| 意味 | 例文 |
Positive patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1213件
The positive type resist composition contains (A) resin containing a specified cyclic structure in the principal chain, having ≤5% content of a monomer corresponding to repeating structural units constituting the resin based on the total pattern area by GPC and having velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid and (B) a compound which generates the acid when irradiated with active light or radiation.例文帳に追加
(A)特定の環構造を主鎖に有し、樹脂を構成する繰り返し構造単位に対応する単量体の含有量がGPCの全パターン面積の5%以下である酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有するポジ型レジスト組成物が提供される。 - 特許庁
This manufacturing method for a microstructure array includes the processes of: forming an insulating layer 3 on a conductive portion 2 of a substrate 1, forming an opening 4 having a periodic repetitive array pattern on the insulating layer 3, and forming an electrodeposition layer 7 on the opening 4 and the insulating layer 3 through the opening 4 by the electrodeposition of the conductive portion 2 as a negative or positive electrode.例文帳に追加
マイクロ構造体アレイの作製方法は、基板1の導電性部2上に絶縁層3を形成する工程、絶縁層3に周期的な繰り返し配列パターンを有する開口部4を形成する工程、導電性部2を陰極ないし陽極として電着により開口部4を通じて開口部4及び絶縁層3上に電着層7を形成する工程を有する。 - 特許庁
A positive electrode active material is a nickel oxyhydroxide compound including zinc and cobalt, alone or in combination, as eutectic, the surface of particles of which compound is coated with a cobalt high-order oxide, and has a half band width of 0.4 to 0.48 at the diffraction peak near a diffraction angle of 18° in the X-ray diffraction pattern, thereby achieving a battery superior in characteristics.例文帳に追加
この発明は、正極材料として、亜鉛及びコバルト単独もしくはこれらを共晶させたオキシ水酸化ニッケル系化合物であって、この粒子の表面がコバルト高次酸化物で被覆され、x線回折パターンにおいて、回折角18°付近の回折ピークの半値幅が0.4〜0.48である正極活物質を用いることによって特性の優れた電池を実現する。 - 特許庁
To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加
フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性(例えば、高い解像力)、良好な露光ラチチュード(EL)及び良好なラインエッジラフネス(LER)を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a pattern includes the step of applying the positive photosensitive resin composition on a supporting substrate and drying it, the step of exposing the photosensitive resin film obtained by the drying step, the step of implementing development using an alkali solution to remove the exposure portion of the photosensitive resin film after the exposure, and the step of heat-treating the photosensitive resin film after the development.例文帳に追加
前記のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、前記乾燥工程により得られた感光性樹脂膜を露光する工程、前記露光後の感光性樹脂膜の露光部を除去するためにアルカリ水溶液を用いて現像する工程、及び前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程を含むパターンの製造方法。 - 特許庁
The positive resist composition includes (A) an alkali-soluble novolac resin, (B) a photosensitizing agent, and (C) a predetermined benzotriazole-based compound, wherein since the predetermined benzotriazole-based compound is included, good adhesion of a resist film of the composition to a substrate is maintained, a fine resist pattern is formed, and the generation of residues is suppressed even after the development of the resist film.例文帳に追加
(A)アルカリ可溶性ノボラック樹脂、(B)感光剤、及び所定の(C)ベンゾトリアゾール系化合物を含有するポジ型レジスト組成物は、所定のベンゾトリアゾール系化合物を含有するため、レジスト膜と基板との密着性が良好に維持され、微細なレジストパターンを形成可能であると共に、レジスト膜の現像後においても、残渣の発生を少なく抑えることができる。 - 特許庁
In a method for forming a positive oxide thin film pattern in which the top of a substrate is coated with a composition containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer, the resulting coating film is irradiated with light, a chemical reaction of the unirradiated part in the coating film is allowed to proceed and the irradiated part is dissolved and removed by etching with an etching solution, an aqueous alkali solution is used as the etching solution.例文帳に追加
