「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic thin lines 12, 14 are compose of magnetic material and formed on an Si substrate having an SiO2 film.例文帳に追加

磁性細線１２，１４は、磁性材料からなり、ＳｉＯ_2膜１６付きのＳｉ基板１８上に形成されている。 - 特許庁

Alternatively, the SiO2 source and the CaO source are added into the matte obtained by smelting the copper sulfide concentrate, and the slag and the crude copper are produced.例文帳に追加

また、硫化銅精鉱を熔錬して得られるマットにＳｉＯ_2源とＣａＯ源を加え、スラグと粗銅とを生成する。 - 特許庁

Using a mask of an SiO2 film 2, a silicon substrate 1 is etched to form trenches 5 for isolating elements (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

SiO_2膜２をマスクとしてエッチングを行うことによりシリコン基板１に素子分離用のトレンチ５を形成する（図１（Ｂ））。 - 特許庁

It is preferable to regulate the value of CaO/SiO2 in the second layer 2 to ≤0.5 and also to carry out consolidation to ≥1.7 g/cm3 bulk density.例文帳に追加

第二層２のＣａＯ／ＳｉＯ_2を０．５以下とし、嵩密度を１．７ｇ／ｃｍ^3以上に圧密することが好ましい。 - 特許庁

As shown in diagram (e), a patterning film 6 made of SiO2, for example, is formed on a seed film 5 which is outside a recessed part 3.例文帳に追加

図１(e) に示すように、凹部３外のシード膜５上に、たとえばＳｉＯ_2からなるパターニング膜６を形成する。 - 特許庁

A diaphragm section 16 is formed to the center of the {100} Si substrate 12 by a dielectric layer 14a made of SiO2.例文帳に追加

｛１００｝Ｓｉ基板１２の中央には、ＳｉＯ_2 からなる誘電体層１４ａでダイヤフラム部１６が形成される。 - 特許庁

Interdigital electrodes 11, 12 are formed in contact with a ZnO thin film 13 and a SiO2 thin film 14 is placed onto the substrate 10.例文帳に追加

ＺｎＯ薄膜１３に接するようにくし型電極１１，１２を形成し、更にＳｉＯ_２薄膜１４を設けた。 - 特許庁

Then soda-lime glass, on which a SiO2 film is formed, is used as a material for the upper and/or lower substrates 13 and/or 19.例文帳に追加

そして、上側基板１３および／または下側基板１９として、ＳｉＯ_2膜が形成されたソーダライムガラスを用いる。 - 特許庁

Also in a charge retention region 1012, a silicon fine particle 1013 is diffused in the SiO2 film 1014 functioning as an insulator.例文帳に追加

また、電荷保持領域1012では、シリコン微粒子1013が、絶縁体として機能するＳｉＯ_2 膜1014中に分散されている。 - 特許庁

This titanium silicide layer 14 is formed by positively providing providing a silicon layer on the SiO2 film 10.例文帳に追加

このチタンシリサイド層１４は、ＳｉＯ_2 膜１０上にシリコン層を積極的に設けたことにより構成されるものである。 - 特許庁

A zeolite comprising X-ray pattern of xxxx, whose formula is [M2O]0-9[Al2O3]0.1-3[SiO2]100[H2O]0-35 wherein M in the formula is an alkali metal. 例文帳に追加

０～９M2O・0.1～３Al2O3・100SiO2・０～35H2Oで表される組成を有し、式中Mはアルカリ金属であり×××のＸ線パターンをもつゼオライト。 - 特許庁

The composition for polishing comprises deionized water, an additive and metal oxide particles consisting essentially of the Al2O3/SiO2 compound.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3／ＳｉＯ_2複合体を必須成分とする金属酸化物微粉末、脱イオン水及び添加剤から組成される。 - 特許庁

The light reflection material powder is preferably subjected to surface treatment by at least one type of Al2O3 and SiO2.例文帳に追加

好ましくは、この光反射材粉末はＡｌ_2 Ｏ_3 とＳｉＯ_2 の少なくとも１種で表面処理をしたものである。 - 特許庁

The SiO2, CaO and Al2O3 in the waste activated carbon mixed with the raw material to be sintered are effectively utilized as blast furnace slag.例文帳に追加

焼結原料に混合した廃活性炭中のＳｉＯ_2，ＣａＯ，Ａｌ_2Ｏ_____3は、高炉スラグとして有効利用される。 - 特許庁

A direct Si nitride film 109 is formed so as to cover the PMOS, and an interlayer insulating film of SiO2 is formed on the film 109.例文帳に追加

このＰＭＯＳを覆うように直接Ｓｉ窒化膜１０９、その上にＳｉＯ_２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Then the injection energy of the argon ion is reduced to deposit argon ion on the surface of the SiO2-GeO2 thin film 12.例文帳に追加

次にアルゴンイオンの注入エネルギを低下させ、ＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２表面にアルゴンイオンを堆積させる。 - 特許庁

With the SiO2 layer 3 formed on the GaN layer 2, a GaN layer 4 is selectively grown on the GaN layer 2.例文帳に追加

