「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

PRODUCTION METHOD OF ALKENYL PHENOL POLYMER, ALKENYL PHENOL POLYMER PRODUCED BY THE PRODUCTION METHOD, POSITIVE RESIST COMPOSITION CONTAINING THE ALKENYL PHENOL POLYMER AND PATTERN FORMING METHOD USING THE POSITIVE RESIST COMPOSITION例文帳に追加

アルケニルフェノール系重合体の製造方法、この製造方法によって製造されたアルケニルフェノール系重合体、このアルケニルフェノール系重合体を含有するポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive composition used as a positive type chemical amplification resist and having such high process admissibility as to ensure excellent resolving power and pattern profile even if considerable time elapses from the end of exposure to post-heating.例文帳に追加

ポジ型化学増幅レジストにあって、露光した後、後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるプロセス許容性が大きいポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

When a base material 2, a colored layer 3 and a pattern layer 4 are successively laminated and a surface protective layer 7 is formed on the pattern layer by using an ionizing radiation curable resin compsn., a cured uniform coating film layer 5 and a negative pattern 6 lower in permeability or a liquid repelling positive pattern having a property repelling paint are interposed between the pattern layer and the surface protective layer.例文帳に追加

基材２、着色層３、および模様層４を順に積層した上に、電離放射線硬化性樹脂組成物を用いて表面保護層７を形成する際に、間に、硬化した一様均一な塗膜層５と、その上に、浸透性がより低いネガパターン６または塗料をはじく性質のある撥液性ポジパターンを介在させることにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

To provide a positive resist composition improved in resolution, development defects and outgassing and a pattern forming method using the same, which are a positive resist composition suitable for use in an ultramicrolithography process for producing VLSI or high-capacity microchips or in other photofabrication processes and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像力、現像欠陥、アウトガスが改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by a positive-negative reversal in which wet etching using an alkaline etching liquid is performed for a step of finally acquiring a negative image by giving a positive pattern a resistance to an organic solvent used for a composition for forming a reverse film to the degree of necessity, and securing solubility into an alkaline etching liquid.例文帳に追加

ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を必要限度で与え、かつアルカリ性エッチング液への溶解性を確保することによって、最終的にネガ像を得る工程をアルカリ性エッチング液によるウエットエッチングで行うポジネガ反転によるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that forms a resist pattern of favorable shape that exhibits excellent resolution and reduced line width roughness (LWR), a polymeric compound that can be used as a base component of the positive resist composition, a compound that can be used in synthesizing the polymeric compound, and a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

解像性に優れ、ラインワイズラフネス（ＬＷＲ）が低減された良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の合成に利用できる化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive photoresist composition having superior sensitivity and resolution, capable of giving a good section shape of a resist pattern and less susceptible to a light proximity effect, that is, ensuring a small size difference between an isolated resist pattern and a dense resist pattern.例文帳に追加

感度、解像性が優れ、かつ良好なレジストパターン断面形状を与えることができるという特性に加えて、光近接効果による影響の少ない、すなわち孤立レジストパターンと密集レジストパターンのサイズの差が少ない化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive polymer composition having high sensitivity and ensuring a good pattern shape and a good rate of a residual film in the unexposed part, a method for forming a pattern by which a high resolution pattern having a good shape is obtained by using the composition and electronic parts having high reliability.例文帳に追加

本発明は、感度が高く、パターンの形状や未露光部の残膜率も良好なポジ型の感光性重合体組成物、前記の組成物の使用により、解像度が高く、良好な形状のパターンが得られるパターンの製造法及び信頼性の高い電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a drawing method applicable to an ordinary drawing system using a positive resist and drawing patterns by irradiating the portions where there is no pattern data with an electron beam or laser beam in the drawing method for a photomask with the additional patterns provided with the additional patterns for making the pattern density of the photomask uniform and to provide a method for forming the pattern data used therefor.例文帳に追加

フォトマスクのパタン密度を均一化する付加パタンを設けた、付加パタン付きフォトマスクの描画方法で、ポジレジストを用い、パタンデータの無い部分に電子ビームまたはレーザ光を照射して描画する、通常の描画方式に適用できる描画方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having an improving effect on a margin for exposure (particularly a margin for exposure through a repetitive pattern, a so-called dense pattern) in the production of a semiconductor device, that is, suppressing the variation of the line width of the isolated lines of a dense line pattern when light exposure amounts are varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、露光マージン（特に繰り返しパターン、いわゆるdenseパターンの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、denseラインパターン孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type heat resistance photosensitive polymer composition having high sensitivity and ensuring a good pattern shape and a good rate of a residual film in the unexposed part, a method for producing a pattern by which a high resolution pattern having a good shape is obtained by using the composition and electronic parts having high reliability.例文帳に追加

本発明は、感度が高く、パタ−ン形状や未露光部の残膜率も良好なポジ型の耐熱性感光性重合体組成物、前記の組成物の使用により解像度が高く、良好な形状のパターンが得られるパターンの製造法及び信頼性の高い電子部品を提供する。 - 特許庁

