「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

SPV TYPE (SURFACE PHOTOVOLTAIC METHOD) NOx GAS SENSOR USING MESOPOROUS SiO2 THIN FILM例文帳に追加

メソポーラスＳｉＯ２薄膜を用いてＳＰＶ型（表面光電圧法）ＮＯｘガスセンサー - 特許庁

Pd and Pt are carried through ion-exchange to an ion-exchange site of mordenite having a SiO2/Al2O3 mole ratio of less than 300.例文帳に追加

SiO_2/Al_2O_3モル比が 300以下のモルデナイトのイオン交換サイトに、PdとPtをイオン交換担持した。 - 特許庁

The layer 9 is formed of an SiO2 film of a thickness of 2000 angstroms or thicker.例文帳に追加

酸化膜層９を２０００オングストローム以上のＳｉＯ2 の膜によって形成する。 - 特許庁

A SiO2 film pattern 3 having an opening 3a is formed on the ITO electrode 2.例文帳に追加

ＩＴＯ電極２上に、開口部３ａを有するＳｉＯ_2薄膜パターン３を形成する。 - 特許庁

Moreover, it is preferable to interpose a SiO2 film between the n+ connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

更に、ｎ^+ 接続導体とｐ^+ 接続導体との間にＳｉＯ_2 膜を挟むと良い。 - 特許庁

The SiO2 film 17 is formed, resist 18 is applied and then the resist 18 and the SiO2 film 17 other than the area separated for about 2 μm from an end on one side of the area 16a of the low defect density of the groove part are removed.例文帳に追加

SiO_2膜17を形成し、レジスト18を塗布後、上記溝部の欠陥密度の低い領域16ａの片側に端から２μｍ程度離れた領域以外のレジスト18とSiO_2膜17を除去する。 - 特許庁

This slurry material comprises residual soil, an additional material, a solidifying material and water, and the additional material includes MgO and SiO2 and the content of MgO and SiO2 is 50 wt.% or more.例文帳に追加

残土、添加材、固化材及び水から成るスラリー材であって、上記添加材がＭｇＯ及びＳｉＯ_2を含み、ＭｇＯ及びＳｉＯ_2の含有量が５０重量％以上であること。 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the second GaN semiconductor layer 300, and an (n) electrode is formed on the SiO2 film 12 and the third GaN semiconductor layer 400.例文帳に追加

第２のＧａＮ系半導体層３００上にＳｉＯ_2 膜１２が形成され、このＳｉＯ_2 膜１２上および第３のＧａＮ系半導体層４００上にｎ電極が形成される。 - 特許庁

The molecular sieve may take on either hollow sphere, hollow sphere with support inside or solid sphere depending on regulating the respective ratios Al2O3/SiO2 and TEOS/SiO2.例文帳に追加

モレキュラーシーブには、Ａｌ_2Ｏ_3／ＳｉＯ_2及びＴＥＯＳ／ＳｉＯ_2の比率を調節することによって、中空の球体、その中に支柱を有する中空の球体及び固体の球体を有する。 - 特許庁

A BiYIG membrane 207 is filmed on a (SiO2/Ta2O5)n layer 210 and while cooling a heat non-resistant substrate 203 and the (SiO2/Ta2O5)n layer 210 via a substrate holder 201, the crystallizing heat treatment of the BiYIG membrane 207 is performed by infrared rays.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 の上にBiYIG 薄膜207 を成膜し、基板ホルダ201 を介して非耐熱性基板203 及び（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 を冷却しつつ赤外線によりBiYIG 薄膜207 の結晶化熱処理を行う。 - 特許庁

A first oxide film is formed on an IC substrate 1, an SiO2 grain film having a high porosity is formed on the first oxide film, and a second oxide film and an NiO are formed on the SiO2 grain film.例文帳に追加

ＩＣ基板１上に第１酸化膜を形成し、第１酸化膜上に高穿孔率のＳｉＯ_2 粒膜を形成し、ＳｉＯ_2 粒膜上に第２酸化膜とＮｉＯ膜を形成する。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by providing an SiO2- containing layer which contains 60% or more of SiO2 and 10-40% of carbon, on at least the single surface of a base material.例文帳に追加

ガスバリアー性フィルムは、基材の少なくとも片面にＳｉＯ_2を６０％以上含有し、且つ炭素含有量が１０％以上４０％以下であるＳｉＯ_2含有層を有する。 - 特許庁

Here, a rough boundary surface 14 is formed as the surface of the Ti layer 11 which comes into contact with the SiO2 film 10 by positively making large the surface roughness of the SiO2 film 10.例文帳に追加

本発明において、Ｔｉ層１１におけるＳｉＯ_2 膜１０との接触面は、ＳｉＯ_2 膜１０の表面粗さを積極的に大きくした粗面１４の界面を伴っている。 - 特許庁

The basicity of sintered ore (CaO/SiO2) is held to 1.2 to 1.4, the content of SiO2 to 3.5 to 5.5 mass%, Al2O3 to 1.5 to 2.3 mass%, and MgO to 0.2 to 1.5 mass% each in a proper range.例文帳に追加

