「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an excellent positive photoresist composition for exposure to far UV rays and having a wide defocus latitude of an isolated line pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

A wiring part 15 of the positive electrode pattern 3 is comprised of a transparent wiring layer 22 made of the same transparent conductive material as the transparent electrode part 13 and a metallic film 23 made of low resistance metal material same as the metal lattice 21 having light shielding function, formed on the transparent wiring layer 22.例文帳に追加

また、陽極パターン３の配線部１５が、透明陽極部１３と同一の透明導電材料によって形成された透明配線層２２と、その透明配線層２２上に金属格子２１と同一の低抵抗金属材料によって形成された遮光性を有する金属薄膜２３とを備えて構成されている。 - 特許庁

The magnetic slit pattern is formed by magnetizing a part to be magnetized 56a formed along the inner peripheral surface of the conveying belt 56 to positive poles and negative poles respectively at regular intervals by a slit forming part 120 regularly arranged along the outer peripheral surface of a tool main body 110.例文帳に追加

治具本体１１０の外周面に沿って規則的に配置されたスリット形成部１２０によって、搬送ベルト５６の内周面に沿って形成された被磁化部５６ａが正極および負極それぞれに規則的な間隔で磁化され、これにより磁気的なスリットパターンを形成することができる。 - 特許庁

To provide a simple and rational method for manufacturing a color filter substrate, which comprises a transparent substrate, and on the transparent substrate, at least a black matrix, a colored pixel layer, a transparent conductive film, a resist pattern comprising a positive photoresist on the transparent conductive film, and a predetermined opening formed in the transparent conductive film.例文帳に追加

透明基板上に、少なくとも、ブラックマトリックスと、着色画素層と、透明導電膜と、該透明導電膜上にポジ型のフォトレジストからなるレジストパターンと、該透明導電膜自体には所定の開口部と、が形成されているカラーフィルタ基板の簡素で合理的な製造方法を提供すること。 - 特許庁

In order to solve the matter described above, a conductor in the positive electrode of an input terminal, electrically connected to a semiconductor device, is electrically insulated and stacked with a conductor in a negative electrode of the terminal, and a substrate is arranged in a checkered pattern inside a container with the semiconductor device mounted thereon.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設している。 - 特許庁

To provide a positive resist composition useful in a process with light having a shorter wavelength than KrF excimer laser light, e.g. F2 excimer laser light (157 nm) or EUV (extreme-ultraviolet radiation 13 nm) as a light source and capable of forming a resist pattern having high resolution and a good sectional shape and to provide a base material with a resist layer of the resist composition.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー以下の短波長光、例えば、Ｆ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）やＥＵＶ（真空紫外線１３ｎｍ）を光源とするプロセスに有用であり、高解像性で断面形状の良好なレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材を提供すること。 - 特許庁

A pattern of an electrode of a surface emitting element which is mounted face up and a plurality of wiring patterns connected to it by wire bonding is so designed that no wire connected to a positive-pole side electrode in all surface emitting elements crosses a wire connected to a negative-pole side electrode nor mounting directions of both wires are identical.例文帳に追加

フェースアップ実装された面発光素子の電極とワイヤボンディングで接続される複数の配線パターンを、全ての面発光素子における正極側電極に接続されるワイヤと負極側電極に接続されるワイヤとを交差させず、かつ、両ワイヤの装架方向が同一方向とならないように、パターン設計する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist compsn. for far UV exposure excellent in sensitivity to a short wavelength light source in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, excellent further in pattern profile and capable of preventing cracking.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、短波長光源に対して、感度が優れ、更にパターンプロファイルが優れ、クラッキングの発生が防止できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type positive type resist, excellent in basic solid state properties as the resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain both a polymer compound useful as a base resin for a positive type resist material and the positive type resist material containing the polymer compound, having excellent uniformity in fine processing, high sensitivity/high resolution, excellent pattern shape, excellent heat resistance film remaining properties, adhesivity to a substrate and storage stability.例文帳に追加

