「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive type photoresist composition with which a resist pattern excellent in adhesion to a substrate is formed and which is suited for the manufacture of a system LCD (liquid crystal display), and provide a method for forming the resist pattern.例文帳に追加

基板に対する密着性の良好なレジストパターンを形成でき、システムＬＣＤ製造用として好適なポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A pattern forming apparatus 1 comprises a drive IC for selectively providing the ground potential or a predetermined positive potential to a plurality of electrodes 13 of the pattern forming base 10.例文帳に追加

また、パターン形成装置１は、パターン形成基材１０の複数の電極片１３に対してグランド電位と所定の正電位とを選択的に付与するドライバＩＣを備えている。 - 特許庁

In this method for forming a resist pattern, after a positive resist is applied on a substrate 1, a first alignment is performed, thereby obtaining a resist pattern 2a which is patterned in a manner such that lines are arrayed at equal width and intervals.例文帳に追加

基板１の上にポジ型レジストが塗布された後に、第１の露光が行われることにより、等幅かつ等間隔で配列する線列にパターニングされたレジストパターン２ａが得られる。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive polymer composition having high sensitivity, a good pattern shape and a good rate of a residual film in the unexposed part, to produce a relief pattern using the composition and to provide high reliability electronic parts with the relief pattern.例文帳に追加

感度が高く、パターンの形状や未露光部の残膜率も良好なポジ型の感光性重合体組成物、該組成物を用いたレリーフパターンの製造法、該レリーフパターンを有する信頼性の高い電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition developable with an aqueous alkali solution, having excellent mechanical properties (mechanical strength), sensitivity, resolution and heat resistance and giving a pattern of a good profile, and to provide a method for producing a pattern using the positive photosensitive resin composition.例文帳に追加

アルカリ水溶液で現像可能であり、機械物性（機械強度）、感度、解像度および耐熱性に優れ、良好な形状のパターンが得られるポジ型感光性樹脂組成物および該ポジ型感光性樹脂組成物を用いたパターンの製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of ensuring satisfactory improvement of sensitivity, exposure latitude and pattern collapse, in a process of producing a semiconductor such as IC and in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、感度、露光ラチチュード、パターン倒れについて、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition using an alcoholic organic solvent in which solubility of a resist material is good and which exhibits excellent lithography characteristics and forms a resist pattern of good configuration, and to provide a method of forming a resist pattern using the positive resist composition.例文帳に追加

レジスト材料の溶解性が良好であり、優れたリソグラフィー特性を示し、良好な形状のレジストパターンを形成できるアルコール系有機溶剤を用いたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of modifying a pattern of a chemically-photosensitized resist which can improve solvent and exposure/development resistances in positive chemically-photosensitized resist pattern, a modifier for the chemically-photosensitized resist pattern used in the modifying step, and also to provide a modified resist pattern structure.例文帳に追加

ポジ型の化学増幅型レジストからなるパターンの耐溶剤性や耐露光・現像性などを向上させる、化学増幅型レジストパターンの改質方法、及びその改質工程で用いられる化学増幅型レジストパターンの改質材、並びに改質されたレジストパターン構造体を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in pattern collapse margin with excellent fine pattern formation, excellent pattern shape, and less development defect even in not only normal exposure (dry exposure) but also immersion exposure, and to provide a pattern forming method using it.例文帳に追加

通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、微細で良好なパターン形成が可能で、パターン形状が良好であり、現像欠陥が極めて少なく、且つパターン倒れマージンに優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises the steps of forming the resist pattern on a surface of the glass substrate, charging a surface of the resist pattern to an electrically positive polarity, and irradiating gas cluster ion beams onto the glass substrate and the surface of the resist pattern to remove the development residue of the resist pattern.例文帳に追加

ガラス基板の表面にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンの表面を電気的に正極性に帯電する工程、及び前記ガラス基板及びレジストパターンの表面にガスクラスターイオンビームを照射して、前記レジストパターンの現像残渣を除去する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which has high sensitivity and no substrate dependence and which provides excelling profile shape, even when a basic substrate is used, and to provide a pattern forming method that uses the positive resist composition.例文帳に追加

高感度であり、基板依存性がなく、塩基性基板を用いた場合でもプロファイル形状の優れたポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する - 特許庁

To provide: a polymeric compound useful as a base component of a resist composition; a positive resist composition containing the efficiently; and a resist pattern-forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

