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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Positive patternの意味・解説 > Positive patternに関連した英語例文

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Positive patternの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1213



例文

To provide a positive resist composition excellent in depth of field (DOF) characteristics, and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

焦点深度幅(DOF)特性に優れたポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION TO BE FORMED ON MAGNETIC FILM AND METHOD FOR FORMING LAYERED BODY AND RESIST PATTERN BY USING THE SAME例文帳に追加

磁性膜の上に形成するためのポジ型レジスト組成物およびこれを用いた積層体とレジストパターンの形成方法 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition with which variation in a pattern dimension in a substrate surface can be reduced.例文帳に追加

基板面内におけるパターン寸法のばらつきを低減することのできるポジ型感光性樹脂組成物を提供。 - 特許庁

例文

The line pattern is transferred to a positive photoresist film formed on a wafer by lap-exposing transferring areas 2A and 2B to light.例文帳に追加

転写領域2A,2Bを重ね露光することによりウエハ上のポジ型のフォトレジスト膜にラインパターンを転写する。 - 特許庁


例文

METHOD OF PRODUCING RESIN, RESIN USING THE SAME, POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD, COMPOUND USED FOR THE SAME例文帳に追加

樹脂の製造方法、それを用いた樹脂、ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法、それに用いられる化合物 - 特許庁

The detection means obtains a characteristic value of M pieces (M is a positive integer) of first density pattern images held by an image carrier.例文帳に追加

検出手段は、像担持体が保持するM個(Mは正の整数)の第一の濃度パターン画像の特性値を求める。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive photoresist composition which attains improved shortening of the edge part (longitudinal direction) of a line pattern.例文帳に追加

ラインパターン端部(長手方向)のショートニングが改善された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a positive photoresist composition which ensures improved balance between the dense and coarse patterns of a resist pattern and improved line edge roughness.例文帳に追加

レジストパターンの密パターンと粗パターンのバランスが改良され、ラインエッジラフネスを改良されたポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

例文

The two patterns are combined, to which a reversal pattern in the relation of reversed positive/negative images is formed.例文帳に追加

これら2つのパターンを組み合わせた後、このパターンに対して、ポジ・ネガ反転の関係を持つ反転パターンを作成する。 - 特許庁

例文

To provide a positive photosensitive composition improved in line edge roughness and pattern collapse.例文帳に追加

ラインエッジラフネス、パターン倒れが改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive-type resist composition which can improve resolving power and can obtain a resist pattern having a good shape.例文帳に追加

解像性を向上させることができ、良好な形状のレジストパターンが得られポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, THICK-FILM PHOTORESIST LAYERED BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THICK-FILM RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING TERMINAL例文帳に追加

ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法および接続端子の製造方法 - 特許庁

POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION, THICK FILM PHOTORESIST LAMINATED BODY, METHOD FOR MANUFACTURING THICK FILM RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING TERMINAL例文帳に追加

ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法および接続端子の製造方法 - 特許庁

POSITIVE TYPE PHOTORESIST COMPOSITION, BOARD WITH PHOTOSENSITIVE FILM, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PREPARING THE PHOTORESIST COMPOSITION例文帳に追加

ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法およびポジ型ホトレジスト組成物の製造方法 - 特許庁

Successively, an aluminum film 6 is formed on the hardening positive type photoresist 5 (Fig.c) to pattern the aluminum film 6 (Fig.d, Fig.e).例文帳に追加

続いて、硬化ポジ型フォトレジスト5の上にAl膜6を形成し(図1(c))、Al膜6をパターニングする(図1(d)、(e))。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having a wide depth-of-focus range (DOF) and a method for formation of a resist pattern.例文帳に追加

焦点深度幅(DOF)特性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polybenzoxazole precursor composition developable with an aqueous alkali solution and having positive pattern forming ability.例文帳に追加

アルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有するポリベンゾオキサゾール前駆体組成物を提供する。 - 特許庁

PHOTOACID GENERATOR FOR CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST MATERIAL, RESIST MATERIAL USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

化学増幅ポジ型レジスト材料用の光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - 特許庁

To provide a polyimide precursor composition which can be developed in an alkali aqueous solution and has positive type pattern forming ability.例文帳に追加

アルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有するポリイミド前駆体組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition capable of forming a thick film pattern and giving polybenzoxazole at low temperature.例文帳に追加

