「Plasma processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper electrode member 10a and a lower electrode member 10b facing together in the plasma processing system respectively include: an electrode body 11 comprising a metal plate; an insulation case 12 containing the electrode body 11; an insulation lid 13 for closing the insulation case 12; a ground electrode covering insulation member 14; and a ground electrode metal bar.例文帳に追加

プラズマ処理装置の互いに対向する上部電極部１０ａと下部電極部１０ｂのそれぞれは、板状金属からなる電極本体１１、電極本体１１を収容する誘電体ケース１２、その誘電体ケース１２を塞ぐ誘電体蓋１３、グランド電極被覆誘電体１４およびグランド電極金属棒を備えて構成される。 - 特許庁

The matching circuit 30 is used in a semiconductor plasma processing system for feeding high frequency electric power to an electrode in a chamber through a power feeding path.例文帳に追加

整合器３０は、チャンバ内に設けられた電極に給電線路を介して高周波電力を供給する半導体プラズマ処理装置に用いられるものであって、２つの可変容量コンデンサ２２，２３と、コンデンサ２３の電極と給電線路の内部導体１６の端部との間に接続された銅板３１〜３３などで構成された分布定数回路とを備えたものである。 - 特許庁

Gas containing a phenyl group and silicon and not containing nitrogen is used to form a low dielectric film, energy is applied to an interlayer insulating film by heat treatment, UV irradiation treatment or SPA plasma treatment as a post-processing process to thereby make moisture leave the interlayer insulating film, forming a Si-O-Si skeleton structure.例文帳に追加

フェニル基とシリコンとを含み、窒素を含まないガスを用いて低誘電率膜を形成した後、後処理工程として、この層間絶縁膜に対して熱処理、ＵＶ照射処理あるいはＳＰＡプラズマ処理などによりエネルギーを加えることによって、層間絶縁膜から水分を脱離させて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ骨格構造を形成する。 - 特許庁

A transmission system of the plasma processing apparatus is composed of a circular waveguide, an electromagnetic wave supply mechanism is made of a nearly cylindrical cavity connected to the circular waveguide, and a ridge 301 is provided at the cavity or the ridge 301 and a taper waveguide 401 are used in combination, thus improving a center concentration tendency of microwaves.例文帳に追加

プラズマ処理装置の伝送系が円形導波管を用いて構成され、電磁波供給機構が該円形導波管に接続された略円柱状の空洞部からなり、該空洞部にリッジ３０１を設けること、あるいは、リッジ３０１とテーパ導波管４０１を併用することでマイクロ波の中心集中傾向を改善する。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has a process A for depositing a low dielectric constant insulating film 15 on an upper layer of a semiconductor substrate 11, a process B for laminating a silicon content insulating film 26 having rich silicon on at least the upper layer of the low dielectric constant insulating film 15, and a process C for plasma-processing a surface of the silicon content insulating film 26.例文帳に追加

半導体基板１１の上層に低誘電率絶縁膜１５を積層する工程Ａと、低誘電率絶縁膜１５の少なくとも上層にシリコンリッチなシリコン含有絶縁膜２６を積層する工程Ｂと、シリコン含有絶縁膜２６の表面をプラズマ処理する工程Ｃとを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The PFC decomposition apparatus is equipped with a chamber in the PFC decomposition apparatus 14 into which the PFC gas discharged from a processing apparatus 10 such as a semiconductor manufacturing apparatus is introduced, a mechanism for generating plasma in the PFC decomposition chamber and a mechanism 16 for supplying an oxidizing gas into the PFC decomposition chamber.例文帳に追加

本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体製造装置等のプロセス装置１０から排気されるＰＦＣガスが導入されるＰＦＣ分解装置１４内のチャンバーと、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、このＰＦＣ分解チャンバーに酸化反応ガスを供給するための供給機構１６と、を具備する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

