| 意味 | 例文 |
Positive patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1213件
To provide a positive resist composition superior in size controllability, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
寸法制御性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE TYPE PHOTORESIST COMPOSITION FOR THICK FILM AND PRODUCTION METHOD OF THICK-FILM RESIST PATTERN例文帳に追加
厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION, PATTERN-FORMING METHOD USING THE COMPOSITION AND RESIN USED IN THE COMPOSITION例文帳に追加
ポジ型レジスト組成物、該組成物を用いたパターン形成方法及び該組成物に用いられる樹脂 - 特許庁
CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR THICK FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THICK FILM RESIST PATTERN例文帳に追加
厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物および厚膜レジストパターンの製造方法 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR MANUFACTURING MEMS (MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) WITH ELECTRON BEAM AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
電子線を用いてMEMS(MicroElectroMechanicalSystems)を製造するためのポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
To provide a positive photoresist composition having thermal flow adaptability and to obtain a finer pattern.例文帳に追加
サーマルフロー適性を有するポジ型フォトレジスト組成物を提供し、より微細なパターンを実現する。 - 特許庁
FLUORINE-CONTAINING POLYMERIC COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR USE IN LIQUID IMMERSION EXPOSURE AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加
含フッ素高分子化合物、液浸露光用ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
電子線、X線またはEUV用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV, AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
To provide a chemically amplified positive resist composition that gives a pattern with an excellent exposure margin.例文帳に追加
露光マージンに優れるパターンを与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
COLD SETTING POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION METHOD FOR PATTERN CURED FILM AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加
低温硬化用のポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 - 特許庁
RESIN, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION USING THE SAME AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
樹脂およびその製造方法、それを用いたポジ型感光性組成物及びパターン形成方法 - 特許庁
POSITIVE PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN AND ELECTRONIC PART USING THE SAME例文帳に追加
ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物、パターンの製造方法及びこれを用いた電子部品 - 特許庁
POLYMERIZABLE MONOMER, POLYMER COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST MATERIAL, AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加
重合性モノマー、高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 - 特許庁
To provide a positive photosensitive paste which enables to form an inorganic fine pattern even in a thick film.例文帳に追加
厚膜でも無機物の微細パターン形成が可能なポジ型感光性ペーストを提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition for forming a resist pattern of good shape with high resolution and a resist pattern forming method.例文帳に追加
高い解像性で、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition exhibiting excellent resolution with which a resist pattern having a good shape is formed, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加
解像性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁
To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern in which line edge roughness (LER) is reduced and a resist pattern forming method.例文帳に追加
ラインエッジラフネス(LER)の低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The needle holding member comprises a surface with a positive pattern taper, the hub of the unit dosage needle comprises a surface with a negative pattern taper coupled each other.例文帳に追加
針保持部材は雄型テーパ付面を含み、単位用量針のハブは、これらの間で連結する雌型テーパ付面を含んでいる。 - 特許庁
To provide a positive resist composition causing little pattern collapse for the formation of a fine pattern and having low dependence on the mask covering rate.例文帳に追加
微細パターンの形成においても、パターン倒れの発生が少ない、マスク被覆率依存性が小さいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern excellent in shape and etching resistance, and a resist pattern forming method.例文帳に追加
形状およびエッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive composition which ensures a good pattern profile and good line edge roughness in normal exposure (dry exposure) and immersion exposure, a pattern forming method using the positive photosensitive composition, and to provide a compound used for the positive photosensitive composition.例文帳に追加
通常露光(ドライ露光)、液浸露光において、パターン形状、ラインエッジラフネスが良好である、ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型感光性組成物に用いられる化合物を提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition and a method of pattern formation with the same, and to provide a positive resist composition improved in various performances such as pattern profile, pattern collapse and scumming and excellent also in backward contact angle of an immersion liquid and water follow-up properties, and also to provide a method of pattern formation.例文帳に追加
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、パターン倒れ、スカムの諸性能が改善され、かつ液浸液の後退接触角ならびに水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁
RESIN, POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION COMPRISING THE RESIN, PROTECTING FILM-FORMING COMPOSITION COMPRISING THE RESIN, PATTERN-FORMING METHOD USING THE POSITIVE-TYPE RESIST COMPOSITION, AND PATTERN-FORMING METHOD USING THE PROTECTING FILM-FORMING COMPOSITION例文帳に追加
樹脂、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物、該樹脂を含有する保護膜形成組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該保護膜形成組成物を用いたターン形成方法 - 特許庁
A third pattern ITO is aligned to a first pattern G formed in the mth layer (m: a positive integer), and second patterns S and D formed in the nth layer (n: a positive integer) on a substrate P.例文帳に追加
基板Pの第m層(mは正の整数)に形成された第一パターンGと、第n層(nは正の整数)に形成された第二パターンS、Dとに対して第三パターンITOを位置合わせする。 - 特許庁
To obtain a positive type resist composition giving a photoresist which forms a rectangular pattern in the production of a semiconductor device and to obtain a positive type resist composition which ensures low edge roughness of a line pattern.例文帳に追加