下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１，０００〜３０，０００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部が１，２−ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換され、かつ残りの水酸基の一部の水素原子が−ＣＲ^１Ｒ^２ＯＲ^３で示される酸不安定基により置換及び／又は−ＣＲ^４Ｒ^５−Ｏ−Ｒ^６−Ｏ−ＣＲ^７Ｒ^８−で示される架橋基により分子内又は分子間で架橋されていることを特徴とする高分子化合物。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a positive-type photosensitive resin composition capable of obtaining a high-sensitivity, high-resolution pattern, having low linear expansion coefficient and giving uniform film thickness because of the superior dispersibility of an alkali soluble resin, a photosensitive diazo quinone compound and an inorganic oxide colloid solution to each other, and to provide a semiconductor device and a display device.例文帳に追加

高感度で高解像度のパターンを得ることができ、低線膨張係数を有し、アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物と無機酸化物のコロイド溶液との分散性に優れるため膜厚が均一なポジ型感光性樹脂組成物の製造方法並びに半導体装置及び表示素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive resin composition giving a pattern free of cracking even in plating and even by washing and drying after plating, capable of precisely forming a thick plated/shaped body such as a bump or wiring and excellent also in sensitivity, resolution, etc., and a method for producing the plated/shaped body using the composition.例文帳に追加

特に、メッキ中およびメッキ後の水洗・乾燥によってもパターンにクラックを生じることがなく、バンプあるいは配線等の厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができ、かつ感度、解像度等にも優れたポジ型感放射線性樹脂組成物、並びに当該組成物を用いるメッキ造形物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming an image is carried out by using the above photoresist in steps of forming a photoresist layer on a substrate, irradiating the photoresist layer with light through a mask corresponding to a specified pattern, developing the photoresist film with a developing solution containing an alkali and removing the exposed part to form a positive image.例文帳に追加

更に、本発明によれば、基材上にフォトレジスト層を形成し、所望のパターンに対応するマスクを介して上記フォトレジスト層に光照射した後、得られたフォトレジスト膜をアルカリを含む現像液で現像し、露光部を除去して、ボジ型画像を形成する画像形成方法において、上記フォトレジストを用いる方法が提供される。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

To solve the problem that Lov dimensions in a TFT cannot be formed with excellent controllability since a resist pattern sidewall tapering angle occurs from a desired tapering angle, in a photolithography process utilizing diazo naphto quinone(DNQ)-novolac resin-based positive resist in the gate electrode formation process of a GOLD structure TFT.例文帳に追加

ＧＯＬＤ構造ＴＦＴのゲート電極形成工程のジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）−ノボラック樹脂系ポジレジストを利用するフォトリソグラフィ工程に於いて、レジストパターン側壁テーパー角が所望のテーパー角より起っている為、当該ＴＦＴのＬｏｖ寸法を制御性良く形成できない問題があり、この問題を解決することを課題とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, satisfactory line width roughness and satisfactory density distribution dependency in microfabrication of a semiconductor element using actinic rays or radiation, particularly KrF excimer laser light, electron beams or EUV light, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインウィズスラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and giving a resist pattern free from residue on development and having no density dependency even when an acid decomposable resin containing an introduced alicyclic hydrocarbon part is used in micro- photofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、脂環式炭化水素部位が導入された酸分解性樹脂を用いたときでも、十分な感度及び解像力を有し、現像残査及び疎密依存性のないレジストパターンを与えるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In a process of forming a positive electrode 4, a conductive paste containing first conductive particles 4a not reacting with phosphors constituting a phosphor layer 5 and second conductive particles 4b having hardness of penetrating an oxide layer of wiring 2 by printing pressure is printed on an insulating layer 3 including an opening 3a in a given pattern, and then is baked.例文帳に追加

陽極４を形成する工程において、蛍光体層５を構成する蛍光体と反応しない第１の導電性粒子４ａと、印刷圧力により配線２の酸化被膜を貫く硬度を有する第２の導電性粒子４ｂとを含む導電性ペーストを開口部３ａを含む絶縁層３上に所定パターンで印刷した後、焼成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition or a transfer material being developable with a low alkaline developing solution even in the case of any of positive type and negative type photosensitive resin compositions or a photosensitive resin layer transfer material, having high resolution giving a pattern having excellent removing solution resistance after heat curing and exhibiting excellent aging stability of a photosensitive material.例文帳に追加