金属アルコキシド及びキレート安定化剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布膜に光照射すると共に、この塗布膜における非照射部の化学反応を進行させた後、エッチング溶液にてエッチングして照射部を溶解、除去するポジ型酸化物薄膜パターンの形成方法において、前記エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いることを特徴とするものである。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a source of light with 157 nm is used, having a wide defocus latitude, less liable to cause line edge roughness, free of concern for negative formation because a resist film is substantially thoroughly dissolved when developed with a developer and ensuring slight trailing of a line-and-space pattern.例文帳に追加
160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、デフォーカスラチチュードが広く、ラインエッジラフネスが発生し難く、現像液で現像した際にレジスト膜が実質的に完全に溶解してネガ化の懸念がなく、ラインアンドスペースパターンの裾引きが小さいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a photoacid generator for preparing a resist composition forming an excellent pattern shape because of excellent resolution, a wide margin of depth of focus (DOF), a small line edge roughness (LER) and further high sensitivity, and to provide a polymerizable monomer for preparing the photoacid generator in the resist composition composed of a resin having an acid unstable group and functioning as a positive resist, the acid generator and a solvent, etc.例文帳に追加
酸不安定性基を有しポジ型レジストとして機能する樹脂、酸発生剤および溶剤などからなるレジスト組成物において、解像度に優れ、焦点深度余裕(DOF)が広く、ラインエッジラフネス(LER)が小さく、さらには感度が高いことから優れたパターン形状を形成できるたレジスト組成物を調製するための光酸発生剤およびそれを調製するための重合性単量体を提供する。 - 特許庁
The positive type resist composition contains a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation and a resin containing an alkali-soluble group protected with at least one specified alicyclic hydrocarbon-containing partial structure, having ≤5% monomer content based on the entire pattern area by gel permeation chromatography(GPC) and having the rate of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of the acid.例文帳に追加
特定の脂環式炭化水素を含む部分構造のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を含み、且つモノマー成分の含有量がゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)の全パターン面積の5%以下である、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂と活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。 - 特許庁
Therefore, an operation of forming the positive type photopolymer pattern is carried out stably, without lowering the optical characteristic of the second optical filter due to light portions of the ultraviolet region component.例文帳に追加
照明部からの光路に紫外領域の波長成分を選択的に低減する第一光学フィルタと、520nm以下の波長域成分を選択的に低減させる第二光学フィルタを挿入することにより、照明光の紫外領域の波長成分を選択的に低減させ、紫外領域成分の光線による第二光学フィルタの光学特性を低下させることなく、安定したポジ型感光性樹脂パターン形成を行なうことが可能となる。 - 特許庁
This polybenzoxazole imide film is formed by performing pattern exposure and alkali development of the film of a positive type photosensitive resin composition containing a diazonaphthoquinone-based photosensitizer in the hydroxyamide group-containing alicyclic polyimide containing a recurring unit expressed by general formula (4) [wherein, A is a tetravalent aromatic group; and B is a divalent aromatic or aliphatic group] or its precursor, and then heating.例文帳に追加
下記一般式(4):(式(4)中、Aは4価の芳香族基を表し、Bは2価の芳香族基又は脂肪族基を表す。)で表される反復単位を含有するヒドロキシアミド基含有脂環式ポリイミド又はその前駆体中に、ジアゾナフトキノン系感光剤を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物の膜をパターン露光及びアルカリ現像した後、加熱することにより得られることを特徴とするポリベンゾオキサゾールイミド膜である。 - 特許庁
The prognostic determination method of the corpus uteri endometrioid adenocarcinoma comprises: measuring development patterns of a molecule, carbonyl reductase, which is bound to SCC antigen and is well known as a tumor marker of the epidermoid cancer, in a carcinoma tissue by an immune structure dyeing method using an antibody specifically bound to the carbonyl reductase; scoring the acquired development pattern; and, when the result is negative or weak positive, determining it as an adverse prognosis.例文帳に追加
癌組織において、扁平上皮癌の腫瘍マーカーとしてよく知られているSCC抗原に結合する分子カルボニルレダクターゼの発現パターンを、カルボニルレダクターゼと特異的に結合する抗体を用いた免疫組織染色法により測定し、得られた発現パターンをスコア化し、陰性であるか、弱陽性である場合を、予後不良と判定することを特徴とする子宮体部類内膜腺癌の予後判定方法を提供する。 - 特許庁
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