This processor is equipped with a 1st filter 27 which is connected between a susceptor 21 and the ground and has variable impedance, a sensor 28 which detects an electric signal based upon the state of plasma produced in a processing chamber 11, and a control means 36 which controls the impedance of the 1st filter 27 according to the detection result outputted by the sensor 28.例文帳に追加

サセプタ２１と接地との間に接続されインピーダンスが変更自在な第１のフィルタ２７と、処理室１１内で生成されたプラズマＰの状態に基づく電気信号を検出するセンサ２８と、このセンサ２８から出力される検出結果により第１のフィルタ２７のインピーダンスを制御する制御手段３６とを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming via holes in a high-density circuit board, such as a printed board having a plurality of wiring layers, through a plasma treatment under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure, which enables dry processing and size reduction of a device, and facilitates formation of a metal film on the inner wall of each via hole.例文帳に追加

複数の配線層を有するプリント基板等の高密度回路基板のビアホール形成を、大気圧下もしくは大気圧近傍下におけるプラズマ処理法により行う、工程のドライ化、装置の小型化を可能とし、ビアホール内壁への金属膜形成を容易とする高密度回路基板におけるビアホール形成方法を提案する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 has a lower electrode 22 having the mounting surface 221 and the lower electrode is provided with a pin (projection) 61 capable of freely projecting from the mounting surface 221, the pin 61 moving into a projection state wherein its tip surface 611 projects from the mounting surface 221 or into a storage state wherein the tip surface 611 is matched in level with the mounting surface 221.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２を有し、下部電極には、載置面２２１から出没自在なピン（突起）６１が設けられており、突起６１は、その先端面６１１が載置面２２１より突出した突出状態と、載置面２２１と一致した収容状態とに移動することを特徴とする。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

The method of fabricating a GeSbTe thin film includes: a first step of forming a GeSbTe thin film on a surface of a substrate by chemically reacting a first precursor including Ge, a second precursor including Sb, and a third precursor including Te in a reaction chamber; and a second step of processing the surface of the GeSbTe thin film with hydrogen plasma.例文帳に追加

反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体、Ｓｂを含む第２前駆体及びＴｅを含む第３前駆体間の化学反応により基板の表面にＧｅＳｂＴｅ薄膜を形成する第１ステップ及び前記ＧｅＳｂＴｅ薄膜の表面を水素プラズマで表面処理する第２ステップを含むＧｅＳｂＴｅ薄膜の製造方法である。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。 - 特許庁

The method includes a step of surface-treating the surface of an ion conductive polymer film so as to obtain surface uniformity by using the plasma processing process, a step of adsorbing metal electrodes to both sides of the ion conductive polymer film, a step of reducing polymer metal composites to both sides of the ion conductive polymer film, and a step of forming a coating layer.例文帳に追加

プラズマ処理工程を利用してイオン伝導性高分子膜の表面が均一になるように表面処理する段階と、前記イオン伝導性高分子膜の両面に金属電極を吸着する段階と、前記イオン伝導性高分子膜の両面に高分子金属複合体を還元する段階と、コーティング層を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor 6 is processed by bringing the surface of the group III nitride semiconductor 6 fixed to the substrate stage 4 via a first substrate holder 11 into contact with the region, where the distribution of the amount of surface processing is gently distributed in all the regions of the plasma 10 between the cylindrical rotating electrode 2 and the substrate stage 4.例文帳に追加

上記円筒型回転電極２と基板ステージ４との間に生成されたプラズマ１０の全領域のうちの表面加工量の分布がなだらかな領域を、第１基板ホルダー１１を介して基板ステージ４に固定されたIII族窒化物半導体６の表面と接触させることによってIII族窒化物半導体６の表面を加工する。 - 特許庁

The plasma excitation gas flow is uniformed by increasing the number of gas discharging holes per unit area arranged in a shower plate with progression away from the center of the shower plate, or alternatively, by increasing the hole radius of the gas discharging hole with progression away from the center of the shower plate, whereby uniform processing of the substrate to be processed is enabled.例文帳に追加

