「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive type resist material characterized by having high sensitivity and high resolution equivalent to or higher than those of a conventional positive type resist material, alleviating the formation of standing waves because of the good pattern shape on especially a high-reflecting substrate, and therefore causing reduced edge roughness.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料と同等か若しくはこれを上回るほど高感度、高解像度であるとともに、特に高反射基板上でのパターン形状が良好で、定在波の発生が軽減され、エッジラフネスが少ない特性を示すポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable when an exposure light source at ≤160 nm, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, to provide a positive resist composition showing sufficient transmitting property when a light source at 157 nm is used and having high resolution and an excellent pattern profile.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、高解像力であり、パターンププロファイルが優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A positive-type photosensitive material 7 is applied over an entire front face 1a of the substrate 1, and exposure is carried out from the rear face 1b side of the substrate 1 through a diffusion plate 9 to make irradiate the positive-type photosensitive material layer 7 irradiated in a wide angle manner light from the openings of the pattern 3a (D).例文帳に追加

表面１ａ上全面にポジ型感光性材料７を塗布した後、石英基板１の裏面１ｂ側から拡散板９を介して露光し、露光を遮光膜パターン３ａの開口部分から広角的にポジ型感光性材料層７に照射する（Ｄ）。 - 特許庁

In a pattern forming method which forms patterns in a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of light for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate, two latent images are formed at different developing speeds.例文帳に追加

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストにパターンを形成するパターン形成方法について、現像速度を違えて二つの潜像を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for thick-film resist film formation, capable of reducing viscosity and forming a thick-film resist film of 1-15 μm film thickness, having proper in-plane uniformity of film thickness, and to provide a thick-film resist laminate and a resist pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

低粘度化が可能であり、かつ膜厚面内均一性の良好な膜厚１〜１５μｍの厚膜レジスト膜を形成できる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、当該ポジ型レジスト組成物を用いた厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymeric compound as a resist material, especially a chemically amplified positive-type resist material, having high resolution tendency greater than that of conventional positive-type resist materials, good in the in-plane size uniformity on a substrate(e.g. mask blanks) of a resist pattern after developed, and having high etching resistance as well.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度性を有し、現像後のレジストパターンの基板（たとえばマスクブランクス）上面内サイズ均一性が良好であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

This printer head comprises a common electrode (an electrode pattern 18B of a negative electrode) which is provided to a cover plate 17 consisting of a piezoelectric actuator and is commonly used by all of the ink chambers and individual electrodes (an electrode pattern 18A of a positive electrode) respectively provided on the cover plate 17.例文帳に追加

圧電アクチュエータからなるカバープレート１７に設けられすべてのインク室に共通に利用される共通電極（陰電極の電極パターン１８Ｂ）と、前記カバープレート１７に個別に設けられた個別電極（陽電極の電極パターン１８Ａ）とを備える。 - 特許庁

To obtain a resin composition suitable for use as the resin component of a chemical amplification type positive type photoresist which exhibits superior sensitivity and resolution and gives a pattern having a good cross-sectional shape when a fine resist pattern is formed using radiation, e.g. KrF excimer laser light.例文帳に追加

放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザーを用いて微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ポジ型ホトレジストの樹脂成分として好適な樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition capable of forming a thick photosensitive film with good adhesiveness even on a substrate of copper, an iron-nickel alloy or the like having inferior adhesiveness and capable of forming a space pattern with good perpendicularity, and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

銅や鉄−ニッケル合金等の接着性の悪い基板上に対しても膜厚の感光性膜を接着性よく形成でき、スペースパターンを垂直性よく形成可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

This method for manufacturing the stamper comprises a step of making the surface of a positive photoresist layer insolubilize, on which a latent image having the prescribed pattern is formed by exposing it to a laser beam, by treating it with a low-concentration alkaline developer and a step to furthermore develop the latent image by using the alkaline developer to form the prescribed pattern.例文帳に追加

レーザー光の露光により所定パターンの潜像が形成されたポジ型フォトレジスト層の表面を低濃度のアルカリ現像液で処理することにより、フォトレジスト層の表面を難溶化した後、さらにアルカリ現像液で現像してパターン形成を行う。 - 特許庁

To enable positive electrical connection between a first wiring pattern formed on the major surface of a dielectric substrate and a second wiring pattern formed at an end face of the dielectric substrate and enable reduction of the resistance of the connection with a good connection state.例文帳に追加