In the front surface side of a ceramic recording material 1 of a heating body A, PTC patterns (positive temperature coefficient characteristic patterns) 3A, 3B each having a length equal to that of a heating element pattern are formed on both sides of the heating element pattern 2A, and a current is carried to the heating element pattern 2A through the PTC patterns 3A, 3B.例文帳に追加

加熱体Ａのセラミック記録材１の表面側において、発熱体パターン２Ａの両側にこれと同じ長さのＰＴＣパターン（正温度係数特性パターン）３Ａ、３Ａを形成し、これらＰＴＣパターン３Ａ、３Ａを介して、発熱パターン２Ａに通電する。 - 特許庁

To provide a polymer compound, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance, suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer compound suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.例文帳に追加

高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition less liable to a sensitivity change with the lapse of time in the production of a semiconductor device and having improved density dependency, a positive type photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in the formation of a contact hole pattern and less liable to generate particles in a resist solution and a positive type photoresist composition ensuring improved edge roughness of a resist pattern and excellent in shelf stability.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、経時での感度変動が少なく、また、疎密依存性が改善されたポジ型フォトレジスト組成物、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、また、レジスト液中のパーティクルの発生が少ないポジ型フォトレジスト組成物、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、また、保存安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition improved in thickness reduction of a resist film after pattern development and deterioration of a pattern profile in normal exposure, and further improved in elution of a resist component into a immersion solution, pattern collapse or deterioration of a profile after immersion exposure in liquid immersion exposure, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

通常露光時に於ける、パターン現像後のレジスト膜厚減少、及び、パターンプロファイル劣化が改善され、更には、液浸露光時に於ける、液浸液へのレジスト成分の溶出が改善され、液浸露光後のレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method capable of forming a satisfactory resist pattern, by a double patterning process using a positive type resist composition as a first resist composition, on a support formed with a reflection preventive film on its surface.例文帳に追加

表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring pattern forming method that does not require complex steps as compared with the conventional lift-off method, can be applied to any of positive type and negative type resists and uses a resist pattern having a mushroom-shape cross section.例文帳に追加

通常のリフトオフ法による配線パターン形成方法に比べて工程が複雑にならず、ポジ型やネガ型いずれのレジストにも適用できる、断面がマッシュルーム形状のレジストパターンを用いた配線パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, the positive photosensitive resin layer 21 is developed to form a black matrix two-layer barrier wall 30 consisting of a black pattern 31 and a resin pattern 21a, and the black matrix two-layer barrier wall 30 is heated and cured to obtain the black matrix substrate 50.例文帳に追加

さらに、ポジ型感光性樹脂層２１を現像し、ブラックパターン３１と樹脂パターン２１ａとからなるブラックマトリクス２層隔壁３０を形成し、ブラックマトリクス２層隔壁３０を加熱硬化してブラックマトリクス基板５０を得る。 - 特許庁

In the method of manufacturing the spherical surface acoustic wave element, positive resist is exposed such that the cord electrode pattern is an unexposed portion, and then exposed such that an area including the cord electrode pattern is an unexposed portion.例文帳に追加

本発明の球状弾性表面波素子の製造方法は、ポジ型レジストに対し、すだれ状電極パターンを非露光部とする露光を行った後、すだれ状電極パターンを包括する領域を非露光部とする露光を行う。 - 特許庁

To provide a resist material having high resolution and process adaptability, attaining proper pattern shape after exposure, and decreasing line edge roughness, in particular, to provide a chemical amplification positive resist material, and to provide a pattern forming method which uses the same.例文帳に追加

高解像度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Otherwise, the producing method forms a recess part on the side of the multi-layer pattern by producing the side etching beforehand, and then forms the protection part in the recess part by applying the positive photoresist on the substrate and the multi-layer pattern to be exposed and developed.例文帳に追加

あるいは、あらかじめサイドエッチングを発生させて多層膜パターンの側面に凹部を形成したのち、基板および多層膜パターン上にポジレジストを塗布して露光、現像することにより、前記凹部内に保護部を形成する。 - 特許庁

To provide a positive actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, an excellent pattern shape and excellent line edge roughness, and a resist film and pattern forming method using the resin composition.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type pattern forming material having high sensitivity and high resolution, excellent in various performances such as dimension controllability and developed with an aqueous alkali solution and to provide a method for producing a mask for exposure in which the pattern forming material is made to function as a light shielding film.例文帳に追加

高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having high transparency particularly to ArF excimer laser beam and high resolution and capable of forming a resist pattern excellent in pattern shape, dry etching resistance and adhesion to a substrate.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると共に、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び基板との密着性に優れるレジストパターンを形成しうるポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The width of the first conductive pattern 21 is at least that of the external electrode 20, being a positive electrode, and the width of the second conductive pattern 31 is equal to or longer than the length of the negative electrode part 18 of the capacitor element 1 in length direction.例文帳に追加