シャワープレートに配置するガス放出孔の単位面積あたりの配置数を、シャワープレート中心から離れるに従って増加させる、もしくは、ガス放出孔の孔半径をシャワープレート中心から離れるに従って増加させることにより、プラズマ励起ガス流を均一にし、これによって、被処理基板の均一処理を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for reforming a film-formation surface and a method for manufacturing a semiconductor device using the same by which the base dependency to film formation can be thoroughly eliminated on a film- formation surface, by eliminating an additional energy such as plasma irradiation or high temperature heating, processing in a vacuum, etc., by an extremely simplified method.例文帳に追加

プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming a bonding part made of metal in a contour-like shape and etching (surface activation processing) the bonding part by plasma, by bonding objects to be bonded each other by pushing and breaking a deposition layer which re-adhered to the bonding part, a space formed by being surrounded in the contour-like shape by the bonding part between bonding surfaces can be sealed into a predetermined atmosphere.例文帳に追加

金属からなる接合部を輪郭状に形成し、該接合部をプラズマによりエッチング（表面活性化処理）した後、接合部に再付着した付着物層を押し破って被接合物どうしを接合することで、接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間を所定の雰囲気に封止することができる。 - 特許庁

A protection tube 36 comprising a silica glass pipe for corrosion resistance is attached at a tip of a plasma generating nozzle 31, a thermocouple 38 is attached on an outer peripheral surface of the protection tube 36, a start-up voltage is input to a whole control part 90 with analog/digital conversion by a sensor input part 98, and a flow control valve 923 of processing gas carries out feedback control.例文帳に追加

プラズマ発生ノズル３１の先端に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管３６を取付け、その保護管３６の外周面に熱電対３８を取付け、その起電圧をセンサ入力部９８でアナログ／デジタル変換して全体制御部９０へ入力し、処理ガスの流量制御弁９２３をフィードバック制御する。 - 特許庁

At the time of thermal processing of a surface of a metallic material 7 by emitting infrared laser beam 4 on the surface, a high density plasma is made to generate in the vicinity of the surface as well as is made to absorb the infrared laser beam 4 by emitting KrF excimer laser pulse beam 10 on the surface of the metallic material 7 superposed with the infrared laser beam 4.例文帳に追加

金属材料表面（７）に赤外レーザビーム（４）を照射して、該表面を熱加工するに当り、ＫｒＦエキシマレーザパルスビーム（１０）を上記赤外レーザビーム（４）に重畳させて金属材料表面（７）に照射し、該表面近傍に高密度プラズマを発生させると共に、そのプラズマに上記赤外レーザビーム（４）を吸収させる。 - 特許庁

A very small amount of a first gas containing fluorine atoms in molecules and having a function to remove a dopant and a second gas restraining the first gas from corroding the surface of a wafer as an object of processing are added to an oxygen gas for obtaining a reactive gas to use, and the above reactive gas is excited into high-density plasma to remove an ashing retardant resist film by ashing.例文帳に追加

酸素ガスに、分子中にフッ素を含有し、前記ドーパントを除去する作用を有する第１のガス微量加えるとともに、前記第１のガスの非処理体であるウェハ表面に対する腐食を抑制する第２のガスを加えたものを反応ガスとして用い、高密度プラズマを励起して難灰化性レジスト膜を灰化・除去する。 - 特許庁

The frequency adjustment method for the surface acoustic wave apparatus including a piezoelectric substrate 1 and an insulation film formed on the piezoelectric substrate 1 to cover interdigital electrodes 2 formed on the piezoelectric substrate applies plasma processing to the insulation film 3 to modify the surface of the insulation film 3 thereby changing the frequency.例文帳に追加