ポジ型、ネガ型の何れの感光性樹脂組成物、又は感光性樹脂層転写材料においても弱アルカリ性現像液による現像が可能で、解像度が高く、熱硬化処理後の剥離液耐性に優れたパターンが得られ、かつ感材の経時安定性にも優れた感光性樹脂組成物或いは転写材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition, in which the problems of the performance improvement technique of a microphoto application of its own using far ultraviolet ray, particularly ArF excimer laser beam are solved and concretely, the improvement of sensitivity and resolution and a problem of generation of development defect at the time of developing are resolved and which is small in roughness and fineness dependency and capable of obtaining an excellent resist pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、感度及び解像力に優れ、現像の際の現像欠陥発生の問題が解消され、疎密依存性が少なく優れたレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The positive electrode member 27 and the negative electrode member 28 are electrically connected with the circuit patterns 35a and 35b of the power source adjustment substrate 31 and the copper pattern 24 of the insulation metal substrate 22, and come in surface contact with the heat sink 11 via the insulation metal substrate 22 to be coupled to the heat sink 11 in a manner capable of heat transfer.例文帳に追加

正極用電極部材２７及び負極用電極部材２８は、電源調整用基板３１の回路パターン３５ａ，３５ｂ、及び絶縁金属基板２２の銅パターン２４と電気的に接続されるとともに絶縁金属基板２２を介してヒートシンク１１に面接触して、このヒートシンク１１に熱伝達可能に結合されている。 - 特許庁

Although a proton working as acid generated on the surface of resist in exposure diffuses into an exposure region due to heating, coulomb force toward a substrate side operates since positive charge is charged to an upper-side electrode, thus preventing diffusion due to purge gas flow in the acid on the surface of the resist, and hence obtaining an superb resist pattern.例文帳に追加

露光時にレジストの表面部に発生した酸であるプロトンは、加熱により露光領域中に拡散していくが、レジスト表面部の酸は、上方側の電極に正の電荷が帯電していることから基板側に向かうクーロン力が作用し、このためパージガス流により飛散することが抑えられ、良好なレジストパターンが得られる。 - 特許庁

To provide a polymer suitable for a positive photosensitive resin composition that includes no halogen atoms in its skeleton, is highly transparent to an i-ray from a mercury lamp and highly sensitive, can be developed with a developing liquid (2.38% TMAH aqueous solution) usually employed in a manufacturing process of a semiconductor device, and gives a thermoset relief pattern when cured at 280°C.例文帳に追加

骨格中にハロゲン原子を含まず、水銀ランプのｉ線に対する透明性が高く高感度であり、半導体装置の製造工程で通常使用される現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液）による現像が可能であり、２８０℃のキュアで熱硬化レリーフパターンが得られるポジ型感光性樹脂組成物に適したポリマーを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern capable of effectively preventing occurrence of halation and stationary waves at the time of forming, on a highly reflective film like a metallic film, a positive chemically amplifiable resist having a fundamental composition comprising an acid generating compound by irradiation with radiation and a resin to be increased in solubility in an aqueous alkaline solution by action of an acid.例文帳に追加

放射線照射により酸を発生する化合物及び酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分から成る基本組成を有するポジ型化学増幅型レジストを金属膜などの高反射性膜に施す際に、有効にハレーション及び定在波の発生を防止してレジストパターンを形成しうる方法を提供する。 - 特許庁

In the pattern forming method including a step for forming a negative resist layer (thick film resist layer) 13 on a substrate 10, a step for forming a plating film 14 on the substrate 10 and a step for removing the negative resist layer 13 from the substrate 10, a positive resist layer 12 is formed before forming the negative resist layer 13.例文帳に追加

基板１０上にネガレジスト層（厚膜レジスト層）１３を形成する工程と、基板１０上にめっき皮膜１４を形成する工程と、剥離液に浸漬し、基板１０からネガレジスト層１３を剥離させる工程とを含むパターン形成方法において、ネガレジスト層１３を形成する前にポジレジスト層１２を形成するようにした。 - 特許庁

To provide a positive resist composition useful for a process using light with shorter wavelength than KrF excimer laser light, for example, F_2 excimer laser light (157 nm) or EUV (vacuum ultraviolet light 13 nm), allowing formation of resist pattern with high resolution and good shape of cross section, and to provide an alkali-soluble polysiloxane resin capable of providing a substrate provided with the resist layer.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー以下の短波長光、例えば、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）やＥＵＶ（真空紫外線１３ｎｍ）を光源とするプロセスに有用であり、高解像性で断面形状の良好なレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材を提供できるアルカリ可溶性ポリシロキサン樹脂を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that satisfies the need for high sensitivity, high resolution, and excellent line edge roughness and is also excellent in dissolution contrast, and provide a pattern forming method using it.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特にＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足し、また溶解コントラストも良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesiveness to a copper substrate and excellent also in heat resistance and properties of a cured film; a method for producing a relief pattern using the same and having good adhesiveness to a substrate; and electronic components having an interlayer insulation film or a surface protection film and constituting a semiconductor device or a multilayer wiring board with high reliability.例文帳に追加

