「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem on techniques to improve the intrinsic performance of microphotofabrication using far-UV rays, particularly ArF excimer laser light and to provide an excellent positive resist composition having low dependence on the pattern density and a wide side robe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、疎密依存性が小さく、サイドローブマージンが広い優れたポジ型感光性組成物を提供することにある。 - 特許庁

Generally, there were two methods; the former was to put the undercoating with ingredients containing the pigment and print the white patterns by mica (a negative method with the dark ground color and the pattern in white contrasted with the ground), and the latter was to create the undercoating with mica and print with the ingredients (a positive method with white ground color and colored patterns). 例文帳に追加

一般的には、顔料を混ぜた具で地塗りをして、雲母で白色の紋様を摺る方法（地色が暗く、紋様を白く浮かせるネガティブ法）と、雲母で地塗りして、具で摺る具摺り（地色が白く、紋様に色がつくポジティブ法）も行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a positive radiation-sensitive polymer composition developable with an alkaline aqueous solution, having high sensitivity and high resolution, and capable of forming a pattern form thin film that is superior in flatness, heat resistance, solvent resistance and transparency.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像でき、高感度、かつ高解像度の感放射線性重合体組成物であり、さらに平坦性、耐熱性、耐溶剤性、透明性に優れたパターン状薄膜を形成できるポジ型感放射線性重合体組成物を提供すること。 - 特許庁

This material for forming the resist pattern coating film for forming the coating film on the resist pattern surface is constituted of the first aqueous solution containing a water-soluble resin A1 having a segment ionized in the aqueous solution to be charged with a positive charge, and the second aqueous solution containing a water-soluble resin A2 having a segment charged with a negative charge in the aqueous solution.例文帳に追加

レジストパターン表面に被覆膜を形成するためのレジストパターン被覆膜形成用材料であって、水溶液中で電離して正の電荷を帯びる部位を有する水溶性樹脂（Ａ１）を含有する第一の水溶液と、水溶液中で負の電荷を帯びる部位を有する水溶性樹脂（Ａ２）を含有する第二の水溶液とから構成されるレジストパターン被覆膜形成用材料。 - 特許庁

The method of producing the carbon nanotube is carried out by forming a prescribed pattern structure comprising a metallic based catalyst for forming carbon nanotube on the surface of a sapphire single crystalline substrate having R-plane as a crystal face of the surface and orienting and growing the carbon nanotube from the pattern structure by a CVD method in a direction opposed at 180° to the positive c-axis projecting direction on the R-plane.例文帳に追加

表面の結晶面がＲ面であるサファイア単結晶基板の表面に、カーボンナノチューブ生成用金属系触媒からなる所定のパターン構造を形成し、ＣＶＤ法により前記パターン構造から前記Ｒ面における正のｃ軸投影方向の１８０°反対方向を主体にカーボンナノチューブを配向成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition which contains a compound good also in compatibility with other components, can optimally control radiation transmittance particularly as a chemically amplified positive resist effectively sensitive to far-ultraviolet radiation, in particular, can effectively suppress a linewidth change of a resist pattern due to a thickness variation of a resist film on a highly reflecting substrate, and excels also in depth of focus latitude.例文帳に追加

他の成分との相溶性も良好な化合物を含有し、特に遠紫外線に有効に感応する化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線透過率を最適にコントロールすることができると共に、特に、高反射基板上でのレジスト被膜の膜厚変動によるレジストパターンの線幅変化を有効に抑えることが可能で、かつ焦点深度余裕にも優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide positive resist composition and a pattern forming method using it capable of preferably using super-micro lithographic processes or the other photo-fabrication process, such as manufacturing a VLSI or a micro chip of large capacity etc., with a wide latitude for exposure, and excellent in uniformity of line width.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて、好適に使用することができ、露光ラチチュードが広く、線幅の面内均一性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity and resolving power, ensuring excellent resolving power and pattern profile even if time passes considerably until after-heating after exposure and having small density dependency in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ションにおいて、感度及び解像力に優れ、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られ、疎密依存性の少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

An insulation base board 16 formed with a notch part 16A to surround a pair of a discharge needle 31 for positive ions and a discharge needle 32 for negative ions, is provided on a cover 13 so as to form a conductor pattern 17 as an opposition electrode on the insulation base board 16.例文帳に追加

