「Positive pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive photosensitive composition giving good pattern profile particularly free of a defective trailing shape of a line pattern on a glass substrate (SOG substrate) and an overhang shape of a contact hole and having a wide side lobe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、良好なパターンプロファイル、特に、ガラス基板（ＳＯＧ基板）上でのラインパターンの裾形状不良、コンタクトホールの庇形状を生じない、また、広いサイドローブマージンを有するポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

A plurality of polarity pattern tables for setting a pixel voltage polarity of the pixel formation part on a display screen are stored in LUT5 beforehand, and each table is set in such a way that positive polarity and negative polarity are generated the same number of times for each pixel formation part when the plurality of polarity pattern tables are selected once for each.例文帳に追加

表示画面上の画素形成部の画素電圧の極性を設定するための極性パターンテーブルをあらかじめＬＵＴ５に複数個格納し、その複数個の極性パターンテーブルがそれぞれ１回ずつ選択されると各画素形成部につきプラスの極性とマイナスの極性とが同回数発生するように各テーブルを設定する。 - 特許庁

To provide a resin composition for positive photoresist, in which a polymer itself can be solubilized upon irradiation with light, even if the polymer has an adamantane skeleton, and which has high etching resistance (in particular, high dry etching resistance) and can form a fine pattern, using a simple composition with high accuracy.例文帳に追加

アダマンタン骨格を有していても、光照射によりポリマーそのものを可溶化でき、耐エッチング性（特に耐ドライエッチング性）が高く、簡単な組成で微細なパターンを高い精度で形成できるポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a treating agent which is used to decrease the surface defects, so-called, defects, caught by a specific inspection apparatus relating to the resist patterns formed by using a chemical amplification type positive resist and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

化学増幅型ポジ型レジストを用いて形成したレジストパターンについて、特定の検査装置によりキャッチされる表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させるために用いられる処理剤、及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which ensures improved edge roughness of a resist pattern, deposits no insoluble matter in the prepara tion of a resist solution or after storage, is excellent in dependency on density and can reduce a sensitivity change after storage.例文帳に追加

レジストパターンのエッジラフネスが改善され、レジスト液の調製時に、あるいは経時保存後に不溶解物の析出を生じず、疎密依存性に優れ、経時保存後の感度変動を軽減できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for far ultraviolet rays, particularly KrF eximer laser light, having improved line edge roughness, excellent sensitivity, resolution and focal depth and capable of reducing foreign substance on a resist pattern and decreasing standing wave.例文帳に追加

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、ラインエッジラフネスが改善され、感度、解像力、焦点深度が優れ、レジストパターン表面上の異物が減少し、更に定在波も低減したポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide the coating liquid for the positive resist good in sensitivity, resolution, heat resistance, focal depth characteristic, the sectional form of a resist pattern, stability during time left unused, and dependence on a substrate, especially restrained from occurrence of defects after development.例文帳に追加

感度、解像性、耐熱性、焦点深度幅特性、レジストパターン断面形状、引置経時安定性及び基板依存性などのレジスト特性が良好である上、特に現像後のディフェクトの発生を抑制するポジ型レジスト塗布液を提供する。 - 特許庁

The chemical amplification type resist material 3 containing a base resin, a photo-acid generating agent and a cationic polyelectrolyte is applied on a substrate 1, heat-treated and developed with an aqueous alkali solution to form a positive type resist pattern 5.例文帳に追加

ベース樹脂、光酸発生剤、及びカチオン性高分子電解質を含有してなる化学増幅型レジスト材料３を基板１上に塗布し、熱処理を行った後、アルカリ水溶液により現像を行い、ポジ型のレジストパターン５を形成する。 - 特許庁

To obtain a positive type resist composition having high sensitivity and high resolving power, giving a rectangular photoresist, having good wettability with a developing solution, nearly free from development defects and ensuring a slight dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