The method for forming a resist pattern including a lower resist pattern, an upper resist pattern and a separator pattern laid between the lower resist pattern and the upper resist pattern includes a step of forming the lower resist pattern from a positive resist material, a NQD (naphthoquinone diazide) novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material or a resist material essentially comprising a polyhydroxystyrene resin.例文帳に追加

下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。 - 特許庁

The method of forming the resist pattern including the lower resist pattern, the upper resist pattern and a separator pattern disposed between the lower resist pattern and the upper resist pattern comprises forming the lower resist pattern by a positive resist material, NQD novolak resist material, integral type NQD novolak resist material, hydrophobic integral NQD novolak resist material or resist material essentially consisting of a polyhydroxy styrene base resin.例文帳に追加

下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。 - 特許庁

To provide new high molecular compound useful as a base material component of positive resist composition, compound useful as a monomer of this high molecular compound, positive resist composition containing the high molecular compound, and a resist pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物のモノマーとして有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist material, particularly a chemically amplified positive resist material, having higher sensitivity, resolution, exposure latitude and process adaptability than a conventional positive resist material, ensuring a good pattern shape after exposure and exhibiting excellent etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation-sensitive composition having simultaneously superior characteristics, with respect to sensitivity, resolution, pattern section shape, etc.例文帳に追加

感度、解像度、パターン断面形状などについて同時に優れた特性を有するポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition exhibiting high sensitivity and high resolution in pattern formation by irradiation with active light.例文帳に追加

活性光線の照射によるパターン形成において、高感度、高解像度を示すポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which prevents falling of a pattern and ensures improved edge roughness, density dependence and surface roughness in etching.例文帳に追加

パターン倒れが防止され、エッジラフネス、疎密依存性、及びエッチング時の表面荒れが改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To prevent the occurrence of residue in a part with no formed resist pattern on a substrate in a positive type surface resolution process.例文帳に追加

ポジ型の表面解像プロセスにおいて、基板上におけるレジストパターンが形成されていない部分に残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

POSITIVE-WORKING PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR PATTERN FORMATION USING COMPOSITION, AND RESIN FOR USE IN COMPOSITION例文帳に追加

ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法、及び、該ポジ型感光性組成物に用いられる樹脂 - 特許庁

The producing method of an electronic part forms the protection part at a prescribed part by applying a positive photoresist on a substrate and the multi-layer pattern and regulating an amount of exposure.例文帳に追加

基板および多層膜パターン上にポジレジストを塗布し露光量の調整によって所定の部分に保護部を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that can suppress the occurrence of a water mark during immersion exposure, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

液浸露光時にウォーターマークの発生を抑制しうるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having excellent solubility in an organic solvent and good lithography characteristics, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

有機溶剤への溶解性に優れ、かつリソグラフィー特性も良好なポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having improved balance of the dense and coarse patterns of a resist pattern, improved line edge roughness and an improved margin for exposure.例文帳に追加

レジストパターンの密／粗パターンのバランスが改良され、ラインエッジラフネスや露光マージンが改良されたポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

(a) A positive electrode 6 and a pattern of a hole injection blocking layer 3 are formed on a substrate 1 in a stripe form in a rectangular shape of cross section.例文帳に追加

基体１上には、陽極６およびホール注入阻止層３のパターンがストライプ状に断面矩形状に形成されている。 - 特許庁

To provide a positive resist composition minimized in the performance fluctuation resulting from fluctuation of a baking condition, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ベーク条件の変動による性能変動の小さいポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity and resolution and satisfying even a rectangular pattern shape and good edge roughness.例文帳に追加

感度と解像性に優れ、更には矩形なパターン形状、良好なエッジラフネスの特性をも満足するポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves the profile of a resist pattern and suppresses a variation of line width due to laying in a vacuum chamber.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型レジスト組成物が提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for immersion exposure which suppresses material elution in immersion exposure, and a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

浸漬露光時の物質溶出が抑制された液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplifying positive resist composition excellent in decrease in line edge roughness, resolution and a cross-sectional profile of the resist pattern.例文帳に追加

ラインエッジラフネスの低減、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV ensuring an expanded focal depth and improved foreign matter on a resist pattern.例文帳に追加

焦点深度の拡大、及びレジストパターン上の異物が改善された遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