誘電体基板の主面に形成される第１の配線パターンと、誘電体基板の端面に形成される第２の配線パターンとの電気的な接続を確実に行うことができ、またその接続抵抗を小さくして良好な接続状態とし得る。 - 特許庁

After patterning a wiring pattern 2 and a connection terminal 3 with positive type photosensitive resist 6 on an insulating substrate 1, the photosensitive resist 6 on the wiring pattern 2a covering the connection terminal 3 part and solder resist 4 is removed selectively thus forming the solder resist 4.例文帳に追加

絶縁基板１上にポジ型の感光性レジスト６で配線パターン２と接続端子３をパターニングした後、接続端子３部およびソルダーレジスト４を被覆する配線パターン２ａ上の感光性レジスト６を選択的に除去した後、ソルダーレジスト４を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for suppressing the generation of residues after the development of a resist film thereof, while maintaining good adhesion of the resist film to a substrate so as to form a fine resist pattern, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

微細なレジストパターンを形成するためにレジスト膜と基板との密着性を良好に維持しつつも、レジスト膜の現像後の残渣の発生を少なく抑えることができるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

As the distribution pattern of the magnetic field component in the longitudinal wire direction suddenly reverses between positive and negative at the fault boundary and the pattern is sufficiently maintained even with a little movement of the magnetic sensor, the fault region of the wire can be exactly and easily found.例文帳に追加

その電線長手方向磁界成分の分布パターンが欠陥箇所を境にして正負に急峻に反転するパターンであり、このパターンは磁気センサが多少ぶれても充分に保持されることから、電線の欠陥箇所を正確に容易に見出し得る。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a pattern of ≤0.8 μm width with good perpendicularity and having no dependence on baking when a resist film of ≥3.0 μm is patterned on a stepped board and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

３．０μｍ以上のレジスト被膜を段差基板上に、幅０．８μｍ以下のパターンを形成する際、垂直性のよく形成でき、ベーク処理に依存性がないポジ型ホトレジスト組成物と感光性膜付基板とレジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

When the determination result is positive, the machine obtains a first stop pattern number in a next first stop determination and refers to the table to determine (a first stop determination) whether the predetermined pattern is actually displayed or not on the line.例文帳に追加

判定結果が肯定的である場合には、次の第１停止判定において、第１停止図柄番号を取得し、図柄配列テーブルを参照して所定図柄が実際に有効入賞ライン上に表示されなかったかを判定（第１停止判定）する。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern with a desirous pattern resolution and line width roughness (LWR) using a positive resist composition suitable for multiple exposure in a multiple exposure process of exposing the same photo-resist film two or more times.例文帳に追加

本発明の目的は、同一のフォトレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネス（ＬＷＲ）が良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, and to specifically provide a positive resist composition excellent in various properties such as PEB temperature dependency and exposure margin without deteriorating sensitivity, pattern profile, etc., and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケーション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物、より具体的には、感度・パターンプロファイル等を劣化させることなく、ＰＥＢ温度依存性・露光マージンなどの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of decomposing a desired pattern to be printed on a substrate into at least two constituent sub-patterns that are capable of being optically resolved by the lithography system, and a step of coating the substrate with a first positive tone resist layer and a relatively thin second positive tone resist layer on top of a target layer of the substrate which is to be patterned with a desired dense line pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィシステムによって光学的に分解することができる少なくとも二つの成分サブパターンに分解する工程、所望の高密度ラインパターンでパターンを形成させる基板のターゲット層の上に、第一のポジ型レジスト層と比較的薄い第二のポジ型レジスト層とを塗布する工程を含む。 - 特許庁

To provide a positive type resist material which has an extremely high alkaline dissolution-rate contrast before and after exposure, a high resolution, a high sensitivity, and good roughness (LWR) after exposure, and further which suppresses acid diffusion rate, in particular, a positive type resist material using a high molecular compound suitable as a base resin of a chemical amplification positive type resist material, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、高感度で、露光後のラフネス（ＬＷＲ）が良好であり、その上特に酸拡散速度を抑制できるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This positive type photosensitive composition containing a polymer compound having a structure expressed by a specific general formula at its terminal, a photoacid-forming agent for forming an acid by the irradiation of an active beam of light or a radiation, the polymer compound used for the positive type photosensitive composition, the method for producing the polymer composition and the method for forming the pattern by using the positive type photosensitive composition are provided.例文帳に追加

