「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chemically amplified positive resist composition suitable for ArF excimer laser lithography, especially having good line edge roughness and giving a finer pattern in a reflow process.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適し、特に、ラインエッジラフネスが良好であり、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition having high sensitivity, high resolving power, good adhesion to a substrate and improved edge roughness of a pattern.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、基板との密着性が良好で、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a photographic printing method, by which the pattern of a photographic color positive film can be printed on a fabric such as a polyester fiber fabric with sublimable dyes by a photomechanical technique.例文帳に追加

本発明は、写真撮影したカラーポジフィルムの図柄を写真製版技術を用いてポリエステル等の布地に昇華性染料を染色することを目的とする。 - 特許庁

The positive and negative electrode terminals of the electrode pattern 12 are connected to a joint box 17 through lead wires 15 and 16 and connected to an indoor wiring through the joint box 17.例文帳に追加

電極パターン１２の正負電極端子をリード線１５，１６を介してジョイントボックス１７に接続し，このジョイントボックス１７を介して屋内配線に接続される。 - 特許庁

To obtain a chemical amplification type positive type photoresist composition having high sensitivity, high resolving power and good adhesion to a substrate and ensuring improved edge roughness of a pattern.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、基板との密着性が良好で、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition excellent in wettability and ensuring controlled precipitating property of a polymer or additive and to provide a heat resistant pattern forming method using the composition.例文帳に追加

濡れ性に優れ、かつポリマーまたは添加物の析出性を抑えたポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた耐熱性パターンの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for liquid immersion lithography capable of suppressing elution of materials during liquid immersion lithography and excellent also in lithography characteristics, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

液浸露光時の物質溶出を抑制でき、リソグラフィー特性にも優れた液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which ensure the improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device and is excellent in low temperature preservability and density dependency.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に低温保存性及び疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

After pattern exposure is carried out, by irradiating the resist film 11 made of positive chemical amplification type resist with an energy beam via a photomask, the resist film 11 is heated.例文帳に追加

ポジ型の化学増幅型レジストからなるレジスト膜１１にフォトマスクを介してエネルギービームを照射してパターン露光を行なった後、レジスト膜１１を加熱する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition that improves edge roughness of a pattern and suppresses occurrence of development defects and a change in line width with the lapse of time.例文帳に追加

パターンのエッジラフネスが改良され、現像欠陥が抑制され、且つ引きおき経時による線幅変動が改善されたポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

POSITIVE PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME, RESIN FOR USE IN THE SAME, AND COMPOUND FOR SYNTHESIZING THE RESIN例文帳に追加

ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法、該ポジ型感光性組成物に用いられる樹脂及び該樹脂を合成するための化合物 - 特許庁

A substrate 3 is coated with a 1st positive type photosensitive material, exposed to light by using a reticle, and developed to form a pattern of an unexposed 1st photosensitive material film.例文帳に追加

基板３上ポジ型の第１の感光性材料を塗布し、レチクルを用いて光露光し現像して、未露光第１感光性材料膜のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm) is used and has small PEB time dependency and large exposure latitude, and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特に露光光源がＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）である場合に好適なポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a positive chemically amplified photoresist composition, which has high sensitivity and high resolution, whose adhesiveness with a substrate is favorable, and whose edge roughness of a pattern is improved.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、基板との密着性が良好で、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam or extreme ultraviolet superior in lithography characteristics such as sensitivity and resolution by suppressing defects, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ディフェクトを抑制でき、かつ感度、解像性等のリソグラフィー特性にも優れた電子線又はＥＵＶ用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which ensures the improved edge roughness of a resist pattern in the production of a semiconductor device and is excellent in preservability and density dependency.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に保存性及び疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition excellent in resolution, capable of increasing the focal depth range of an isolated resist pattern and capable of suppressing a proximity effect.例文帳に追加

解像性に優れ、しかも孤立レジストパターンの焦点深度幅の向上、及び近接効果の抑制を可能にした、化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for a positive type photosensitive resin composition in which the film thickness of the unexposed part is not reduced even in thick film processing and a high sensitivity pattern is obtained.例文帳に追加

厚膜加工においても未露光部の膜減りがなく高感度のパターンを得ることができるポジ型感光性樹脂組成物の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition of a polyimide precursor having a positive type pattern forming ability capable of developing with alkali aqueous solution and also having improved storage stability.例文帳に追加

アルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有するとともに保存安定性の優れたポリイミド前駆体の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having high resolving power, ensuring low edge roughness of a line pattern and nearly free of development defects in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、現像欠陥の少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition capable of forming a pattern by the light having various wavelengths irrespective of a light absorbing function of an optical acid generator.例文帳に追加