高感度及び高解像力で、矩形形状を有するフォトレジストを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写時に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を得る。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which solves the problem of the occurrence of development defects and scum in development in micro-photofabrication using far ultraviolet light and which is capable of giving a resist pattern excellent in adhesion to a substrate.例文帳に追加

遠紫外光を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、現像の際の現像欠陥発生及びスカムの発生の問題を解消し、更には基板密着性に優れたレジストパターンを与え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which has excellent photosensitive characteristics, can be developed with an aqueous alkali solution, shrinks hardly in curing, and ensures excellent adhesion and thermal shock resistance of a formed resist pattern.例文帳に追加

優れた感光特性を有し、アルカリ水溶液で現像可能であり、硬化に伴う収縮が十分に小さく、且つ、形成されるレジストパターンが優れた密着性及び耐熱衝撃性を有するポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation, excellent in resolution, sensitivity, pattern shape, etc., causing no development defect in microfabrication and capable of producing a semiconductor device in a high yield.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも解像度、感度、パターン形状等に優れるとともに、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうるポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The waveform pattern, where a voltage component with a harmonic component contained in the induced voltage being set to positive torque is superposed onto the application voltage of the motor 4 in advance, is obtained, and the waveform patterns corresponding to various kings of motors are stored at a ROM 10a.例文帳に追加

予め誘起電圧に含まれる高調波成分を正トルクとするような電圧成分をモータ４の印加電圧に重畳した波形パターンを求め、かつ種々モータに対応した波形パターンを求めてＲＯＭ１０ａに記憶している。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition capable of forming a fine pattern of about 0.35 μm in photolithography using i-line (365 nm), excel lent in DOF characteristics in such an ultrafine region and having attained high sensitivity.例文帳に追加

ｉ線（３６５ｎｍ）を用いたホトリソグラフィ技術において、０．３５μｍ程度の微細なパターン形成が可能で、そのような超微細な領域においてＤＯＦ特性に優れ、かつ高感度化が達成されたポジ型ホトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist applicable to both a process using an antireflection film and a process not using the film, excellent in resist pattern shape, sensitivity, focal depth-width quality and post-exposure temporal stability and having no substrate dependence.例文帳に追加

反射防止膜を用いたプロセス及び用いないプロセスのいずれにも適用することができ、レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型ポジ型レジストを提供する。 - 特許庁

The exposure treatment is carried out by making a step pitch (c) times as long as the chip pattern dimension (however, (a) is a divisor of (a) and a positive integer smaller than (a)), and making one shot S exposure (c/a) times as much as the exposure necessary for the photosensitive coloring resist layer.例文帳に追加

ステップピッチをチップパターンの寸法のｃ倍（ただし、ｃはａの約数であり、かつａより小さい正の整数）とし、１ショットＳの露光量を、感光性着色レジスト層が必要とする露光量のｃ／ａとして露光処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a positive lithographic printing original plate with high sensitivity by which an image forming layer having uniform thickness along a rough pattern of a roughened supporting body and having excellent scratch resistance can be formed and spot-like residual films are decreased.例文帳に追加

粗面化支持体の凹凸に沿った厚みが均一で耐傷性に優れた画像形成層を形成することが可能であり、ひいてはポツ状残膜が低減され、かつ高感度なポジ型平版印刷版原版を製造できる方法を提供すること。 - 特許庁

In the lens array resin sheet 30, a first resin layer 36 and a second resin layer 38 are laminated to each other and a rugged pattern is formed on a boundary between both the layers 36, 38 to form a lens array which is an aggregate of unit lenses 42 having positive power on the boundary.例文帳に追加

レンズアレイ樹脂シートは、第１樹脂層３６と第２樹脂層３８とが積層され、それらの界面に凹凸パターンが形成されることで、その界面に正のパワーを有する単位レンズ４２の集合体であるレンズアレイが形成されている。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition free from problems relating to tailing in a pattern profile or line edge roughness so as to solve problems in the techniques to improve the performance of microphotofabrication using far UV rays, in particular, ArF excimer laser light.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ションの性能向上技術における課題を解決することであり、パターン形状の裾引き、ラインエッジラフネスの点で問題のないポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV excellent in density dependence of a contact hole pattern.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、コンタクトホールパターンの疎密依存性に優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition superior in characteristics required for sensitivity and resolution and inner pattern profile dimensional stability from exposure process to heating process at the time of using far ultraviolet rays, especially, short wavelength light source, such as excimer laser beams.例文帳に追加