末端に特定の一般式で表される構造を有する高分子化合物及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤を含有するポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に使用される高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びそのポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in sensitivity and resolution, having a small light proximity effect, capable of accurately and stably forming a fine pattern even in an isolated line pattern, capable of ensuring a sufficient focus margin for the isolated line pattern and useful as a positive type or negative type chemical amplification type resist.例文帳に追加

感度および解像度に優れ、かつ光近接効果が小さく、孤立ラインパターンおいても微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、しかも孤立ラインパターンに対して十分なフォーカス余裕度を確保しうる、ポジ型あるいはネガ型の化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A potential control unit controls the driver IC as to provide a positive potential to electrode pieces 13 corresponding to a formation patter, and to provide the ground potential to the other electrode pieces 13 laying outside of the formation pattern, in a state that a conductive liquid 3 is arranged above the insulating layer of the pattern forming base 10.例文帳に追加

そして、電位制御部が、パターン形成基材１０の絶縁層上に導電性液体３が配置された状態で、形成パターンに対応する電極片１３の電位を正電位とし、形成パターンから外れた電極片１３の電位をグランド電位とするようにドライバＩＣを制御する。 - 特許庁

At formation of the resist pattern by using a positive resist pattern, the region where the opening is to be formed is exposed with high exposure that does not substantially leave the residue of the resist, and at the same time, is also exposed with low exposure.例文帳に追加

ポジ型フォトレジストを用いて、レジストパターンを形成するにあたって、開口部を形成すべき領域には、実質的にレジスト残渣が残らないような大きな露光量で露光を行うとともに、開口領域の周辺部には、開口領域よりも小さな露光量で露光を行う。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive resin composition, forming a favorable resist pattern when resist formed on a substrate by coating is exposed, heated and developed, and also restraining the occurrence of cracks when the substrate where the resist pattern is formed is plated.例文帳に追加

基板上に塗布して形成されるレジストを露光、加熱処理、現像すると良好なレジストパターンを形成でき、かつ、該レジストパターンが形成された基板にめっき処理を行うときクラックの発生を抑制することができるポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive polyamideimide resin composition which excels in sensitivity, resolution, adhesion in development, and heat resistance, can be exposed with an i-line and developed with an alkaline aqueous solution, and yields a pattern of a good profile, a method for producing a pattern and an electronic component.例文帳に追加

感度、解像度、現像時の密着性、及び耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られるると共に、ｉ線で露光が可能で、アルカリ水溶液で現像が可能なポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive polyamideimide resin composition which excels in sensitivity, resolution, adhesion in development, and heat resistance, can be exposed with an i-line and developed with an alkaline aqueous solution, and yields a pattern of a good profile, a method for producing a pattern and an electronic component.例文帳に追加

感度、解像度、現像時の密着性、及び耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られると共に、ｉ線で露光が可能で、アルカリ水溶液で現像が可能なポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁

The substrate C and the substrate F are bonded so that the positive characteristic thermistor P is sandwiched between the surface with the pattern 16 of the substrate C formed and the surface opposite to the surface with the pattern 17 of the substrate F formed.例文帳に追加

厚膜セラミック回路基板Ｃにおける配線パターン１６が形成された面と、フレキシブル回路基板Ｆにおける配線パターン１７が形成された面の反対側の面との間で正特性サーミスタＰを挟持するように、厚膜セラミック回路基板Ｃとフレキシブル回路基板Ｆとが貼り合わされている。 - 特許庁

To provide a positive-type resist composition which is usable for forming patterns by using a high-energy ray having a wave length of 300 nm or shorter or an electron beam and can solve a problem of the occurrence of pattern exfoliation or pattern falling-down due to the penetration of a developing solution into an interface between the resist film and a substrate.例文帳に追加

３００ｎｍ以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成する際に使用できるレジスト組成物であって、レジスト膜と基板との界面に現像液が入り込み、パターンはがれやパターン倒れが生じるという問題を解決する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern profile, good line edge roughness and reduction in outgassing, in an ultrafine region, particularly, in electron beam, X-ray or EUV lithography, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、およびアウトガス低減を同時に満足するポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film from which a favorable resist pattern having high resolution can be obtained even on a support having a part made of copper on its surface, and to provide a method for manufacturing a thick film resist pattern.例文帳に追加

上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高解像性を有し、良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供することを提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which can be suitably used, when ArF excimer laser light is used as an exposure light source, which is superior in resist profile, sensitivity, resolution and line edge roughness, and which is free from pattern collapse and of the problems of development defects, and to provide a pattern forming method that uses the composition.例文帳に追加

