「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive type photosensitive composition used for fine pattern formation such as a semiconductor production, etc. and having higher sensitivity than those of conventional ones and improved with pattern collapse, a polymer compound used for the positive type photosensitive composition, a method for producing the polymer compound and a method for forming the pattern by using the positive type photosensitive composition.例文帳に追加

半導体製造等の微細なパターン形成に用いられる、従来品よりも、高感度で、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に使用される高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK FILM RESIST FILM FORMATION, THICK FILM RESIST LAMINATE, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of suppressing occurrence of dimples and a resist pattern forming method.例文帳に追加

ディンプルの発生を抑制できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in dimension controlling property and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

寸法制御性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK-FILM RESIST FILM FORMATION, THICK-FILM RESIST LAMINATE AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a positive resist composition which ensures a good negativing margin and a resist pattern forming method.例文帳に追加

良好なネガ化マージンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

And a positive characteristic thermistor P is arranged so that it is electrically connected with the wiring pattern 16.例文帳に追加

また、正特性サーミスタＰが配線パターン１６と電気的に接続されるように配置されている。 - 特許庁

POSITIVE CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION OF RESIST PATTERN AND PRODUCTION OF ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造法及び電子装置の製造法 - 特許庁

A positive electrode 4 of the prescribed pattern by a transparent conductive film 3 is formed on a glass substrate 2.例文帳に追加

ガラス基板２の上には、透明導電膜３による所定パターン形状の陽極４が成膜される。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, EUV LIGHT OR X-RAY AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

電子線、ＥＵＶ光又はＸ線用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE POLYBENZOXAZOLE PRECURSOR COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN AND ELECTRONIC PART USING THE SAME例文帳に追加

ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物、パターンの製造方法及びこれを用いた電子部品 - 特許庁

POLYMERIZABLE COMPOUND, POLYMERIC COMPOUND, POSITIVE RESIST MATERIAL, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

Similar to positive lookbehind assertions, the contained pattern must only match strings of some fixed length.例文帳に追加

肯定後読みアサーションと同様に、含まれるパターンは固定長さの文字列だけにマッチしなければいけません。 - Python

A surface resist layer 15 is developed over only areas outside a pattern exposing area as a positive resist.例文帳に追加

表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型レジストとして現像される。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive coating material composition and a pattern forming method using the coating material composition.例文帳に追加

ポジ型感光性塗料組成物及びその塗料組成物を使用したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive-type resist composition which has superior lithographic characteristics and forms a roughness-reduced resist pattern, a resist pattern-forming method using the positive-type resist composition, and a high-molecular compound which can be utilized as a base material component for the positive-type resist composition.例文帳に追加

良好なリソグラフィー特性で、ラフネスの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、およびポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる高分子化合物を提供する。 - 特許庁

To provide: a positive resist composition which, in resist pattern formation, exhibits excellent lithography characteristics and can diminish defects; a method of forming a resist pattern using the positive resist composition; and a polymeric compound useful as a base component of the positive resist composition.例文帳に追加

レジストパターン形成において、優れたリソグラフィー特性を示し、ディフェクトを低減できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which ensures a small change in resist pattern dimensions when the amount of light exposure varies (a large EL margin) and a resist pattern forming method.例文帳に追加

露光量が変動した際のレジストパターン寸法の変化が小さい（ＥＬマージンが大きい）ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having excellent lithography properties and capable of forming a resist pattern with defects reduced, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

優れたリソグラフィー特性を有し、ディフェクトの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having improved exposure latitude and good sensitivity in the formation of a fine pattern and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

微細パターンの形成に於いて、露光ラチチュードが改良され、感度も良好な、ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves edge roughness of a pattern, remedies the problem of development defects and gives an excellent resist pattern profile.例文帳に追加

パターンのエッジラフネスが改良され、現像欠陥の問題も改善された、優れたレジストパターンプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition that forms a resist pattern in which defect is suppressed, with good lithography characteristics, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ディフェクトの発生が抑制されたレジストパターンを良好なリソグラフィー特性で形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a chemical amplification type positive type photoresist composition having high sensitivity, ensuring improved edge roughness of a pattern and giving an excellent resist pattern profile.例文帳に追加

高感度を有し、かつパターンのエッジラフネスが改良され、優れたレジストパターンプロファイルが得られる化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in solubility in an organic solvent and capable of forming a resist pattern of good profile, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

有機溶剤への溶解性に優れ、かつ良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for immersion exposure improved in pattern falling, sensitivity and property of following an immersion liquid, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

パターン倒れ、感度、液浸液追随性が改善された液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which can give a high-contrast pattern at a high sensitivity and is excellent in the resolution of a fine pattern and in adhesion.例文帳に追加

高感度で高コントラストのパターンを得られると同時に、微細パターンの解像性及び接着性に優れたポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which diminishes defects in a resist pattern and has necessary lithography properties, and to provide a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンのディフェクトが低減されるとともに、必要とされるリソグラフィー特性を有するポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition capable of being cured by heat treatment at ≤300°C, and to form a cured relief pattern having chemical resistance in the pattern after curing on a substrate.例文帳に追加