ＧａＮ層２上にＳｉＯ_2 膜３を形成した状態でＧａＮ層２上にＧａＮ層４を選択成長させる。 - 特許庁

An SiO2 insulation film 7 and a p-side electrode 8 are laminated on the cap layer 6.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層６の上には、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜７とｐ側電極８とが順に積層されている。 - 特許庁

DIELECTRIC PROTECTIVE FILM FOR ZnS-SiO2 BASED OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE DIELECTRIC PROTECTIVE FILM例文帳に追加

ＺｎＳ−ＳｉＯ２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

H or halogen element X is added to a nonlinear optical silica material comprising SiO2-GeO2 as a main component.例文帳に追加

ＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2を主成分とする非線形光学シリカ材料中に、Ｈ又はハロゲン元素Ｘが添加されている。 - 特許庁

Then an antireflection film 3 consisting of alternately deposited SiO2 layers and TiO2 layers is formed on the surface of the resin layer 2.例文帳に追加

樹脂層２の表面にＳｉＯ_２層とＴｉＯ_２層とを交互に積層した反射防止膜３を形成する。 - 特許庁

An oxide, a compound oxide, etc., for example silica, alumina or SiO2.Al2O3 can be utilized as the solid fine particles.例文帳に追加

前記固体微粒子としては、例えばシリカ、アルミナ、ＳｉＯ_２・Ａｌ_２Ｏ_３などの酸化物、複合酸化物等が利用できる。 - 特許庁

An N+ region 2, which is to be a source and drain, is formed on a P-type substrate 1, and then an SiO2 film (oxide film) 3 is formed.例文帳に追加

Ｐ型基板１にソースおよびドレインとなるＮ＋領域２を形成し、ＳｉＯ_2膜（酸化膜）３を形成する。 - 特許庁

In the dephosphorizing treatment for molten iron with the lime and oxygen and/or iron oxide, peculiarly, the total of Al2O3 concentration and SiO2 concentration contained in the slag after treating is made to 15-40% and the Al2O3 concentration is higher than the SiO2 concentration.例文帳に追加

生石灰と酸素及び／又は酸化鉄による溶銑脱燐処理において、処理後のスラグに含まれるAl_2O_3濃度とSiO_2濃度の合計を１５〜４０％とし、Al_2O_3濃度をSiO_2濃度よりも高くすること特徴とする溶銑の脱燐精錬方法。 - 特許庁

In a step (S24) of selectively removing the dummy pattern, this pattern can be selectively removed, hardly changing the shape of a neighboring material SiO2, since the material of the dummy pattern has high selectivity to the neighboring material SiO2.例文帳に追加

また、ダミーパターンを選択的に除去する工程（工程Ｓ２４）では、ダミーパターンの材料は周囲の材料、即ち、ＳｉＯ_2との選択比が高いので、ＳｉＯ_2の形状をほとんど変えることなく、ダミーパターンを選択的に除去することができる。 - 特許庁

The multilayered optical thin film has such a film structure that in a TiO2-SiO2 multilayered optical thin film formed by alternately laminating high refractive index film layers TiO2 and low refractive index film layers SiO2, at least one layer of TiO2 layers is substituted by a Ta2O5 layer.例文帳に追加

高屈折率層ＴｉＯ_2と低屈折率層ＳｉＯ_2とを交互に積層してなるＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2多層光学薄膜において、ＴｉＯ_2層の少なくともひとつの層をＴａ_2Ｏ_5で置換した膜構成を有する多層光学薄膜。 - 特許庁

A titanium oxide sol is mixed with alkyl silicate as a dispersion stabilizer and the weight ratio (SiO2/TiO2) of the amt. expressed in terms of SiO2 of silicon in the alkyl silicate to the amt. expressed in terms of TiO2 of titanium in the titanium oxide ranges from 0.7 to 10.例文帳に追加

酸化チタンゾルにアルキルシリケートを分散安定化剤として配合してなり、アルキルシリケート中のケイ素をＳｉＯ_2 に換算した量と酸化チタン中のチタンをＴｉＯ_2 に換算した量との重量比（ＳｉＯ_2 ／ＴｉＯ_2 ）が０．７〜１０の範囲とする。 - 特許庁

To provide an etching rate control monitor which controls the progress of etching of Si and SiO2 in a chemical, such as hydrofluoric acid or ammonium fluoride in which Si and SiO2 are dissolved, by a measurement method which is independent of the component concentrations in the chemical.例文帳に追加

フッ酸またはフッ化アンモニウム等のＳｉ及びＳｉＯ２を溶解しうる薬液中におけるＳｉ及びＳｉＯ２のエッチング進行状態を薬液の成分濃度に依存しない測定方法によって管理するエッチングレート管理モニターを提供する。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCTION OF SiO2-CONTAINING COMPOSITE MATERIAL, COMPOSITE MATERIAL OBTAINED BY THE PRODUCTION PROCESS AND USE OF THE COMPOSITE MATERIAL例文帳に追加