遠紫外光、とくにエキシマレーザー光などの短波長光源の使用に対して感度、解像力、定在波の内パターンプロファイル、露光から加熱工程までの寸法安定性などの必要特性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The alkali-developable positive photosensitive relief pattern forming material comprises an alkali-soluble material (A) containing both of a cage silsesquioxane structure-containing group and a phenolic hydroxyl group in the same molecule and a dissolution inhibitor (B).例文帳に追加

同一分子内に籠型シルセスキオキサン構造含有基とフェノール性水酸基の両方の基を含有するアルカリ可溶性物質（Ａ）、及び溶解抑止剤（Ｂ）を含有することを特徴とするアルカリ現像性のポジ型感光性レリーフパターン形成材料。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition, capable of forming a resist pattern having rectangular profile with high sensitivity and high resolving power in lithography, using far-UV, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength and superior in the focus depth.例文帳に追加

遠紫外線とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するリソグラフィーにおいて、矩形プロファイルをもつレジストパターンを高感度、高解像力で実現し得る、更に焦点深度が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having high resolving power when a bracelet illumination lamp is used, having a broad defocus latitude, less liable to produce a side lobe in pattern formation using a halftone phase shift mask and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際に高解像力であり、デフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難く、且つ経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a refractive index variable composition in which the refractive index of the material is varied by an easy method and a refractive index difference can be varied in a desired positive or negative direction, and to provide a method for forming a refractive index pattern from the composition.例文帳に追加

材料の屈折率変化を簡易な方法で行うとともに、屈折率差を正または負の任意の方向に変化することができる屈折率変化性組成物および該組成物から屈折率パターンを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an excellent positive type resist composition for electron beams or X-rays having high sensitivity and high resolution and giving a resist pattern whose profile is rectangular (free from a T-top shape peculiar to a resist for irradiation with electron beams).例文帳に追加

高感度かつ高解像度で、得られるレジストパターンプロファイルが矩形（特に電子線照射用レジストに特有のＴ−ｔｏｐ形状とならない）である、優れた電子線またはＸ線用ポジ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition capable of forming a resist pattern of a good shape in which dense and isolated patterns are present in a mixed state and improving such a tendency that isolated patterns become an inverted taper shape particularly to a shift of a focal depth on the minus side.例文帳に追加

密集パターンと孤立パターンの混在した形状のよいレジストパターンが形成可能であり、とくに焦点深度のマイナス側のズレに対して孤立パターンが逆テーパ形状になり易い傾向が改善されたポジ型ホトレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which improves edge roughness of a resist pattern, does not cause deposition of insoluble matter in the preparation of a resist solution or after storage, is superior in density dependency and can suppress a sensitivity change after storage.例文帳に追加

レジストパターンのエッジラフネスが改善され、レジスト液の調製時に、あるいは経時保存後に不溶解物の析出を生じず、疎密依存性に優れ、経時保存後の感度変動を軽減できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

This nickel electrode for the alkaline storage battery includes a positive electrode containing a positive electrode active material mainly composed of nickel hydroxide, and a compound including at least one of elements among erbium(Er), thulium(Tm), ytterbium(Yb) and ruthenium(Lu), having a diffraction peak with d=88 nm, d=84 nm and d=76 nm in the X-ray diffraction pattern by Kα line of Co.例文帳に追加

正極を水酸化ニッケルを主成分とする正極活物質と、ＣｏのＫα線によるＸ線回折図において、ｄ＝８８ｎｍ、ｄ＝８４ｎｍおよびｄ＝７６ｎｍに回折ピークを有するエルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）の中少なくとも一種の元素を含む化合物を含有することを特徴とするアルカリ蓄電池用ニッケル電極とする。 - 特許庁