圧電基板１と、圧電基板上に形成されたくし型電極２を覆うように圧電基板１上に形成された絶縁膜とを有する弾性表面波装置の周波数調整に際し、絶縁膜３をプラズマ処理し、該絶縁膜３の表面を変質させることにより、周波数を変化させる、弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of cutting a laminated product including a die-bonding film and a semiconductor wafer laminated on the die-bonding film with a rotary blade, and a step of performing plasma discharge processing 6 on a periphery of a face of an adhesive layer 1 of the dicing tape bonding the die-bonding film.例文帳に追加

ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルム上に積層された半導体ウェハとを含む積層品を回転刃で切断する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ダイボンディングフィルムを貼り付けるダイシングテープの粘着層１の面の周囲にプラズマ放電処理６を施す工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part.例文帳に追加

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで１００℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。 - 特許庁

A waste processing method comprising the steps of subjecting a waste ion exchange resin containing low-level radioactive materials used for purification of the coolant in a reactor to plasma treatment under the presence of carbon dioxide and/ or carbon monoxide, decomposing the waste ion exchange resin for the volume reduction, and converting the radioactive materials into materials having a low vapor pressure for the prevention of the vaporization thereof and the stabilization thereof.例文帳に追加

原子炉の冷却水の浄化に使用した低レベル放射性物質を含有する廃イオン交換樹脂を、二酸化炭素および／または一酸化炭素の存在下にプラズマ処理し、廃イオン交換樹脂を分解して減容し、かつ放射性物質を蒸気圧の低い物質に変えて揮散を防止し、安定化する廃棄処理方法。 - 特許庁

With a base material 16 installed on a counter electrode 14 oppositely facing a discharging electrode 12, a prescribed interval is secured between this base material 16 and the discharging electrode 12; in this state, a glow discharge plasma is produced between the two electrodes 12, 14, cracking a reaction gas and processing the surface of the base material.例文帳に追加

放電発生用電極１２に対向する対向電極１４上に基材１６を設置し、この基材１６と前記放電発生用電極１２との間に所定の間隙を確保した状態で両電極１２，１４間にグロー放電プラズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを分解して前記基材の表面を処理する。 - 特許庁

To facilitate defect detection when a defect is present in a peripheral portion having a large luminance difference in an electronic display image quality inspection device detecting the display defect by picking up an image of the display defect in a display device such as a plasma display by a camera or the like, and binarizing an image obtained by differentiating the picked-up image by spatial differentiation processing or the like.例文帳に追加

プラズマディスプレイ等の表示装置における表示欠陥をカメラ等により撮像し、撮像画像を空間微分処理等により微分した画像を２値化することにより、表示欠陥を検出する電子ディスプレイ画質検査装置において、輝度差の大きい周辺部分に欠陥が有る場合の欠陥検出を容易にすることに有る。 - 特許庁

A plasma enhanced CVD system for processing one or more flat panel display substrate comprises a process chamber 133 arranged to contain gas, a residual gas analyzer 63 arranged to analyze and feed back gas in the process chamber, and a controller 250 for monitoring feedback from the gas analyzer.例文帳に追加

１枚以上のフラットパネルディスプレイ基板を処理するためのプラズマ増強型化学気相堆積システムであって、ガスを含有するように構成されたプロセスチャンバ１３３と、プロセスチャンバ内のガスを分析するとともにフィードバックをするように構成された残留ガス分析器６３と、ガス分析器からのフィードバックをモニタするためのコントローラ２５０を備えている。 - 特許庁

To provide a coating liquid for a silica-based film with a low dielectric constant, forming an insulating film having a dielectric constant as low as 3 or less and excellent not only in resistance to oxygen plasma during the microphotolithography processing but also in mechanical strength, chemical resistance such as alkali resistance and crack resistance and to provide a substrate having formed thereon such a silica-based film with a low dielectric constant.例文帳に追加

誘電率が３以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。 - 特許庁

The process for forming a fluorine added carbon film on a substrate to be processed comprises a first step for performing surface treatment of the substrate to be processed with rare gas subjected to plasma excitation by a substrate processing equipment, and a second step for forming a fluorine added carbon film on the substrate to be processed wherein the substrate processing equipment has a microwave antenna electrically connected with a microwave power supply.例文帳に追加