１対の正イオン用放電針３１及び負イオン用放電針３２を囲むように切り欠き部１６Ａが形成された絶縁基板１６をカバー１３に設けて、この絶縁基板１６上に対向電極としての導体パターン１７を形成するようにした。 - 特許庁

It has been newly found that a laminin receptor specifically recognizing laminin is related to this method by investigating a cellular adhesive factor which is a marker of hematopoietic stem cells originated from human cord blood, bone marrow or peripheral blood and expressed in CD34 antigen- positive cells and a pattern of expression of kemokine receptor molecule.例文帳に追加

ヒト臍帯血、骨髄または抹消血由来の造血幹細胞マーカーであるＣＤ３４抗原陽性細胞に発現している細胞接着因子、ケモカインリセプター分子の発現様式を調べ、新たにラミニンを特異的に認識するラミニンリセプターが関与していることを見出した。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition excelling in PED stability and prifile, significantly improved in the developing faulty problems and free from any shortening on the line pattern end (lengthwise direction), when using far ultraviolet rays, especially ArF excimer laser beam as its exposure illuminant.例文帳に追加

露光光源として、遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、ＰＥＤ安定性及びプロファイルに優れ、現像欠陥の問題を著しく改善され、更にラインパターン端部（長手方向）のショートニングが生じないポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

A negative or positive UV-sensitive resin coating layer (A), a sheet layer (B) which transmits UV and an energy beam sensitive coating layer (C) which shields UV are successively laminated on the surface of a substrate to obtain the objective pattern forming laminate.例文帳に追加

本発明は、基材表面に、ネガ型もしくはポジ型紫外線感光性樹脂被膜層（Ａ）、紫外線を透過するシート層（Ｂ）、及び紫外線を遮蔽する感エネルギー線被膜層（Ｃ）を順次積層してなることを特徴とするパターン形成用積層体を提供するものである。 - 特許庁

The wet etching system includes: an exposure means for exposing a copper-containing material having a surface on which a pattern of a positive type photosensitive resist has been formed, to light; and a wet etching means for wet-etching the copper-containing material exposed to light by the exposure means.例文帳に追加

本発明は、ポジ型感光性レジストのパターンが表面に形成された銅含有材料を露光する露光手段と、前記露光手段により露光された銅含有材料をウエットエッチングするウエットエッチング手段とを有することを特徴とするウエットエッチングシステムである。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which simultaneously satisfies sufficiently high sensitivity, high definition, successful pattern geometry and good invacuo PED and line edge roughness under irradiation with electron beams or X-rays, further has high sensitivity and high contrast in characteristic evaluation by irradiation with EUV light.例文帳に追加

電子線又はＸ線照射下で十分な高感度、高解像性、良好なパターン形状と、良好な真空中ＰＥＤとラインエッジラフネスを同時に満足し、さらにＥＵＶ光の照射による特性評価においても高感度で高コントラストなポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a compound having a sulfonyl structure, giving excellent resist pattern and useful as an acid generating agent sensitive to active radiation such as far ultraviolet radiation, a radiation-sensitive acid generating agent produced by using the compound and a positive-type or negative-type chemical- amplification radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

遠紫外線等の活性放射線に感応する酸発生剤として有用で、優れたレジストパターンを可能にするスルホニル構造を有する化合物、それを用いた感放射線性酸発生剤並びに化学増幅型のポジ型およびネガ型の感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist laminate having high resolving power in exposure with light in the far ultraviolet region, giving a resist pattern with little line wave in the case of a time line/space of ≤0.2 μm, nearly free of development defects and having high suitability to production.例文帳に追加

遠紫外領域の露光に対応して高い解像力を有し、しかも０．２μｍ以下の微細なライン／スペースにおいて、ラインうねりの少ないレジストパターンを与え、現像欠陥の発生量が少なく、高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供すること。 - 特許庁

To obtain a positive type resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light (193 nm wavelength) and ensuring superior resolving power and pattern profile even if plenty of time passes until post- heating after exposure.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにあって、十分な感度及び解像力を有し、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition, which ensures improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device and has an effect of improving the margin for exposure (particularly a margin for exposure of isolated lines), that is, ensures small changes in the line width of isolated lines when light exposure is varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に露光マージン（特に孤立ラインの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

When a contact M and a contact J are set on and other contacts are set off, the current from the constant-current source 31 will flow through the contact M, the needle 13, the circuit pattern 51, the needle 11, and the contact J, and the polarity of the needle 13 is positive, while the polarity of the needle 11 is set negative.例文帳に追加

