「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive resist composition that is improved by overcoming the problem of development defects, provided with a superior in-plane uniformity of line width, and also superior in LWR performance, and to provide a pattern forming method using it.例文帳に追加

現像欠陥の問題が改善され、優れた線幅の面内均一性が得られ、かつ、ＬＷＲ性能にも優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of forming a satisfactory profile by not only ordinary exposure but liquid immersion exposure and having wide exposure latitude, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

通常露光のみならず液浸露光によっても、良好なプロファイルを形成でき、広い露光ラチチュードを有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive polyimide resin composition which has excellent sensitivity in i-ray (365 nm) exposure and a high-resolution, with which the development in alkali water solution can be performed and which can form a good relief pattern.例文帳に追加

ｉ線（３６５ｎｍ）露光で感度がよく、高解像度であり、アルカリ水溶液現像が可能で、良好なレリーフパターンが形成できるポジ型感光性ポリイリミド樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Two or more positive electrode leads consists of projected portion, which is outside from the porosity sintered compact, out of valve action metallic pattern, which bends by two or more places inside the porosity sintered compact and extends while path length is ensured.例文帳に追加

複数の陽極リードは前記多孔質焼結体内部に複数個所で曲がりながらパス長を確保して延在する弁作用金属パターンの多孔質焼結体外部に突出した部分からなる。 - 特許庁

POLYIMIDE PRECURSOR COPOLYMER, VARNISH CONTAINING THE SAME, POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, POLYIMIDE COPOLYMER, SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTIVE FILM CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING FINE PATTERN OF POLYIMIDE COPOLYMER CONTAINING FILM例文帳に追加

ポリイミド前駆体共重合体、それを含むワニスおよびポジ型感光性樹脂組成物、ポリイミド共重合体、それを含む半導体素子の保護膜、ポリイミド共重合体含有膜の微細パターンの製造方法 - 特許庁

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR USE IN STEP OF EXPOSURE USING AT LEAST TWO EXPOSURE LIGHT SOURCES SELECTED FROM G-LINE, I-LINE, KrF EXCIMER LASER AND ELECTRON BEAM AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a positive type chemical amplification system photosensitive resin composition having high sensitivity, high resolution, a good pattern shape and excellent process stability and to provide a method for producing a resist image.例文帳に追加

本発明の目的は、高感度、高解像度でパターン形状が良く、かつ、プロセス安定性の優れたポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物及びレジスト像の製造法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition forming a pattern under an i-line, having high resolution, and ensuring small warpage of an Si wafer after curing of the resin, and also to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加

ｉ線でパターン作成が可能かつ高解像度で、樹脂を硬化した後のＳｉウェハの反りが小さいポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供するものである。 - 特許庁

The photo development equipment includes a developing solution supplier for supplying a negative development solution; and a first photo apparatus to form a positive photoresist pattern, by using a positive photoresist containing a novolac resin as a base and containing an acrylic resin with the above negative development solution, wherein the photoresist pattern is necessary for forming a black matrix by patterning a light-shielding metal layer formed on a substrate.例文帳に追加

本発明によるフォト装備は、ネガティブ現像液を供給する現像液供給部と、基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要であるポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系の樹脂を基本として、アクリル系の樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記ネガティブ現像液とを利用して形成する第１フォト装備を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition, which can sufficiently suppress turbidity in a resin film after applied or developed, which is curable at a low temperature and which is developable with an alkali aqueous solution, and to provide a method for producing a resist pattern using the positive photosensitive resin composition, a semiconductor device having a resist pattern formed by the above method, and an electronic device including the semiconductor device.例文帳に追加

塗布後及び現像後の樹脂膜の濁りを充分に抑制することが可能であり、かつ低温での硬化が可能で、アルカリ水溶液で現像可能であるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの製造方法、かかる方法により形成されたレジストパターンを有する半導体装置、及び該半導体装置を備える電子デバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a resin having a uniform composition distribution, to provide a production method for supplying the same in excellent reproducibility, to provide a positive type photosensitive composition having an improved resist performance (LER (line edge roughness), further exposure latitude) by a positive type photosensitive composition containing the resin and to provide a method for forming a pattern, using the same.例文帳に追加