半導体デバイスの製造にて矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与えるポジ型レジスト組成物を提供し、またラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming an ultrahigh heat-resistant positive pattern by using a positive photosensitive composition in the process which requires high heat resistance of a photoresist pattern such as manufacturing of a TFT active matrix substrate.例文帳に追加
TFTアクティブマトリクス基板の製造など、フォトレジストパターンに高耐熱性が要求されるプロセスにおいて、ポジ型感光性組成物を用いて良好な超高耐熱ポジ型パターンを形成する。 - 特許庁
To provide a novel positive resist composition using a low molecular material as a base material component, and a resist pattern-forming method using the positive resist composition.例文帳に追加
基材成分として低分子材料を用いた新規なポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive resin composition having superior storage stability and photosensitivity, and to provide a positive photosensitive dry film, a material obtained using the composition and a pattern forming method.例文帳に追加
ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having excellent lithography characteristics and heat resistance, and to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加
優れたリソグラフィー特性および耐熱性を有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁
To provide a new high molecular compound, a positive resist composition containing the high molecular compound, and a resist pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加
新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁
DIAMINE CONTAINING IMIDO GROUP, POLYIMIDE PRECURSOR CONTAINING THE IMIDE GROUP, POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN CONTAINING THE PRECURSOR, MANUFACTURING METHOD OF POSITIVE TYPE PATTERN, AND ELECTRONIC PARTS例文帳に追加
イミド基含有ジアミン、該イミド基含有ポリイミド前駆体、該前駆体を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型パターンの製造方法及び電子部品 - 特許庁
Thereafter, a photosensitive adhesive resin film is applied on the resist pattern of the positive resist layer (PMMA) 12 and the positive resist layer (PMIPK) 13.例文帳に追加
その後、ポジ型レジスト層(PMMA)12およびポジ型レジスト層(PMIPK)13からなるレジストパターン上に感光性の接着性樹脂膜を塗布する。 - 特許庁
To provide a positive photoresist composition whose development defects are reduced in manufacturing of the positive photoresist composition and a pattern forming method using the same.例文帳に追加
半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が軽減できるポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive resin composition superior in development residue and outgassing performance, and to provide a method of forming a pattern using the positive resist composition.例文帳に追加
現像残渣に優れ、かつアウトガス特性に優れたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having excellent resolution and depth of focus, a resin for resists, which is used for the positive resist composition, and a method for forming a resist pattern by using the positive resist composition.例文帳に追加
優れた解像性及び焦点深度幅を有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられるレジスト用樹脂、該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法が提供される。 - 特許庁
To provide a positive resist composition that has high lithography characteristics and forms a resist pattern with a favorable shape, and a resist pattern forming method.例文帳に追加
リソグラフィー特性に優れ、且つ、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁
To provide a positive resist composition which enables to form a resist pattern of good shape with small LWR and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
良好な形状で、LWRの小さいレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive-acting photoresist composition having high resolving power and forming a resist pattern whose side wall is perpendicular while preventing the trailing of the lower part of the pattern.例文帳に追加
高解像力を有し、レジストパターン下部の裾引きを防止し、かつパターンの側壁角度が垂直であるポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁
To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition which ensures improved edge roughness of a pattern, gives an excellent resist pattern profile and has high sensitivity.例文帳に追加
パターンのエッジラフネスが改良され、優れたレジストパターンプロファイルが得られる高感度の化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive composition for producing a flat pattern so that the pattern is not made spherical when the composition is cured by heating in photolithography.例文帳に追加
フォトリソグラフィー法での加熱硬化の際にパターンが球面化せず、平坦なパターンを製造できるポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁
PATTERN FORMING METHOD, POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR MULTIPLE DEVELOPMENT USED IN THE PATTERN FORMING METHOD, DEVELOPER FOR NEGATIVE DEVELOPMENT USED IN THE PATTERN FORMING METHOD, AND RINSING SOLUTION FOR NEGATIVE DEVELOPMENT USED IN THE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 - 特許庁
To provide a polymeric compound appropriate for a base resin of a positive resist material having a high resolution exceeding a conventional positive resist material, an excellent pattern shape after exposure, and further exhibiting excellent etching resistance, particularly of a chemically amplified positive resist material, a positive resist material and a pattern forming method using the same.例文帳に追加
従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an excellent positive resist composition that is excellent in line edge roughness, prevents a pattern falling and does not cause the pattern falling even if a focus and exposure particularly in a fine pattern are varied.例文帳に追加
ラインエッジラフネスに優れており、パターン倒れが防止され、特に微細なパターンでのフォーカス、露光を変動させてもパターン倒れのない優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive resist composition which can keep a wide process window in the process of forming an isolated groove (trench) pattern and a dense trench pattern, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加
孤立溝(トレンチ)パターン及び密トレンチパターン形成において広いプロセスウインドウ確保が可能なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK FILM RESIST FILM FORMATION, THICK FILM RESIST LAMINATE, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
To provide a positive type photosensitive resin having high sensitivity and capable of giving a pattern with a high rate of a residual film.例文帳に追加
高感度で高残膜率のパターンを得ることができるポジ型感光性樹脂を提供する。 - 特許庁
To provide a positive resist composition with good resolution and lithography property and a resist pattern formation method.例文帳に追加
解像性やリソグラフィー特性に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR ELECTRON BEAM, X-RAY OR EXTREME ULTRAVIOLET RAY (EUV), AND PATTERN FORMING PROCESS BY USE OF IT例文帳に追加
電子線、X線またはEUV用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁
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