光酸発生剤が有する光吸収能に関わらず、様々な波長を有する光によってパターン形成が可能なポジ型ホトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition having high sensitiv ity and high resolving power, giving a rectangular resist pattern, having good wettability with a developing solution and nearly free from development defects.例文帳に追加

高感度、高解像力で、矩形形状のレジストパターンを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

On the second insulation layer 9, an organic layer 11 is formed, and on the organic layer 11, a positive electrode 12 as a second electrode is formed for each display pattern 3.例文帳に追加

第二絶縁層９の上には有機層１１が形成され、有機層１１の上には第二電極としての陽極１２が表示パタン３毎に形成される。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition remarkably excellent in sensitivity and resolution and excellent in the shape of pattern profile when a light source for exposure which emits light of ≤220 nm wavelength is used.例文帳に追加

波長が２２０ｎｍ以下の露光光源を使用する際、感度、解像度が著しく優れ、パターンプロファイルの形状が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a photoresist pattern having high sensitivity and high resolution and having a square cross section in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストパターンを与えるなどのポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a positive photoresist composition having high revolving power, giving a rectangular photoresist and ensuring low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少ないポジ型フォトレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for immersion exposure having good lithography characteristics and also having hydrophobicity suitable for immersion exposure, and a method of forming a resist pattern.例文帳に追加

良好なリソグラフィー特性を有し、かつ液浸露光用として好適な疎水性を有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition excellent in various characteristics as a resist such as sensitivity, resolution and focal depth and capable of suppressing the occurrence of foreign matter on a resist pattern.例文帳に追加

感度、解像度及び焦点深度などのレジスト諸特性に優れ、レジストパターン上における異物の発生を抑制可能なポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive resin composition which improves line edge roughness(LER), has high sensitivity and high resolving power and ensures improved surface roughness of a resist pattern.例文帳に追加

ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を改良し、高感度、高解像力を有し、更にレジストパターンの表面荒れが改良されたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a new base resin for a positive type resist giving a radiation sensitive chemical amplification type positive resist composition having high sensitivity and high resolution, ensuring good heat resistance, good focal depth-width characteristics, good aging stability relating to pattern form and good shelf stability of a resist solution and capable of forming a resist pattern having no substrate dependency and excellent in profile shape.例文帳に追加

高感度、高解像性を有し、かつ耐熱性、焦点深度幅特性、引置き経時安定性及びレジスト溶液の保存安定性がよく、基板依存性がなくプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できる、放射線に感応する化学増幅型のポジ型レジスト組成物を与える新規なポジ型レジスト用基材樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a two-layer photoresist in which the bottom of a groove is made stably flat and the groove has no variation in depth with respect to a pattern forming method for a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of a light source for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate.例文帳に追加

基盤上に第１のポジ型のフォトレジスト、露光光源の波長に対し透明な中間層、第２のポジ型のフォトレジストの順に積層されている２層フォトレジストのパターン形成方法について、グルーブの底が安定して平らになり、グルーブの深さの変動がない２層フォトレジストのパターン形成方法を工夫すること。 - 特許庁

Respective actuator drive signals S1, S2, S3 comprise positive and negative signals that are generated based on a pulse modulation system and have mutually inverted phases, one of the positive and negative signals is transmitted to the first conductive pattern 32, and the other for composing actuator drive signals is transmitted to the second conductive pattern 34.例文帳に追加

各アクチュエータ駆動信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、パルス幅変調方式に基づいて生成され互いに位相が反転する正信号と負信号によって構成され、正信号および負信号の一方が第１導電パターン３２に伝達され、かつ、アクチュエータ駆動信号を構成する正信号および負信号の他方が第２導電パターン３４に伝達される。 - 特許庁

This element has a transparent substrate, a translucent layer formed on the transparent substrate, a first positive electrode layer formed on the translucent layer in a prescribed pattern, a negative electrode layer formed on the first positive electrode layer by total reflection metal films, and an organic layer which is arranged between the first positive electrode layer and the negative electrode layer and which includes at least a light-emitting layer.例文帳に追加

透明基板と、前記透明基板上に形成される半透明層と、前記半透明層上に所定パターンで形成された第１正極層と、前記第１正極層の上に全反射金属膜で形成された負極層と、前記第１正極層と負極層との間に配置された少なくとも発光層を含む有機層とを備える。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having a wide defocus latitude when orbicular illumination is used and less liable to generate a side lobe in pattern formation using a halftone phase shifting mask and to provide a positive type photosensitive composition having the above characteristics and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

When causing display patterns 2, 3 to be emitted, a constant current is passed through display patterns as the object of light emission, by impressing a voltage between the positive electrode and negative electrode thereof, and at this time, divided positive electrodes of the same fixed display pattern (any one of 2A to 2E) are driven synchronously.例文帳に追加

