「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a space pattern excellent in heat resistance and having a high aspect ratio on a thick film board with good perpendicularity and resolution and to provide a board with a photosensitive film, a resist pattern forming method and a method for preparing the photoresist composition.例文帳に追加

厚膜基板上で、耐熱性に優れ、高アスペクト比のスペースパターンを垂直性、解像性よく形成可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法およびポジ型ホトレジスト組成物の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, also having a rectangular shape and ensuring low edge roughness of a line pattern and a small shift in dimensions in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

This motor drive control method is provided for switching an application current pattern at equal intervals by a specified number of times of two or more when switching the application current pattern, on the basis of the point of time (the point of time of zerocross) of positive and negative inversion of counter electromotive force of each phase (for example, three phases).例文帳に追加

各相（例えば３相）の逆起電力の正負の反転時点（ゼロクロス時点）を基準として印加電流パターンを切替えるときに、２回以上の所定の回数だけ等間隔に切替えるモータ駆動制御方法である。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that attains both low acid diffusibility and high dissolution contrast, and is improved in a DOF and roundness or LWR of a hole pattern or a trench pattern by suppressing chemical flare caused by a produced acid or a quencher.例文帳に追加

低酸拡散性と高い溶解コントラストを両立すると共に、発生酸やクエンチャーなどによるケミカルフレアを抑制することにより、ホールパターンやトレンチパターンのＤＯＦと真円性もしくはＬＷＲを改善したポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁

Also, in a model in which the temperature adjustment control of the fixing unit is performed by changing over the output pattern in a specified time period, an ON waveform on the negative side of the same phase angle as the phase angle on the AC positive side is generated for the output pattern within the specified time period.例文帳に追加

また定着器の温調制御を一定時間周期で出力パターンの切り換えを行う機種において、出力パターンをＡＣ＋側の位相角と同じ位相角の−側のＯＮ波形を一定時間周期内に生成する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film capable of obtaining a good resist pattern with high sensitivity even on a support having a portion formed of copper on an upper surface thereof, and a method for producing a thick film resist pattern.例文帳に追加

上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高感度に良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The foreign matter removing apparatus 8a is configured to remove foreign bodies 2a, 2b sticking on a pattern surface of the mask 1, and includes electrodes 5, 6 disposed opposite on the pattern surface of the mask 1, and a power source 3 configured to apply a positive and a negative voltage alternately between the pattern surface of the mask 1 and the electrodes 5, 6.例文帳に追加

本発明の異物除去装置８ａは、マスク１のパターン面に付着した異物２ａ、２ｂを除去する異物除去装置であって、マスク１のパターン面に対向配置される電極５、６と、マスク１のパターン面と電極５、６との間に正及び負の電圧を交互に印加する電源３を有する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a space pattern excellent in heat resistance with good acid generation efficiency under a thick film condition of ≥3.0 μm and capable of forming a space pattern having ≤0.8 μm width and a high aspect ratio with good perpendicularity and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

３．０μｍ以上の厚膜条件下で、耐熱性に優れ、酸の発生効率がよいスペースパターンの形成が可能で、幅０．８μｍ以下の高アスペクト比のスペースパターンを垂直性よく形成することが可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a phenol novolak resin capable of forming an overcrowded pattern and an isolated pattern both excellently in shapes when a fine resist pattern of ≤0.35 μm is formed, excellent in sensitivity, resolution and focal depth-width property, and having no change in resin composition in each molecular weight region, a method of synthesizing the same and a positive-type photoresist composition using the same.例文帳に追加

０．３５μｍ以下の微細なレジストパターンを形成する場合に、密集パターン、孤立パターン共に形状良く形成でき、感度、解像性、焦点深度幅特性に優れ、各分子量域において樹脂組成の違いのないフェノールノボラック樹脂、その合成方法およびそれを用いたポジ型ホトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

After a non-sensitized part of the negative photoresist film 18 and light blocking photoresist film 16 is removed, a positive photoresist film 14 is sensitized by whole surface exposure with g-rays 38 for forming a resist pattern 42 having a prescribed pattern, and a connection hole 44 is formed in an insulation layer 12 by the use of the resist pattern 42.例文帳に追加

ネガ型レジスト膜１８と遮光フォトレジスト膜１６との未感光部分を除去したのち、ｇ線３８による全面露光によりポジ型フォトレジスト膜１４を感光させて所定のパターンを有するレジストパターン４２を形成し、レジストパターン４２を用いて絶縁層１２に接続孔４４を形成する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, having evaluation with the same light exposure near the margin of resolution by which the size in which a nondense pattern vanishes and the marginal resolution size of a dense pattern show approximate values closer to each other and ensuring low surface roughness of a line pattern.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも解像限界あたりにおいて、同一露光量の評価で、疎パターンが消失してしまう寸法と密パターンの限界解像寸法の二者がより近い近似値を示し、更にラインパターンの表面ラフネスが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the method for inspecting, a displaying pattern is displayed so as to make dots that same polarity voltage such as a positive or negative voltage applied display white in each frame.例文帳に追加