接点Ｍおよび接点Ｊをオンとし、他の接点をオフとすれば、定電流源３１からの電流が接点Ｍ、ニードル１３、回路パターン５１、ニードル１１、接点Ｊと流れ、ニードル１３の極性をプラス、ニードル１１の極性をマイナスとすることができる。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition suitable for the formation of an interlayer insulating film having high heat resistance, high solvent resistance, high transmittance and a low dielectric constant, and having a large development margin that allows formation of a favorable pattern even when a developing time exceeds the optimal developing time in a developing process.例文帳に追加

高耐熱性、高耐溶剤性、高透過率及び低誘電率の層間絶縁膜の形成に好適であり、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できる大きな現像マージンを有するポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light, and to provide a positive resist composition having high inhibition and a high dissolution contrast and excellent in sensitivity and resolving power, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光の露光光源の使用に好適なレジスト組成物を提供することであり、高インヒビションで溶解コントラストが大きく、なお且つ感度・解像力に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, in the planar heater of this invention, the resistance heater on the foil with positive temperature-resistance characteristics arranged in a plane in the desired pattern is held between insulation sheets, and power-source lead wires for supplying electricity to the above resistance heater are arranged, adjoining each other.例文帳に追加

また、本発明の面状ヒーターにおいては、所望のパターンに平面状に配列した、正温度抵抗特性を有する箔上の抵抗発熱体を絶縁シートにより挟持し、上記抵抗発熱体に通電するための電源リード線を互に隣接して配置する。 - 特許庁

To provide a new radiation-sensitive acid generator having excellent storage stability, high transparency for radiation and high sensitivity, and to provide a positive radiation-sensitive resin composition containing the above radiation-sensitive acid generator and being excellent in the storage stability, sensitivity, resolution, pattern profile and so on.例文帳に追加

保存安定性に優れ、放射線に対する透明性が高く、かつ高感度の新規感放射線性酸発生剤、並びに該感放射線性酸発生剤を含有し、保存安定性、感度、解像度、パターン形状等に優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element with a high energy line, an X-ray, an electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and good line edge roughness.例文帳に追加

高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two-layer resist system.例文帳に追加

高感度であり、０．２μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a field emission type cold cathode and a manufacturing method of the same capable of flattening a surface of an electron emission layer on an entire substrate without unevenness, constantly controlling an interval between a positive electrode and the electron emission layer of the cold cathode at a predetermined interval, and creating a fine pattern.例文帳に追加

電子放出層の表面が凹凸を生じることなく基板全体で平坦化され、陽極と冷陰極の電子放出層との間の間隔を所定の間隔で一定に制御でき、かつ微細なパターンを作成できる電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive type photosensitive composition for a thermal flow pattern forming system contains (a) a compound which generates an acid when irradiated with active light or radiation and (b) a resin or a mixture which is decomposed by the action of the acid to increase it solubility in an alkali developing solution.例文帳に追加

（ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（ｂ）酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂又は混合物、を含有することを特徴とするサーマルフローパターン形成方式用ポジ型感光性組成物。 - 特許庁

To obtain positive type and negative type radiation sensitive resin compositions each sensitive to not only short-wavelength radiation such as far UV but also ordinary UV, having high sensitivity and high resolution, capable of forming a rectangular resist pattern and excellent in shelf stability even in the presence of a basic compound.例文帳に追加

遠紫外線の如き短波長放射線のみならず、通常の紫外線にも感応し、高感度、高解像度で、矩形のレジストパターンを形成することができ、かつ塩基性化合物の存在下でも保存安定性に優れたポジ型およびネガ型の感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition for exposure with far UV adaptable to exposure in the far UV region using ArF or KrF as a light source in production of a semiconductor device, ensuring improved dimensional uniformity of a resist pattern and excellent also in various properties as a resist, such as resolving power and focal depth.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、レジストパターンの寸法均一性が改善され、さらに解像力、焦点深度などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To solve problems relating to the techniques for improving the performance in microfabrication of a semiconductor device using high energy rays, X rays, electron beams or EUV light, and to provide a positive resist composition satisfying requirements of high sensitivity, high resolution, a favorable pattern profile and favorable line edge roughness.例文帳に追加

高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplifying positive or negative radiation sensitive composition capable of stably forming a fine pattern excellent in machining performance in a small space, critical dimension uniformity, maintainability and stability as a resist, having small density dependence in high accuracy.例文帳に追加