表示パターン２，３を発光する場合には、発光対象となる表示パターンの陽極と陰極との間に電圧を印加して定電流を流し、その際、同一の固定表示パターン（２Ａ〜２Ｅのいずれか）において分割された陽極は同期駆動する。 - 特許庁

After the surface of a substrate 1 is spin-coated with a positive photosensitive resist and a circuit pattern forming spot and a through hole forming spot are exposed on this positive photosensitive resist in a first exposure process, only a through hole 1a and neighboring thereof are exposed in a second exposure process.例文帳に追加

基板１の表面にポジ型感光レジストをスピンコートし、このポジ型感光レジストに対し第１露光工程で回路パターン形成箇所とスルーホール形成箇所とを露光した後、第２露光工程でスルーホール孔１ａとその近傍のみを露光する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of executing complete patterning by preventing the remainder of polyimide due to deficient exposure at thick parts of a positive photosensitive polyimide film and occurrence of pattern disturbance due to over-exposure at thin parts in the patterning of the positive photosensitive polyimide film whose thickness is ununiform.例文帳に追加

厚みの異なるポジ型感光性ポリイミド膜のパターニングにおいて、厚い箇所での露光不足によるポリイミド残りと浅い箇所での過露光によるパターン乱れを防止して、完全なパターニングができる半導体装置の製造方法を提供すること - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which is excellent in a pattern form with uniformity, high sensitivity and high resolution in thick film pattern forming, is excellent in substrate adhesiveness, film leaving property and storage stability, can obtain a high throughput, and can bear a metallic growth stress.例文帳に追加

厚膜パターン形成において、均一性、高感度・高解像度でパターン形状に優れ、基板密着性、残膜性、貯蔵安定性に優れ、高スループットが得られ、かつ金属成長応力に耐え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which is suitable for ArF excimer laser lithography and has preferable line edge roughness in addition to performances such as resolution, sensitivity and a pattern shape, and to provide a chemically amplified positive resist composition in which the pattern can be more finely divided in a reflow process.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、ラインエッジラフネスが良好であるレジスト組成物、リフロー工程においてパターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material having high sensitivity while having high resolution, attaining a proper pattern shape after exposure, and decreasing line edge roughness, in particular, a chemically amplified positive resist material, and to provide a pattern forming method that uses the material.例文帳に追加

高解像度でありながら高感度であり、なおかつ露光後のパターン形状が良好でラインエッジラフネスが小さいレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive working resist composition which generates no resist residue when a semiconductor device is produced by a via first dual damascene method and can give a high resolution resist pattern capable of corresponding to a required fine pattern.例文帳に追加

ビアファーストのデュアルダマシン法により半導体デバイスを製造する場合に、レジスト残りを生じず、要求される、微細パターンに対応可能な高解像性のレジストパターンを与えることができる化学増幅型ポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive type chemical amplification resist using far ultraviolet light having ≤220 nm wavelength as light for exposure, capable of preventing the falling and crumbling of a pattern and excellent in adhesion to a substrate and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

露光光として波長が２２０ｎｍ以下の遠紫外光を使用するポジ型化学増幅レジストであって、パターン倒れ及びパターン崩れを防止でき、基板密着性が優れたポジ型化学増幅レジスト及びそのパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A pseudo random pattern generating circuit 4 generates an M-sequence signal that is a pseudo random pattern, and an offset generating circuit 3 adds positive and negative offset currents to a current outputted from a charge pump 2 in response to the M-sequence signal.例文帳に追加

擬似ランダムパターン生成回路４によって擬似ランダムパターンであるＭ系列信号を生成し、オフセット生成回路３で、上記Ｍ系列信号に応じてチャージポンプ２から出力される電流に正及び負のオフセット電流を加える。 - 特許庁

After a positive photosensitive film pattern is formed at the upper part of the gate electrode of the insulating layer, an organic semiconductor and an insulator are formed at the upper part of the gate electrode by etching the organic semiconductor layer and the insulating layer, using the photosensitive film pattern as an etching mask.例文帳に追加

また、絶縁層のゲート電極上部に陽性の感光膜パターンを形成した後、感光膜パターンをエッチングマスクとして有機半導体層と絶縁層をエッチングしてゲート電極の上部に有機半導体と絶縁体を形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for liquid immersion exposure and improved in such problems as collapse of a resist pattern due to post exposure delay between steps of exposure and PEB (post exposure bake), deterioration in the profile and production of scum during liquid immersion exposure, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

液浸露光時に於ける、露光−ＰＥＢ間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化、スカムの発生が改善された液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