厚膜のパターンを形成でき、低温でポリベンズオキサゾールを与えることのできるポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high exposure latitude for forming a resist pattern on a substrate and capable of forming a pattern with excellent resolution and perpendicularity, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

基板上にレジストパターンを形成する際の露光余裕度が大きく、且つ解像性、垂直性に優れるパターンを形成することができるポジ型フォトレジスト組成物、及びレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a compound enabling utilization for a resist composition and a positive resist composition containing the compound and to provide a method for forming a resist pattern by using the positive resist composition.例文帳に追加

レジスト組成物用としての利用が可能な化合物、該化合物を含有するポジ型レジスト組成物および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having excellent lithography characteristic or defect reduction effect, and to provide a method for forming a resist pattern and a polymeric compound useful for the positive resist composition.例文帳に追加

リソグラフィー特性やディフェクト低減効果に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、ならびに該ポジ型レジスト組成物用として有用な高分子化合物を提供する。 - 特許庁

A predetermined pattern is formed by exposing and developing the positive resist layer 13 as the upper layer with an ionizing radiation in a wavelength range capable of having decomposing reaction of the positive resist layer (PMIPK) 13.例文帳に追加

次に、ポジ型レジスト層(PMIPK)13が分解反応する波長域の電離放射線にて上層のポジ型レジスト層13を露光、現像して所定のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition reduced in surface roughness in etching and a positive resist composition excellent also in resolving power and defocus latitude in contact hole pattern formation.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れが低減されたポジ型レジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュードにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in resolution and focal depth and suppressing occurrence of scum and development defects, and to provide a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

解像性、焦点深度に優れ、スカムや現像欠陥の発生を抑制したポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Since the elastic electrode is molded from a pressurized conductive rubber, the positive electrode of the button cell B is electrically connected with a positive electrode power source pattern 6 arranged on a rear face of the elastic electrode 1.例文帳に追加

弾性電極1は、加圧導電ゴムにより成形されたものであるから、ボタン電池Bの正極が弾性電極1の裏面に配置した正極電源パターン6と導通する。 - 特許庁

To provide a new polymeric compound useful as a component of a positive resist composition, a monomer thereof, a positive resist composition including the polymeric compound, and a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物の成分として有用な新規な高分子化合物、そのモノマー、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A predetermined pattern is formed by exposing and developing the positive resist layer 12 as the lower layer with an ionizing radiation in a wavelength range capable of having decomposing reaction of the positive resist layer (PMMA) 12.例文帳に追加

次に、ポジ型レジスト層(PMMA)12が分解反応する波長域の電離放射線にて下層のポジ型レジスト層12を露光、現像して所定のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in both of solubility in an organic solvent and a coating property to a support, and also to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

有機溶剤への溶解性と、支持体への塗布性のいずれも優れたポジ型レジスト組成物、及び当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition of which a first resist pattern is insolubilized to form an insolubilized resist pattern having sufficient stability to subsequent exposure, a developer and a second positive radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

第一のレジストパターンを不溶化させ、その後の露光処理、並びに現像液及び第二のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して十分に安定な不溶化レジストパターンとすることが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The sum total of the intensity of the magnetization of a burst part of the servo pattern is made 0 by forming a dc signal part involved in the burst part of the servo pattern with a combination of positive and negative dc signal components and low density dummy bits or a pattern shifted in its phase from the servo pattern.例文帳に追加

サーボパターンのバースト部分に含まれる直流信号部分を、正と負の直流信号要素の組み合わせ、低密度のダミービット、もしくは位相をずらしたパターンで構成することにより、サーボパターンのバースト部分の磁化量の総和を0とする。 - 特許庁

To provide a polymer compound capable of constituting a positive type resist pattern having excellent resolution and capable of favorably resolving a resist pattern even by using an acid generating agent having weak strength of an acid generated, a compound suitable for producing the polymer compound and a positive type resist composition containing the polymer compound and to provide a method for forming resist pattern by using the positive type resist composition.例文帳に追加

優れた解像性を有し、かつ発生する酸の強度が弱い酸発生剤を用いても良好にレジストパターンを解像できるポジ型レジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を製造するのに好適な化合物、該高分子化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide positive and negative chemically amplified resist compositions, having high sensitivity and giving a resist pattern of superior shape.例文帳に追加