組成分布が均一な樹脂、およびそれをを再現性良く供給できる製造方法を提供し、さらに、それを含有するポジ型感光性組成物によってレジスト性能（ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）・露光ラチチュード）が改良されたポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for improving the performance of essential micro-photofabrication using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and also to provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays which suppresses pattern collapse or LER (line edge roughness).例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、パターン倒れ性、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）が抑制できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The positive photosensitive composition contains (A) a resin having a repeat unit represented by general formula (I) and a repeat unit represented by general formula (II), and (B) a compound which generates an acid by irradiating with an active ray or radiation, and the pattern forming method using the positive photosensitive composition is also provided.例文帳に追加

（Ａ）一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と一般式(II)で表される繰り返し単位を有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物、並びに該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤160 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition which exhibits satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, ensures good pattern profile and line edge roughness, and produces little residue on development (scum).例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、パターンプロファイルとラインエッジラフネスの特性が良好で、現像残渣（スカム）の少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition with which a dry film having sufficient sensitivity and developability and sufficient flexibility can be formed and a positive photosensitive element can be obtained, and to provide a photosensitive element, a method for forming a resist pattern, and a method for manufacturing a printed wiring board using the above composition.例文帳に追加

十分な感度及び現像性を有するとともに十分な可とう性を有するドライフィルムを形成でき、ポジ型感光性エレメントの実現を可能とするポジ型感光性樹脂組成物、並びに、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of achieving improvement of exposure latitude, PEB temperature dependency and profile and reduction of scum, in a process of producing a semiconductor such as IC and in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造に於いて、露光ラチィチュード、ＰＥＢ温度依存性改良、プロファイル改良、スカム低減について、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition capable of reconciling high heat resistance with enhanced sensitivity and having good focal-depth range properties (particularly good total focal-depth range properties), and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

高耐熱性と高感度化の両立を図ることができ、かつ焦点深度幅特性（特にはトータル焦点深度幅特性）が良好なポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition with high resolution, excellent in dry etching resistance, with reduced wear of the film and suitably used in a method for forming a resist pattern via an exposing step using a low-energy electron beam.例文帳に追加

高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In the case of positive discrimination in the S601, the occurrence of abnormality is reported to a managing computer (S604) and reporting such processing as flickering a top lamp 17 in a pattern set for abnormality report, for example, is performed (S605).例文帳に追加

よって、Ｓ６０１で肯定判断なら、異常発生として、管理コンピュータに通知し（Ｓ６０４）、例えばトップランプ１７を異常報知用に設定されているパターンで点滅させるなどの報知処理を実行する（Ｓ６０５）。 - 特許庁

When pattern formation is performed by using the positive photosensitive resin composition, the additive fulfills functions for attaining high resolution and high sensitivity, and for minimizing thickness change after heat crosslinking, without causing other properties to deteriorate.例文帳に追加

添加剤は、ポジティブ型感光性樹脂組成物を用いてパターン形成を行うときに、他の物性を低下させずに高解像度、高感度、および熱架橋後の厚さ変化を最小化する役割を実行することができる。 - 特許庁

In the pattern- forming method, the positive photosensitive resin composition is applied and subjected successively to first exposure, development, second exposure and heating, with the quantity of light in the second exposure being 2-15 times that in the first exposure.例文帳に追加

前記ポジ型感光性樹脂組成物を、塗布、第１露光、現像、第２露光、加熱処理を順次行う工程において、第２露光の光量が、第１露光の２〜１５倍であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition having excellent resolution and etching resistance, capable of giving a resist pattern that undergoes a small dimensional change per unit temperature by a thermal flow process and having good aging stability.例文帳に追加

解像性及び耐エッチング性に優れ、サーマルフロープロセスにより単位温度当りの寸法変化量が小さいレジストパターンを与えることができ、かつ経時安定性の良好なポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The surface 1c of the reinforcing plate 1 exposed from a GaAs substrate 3 is covered with the mask jig 101 and coated when the rear 3b of the GaAs substrate 3 is coated with a positive resist 4 for forming a desired resist pattern.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３の裏面３ｂに所望のレジストパターンを形成するための、ポジ型レジスト４を塗布する際、ＧａＡｓ基板３から露出した補強板１の表面１ｃをマスク治具１０１で被覆して塗布する。 - 特許庁