銅基板との接着性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた、基板との接着性良好なレリーフパターンの製造方法、層間絶縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導体装置や多層配線板となる電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive siloxane composition free of whitening of a coating film, coloring in heat curing, reflow of a pattern, blistering and creasing, having such properties as high resolution, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

塗布膜の白化や熱硬化時の、着色、パターンのリフロー、発泡、皺の発生が起こることなく、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

There is provided with positive radiation-sensitive composition contains (a) a compound, having a carboxyl group protected with an acid releasing group and (b) an acid generating agent, which generates an acid when irradiated with radiation, and the acid releasable group has ≥3 aromatic rings, and a method for producing a resist pattern using the composition.例文帳に追加

ａ）カルボキシル基を酸脱離基で保護した化合物およびｂ）放射線の照射によって酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物であって、ａ）の酸脱離基が芳香環を３つ以上有することを特徴とするポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法。 - 特許庁

In forming these dot spacers, the positive-type photosensitive resin composition is spread over a base material 1 and dried, thereafter cylindrical projections, for example, are formed by selective irradiation of active energy rays and by a developing process, then they are softened by heating, and thereby a pattern of the edgeless and substantially hemispherical minute projections 3 is formed.例文帳に追加

このようなタッチパネル用ドットスペーサーの形成においては、ポジ型感光性樹脂組成物を基材１上に塗布して乾燥した後、活性エネルギー線の選択的照射及び現像工程により例えば円柱状突起物を形成し、次いでこれを加熱軟化処理することにより、角のない略半球状の微小突起物３のパターンが形成される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for forming a pattern with high sensitivity and wide exposure latitude in an ultrafine region, while suppressing changes in the resist performance due to an acid generated during resist storage, with respect to an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, particularly, a resist composition for electron beam, X-ray or EUV lithography.例文帳に追加

感活性光線または感放射線性樹脂組成物、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィー用のレジスト組成物において、レジスト保存中に発生する酸によるレジスト性能の変化を抑制しつつ、超微細領域で高感度かつ露光ラチチュードの広いパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when F_2 excimer laser light (157nm) is used and ensuring improved line edge roughness, few development defects and improved heat resistance of a resist pattern formed on a substrate.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥及び基板上に形成されたレジストパターンの耐熱性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition that has good radiation sensitivity, and from which high light transmittance, voltage retention, and good developability and pattern forming property capable of reacting on changes in cured film formation condition are provided to an interlayer dielectric film obtained, the interlayer dielectric film formed from the composition and a method for forming the interlayer dielectric film.例文帳に追加

優れた放射線感度を有し、得られる層間絶縁膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、硬化膜形成条件の変化にも対応できる優れた現像性及びパターン形成性を備えるポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An external terminal corresponding to positive and negative polarities and a leader line for electrolytic gold plating used to perform electrolytic gold plating on the external terminal are formed on an assembled printed wiring board supporting a plurality of printed wiring boards on which a conductive pattern is provided on a laminate plate.例文帳に追加

積層板上に導電性パターンが設けられたプリント配線板が複数支持された集合プリント配線板上に、正負の極性に対応する外部端子と、この外部端子に電解金めっきを施すための電解金めっき用引き出し線を形成し、外部端子から引き出された電解金めっき用引き出し線は、プリント配線板の異なる辺に臨むように設けるようにする。 - 特許庁

The positive type resist composition contains (A) resin containing a specified cyclic structure in the principal chain, having ≤5% content of a monomer corresponding to repeating structural units constituting the resin based on the total pattern area by GPC and having velocity of dissolution in an alkali developing solution increased by the action of an acid and (B) a compound which generates the acid when irradiated with active light or radiation.例文帳に追加

（Ａ）特定の環構造を主鎖に有し、樹脂を構成する繰り返し構造単位に対応する単量体の含有量がＧＰＣの全パターン面積の５％以下である酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有するポジ型レジスト組成物が提供される。 - 特許庁