高感度を有し、かつ優れた形状のレジストパターンを与えるポジ型及びネガ型の化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING PATTERN USING THE SAME COMPOSITION, AND COMPOUND USED IN THE SAME COMPOSITION例文帳に追加

ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of suppressing the generation of a watermark during immersion exposure, and a pattern formation method using the same.例文帳に追加

液浸露光時にウォーターマークの発生を抑制しうるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

POSITIVE ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

ポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法 - 特許庁

A region OLA for positive overlap is provided to a light exposure pattern PTN, including an integrated circuit chip region.例文帳に追加

集積回路チップ領域CAを含む露光パターンPTNに対して積極的なオーバーラップ用領域OLAが設けられる。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for an electrophoresis unit free of roughening of an etched surface and excellent in pattern controllability.例文帳に追加

エッチング面の荒れが生じず、パターン制御性に優れた電気泳動装置用化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A method for forming a pattern is provided, which includes steps of forming a resist film from these positive-type resist compositions, exposing and developing.例文帳に追加

また、これらのポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像工程を含むパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alkali-developable positive photosensitive resin composition that is capable of forming a superior relief pattern, after development and after heat curing.例文帳に追加

現像後および加熱硬化後の優れたレリーフパターンを形成するアルカリ現像可能なポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

Before wet etching, the positive charge electrification of a substrate surface (the exposure surface of a substrate 101 and the surface of a resist pattern 105) is performed.例文帳に追加

ウェットエッチング前に、基板表面(基板101の露出面及びレジストパターン105の表面)の正電荷帯電を行う。 - 特許庁

In a process P3, a photosensitive layer 52 is formed with a positive photosensitive material on the substrate 12 on which the reflection pattern 18 is formed.例文帳に追加

工程P3では、反射パターン18が形成された基板12上にポジ型の感光性材料で感光層52を形成する。 - 特許庁

In a pattern formation method having a process for pattern exposing the whole face of a positive photoresist on a substrate, a positive photoresist 2 is formed on a substrate 1, and pattern exposure is carried out to the whole face of the substrate, and the photoresist at the outer peripheral part of the substrate is insolubilized in developer, and development is carried out.例文帳に追加

基板上のポジ型フォトレジストを全面パターン露光する工程を有するパターン形成方法において、ポジ型フォトレジスト2を基板1上に成膜し、基板全面にパターン露光を行った後、基板外周部におけるフォトレジストを現像液に不溶化させる処理を行い、その後現像を行うパターン形成方法。 - 特許庁

The end of the first dummy pattern directing the positive orientation of the second oriented segment is moved backward in the negative orientation of the second oriented segment from the end directing the same direction of the second dummy pattern, and each of the terminals is extended beyond the position of the first end of the first dummy pattern directing the positive orientation of the second oriented segment.例文帳に追加

第2の有向線分の正の向きを向く第1のダミーパターンの端部は、第2のダミーパターンの同じ方向を向く端部よりも第2の有向線分の負の向きに後退しており、端子の各々は、第1のダミーパターンの第1の端部の位置を越えて、第2の有向線分の正の向きに向かって延びている。 - 特許庁

A first conductive pattern 21 which is connected to an external electrode 20, being a positive electrode, forms a positive electrode connection part 23 connected to a positive electrode part 17 of the capacitor element 1 at a capacitor element mounting surface of an insulating board 2, with the countered external electrode 20, being a positive electrode, connected on the rear surface of the insulating board 2.例文帳に追加

陽極の外部電極20と接続する第一の導電パターン21は、絶縁板2のコンデンサ素子搭載面でコンデンサ素子1の陽極部17とそれぞれ接続する陽極接続部23を形成し、絶縁板2の裏面では対向する陽極の外部電極20が接続される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having good solubility in a resist solvent and capable of suppressing variation in pattern size when exposure energy varies, and to provide a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

レジスト溶剤への溶解性が良好で、かつ露光量が変化した際のパターンサイズの変動を小さく抑えることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for thick film resist film formation capable of forming a thick film resist pattern with good profile, a thick film resist laminate and a resist pattern forming method.例文帳に追加

形状の良好な厚膜のレジストパターンを形成できる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide an excellent positive resist composition excellent in line edge roughness and giving a pattern prevented from falling, particularly a fine pattern free of falling even when focus or exposure is varied.例文帳に追加

ラインエッジラフネスに優れており、パターン倒れが防止され、特に微細なパターンでのフォーカス、露光を変動させてもパターン倒れのない優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁




  
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