被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成するフッ素添加カーボン膜の形成方法であって、基板処理装置によって希ガスをプラズマ励起し、プラズマ励起された前記希ガスによって前記被処理基板の表面処理を行う第１の工程と、前記被処理基板上にフッ素添加カーボン膜を形成する第２の工程を含み、前記基板処理装置は、マイクロ波電源が電気的に接続されたマイクロ波アンテナを有することを特徴とするフッ素添加カーボン膜の形成方法。 - 特許庁

The plasma processing apparatus further includes an electromagnetic wave supply mechanism for supplying the electromagnetic wave such as infrared light, for controlling the temperature of the substrate to be processed to surfaces of the substrate to be processed or into the processing chamber.例文帳に追加

被処理基板を戴置する基板電極を備えた処理室と、該処理室に所定量のガスを供給するガス供給機構と、該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気系と、該処理室内に電磁波を供給してプラズマを発生する機構と、該電磁波を該処理室内に供給するための電磁波透過窓と、を備えたプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を制御するため赤外線等の電磁波を被処理基板の表面または処理室に供給する電磁波供給機構を備える。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus, having a plurality of small electrodes arranged nearly in the same plane, when high frequency powers of different frequencies are applied to the electrodes adjacent to each other, the combination of the electric field strengths generated by respective electrodes can provide electric field strength which is uniform over a large area to improve film thickness distribution and etching speed distribution.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。 - 特許庁

A wafer support device 20 includes an electrostatic chuck 22 capable of adsorbing a silicon wafer W as an object of plasma processing, a guard ring 30 mounted on a step 26 of the electrostatic chuck 22, a cooling plate 40 placed on a backside of the electrostatic chuck 22 for cooling the electrostatic chuck 22, and a coolant gas flow path 50 arranged to supply a flow of coolant gas for cooling the guard ring 30.例文帳に追加

ウエハ載置装置２０は、プラズマ処理を施すシリコン製のウエハＷを吸着可能な静電チャック２２と、この静電チャック２２の段差部２６に載置された保護リング３０と、静電チャック２２の裏面に配置された静電チャック冷却用の冷却板４０と、保護リング３０を冷却するための冷却用ガスを供給する冷却用ガス通路５０とを備えている。 - 特許庁

As for a structure of this nickel-hydrogen secondary battery, a group of electrodes 5, in which low temperature plasma processing is applied to a separator 3 of synthetic resin fiber and it is interveningly mounted between a nickel electrode and a hydrogen storage alloy electrode, is sealed in a battery can 1 together with alkali electrolyte, and an area having different degrees of hydrophilic property is formed on the surface of the separator 3.例文帳に追加

ニッケル極２と水素吸蔵合金電極４の間に、合成樹脂繊維から成りかつ低温プラズマ処理されたセパレータ３が介装されている電極群５をアルカリ電解液と一緒に電池缶１に封入した構造のニッケル・水素二次電池であって、セパレータ３の表面には、親水性に程度差のある領域が形成されているニッケル・水素二次電池。 - 特許庁

When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed.例文帳に追加

ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

The exhaust line 3 incorporates an exhaust ring 10 arranged on the processing chamber 2 side, a manifold 8 consisting of a plurality of tubular bodies arranged arcuately and disposed on the automatic pressure controller 4 side, and a plurality of plasma leak preventing plates 9 interposed between the exhaust ring 10 and the manifold 8 and arranged to close the manifold 8 in a shape corresponding to that of the manifold 8.例文帳に追加

排気管路３は、その内部に、処理室２側に配された排気リング１０と、円弧状に配された複数の筒状体から成り、自動圧力制御装置４側に配されたマニホールド８と、排気リング１０及びマニホールド８の間に介挿され、且つマニホールド８と対応する形状をなしてマニホールド８を閉鎖するように配された複数のプラズマ漏洩防止板９とを備える。 - 特許庁