To provide a high sensitivity and high resolving degree positive type photosensitive resin composition having characteristic features that the loss of a film thickness is reduced, the pattern shape does not collapse, and there is no scum of the photosensitive resin composition in exposed portions.例文帳に追加

膜減りが少なく、パターン形状の崩れがなく、更に露光部の感光性樹脂組成物の残り（スカム）がない特性を有する高感度で、かつ高解像度であるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition with high sensitivity and high resolution wherein films are hardly decreased, a pattern form is not broken, and scums of the photosensitive resin composition in an exposed area do not remain.例文帳に追加

膜減りが少なく、パターン形状の崩れがなく、更に露光部の感光性樹脂組成物の残り（スカム）がない特性を有する高感度で、かつ高解像度であるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

Upon processing a chromium film M1 on a glass substrate GS, a real pattern and a SRAF (sub-resolution assist feature) are separately drawn in resists having opposite relations of positive/negative properties to each other and the chromium film M1 is consecutively processed by two lithographic processes.例文帳に追加

ガラス基板ＧＳ上のクロム膜Ｍ１の加工に際し、実パターンとＳＲＡＦとをポジ／ネガが互いに逆の関係にあるレジストに個別に描画し、２つのリソグラフィ工程でクロム膜Ｍ１を順次に加工する。 - 特許庁

To provide a positive resist material that is highly sensitive, has high-resolution, has both a chemical amplification function and a non-chemical amplification function, and is suitable as a material for forming a fine pattern for making a VLSI or a photomask.例文帳に追加

高感度で高解像性を有する化学増幅機能と非化学増幅機能の両方を有し、超ＬＳＩ製造用又はフォトマスク作製用微細パターン形成材料に好適なポジ型レジスト材料の提供。 - 特許庁

A hollow turbine blade pattern (12) includes a positive pressure and negative pressure side walls (22, 24) that extend in a blade length direction between a root (26) and a tip (28) and extend in a blade chord direction between leading and tailing edges (30, 32) that are opposed to each other.例文帳に追加

中空タービン翼形部（１２）は、根元（２６）と先端（２８）との間で翼長方向に延びかつ対向する前縁及び後縁（３０、３２）間で翼弦方向に延びる正圧及び負圧側壁（２２、２４）を含む。 - 特許庁

An edge generation unit 12, on the basis of the waveform data DW, generates a set pulse and a reset pulse which are asserted with the timing of the positive edge and negative edge of the test pattern signal, respectively, and outputs them to an RS flip-flop 14.例文帳に追加

エッジ生成部１２は、波形データＤＷにもとづき、テストパターン信号のポジティブエッジ、ネガティブエッジそれぞれのタイミングでアサートされるセットパルス、リセットパルスを生成し、ＲＳフリップフロップ１４に出力する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition useful for forming a film on which a pattern is formed, the film being excellent in high thermal resistance, high transparency, crack resistance, adhesiveness with a ground, and the like, and being obtained by performing development with an alkali aqueous solution.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、耐クラック性、下地との密着性等に優れ、アルカリ水溶液で現像することにより得られるパターニングされた膜の形成に有用なポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resin which is excellent in solubility into an organic solvent and excellent in adhesiveness of a cured film, does not yield a residue at a pattern peripheral part after image development when used for a positive photosensitive resin composition, and has a high sensitivity.例文帳に追加

有機溶剤への溶解性と硬化膜の密着性に優れ、ポジ型感光性樹脂組成物に用いた場合に、現像後パターン周辺部に残渣を生じることなく高い感度を有する樹脂を提供すること。 - 特許庁

To reduce resist development defects in development of a positive chemically amplifying photoresist film on a large diameter substrate of ≥8 in and to form a resist pattern of a good shape free from T-top shape or the like.例文帳に追加

８インチ以上の大口径基板におけるポジ型の化学増幅型フォトレジスト膜現像時のレジスト現像欠陥を低減するとともに、Ｔ−トップ形状などのない良好な形状のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive polyimide composition which enables processing of a fine pattern, forms a film having heat resistance and a coefficient of linear expansion close to that of a substrate, does not require imidization at a high temperature, and can be alkali-developed.例文帳に追加