そして、この検査方法においては、まず、各々のフレームにおいて、正極又は負極いずれか同極の電圧が印加されるドットが白表示となるような表示パターンを表示させる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition (positive photosensitive pressure-sensitive adhesive) excellent in adhesion property and light resistance free from yellowing and suitable to form a pattern with an excellent profile.例文帳に追加

本発明は、密着性や耐光無黄変性に優れ、優れた形状パターンを形成するのに好適な、感光性樹脂組成物（ポジ形感光性粘着剤）を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this index system, the patient positioning device comprises a table for supporting a patient and this table has both side faces equipped with a positive pattern index projection extending outside along each side edge of the table.例文帳に追加

患者位置決め装置は、患者を支持するためのテーブルを含み、このテーブルはテーブルの各サイドエッジに沿って外側に延びる雄型割り出し突起を備えた両側面を有する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition capable of giving a resist pattern improved in etching resistance, and excellent also in other resist properties such as sensitivity, resolution and line edge roughness.例文帳に追加

耐エッチング性が改善されたレジストパターンを与えることができ、かつその他のレジスト特性、例えば感度、解像度、ラインエッジラフネスも優れた化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive heat-resistant photosensitive polymer composition having good sensitivity even in a thick film, a method for producing a relief pattern using the composition and electronic parts using this.例文帳に追加

本発明は、厚膜でも感度が良いポジ型の耐熱性感光性重合体組成物およびこの組成物を用いたレリーフパターンの製造法、並びにこれを用いた電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a polymeric compound which is excellent in solubility in an organic solvent and exhibits good lithography characteristics, a positive resist composition using the polymeric compound, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

有機溶剤への溶解性に優れ、良好なリソグラフィー特性を示す高分子化合物、当該高分子化合物を用いたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition which permits removal of the photosensitive composition in its exposed part upon development with an alkaline aqueous solution and can obtain a patterned film excellent in pattern profile.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像したときに、露光部の感光性組成物を除去することができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるポジ型の感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition featuring a high resolution, reduced line edge roughness, and a minimized variation of line width with changing temperature, and a pattern forming process using the same.例文帳に追加

ラインエッジラフネスの低減、温度変化に対しての線幅変動低減、また高解像性の化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The size of the dither mask 62 is a positive integral multiple of a minimal repetition unit RU of a nozzle pattern indicating a nozzle that is used to form a dot in each position on the printing medium.例文帳に追加

ここで、ディザマスク６２は、印刷媒体上の各位置のドットをいずれのノズルで形成するかを示すノズルパターンの繰返し最小単位ＲＵの正整数倍のサイズとなっている。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition excellent in developability (particularly reduction of residue on development and development defects) and excellent also in sensitivity, resolving power and the shape of pattern profile.例文帳に追加

現像性が優れており（特に現像残さの発生、現像欠陥の発生の軽減）、更に感度、解像力、パターンプロファイルの形状も優れたポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can easily obtain electrical insulation from an adjacent pattern and a positive opening when the opening having a high aspect ratio is formed.例文帳に追加

高アスペクト比の開口部を形成する場合、隣接するパターンとの電気的な区別および確実は開口を容易に得ることができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern on an article (10) made of a copper layer (12) formed on an insulating substrate (11) by means of a novel positive microcontact printing (MCP) process.例文帳に追加

絶縁基板（１１）上に形成された銅層（１２）から成る物品（１０）に、新規のポジ型マイクロコンタクト印刷（ＭＣＰ）プロセスを使用してパターンを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography and good in properties such as resolution, sensitivity and a pattern form, and also line edge roughness, in particular.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, MEMS STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, DRY ETCHING METHOD, WET ETCHING METHOD, MEMS SHUTTER DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ポジ型感光性樹脂組成物、パターン作製方法、ＭＥＭＳ構造体及びその作製方法、ドライエッチング方法、ウェットエッチング方法、ＭＥＭＳシャッターデバイス、並びに、画像表示装置 - 特許庁

To provide a positive type electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, capable of giving a pattern profile with superior rectangularity and excellent in PBD stability.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができしかもＰＢＤ安定性に優れたポジ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a new positive photoresist composition, capable of forming a resist pattern excellent in adhesion to a substrate in the production of a semiconductor device, LCD (thin film transistor) or the like.例文帳に追加