In the case of the wide area etching step, a selective power is impressed between both electrodes 30 and 12 for producing etching plasma in almost the whole area of a chamber at the first relatively low voltage and relatively wide electrode intervals while in the case of the local area etching step, the vacuum processing reactor can be adjusted at the second relatively high voltage and relativelly narrow electrode intervals.例文帳に追加

広域エッチングの場合、エッチング用プラズマをチャンバのほぼ全域にわたって生成するために、両電極間に選択した電力を印加し、比較的低い第１の圧力で、且つ比較的大きな電極間隔にし、次に局部エッチングの場合、比較的高い第２の圧力で、且つ比較的小さい電極間隔に調整することができる装置である。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell employs the plasma processing apparatus that comprises: a shower plate consisting of a conductive substrate with a gas supply port; a first electrode having a salient part including a conductive porous material and provided on a surface of the shower plate opposing to a second electrode so as to cover the gas supply port, and that supplies a material gas from the salient part.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法では、ガス供給口を有する導電性基板からなるシャワープレートと、第２の電極に対向する前記シャワープレートの面上にガス供給口を覆うように設けられた導電性多孔質材料からなる凸部を有する第１の電極を備え、この凸部より原料ガスを供給するプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

To provide a radial line slot antenna for a plasma processing device where the close adhesion between a metallic plate having many also holes configuring the radial slot antenna and a dielectric material placed at an opposite side to a microwave radiation face of the metallic plate is improved so as to enhance the radiation efficiency and the uniformity of microwaves and cope with a substrate with a large area to be processed.例文帳に追加

ラジアルスロットアンテナを構成する多数のスロット孔を有する金属板と、この金属板のマイクロ波放射面と反対側に設けられている誘電体との密着性を良くして、マイクロ波の放射効率と均一性の向上を図ることができ、大面積の被処理基板に対応することが可能となるプラズマ処理装置におけるラジアルラインスロットアンテナを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a heat resistant resin film formed on a semiconductor element and an epoxy based resin compound formed thereon, surface of the heat resistant resin film on which the epoxy based resin compound is formed is subjected to plasma processing by using nitrogen atom containing gas which contains at least one kind of nitrogen, ammonia and hydrazine.例文帳に追加

半導体素子上に形成する耐熱性樹脂膜とその上に積層するエポキシ系樹脂化合物層とを有する半導体装置において、エポキシ系樹脂化合物層を積層する耐熱性樹脂膜の表面を、窒素、アンモニア、ヒドラジンの少なくとも１種を含有する窒素原子含有ガスを用いてプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

This plasma processing apparatus includes an upper electrode 3 which is installed in a vacuum chamber 2 and which can hold a substrate 10, a gas supply port 14 installed so that it may counter with the upper electrode 3 in the vacuum chamber 2, and a lower electrode 4 having gas suction ports (gas suction ports 24a and 24b) of the number more than the number of the gas supply ports 14.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空チャンバ２内に設置され、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、真空チャンバ２内に上部電極３と対向するように設置され、ガス供給口１４と、ガス供給口１４の数よりも多くの数のガス吸引口（ガス吸引口２４ａおよび２４ｂ）とを有する下部電極４とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal device is provided with: a step S1 to respectively form electrodes to apply a driving voltage to the liquid crystal on a TFT substrate and a counter substrate; a step S4 to apply plasma processing to either electrode on the TFT substrate or the counter substrate; and a step S5 to respectively form inorganic alignment layers on the electrodes of the TFT substrate and the counter substrate.例文帳に追加

ＴＦＴ基板及び対向基板に、液晶に駆動電圧を印加する電極をそれぞれ形成するステップＳ１と、ＴＦＴ基板と対向基板とのいずれか一方の電極に、プラズマ処理を行うステップＳ４と、ＴＦＴ基板及び対向基板の電極上に、無機配向膜をそれぞれ形成するステップＳ５と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