The method also comprises determining beforehand changes in oxygen generating potential of the positive electrode, determining and patternizing and storing in a memory a limiting current and a limiting electric quantity allowable with time on the basis of the determined oxygen generating potential, and setting the positive electrode potential to not more than the limiting current and the limiting electric quantity on the basis of the memorized pattern to charge.例文帳に追加

また、予め正極の酸素発生電位の変化を求め、得られた酸素発生電位を基に経時的に流しうる限界電流及び限界電気量を求めてパターン化してメモリーに記憶させ、記憶させたパターンに基づき前記限界電流及び限界電気量以下に正極電位を設定して充電することを特徴とする鉛蓄電池の化成方法である。 - 特許庁

In this lighting system 30, a positive electrode 303 constituted of a transparent electrode is patterned linearly, a luminous layer 311 and an alkaline earth metal layer 307 are laid all over the illumination area in top view, and a reflection electrode layer 308 and a photo-absorbing layer 309 are substantially conformed to the linear pattern of the positive electrode 303.例文帳に追加

照明装置３０は、透明電極にて構成される陽極３０３を線状にパターニングして構成し、発光層３１１及びアルカリ土類金属層３０７を照明領域全域に跨って平面視ベタ状に構成するとともに、反射電極層３０８及び光吸収層３０９を陽極３０３の線状パターンに略一致させて構成した。 - 特許庁

The light-extraction pattern area 4 includes: a first area 41 including a first positive slope section when it is represented graphically with locating a distance from the entrance surface 132 on the abscissa and locating a coverage on the ordinate; and a second area 42 including a second positive slope section whose slope is more gradual than the first slope in a manner connecting to the graph representing the first area 41.例文帳に追加

光取出しパターン領域４は、入射面１３２からの距離を横軸に、被覆率を縦軸にとってグラフに表現したときに、正の第１の傾きの区間を有する第１領域４１と、第１領域４１のグラフと接続するようにして上記第１の傾きより緩やかな正の第２の傾きの区間を有する第２領域４２とを含む。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition which is sensitive to radiation, particularly (extreme) far-ultraviolet radiation such as EUV with excellent sensitivity, and forms a chemically amplified positive resist film which enables to stably form a high-accuracy fine pattern excellent in nano edge roughness.例文帳に追加

放射線、特にＥＵＶ等の（極）遠紫外線に優れた感度で感応するとともに、ナノエッジラフネスに優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することのできる感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

The pattern forming method using the positive resist composition is also provided.例文帳に追加

(Ａ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂及び（Ｃ）特定のラクトン構造を有する低分子化合物を有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 - 特許庁

A negative type or positive type heat ray sensitive resin film layer (A), a sheet layer (B) transparent to heat rays and an energy beam sensitive film layer (C) containing a heat ray absorber are successively laminated on the surface of a substrate to obtain the objective pattern forming laminated film.例文帳に追加

基材表面にネガ型もしくはポジ型感熱線性樹脂被膜層（Ａ）、熱線を透過するシート層（Ｂ）、及び熱線吸収剤を含有する感エネルギー線被膜層（Ｃ）を順次積層してなることを特徴とするパターン形成用積層被膜。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition containing an amine imide together with an ester of polyamide acid as a photo-base generating agent which efficiently generates a strong base even with active ray of low exposure, and to provide a method for manufacturing a relief pattern and a method for manufacturing a heat-resistant coating film.例文帳に追加

低露光量の活性光線であっても強塩基を効率よく発生する光塩基発生剤としてアミンイミドを、ポリアミド酸エステルと併用した感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法および耐熱性塗膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a positive type resist is coated on a test substrate and it is brought into a focus by using a mask original plate for a test pattern to expose at a plurality of parts, development is carried out to form the test patterns composed of remaining patterns at the plurality of parts on the test substrate, respectively (step S11).例文帳に追加