半導体デバイスやＬＣＤ（薄膜トランジスタ）などの製造における基板との密着性に優れたレジストパターンを形成することができる新規なポジ型フォトレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a polymer giving a resist pattern, which has good line width roughness while exhibiting high resolution in a lithography process, and a positive photoresist composition containing the polymer.例文帳に追加

リソグラフィプロセスにおいて解像度が高いながら、ライン幅ラフネスも良好なレジストパターンを与える重合体、及びこの重合体を含むポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition in which a defect, a scum and an elution ratio when liquid immersion exposure are improved and favorable for a liquid immersion exposure, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

液浸露光時に於ける、欠陥、スカム、及び溶出割合が改善された液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition suitable to liquid immersion exposure, improved in defects, scums and a leaching ratio upon liquid immersion exposure, and to provide a method of forming a pattern using the composition.例文帳に追加

液浸露光時に於ける、欠陥、スカム、及び溶出割合が改善された液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide resin composition which has excellent positive photosensitive characteristics and good resolution in pattern formation, is less liable to warp because of relieved thermal stress, and is easily worked.例文帳に追加

ポジ型感光特性に優れてパターン形成時の解像性が良好であり、熱応力を緩和して反りの発生が少なく、加工性の容易な感光性ポリイミド樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type cross linkage forming positive type photoresist composition having high resolution, excellent in etching resistance and capable of forming a resist pattern adaptable to a recent tendency to form a thinner film.例文帳に追加

高解像性で耐エッチング性に優れ、しかも最近の薄膜化に対応しうるレジストパターンの形成が可能な化学増幅型の架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition that can give a cured film with high resolution, having low warpage and no pattern embedment by reflow, in the process of low-temperature baking at 200°C or lower.例文帳に追加

２００℃以下の低温焼成時において、低反りかつリフローによるパターン埋まりが起こらない高解像度の硬化膜を得ることができるポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition suitable for use as an etching mask material, particularly a mask material for etching gold, excellent in resolution during pattern formation and also in etching properties.例文帳に追加

パターン形成時の解像度に優れ、しかもエッチング性に優れる、エッチング用マスク材、特に金エッチング用マスク材として好適なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A circuit board 10 has an end-face contact 11 made up of a conductive pattern, provided on an end face portion thereof confronting a positive electrode terminal 12, and electrically connected to a power supply line of the circuit board.例文帳に追加

回路基板１０には、正極端子１２と対向する端面部分に導電パターンからなる端面接点１１が設けられ、回路基板の電源経路に電気接続されている。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film, having higher sensitivity and high fidelity to a mask, and to provide a method for manufacturing a thick resist pattern by using the photoresist composition.例文帳に追加

より高感度でマスク忠実性の高い厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物と、当該フォトレジスト組成物を用いた厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type crosslinkable positive type resist composition having high resolution, excellent in etching resistance and capable of forming a resist pattern adaptable to a recent tendency to form a thinner film.例文帳に追加

高解像性で耐エッチング性に優れ、しかも最近の薄膜化に対応しうるレジストパターンの形成が可能な化学増幅型の架橋化ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition using electron beams or X rays having high resolution and capable of forming a rectangular and excellent pattern profile and improving development defects.例文帳に追加

高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかも現像欠陥か改善されたポジ型電子線またはＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a novolak resin for a positive-type photoresist, capable of sufficiently controlling its dissolving speed in alkali, and consequently forming such an extremely fine pattern that the line width is 0.30 μm.例文帳に追加

アルカリ溶解速度が充分に制御され、その結果線幅が０.３０μmと言う極めて微細なパターン形成を可能とする、ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂を提供する。 - 特許庁

Thereby, when a metal layer 40 such as remainder of a metal pattern exists under the positive-hole transport layer 32, the short circuit between the pixel electrode 25 and the negative electrode 33 is prevented.例文帳に追加

これにより、金属パターン残りなどの金属層４０が正孔輸送層３２の下に存在する場合にも、画素電極２５と陰極３３の間で短絡が発生するのが抑制される。 - 特許庁

Provided are a positive resist composition comprising a polynuclear phenol compound having groups each having a sulfonate or sulfone bond and a pattern formation method using the composition.例文帳に追加

（Ａ）スルホネート結合若しくはスルホン結合を有する基を有する多核フェノール化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high resolving power in the production of a semiconductor device, giving a photoresist having a rectangular shape and ensuring low edge roughness of a line pattern.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and excellent in PED stability in the formation of a contact hole pattern in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造におけるコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にＰＥＤ安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition giving a resist pattern with a suppressed change in line width when observed with a scanning electron microscope(SEM) in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したときに、線幅の変動が軽減したポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