３００℃以下の熱処理による硬化が可能であり、硬化後のパターンに耐薬品性を有する硬化レリーフパターンを基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition having good resolution even in the case of a contact hole pattern and a trench pattern in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターンやトレンチパターンについても良好な解像性を有するポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

By using the reversed pattern to expose a positive resist, a photomask responding to a fine pattern can be produced in a short exposure time.例文帳に追加

この反転パターンを、ポジ型レジストを用いて露光することにより、微細なパターンに対応したフォトマスクを、短い露光時間で作成することができる。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays having improved defocus latitude of an isolated contact hole pattern and roughness of the side wall of the hole pattern.例文帳に追加

孤立コンタクトホールパターンのディフォーカス・ラチチゥード及びホールパターンの側壁のラフネスが改善された遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The test pattern 402 of the positive region includes a plurality of black bars extending in the longitudinal direction, and the test pattern 401 includes a plurality of black bars extending in the lateral direction.例文帳に追加

ポジ領域のテストパターン４０２は、縦方向に伸びる複数の黒バーを含み、テストパターン４０１は横方向に伸びる複数の黒バーを含む。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which has high resolution and enables to form a resist pattern of good shape with small LWR, and a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

高い解像性で、ＬＷＲが小さく、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern which ensures small dimensional variation irrespectively of resist film thickness, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

レジスト膜厚に対する寸法変動が小さいレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which ensures improved edge roughness of a pattern, solves the problem of development defects and gives excellent resist pattern profile.例文帳に追加

パターンのエッジラフネスが改良され、現像欠陥の問題も改善された、優れたレジストパターンプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high sensitivity and high resolution, ensuring uniform resist pattern size in a substrate surface and having a wide margin for PEB, and to provide a resist pattern forming method using a chemically amplified positive resist composition.例文帳に追加

高感度、高解像性で、基板面内で均一なレジストパターンサイズが得られ、広いＰＥＢマージンを有するポジ型レジスト組成物及び化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for thermal lithography, capable of forming a resist pattern by thermal lithography, and to provide a resist pattern forming method using the chemically amplified positive resist composition for thermal lithography.例文帳に追加

熱リソグラフィーによるレジストパターン形成が可能な熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物、および該熱リソグラフィー用化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A pattern formed photoresist layer produced from this positive photoresist composition is formed on a substrate, this positive photoresist layer is exposed with an irradiation pattern for imaging, and parts exposed with the irradiation pattern for imaging in the positive photoresist layer are removed, whereby the corresponding pattern formed substrate can be exposed and is prepared for subsequent processing of semiconductor device production.例文帳に追加

このポジ型フォトレジスト組成物から作られたパターン形成されたフォトレジスト層を基板上に形成し、このポジ型フォトレジスト層を結像用照射パターンで露光し、ポジ型フォトレジスト層のうち結像用照射パターンで露光された部分を除去して、対応するパターン形成された基板を露出させることができ、半導体デバイス製造のその後の処理に備える。 - 特許庁

To provide a polymer compound useful as a base component of a positive resist composition, to provide a positive resist composition containing the polymer compound, and to provide a method for forming a resist pattern using the positive resist composition.例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in lithography characteristics such as resolution and an MEF (Mask Error Factor), to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition, and a high molecular compound useful for the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

To provide a new polymeric compound that can be used as a base component of a positive resist composition, and to provide a positive resist composition containing the polymeric compound, and a method of forming a resist pattern using the positive resist composition.例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

Related to a mask for forming a positive resist pattern which is used for ion-implantation into an arbitrary cell transistor of a mask ROM, the size of adjoining opening pattern is larger than that of non-adjoining opening pattern, among opening patterns so provided as to correspond to the positive resist pattern.例文帳に追加

マスクＲＯＭにおける任意のセルトランジスタにイオン注入するために用いられる、ポジ型レジストパターンを形成するためのマスクにおいて、前記ポジ型レジストパターンに対応して設けられる各開口パターンのうち、開口パターンが隣接していないもののサイズを、開口パターンの隣接しているものより大きくする。 - 特許庁

To provide a positive resist material with a high sensitivity, a high resolution, a small line width roughness, and an excellent post-exposure pattern shape, especially a positive resist material using a high polymer suitable as a base resin of a chemical amplification positive resist material, and to provide a pattern formation method.例文帳に追加

高感度、高解像度で、ラフネス（ＬＷＲ）が小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a compound usable as a resist composition, a positive type resist composition containing the compound and to provide a method for forming a resist pattern using the positive type resist composition.例文帳に追加

レジスト組成物用として利用可能な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

The positive resist composition includes a compound (N) having a nitro group and an acid radical, and the pattern forming method using the positive resist composition is also provided.例文帳に追加

ニトロ基及び酸基を有する化合物（Ｎ）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこのポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - 特許庁