This manufacturing method for a microstructure array includes the processes of: forming an insulating layer 3 on a conductive portion 2 of a substrate 1, forming an opening 4 having a periodic repetitive array pattern on the insulating layer 3, and forming an electrodeposition layer 7 on the opening 4 and the insulating layer 3 through the opening 4 by the electrodeposition of the conductive portion 2 as a negative or positive electrode.例文帳に追加

マイクロ構造体アレイの作製方法は、基板１の導電性部２上に絶縁層３を形成する工程、絶縁層３に周期的な繰り返し配列パターンを有する開口部４を形成する工程、導電性部２を陰極ないし陽極として電着により開口部４を通じて開口部４及び絶縁層３上に電着層７を形成する工程を有する。 - 特許庁

A positive electrode active material is a nickel oxyhydroxide compound including zinc and cobalt, alone or in combination, as eutectic, the surface of particles of which compound is coated with a cobalt high-order oxide, and has a half band width of 0.4 to 0.48 at the diffraction peak near a diffraction angle of 18° in the X-ray diffraction pattern, thereby achieving a battery superior in characteristics.例文帳に追加

この発明は、正極材料として、亜鉛及びコバルト単独もしくはこれらを共晶させたオキシ水酸化ニッケル系化合物であって、この粒子の表面がコバルト高次酸化物で被覆され、ｘ線回折パターンにおいて、回折角１８°付近の回折ピークの半値幅が０．４〜０．４８である正極活物質を用いることによって特性の優れた電池を実現する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which is suitable for excimer laser lithography with KrF, ArF, etc. is good in various resist performances such as sensitivity and resolution, and suppresses lowering of the smoothness of a pattern wall surface by a stationary wave effect caused particularly in application to a highly reflective substrate or by reduction in the thickness of a resist film.例文帳に追加

ＫｒＦやＡｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に高反射基板への適用時に生じる又はレジスト膜厚の薄膜化によって生じる、定在波効果によるパターン壁面の平滑性の低下を改善したポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in dissolution contrast by simultaneously satisfying high sensitivity, excellent line edge roughness and excellent density independence, and to provide a pattern-forming method using it.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインエッジラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足し、また溶解コントラストも良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the polymer optical waveguide substrate comprising the processes of forming a polymer optical waveguide laminated body on a silicon substrate, removing the unnecessary part by performing the reactive ion etching via a resist pattern containing positive type silicon, and exfoliating the resist containing the silicon, is characterized in that an exfoliation liquid containing amino alcohol is used as an exfoliation liquid of the resist containing silicon.例文帳に追加

シリコン基板上に、ポリマー光導波路積層体を形成し、ポジ型シリコン含有レジストパターンを介して反応性イオンエッチングを行って不要部を除去し、次いでシリコン含有レジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、シリコン含有レジストの剥離液としてアミノアルコール含有剥離液を使用することを特徴とする方法。 - 特許庁

Thereby, polarities of the compensation voltage given to pixel electrodes from the storage capacitance line 12 via the storage capacitances 2 can be reversed every plural pieces in a scanning line direction, potentials of the pixel electrodes can be reversed every plural pieces in the scanning line direction and the hatch pattern is also made not to be biased between the case when the polarity of the pixel electrodes is positive and the case when the polarity thereof is negative.例文帳に追加

これにより、蓄積容量線１２から蓄積容量２を介して画素電極に与えられる補償電圧の極性を走査線方向について複数個毎に反転させ、走査線方向について画素電極の電位を複数個毎に反転させることを可能とし、ハッチパターンに対しても、画素電極の極性が正と負で偏ることがないようにする。 - 特許庁

To provide an image reader in which a high quality image signal can be obtained even if an ineffective pattern, such as the base of a negative film or a bright spot in the image of a positive film, exists in a read area, a medium storing a control procedure of the image reader and a data structure for transmitting a computer program signal including the control procedure of the image reader while encoding.例文帳に追加

読取領域にネガフィルムのベース部分やポジフィルムの画像中の輝点などの非有効絵柄が存在していても高品質の画像信号を得ることのできる画像読取装置、その画像読取装置の制御手順を記憶した記憶媒体、及びその画像読取装置の制御手順を含んだコンピュータプログラム信号を符号化して伝送するためのデータ構造を提供する。 - 特許庁