ArFエキシマレーザー光を露光光源とする場合に好適に使用することができ、レジスト形状、感度、解像力、ラインエッジラフネスが優れるとともに、パターン倒れのなく、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming technique capable of efficiently forming a high resolution pattern for use in microfabrication using a radiation sensitive composition as a photoresist which can be developed with an aqueous alkali solution, has high sensitivity characteristics and is reversed from negative type to positive type in accordance with dose.例文帳に追加

アルカリ水溶液によって現像可能であり、高感度な特性を有し、照射量によってネガ型からポジ型に反転する感放射線組成物をホトレジストに用いて、微細加工に用いる高解像度なパターンを効率よく形成することのできるパターン形成技術を提供する。 - 特許庁

On a substrate 30, a ground area 34 connected to a reference potential (GND) and power wiring 35 (VBATT pattern) electrically connected with the positive pole terminal 41a of a rechargeable battery 40 are formed by a prescribed pattern, and a noise reduction part 80 is formed.例文帳に追加

基板３０には、基準電位（ＧＮＤ）に接続されるグランド領域３４と、充電池４０の正極端子４１ａと電気的に接続される電源配線３５（ＶＢＡＴＴパターン）と、が所定のパターンにより形成されており、ノイズ低減部８０が形成されている。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high sensitivity and high resolving power in the production of a semiconductor device, having a rectangular shape, ensuring low edge roughness of a line pattern and causing a small size shift, in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度であって高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

A reflected wave shaping part 66 selects one out of maxima of the high frequency components A_H(j) which has positive value, and specifies its position and amplitude to generate a reflected pattern function R(j).例文帳に追加

次に、反射波整形部６６において、高周波成分Ａ_Ｈ（ｔ）の極大点のうち値が正になるものを選んでその位置と振幅とを特定し、反射パターン関数Ｒ（ｊ）を生成する。 - 特許庁

To provide a novel resist composition, a resist pattern forming method using the resist composition, a novel compound useful as a component for the positive resist composition, particularly as an acid generator, and an acid generator.例文帳に追加

新規なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該ポジ型レジスト組成物用の成分、特に酸発生剤として有用な新規な化合物および酸発生剤を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition leaving no scum after a portion to be exposed is exposed to light, causing little film thinning to achieve an excellent pattern shape, and having high sensitivity, a semiconductor device, and a display element.例文帳に追加

本発明は、露光部の露光後残渣なく、膜減りが少なく良好なパターン形状であり、高感度であるポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置および表示素子を提供するものである。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range and to provide a method of forming a resist pattern using the same.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive-type photosensitive polyimide composition which enables processing of a fine pattern, can form a coating film having excellent heat resistance and a linear expansion coefficient proximal to that of a substrate, and does not need imidization at a high temperature.例文帳に追加

微細パターンの加工ができ、得られた被膜の耐熱性と基材との線膨張係数が近接し、かつ高温でのイミド化を必要としない、ポジ型感光性ポリイミド組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for liftoff which forms a microgroove having a larger degree of bite than a conventional one and is suitable for use in the formation of a metal wiring pattern by a liftoff process.例文帳に追加

従来のものより食い込みの程度が大きいマイクログルーブを形成可能であり、リフトオフ法による金属配線パターンの形成に好適なリフトオフ用ポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition improved in a LWR, an exposure latitude and an MEEF, and fit to a liquid immersion process, of 45 nm of line width, and to provide a pattern forming method which use the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ、露光ラチチュード、ＭＥＥＦが改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスに適合したポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition capable of forming a thinner resist film and excellent in dry etching resistance, resolution and cross sectional form of a resist pattern.例文帳に追加

本発明は、レジスト膜厚の薄膜化にも対応可能な、耐ドライエッチング性、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

An insulating layer 17 formed from a white insulating material having a through- hole 8 so as to expose the wiring layer 6 positioned at each segment of the display pattern is formed on the inside surface of the positive electrode board 2.例文帳に追加

陽極基板２の内面には、表示パターンの各セグメントに位置する配線層６が表出するようにスルーホール８を有した白色の絶縁材料からなる絶縁層１７が形成される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that is improved in line edge roughness by normal exposure and liquid immersion exposure and exhibits excellent conformability to water in liquid immersion exposure, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

通常露光及び液浸露光によるラインエッジラフネスが改善され、液浸露光時に於ける水追随性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