微細パターンの加工ができ、得られた被膜の耐熱性と基材との線膨張係数が近接し、かつ高温でのイミド化を必要としない、アルカリ現像できるポジ型感光性ポリイミド組成物を提供する。 - 特許庁

A surface of an Si substrate 1 is coated with a chemical amplification type positive resist agent 12 having such property that the glass transition temperature rises by irradiation with an electron beam, and thus the resist pattern 12a is formed of the resist agent 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に、電子ビームの照射でガラス転移温度が上昇する性質を有する化学増幅型ポジレジスト剤１２を塗布し、このレジスト剤１２によるレジストパターン１２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which attains cost reduction without impairing basic performances such as sensitivity and resolution, ensures small ruggedness due to stationary waves and improves pattern profile, particularly line edge roughness.例文帳に追加

感度、解像度などの基本的な性能を落とさずにコストが低減され、また定在波による凹凸が小さく、パターンプロファイル、特にラインエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Since exposure which does not affect the finally obtained accuracy of the pattern position is enabled by adjusting the center of gravity in multiple exposure to zero by positive and negative mixed shifts, a mask is efficiently and accurately produced.例文帳に追加

また正負混合のシフト量で多重露光時の重心を０にすることで最終的に得られるパターン位置精度に影響を与えない露光が可能であるため効率的で高精度なマスク作製が可能である。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is excellent in line edge roughness in normal exposure and liquid immersion exposure and with which the variation of the line width caused by time delay between exposure-PEB is reduced; and a method for forming a pattern using the same.例文帳に追加

通常露光時及び液浸露光時に於ける、ラインエッジラフネスに優れ、且つ、露光−ＰＥＢ間の引き置きによる線幅の変動が低減されたポジ型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive chemically amplifying resist composition having high sensitivity and high resolution which can give a square and superior pattern profile and which is excellent in PCD(post coating delay) and PED(post exposure delay) stability and coating property.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかもＰＣＤ、ＰＥＤ安定性及び塗布性に優れたポジ型化学増幅レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric vibration chip in which a workpiece can be formed in a desired contour pattern while suppressing sticking onto a photomask even when a positive resist is subjected to contact exposure.例文帳に追加

ポジレジストをコンタクト露光した場合であっても、フォトマスクへのスティッキングを抑制し、加工対象物を所望の外形パターンに形成することができる圧電振動片の製造方法及び圧電振動片を提供する。 - 特許庁

To provide an alkali-developable positive photosensitive polyimide composition which enables to process a fine pattern, gives a heat resistant film whose linear thermal expansion coefficient is close to that of a substrate, and which does not require imidization at a high temperature.例文帳に追加

微細パターンの加工ができ、得られた被膜の耐熱性と基材との線熱膨張係数が近接し、かつ高温でのイミド化を必要としない、アルカリ現像できるポジ型感光性ポリイミド組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive electron ray or X-ray resist composition exhibiting high sensitivity and high resolution, capable of giving excellent rectangular pattern profile and having excellent PCD and PED stability and coating property.例文帳に追加

高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができ、しかもＰＣＤ、ＰＥＤ安定性及び塗布性に優れたポジ型電子線又はＸ線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in the formation of a contact hole pattern for the production of a semiconductor device, less liable to generate particles in a resist solution and excellent in line density dependency.例文帳に追加

半導体デバイス製造のコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にレジスト液中のパーティクルの発生が少なく、疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Since the contact probability (contact area) thereof with residual toner is high, the history (pattern) of the residual toner is eliminated, and performance for temporarily holding the toner, having a reverse polarity and performance to electrify it to a positive polarity are improved.例文帳に追加

したがって、残留トナーとの接触確率（接触面積）が大きいので、残留トナーの履歴（パターン）の解消、逆極性トナーの一時保持性能及び正極性への帯電性能などが向上している。 - 特許庁

To provide a new compound useful for chemical amplification-type image-forming materials, and to provide a chemical amplification-type positive- type resist composition having high sensitivity and high resolution power and improved in pattern edge roughness.例文帳に追加

化学増幅型画像形成材料に有用な新規な化合物を提供すること、及び高感度、高解像力を有し、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