ＳｉＯ２含有複合材料の製造方法、その製造方法により得られる複合材料及び複合材料の使用 - 特許庁

A granular thin film 3, where Fe-Co alloy fine particles 32 are dispersed in an SiO2 matrix 31, is used as a magnetoresistive element.例文帳に追加

ＳｉＯ_2マトリックス３１中に、Ｆｅ−Ｃｏ合金微粒子３２が分散されたグラニュラー薄膜３を磁気抵抗素子に用いる。 - 特許庁

To provide an article of Li2O-Al2O3-SiO2 crystallized glass with small thermal expansion coefficient, and its surface is strengthened.例文帳に追加

熱膨張係数の小さいＬｉ_2Ｏ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系結晶化ガラスを表面強化した物品を提供することである。 - 特許庁

This is done by adding a polymer composite material with an appropriate filler material 32 such as SiO2, Al2O3, or AlN.例文帳に追加

これは、ＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3、又はＡｌＮ等好適なフィラー材料(32)をポリマー複合材料に添加することにより行われる。 - 特許庁

A part of impurities in an Si substrate region is shifted to an Si/SiO2 interface and arranged to be an impurity pile up.例文帳に追加

Ｓｉ基板領域の不純物の一部をＳｉ／ＳｉＯ_２界面に移動させ，これを不純物パイルアップとして構成する。 - 特許庁

The aerogel particle includes a Si compound, preferably contains particularly SiO2, and has a surface group which permanently represents hydrophobicity.例文帳に追加

エアロゲル粒子は、Ｓｉ化合物を含有し、好ましくは特にＳｉＯ２を含有し、永続的に疎水性を示す表面基を有す。 - 特許庁

An SiO2 mask 1803 having the opening part changing its width is formed on an InGaAsP waveguide layer 1801.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１８０１上に上述の開口部の幅を変化させたＳｉＯ２マスク１８０３を形成する。 - 特許庁

A current block layer 110 is formed into a current non-injection region 115 by etching using an SiO2 film as a mask.例文帳に追加

電流ブロック層１１０をエッチングして電流非注入領域１１５を形成するためのマスクとしてＳｉＯ_2膜を用いる。 - 特許庁

The ceramic coating film consists of oxides (e.g. SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO), nitrides (e.g. Si3N4, BN) or carbides (e.g. SiC).例文帳に追加

セラミックス皮膜は、酸化物(ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，ＺｎＯ等)、窒化物(Ｓｉ_３Ｎ_４，ＢＮ等）、炭化物(ＳｉＣ等）である。 - 特許庁

The spacer member is a porous ceramic material having moisture-retaining property, such as SiO2, and blended about 5-25 wt.%.例文帳に追加

スペーサ部材はＳｉＯ_２などの保湿性を有する多孔質なセラミックス材料であって、５〜２５ｗｔ％程度配合されている。 - 特許庁

To form an insulating film with a lower dielectric constant than the dielectric constants of SiO2 and SiOF used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いられているＳｉＯ_2、ＳｉＯＦよりも比誘電率の低い絶縁膜をシリコン基板に形成する。 - 特許庁

To provide a lining structure in an RH furnace using dechromium brick excellent in erosion resistance to slag having low CaO/SiO2.例文帳に追加

低ＣａＯ／ＳｉＯ_２スラグに対する耐食性にも優れた脱クロムれんがを用いたＲＨ炉のライニング構造を提供する。 - 特許庁

One element selected from Al2O3, SiO2, MgO, TiO2, CaO, CuO, and NiO may be used as a metal oxide.例文帳に追加

また、金属酸化物を、Ａｌ_2 ０_3 、Ｓｉ０_2 、Ｍｇ０、Ｔｉ０_2 、Ｃａ０、Ｃｕ０、Ｎｉ０の少なくとも一つからから選んでもよい。 - 特許庁

A holding carrier 10 or a holding carrier 6b is formed by sintering an insulative material, e.g. silicon dioxide (SiO2) powder.例文帳に追加

保持担体１０又は保持担体６ｂを絶縁性の材料、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の粉体を焼結して形成する。 - 特許庁

An SiN film 34 is formed on the silver alloy film 33, and an SiO2 film 35 is formed on the SiN film 34.例文帳に追加

この銀の合金膜３３の上にＳｉＮ膜３４が形成され、このＳｉＮ膜３４の上にＳｉＯ_2膜３５が形成される。 - 特許庁

Then, the amorphous Si film 4 and the polycrystal particles 5 are thermally oxidized to form a second SiO2 film 6.例文帳に追加

その後、非晶質Ｓｉ膜４及び多結晶Ｓｉ粒子５を熱酸化させることにより、第２のＳｉＯ_２膜６を形成する。 - 特許庁

The porous material preferably has SiO2 as a constitutional unit and the solid acidic substance has Brϕnsted acid site or Lewis acid site.例文帳に追加

好ましくは、この多孔材はＳｉＯ_2 を構成単位とし、固体酸性物質がブレンステッド酸点又はルイス酸点を有する。 - 特許庁