レジストとして、狭スペースの加工性能、多様なパターンデザインにおけるＣＤ均一性および保存安定性に優れ、粗密依存性が小さく、微細パターンを高精度で安定に形成することができる化学増幅型ポジ型またはネガ型の感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

In manufacturing the substrate, constituting the liquid crystal display device with a liquid crystal interposed between itself and the facing substrate, and having at least the alignment control protrusions, the alignment control protrusions are formed by pattern inversion effect of a positive photosensitive resin composition.例文帳に追加

対向する基板との間で液晶を挟持する液晶表示装置を構成する、少なくとも配向制御用突起を有する基板の製造において、該配向制御用突起が、ポジ型感光性樹脂組成物のパターン反転効果により形成されてなるものとする。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics.例文帳に追加

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element, and its manufacturing method, which can prevent short-circuiting between a positive electrode layer and a negative electrode layer and can aim at improvement of production efficiency and reduction of manufacturing cost by easily forming any luminescent pattern.例文帳に追加

発光効率が高く、陽電極層と陰電極層との間のショートを防止可能であり、しかも、任意の発光パターンを容易に形成して生産効率の向上や、製造コストの低減が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive radiation-sensitive resin composition that is superior in roughness, etching resistance, sensitivity and resolution, capable of stably forming a fine pattern with high accuracy, and suitable for use as a resin composition for EB or EUV, effectively sensitive to an electron beam or extreme-ultraviolet radiation.例文帳に追加

ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、電子線または極紫外線に有効に感応するＥＢ、ＥＵＶ用として好適な化学増幅型ポジ型の感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a high-resolution positive type chemically amplified resist material which contains a matrix resin obtained by a simple production method, enables fine resist pattern formation when applied to a non-photolithography process in which exposure is performed under vacuum, and suppresses dropping of a protective group in exposure.例文帳に追加

マトリックス樹脂が簡便な製造方法によって得られ、真空下で露光する非光リソグラフィプロセスに適用して微細なレジストパターン形成が可能であって、しかも露光時における保護基の脱落が抑制されている高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料を提供する。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

To form a preferred shape pattern on a chemically-amplified positive resist applied to a substrate before or after immersion exposure by exposing the resist before heating to cause an acid catalysis only on the surface of the resist.例文帳に追加

化学増幅型ポジレジストが塗布され、そのレジストにパターンを形成するために液浸露光が行われる前あるいは行われた後の基板について、そのレジストの表面のみを酸触媒反応を起こすための加熱処理前に露光して、良好な形状のパターンを形成すること。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition for exposure with far UV adaptable to exposure in the far UV region using ArF or KrF as a light source in production of a semiconductor device, ensuring improved dimensional uniformity of a resist pattern and excellent also in various properties as a resist, such as resolving power, focal depth and development defects.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、レジストパターンの寸法均一性が改善され、さらに解像力、焦点深度、現像欠陥などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist for near-field exposure having good light efficiency and capable of reducing pattern edge roughness even in the case of a small thickness of an image forming photoresist layer and to provide a photolithography method characterized in including a step for exposing an image forming photoresist layer formed using the photoresist by near-field exposure.例文帳に追加

像形成用フォトレジスト層の層厚が小さくても光効率が良く、パターンエッジラフネスが低減できる近接場露光用のポジ型フォトレジストおよびこれを用いて形成した像形成用フォトレジスト層を近接場露光により露光する工程を含むことを特徴とする、光リソグラフィ方法を提供する。 - 特許庁

The positive photosensitive composition for the method for forming a thermal flow pattern contains (a) a compound which generates an acid by irradiation with active rays or radiation and (b) resin which has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure and which decomposes by the effect of an acid to increase the solubility in an alkali developer.例文帳に追加

（ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（ｂ）単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とするサーマルフローパターン形成方式用ポジ型感光性組成物。 - 特許庁

In order to solve the matter described above, a conductor in the positive electrode of an input terminal, electrically connected to a semiconductor device, is electrically insulated and stacked with a conductor in a negative electrode of the terminal, and a substrate is arranged in a checkered pattern inside a container with the semiconductor device mounted thereon.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明は、半導体素子と電気的に接続される入力端子の正極側導体と負極側導体を電気的に絶縁して積層し、この積層構造の入力端子，出力端子、及び半導体素子が実装された基板を容器内に市松模様状に配設している。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