POLYIMIDE PRECURSOR-CONTAINING RESIN COMPOSITION, AND POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME AND PATTERN FORMATION OF THE SAME例文帳に追加

ポリイミド前駆体を含む樹脂組成物とポジ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた電子装置とそのパターン形成方法 - 特許庁

To provide a positive resist composition used in ArF excimer laser lithography, etc., and suitable for thermal flow and a resist pattern forming method.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等に使用され、サーマルフロー用として好適なポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which reduces LER and is excellent in resolution and a resist pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

ＬＥＲの低減、解像性に優れたポジ型レジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an inexpensive positive photosensitive composition by having high sensitivity and high resolution and having wide development latitude, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

高感度かつ高解像度であり、現像ラチチュードも広く、安価なポジ型感光性組成物及びパターン形成方法の提供。 - 特許庁

This manufacturing method is provided with a process to form a positive electrode having a line pattern on a substrate, a process to form an organic EL luminescent layer on the substrate having the positive electrode formed on it, and a process to form a negative electrode having a line pattern extending perpendicularly to the line pattern of the positive electrode on the organic EL luminescent layer.例文帳に追加

基板上にラインパターンを有する陽極を形成する工程と、陽極を形成した前記基板上に有機ＥＬ発光層を形成する工程と、マスクとして複数本の耐熱性金属のワイヤを用いて、有機ＥＬ発光層上に陽極のラインパターンと直交する方向に延びるラインパターンを有する陰極を形成する工程とを具えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の作製方法。 - 特許庁

To provide a coating agent for a resist pattern, which is excellent in performance (curing performance) of insolubilizing and curing a resist pattern, and allows an insoluble resist pattern which is sufficiently stable against a subsequent exposure process, a developing solution and a positive radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

レジストパターンを不溶化して硬化させる性能（硬化性能）に優れ、その後の露光処理、現像液、及びポジ型感放射線性樹脂組成物に対して十分に安定な不溶化レジストパターンとすることが可能なレジストパターンコーティング剤を提供する。 - 特許庁

The image generation means instructs generation of N pieces (N≤M, N is a positive integer) of second density pattern images different from the first density pattern images on the basis of the characteristic value of the first density pattern images detected by the detection means.例文帳に追加

画像発生手段は、前記検出手段が検出した前記第一の濃度パターン画像の特性値に基づいて、前記第一の濃度パターン画像とは異なるＮ個（Ｎ≦Ｍ、Ｎは正の整数）の第二の濃度パターン画像の生成を指示する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits good sensitivity, resolution and pattern profile, small line edge roughness and good surface roughness as a composition for pattern formation with an active ray or radiation, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

活性光線又は放射線によるパターン形成用として、感度、解像力、パターン形状が良好であり、ラインエッジラフネスが小さく、更には、表面ラフネスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern with less residue on the bottom part of the pattern, as compared with the conventional pigment-containing negative curable resin, with respect to a colored cured resin pattern, and to provide its production method.例文帳に追加

着色硬化樹脂パターンおよび製造方法において、従来の顔料を含有するネガ型硬化性樹脂と比較して、パターンの裾部分に、残渣が少ないパターンを形成し得るポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material which can make the gradient of dissolution of a positive or negative resist smaller than that of a resist for a repetitive pattern so as to ensure wide margins for focusing and exposure for an isolated left pattern with the positive or negative resist and does not cause the lowering of a margin for PEB temperature as a conventional defect.例文帳に追加

孤立残しパターンをポジあるいはネガレジストを用いて、広いフォーカスや露光のマージンを確保するために、レジストの溶解の傾きを繰り返しパターン用レジストより小さくすることができるとともに、従来の欠点であるPEB温度マージンの低下を生じないジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern of a good shape with reduced LWR by superior sensitivity, a high molecular compound that can be used as a base material of the positive resist composition, a compound that can be used for synthesizing a structural unit of the high molecular compound, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

優れた感度で、ＬＷＲの小さい、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の構成単位の合成に利用できる化合物、及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for thermal flow excellent in controllability of resist pattern size in a thermal flow process using a resist composition for use in ArF excimer laser lithography or the like, a resist pattern forming method, a high molecular compound suitable for the method and a positive resist composition suitable for thermal flow.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等に使用されるレジスト組成物を用いたサーマルフロープロセスにおいて、レジストパターンサイズの制御性に優れたサーマルフロー用ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、これに適した高分子化合物およびサーマルフロー用に適したポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