そして、第一の導電パターン２１の幅を、少なくとも陽極の外部電極２０の幅以上とするとともに、第二の導電パターン３１の幅を、コンデンサ素子１の陰極部１８の長手方向の長さ以上とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an inkjet head related to a positive type resist which does not generate cracks even when a resin composition becoming an ink passage wall is solvent-coated on the upper layer of the positive type resist which forms a liquid chamber pattern of a thick film, and to provide the inkjet head.例文帳に追加

厚膜の液室パターンを形成するポジ型レジストの上層に、インク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートしても、クラックを生じることがないポジ型レジストに係るインクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッドの提供。 - 特許庁

An organic EL display element of a dot-matrix drive type comprises a metallic lattice 21 made of low resistance metal material such as chrome of a parallel lattice shape on each transparent positive electrode part 13 which constitutes each pixel part 11 of positive electrode pattern 3.例文帳に追加

このドットマトリクス駆動型の有機ＥＬ表示素子では、陽極パターン３の各画素部１１を構成する各透明陽極部１３上に、平行格子状のクロム等の低抵抗金属材料からなる金属格子２１が設けられている。 - 特許庁

A wiring pattern 1P is so formed as to be directly electrically connected to collectors 1, 5 of a battery element comprising the positive electrode collector 1, a positive electrode 2, a porous film 3, a negative electrode 3 and the negative electrode collector 5, and an insulation layer 8 is formed.例文帳に追加

正極集電体１、正極２、多孔膜３、負極４及び負極集電体５よりなる電池要素の該集電体１，５に直接的に導通するように配線パターン１Ｐが設けられ、さらに絶縁層８が形成される。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition which, when used as a resist material, can be decomposed and removed at a low temperature and ensures a very small residual amount of undecomposed components, and a method for forming an electrically conductive pattern using the positive photosensitive composition.例文帳に追加

レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないポジ型感光性組成物、及び該ポジ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The enlarged original texture image If and a negative-positive inverted gray pattern image Id are synthesized by a second synthesizing means 112 to obtain a second synthesized texture image Ig.例文帳に追加

この拡大原テクスチャ画像Ｉｆとネガポジ反転グレイパターン画像Ｉｄとを第２の合成手段１１２により合成して第２合成テクスチャ画像Ｉｇを得る。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is excellent in the various characteristics of a resist such as sensitivity and resolution and which can suppress production of foreign matter and standing waves on the surface of a resist pattern.例文帳に追加

感度、解像力などのレジスト諸特性に優れ、レジストパターン表面上の異物の発生及び定在波を抑制可能なポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV rays in which the resist pattern profile and changes in the line width in the post exposure period in a vacuum chamber are improved.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition having high exposure sensitivity even in a thick film, showing high resolution and a preferable pattern profile and having excellent heat resistance.例文帳に追加

本発明は、厚い膜厚でも露光感度が高く、高解像度が得られ、パターン形状が良好、かつ、耐熱性に優れるポジ型の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A substrate 3 is coated with a 1st positive type photosensitive material, exposed to light by using a reticle, and developed to form a pattern of an unexposed 1st photosensitive material film.例文帳に追加

基板３上ポジ型の第１の感光性材料を塗布し、レチクルを用いて光露光し現像して、未露光第１感光性材料膜のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) is used and has small PEB time dependency and large exposure latitude, and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特に露光光源がＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）である場合に好適なポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which is improved in line edge roughness and excellent in resist properties such as sensitivity, resolution, resist pattern, and the depth of focus.例文帳に追加

ラインエッジラフネスが改善され、更に感度、解像力、レジスト形状及び焦点深度などのレジスト諸特性にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which ensures improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device and is excellent in preservability at room temperature and in line density dependency.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に室温保存性及び疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition excellent in sensitivity and resolving power, suppressing the occurrence of development residue and development defects and excellent also in shape of pattern profile.例文帳に追加

感度、解像力が優れ、現像残査又は現像欠陥の発生が抑制され、更にパターンプロファイルの形状も優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In the expression (1), D_MIN is a minimum value in the width of a ridge and a trough of the rugged pattern and A is a positive number not larger than 20.例文帳に追加

Ｄ_Ｓ≦ＡＤ_ＭＩＮ・・・・・（１）（但し、式（１）中、Ｄ_ＭＩＮは前記凹凸パターンにおいて山部の幅及び谷部の幅のうちその最小値であり、Ａは２０以下の正数である） - 特許庁

To provide a positive resist material which exhibits high resolution and forms a resist film having minimal edge roughness, a good pattern profile after exposure, and improved etching resistance.例文帳に追加

高解像度でラインエッジラフネスが小さく、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すレジスト膜を与えるポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition capable of forming a pattern having high resolution and high normalized remaining film thickness even when the film thickness increases and obtaining a high sensitivity.例文帳に追加

膜厚が厚くなっても高解像度で高残膜率のパターンを得ることができ、かつ高感度が得られるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having small PEB temperature dependency and good balance of sensitivity, exposure latitude, resolution and profile, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＰＥＢ温度依存性が小さく、感度、露光ラチチュード、解像力、プロファイルのバランスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