テスト基板上にポジ型レジストを塗布し、テストパターン用マスク原版を用いてフォーカスを振って複数個所に露光した後、現像を行なって、テスト基板上の複数個所にそれぞれ残しパターンからなるテストパターンを形成する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

The inhaler detects positive pressure B caused by exhalation by pressure sensing means from a user's exhaling action before the user begins inhaling, namely from the stage of exhalation, and prepares the user's exhalation profile by comparing the pressure with a reference pattern stored in a storage means.例文帳に追加

利用者が吸気を開始する以前の息を吐き出す動作、すなわち呼気の段階から、呼気によって発生する正圧Ｂを圧力検知手段によって検出し、記憶手段に記憶させた標準パターンと照合して利用者の呼気プロファイルを作成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use in an ultramicro-lithographic process for manufacturing VLSI or a high capacity microchip and in another photofabrication process, and having improved PEB temperature dependency, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップ製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ＰＥＢ温度依存性が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and high-resolution positive type photosensitive resin composition which is excellent in hardening film property, and which is characterized by the fact that it causes little decrease in the film thickness or no loss of the pattern shape and that there is no scum of the photosensitive resin composition remaining in the exposure part.例文帳に追加

本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、膜減りが少なく、パターン形状の崩れがなく、更に露光部の感光性樹脂組成物の残り（スカム）がない特性を有する高感度で高解像度、かつ硬化膜物性に優れるものである。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which shows sufficient transmitting property when an exposure light source at ≤160 nm, specifically, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used and which is improved in surface roughness, development defect, scum and resolving power, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、表面ラフネス、現像欠陥、スカム、解像力が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When a contact I and a contact N are set on and other contacts are set off, the current from a constant-current source 31 will flow through the contact I, a needle 11, a circuit pattern 51, a needle 13, and the contact N, and the polarity of the needle 11 is positive, while the polarity of the needle 13 is set negative.例文帳に追加

接点Ｉおよび接点Ｎをオンとし、他の接点をオフとすれば、定電流源３１からの電流が接点Ｉ、ニードル１１、回路パターン５１、ニードル１３、接点Ｎと流れ、ニードル１１の極性はプラス、ニードル１３の極性はマイナスである。 - 特許庁

A resistance value passing through terminals collecting current in the periphery of the positive or negative electrode plate P200 on the outside is lower than a resistance value of a normal electrode surface having an electrochemical reaction active coating layer having a lattice pattern on the other surface of the electrode plate.例文帳に追加

外側の正極性又は負電極性の電極板Ｐ２００の周辺の電流を集める端子の間に通過する抵抗値は、同電極板の別面に格子紋を有する電化学反応活性塗装層のある正常電極面の抵抗値より低い。 - 特許庁

A main capacitor 28 is connected by soldering a copper foil surface forming a pattern of a printed board 24 with a negative terminal 28a and a positive terminal 28b after the terminals 28a and 28b are inserted in an aperture part formed on the board 24.例文帳に追加

メインコンデンサ２８は、プリント基板２４に形成された開口部に、マイナス端子２８ａ及びプラス端子２８ｂを差し込まれた後、プリント基板２４のパターンを形成する銅箔面と、マイナス端子２８ａ及びプラス端子２８ｂがハンダ付けされることにより接続される。 - 特許庁

The positive type photosensitive resin composition is prepared by dissolving (A) a hydroxypolyamide as a PBO precursor, (B) a photosensitive quinonediazido compound and (C) a silicon-containing surfactant having a specified structure (hydrophilic silicone oil) in a solvent and a heat resistant pattern is formed using the composition.例文帳に追加

（Ａ）ＰＢＯ前駆体であるヒドロキシポリアミド、（Ｂ）感光性キノンジアジド化合物、及び（Ｃ）特定の構造を有するシリコン系界面活性剤（親水性シリコンオイル）を溶剤に溶解し、ポジ型感光性樹脂組成物を調製し、それを用いて耐熱性パターンを作製する。 - 特許庁