobile, and the intervals of two of the discharge spaces are adjusted.例文帳に追加

対向面の少なくとも一方を固体誘電体で被覆した３枚の電極によって形成された２つの放電空間を有する対向電極間に電界を印加することによってグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理する装置において、前記３枚の電極の中央の電極を固定し、両端の２枚の電極を可動にして、２つの放電空間の間隔を調整することを特徴とする放電プラズマ処理装置。 - 特許庁

Thus, a problem of a conventional plasma display apparatus, asynchronization between video and audio because of different processing time between video and audio signals can be solved.例文帳に追加

Ｉ／Ｐ変換回路１１、信号処理回路１２及び駆動回路１３を備え入力される映像信号に基づいてプラズマディスプレイパネル１４を表示駆動させるための映像信号処理回路部と、前記映像信号に同期して入力される音声信号に基づいて音声を出力する音声信号処理回路部とを有し、前記音声信号処理回路部に、映像信号の種類に応じて前記映像信号処理回路部の最終段における映像信号と音声信号処理回路部の最終段の音声信号とを同期させるように音声信号を所定時間遅延させるため、メモリー１６、遅延時間制御装置１７による遅延手段を設けた。 - 特許庁