焼結鉱の塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ_2）を１．２〜１．４，ＳｉＯ_2を３．５〜５．５質量％、Ａｌ_2Ｏ_3を１．５〜２．３質量％、かつＭｇＯを０．２〜１．５質量％と適正な範囲に維持する。 - 特許庁

This manganese-containing sintered ore for electric furnace refining contains, by mass, 5 to 18% CaO, ≤10% Al2O3, ≤4% MgO and 4 to 12% SiO2 as slag making components, and further, the relation of (CaO+1.39 MgO)/(SiO2+Al2O3)=0.8 to 2.7 is satisfied.例文帳に追加

電気炉製錬用マンガン含有焼結鉱を、質量比で、造滓成分としてCaO：5〜18%、Al_2O_3 ：10%以下、MgO：4%以下、SiO_2：4〜12%の範囲で含有するとともに、（CaO+1.39MgO）/（SiO_2+Al_2O_3）が0.8〜2.7の関係を満足するものとする。 - 特許庁

A ultraviolet ray waveguide plate is manufactured by forming a SiO2 layer having a low refractive index which is oxidized at ≥950°C and a SiO2 layer having a high refractive index which is oxidized at ≤900°C in order on a silicon oxide substrate.例文帳に追加

酸化シリコン基板上に、950℃以上で酸化された低屈折率SiO_2層及び900℃以下で酸化された高屈折率SiO_2層をその順に形成し、紫外光導波路板を作製する。 - 特許庁

A decorative metal panel is obtained by forming a porous layer 13 containing spherical SiO2 particles 10, scaly SiO2 particles 11 and a polyester resin 12 on the surface of a resin layer 4.例文帳に追加

本発明では、樹脂層４の表面に、球状ＳｉＯ_2 粒子１０と鱗片状ＳｉＯ_2 粒子１１及びポリエステル樹脂１２とを含む多孔質層１３が形成されている。 - 特許庁

Examples of small grains of sand becoming a large stone, consisting of pebbles and stromatolite are well-known and it is often seen that homstone (SiO2) and calcareous rock consolidates broken pieces of other rocks. 例文帳に追加

小さな砂粒が大きな石になる例には、細石やストロマトライトなどが知られており、またチャート（SiO2）や石灰質岩により他の岩石破砕物を固結する例もよく見られることである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After the SiO2 film containing P is removed, the SiO2 film containing no P is formed on the surface of the P-type silicon substrate 14, then the P-type silicon substrate 14 is heated.例文帳に追加

その後、Ｐを含んでいたＳｉＯ_２膜を除去した後、Ｐ型シリコン基板14の表面にＰを含まないＳｉＯ_２膜を形成し、さらに当該Ｐ型シリコン基板14を加熱する。 - 特許庁

The nitrogen concentration in a range of 10 nm from an interface between a polycrystalline silicon film 2 and an SiO2 gate insulating film 5 is made higher than the nitrogen concentration in other parts of the SiO2 gate insulating film 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２とＳｉＯ_2 ゲート絶縁膜５の界面から１０ｎｍの範囲における窒素濃度を、ＳｉＯ_2 ゲート絶縁膜５の他の部分の窒素濃度より高くする。 - 特許庁

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

By adjusting a CaO/SiO2 wt. ratio to 0.35 to 0.55 and a (CaO+ MgO)/SiO2 wt. ratio to 0.75 to 0.95, the mold powder for continuous casting of steel containing CaO, SiO2 and MgO as major components the main crystal at its solidification after melting becomes CaMgSi2O6, and enables stabilized continuous casting operation.例文帳に追加

なお、鋼の連続鋳造用モ−ルドパウダ−を、CaＯ，SiＯ_2 及びMgＯを主成分とし、かつCaＯ／SiＯ_2 重量比が0.35〜0.55に、また (CaＯ＋MgＯ)/SiＯ_2 重量比が0.75〜0.95に調整されてなる構成とすることにより、溶融凝固時の主結晶が CaMgSi_2Ｏ_6 となって安定した連続鋳造を行えるようになる。 - 特許庁

Further, the range of CaO/SiO2 in the sintered ore is extended, a part of the sintered ore is replaced with lumpy iron ore and/or a lumpy indirect raw material, and CaO/SiO2, SiO2, Al2O3 and MgO in the sintered ore and lumpy iron ore and/or lumpy indirect raw material are held in the proper ranges.例文帳に追加

また、焼結鉱のＣａＯ／ＳｉＯ_2の範囲を拡張し、焼結鉱の一部を塊状鉄鉱石および／または塊状副原料で置き換え、焼結鉱と塊状鉄鉱石および／または塊状副原料のＣａＯ／ＳｉＯ_2，ＳｉＯ_2，Ａｌ_2Ｏ_3，ＭｇＯを適正な範囲に維持する。 - 特許庁

A laminated body of an SiO2 film and an Si-B-O film is used as the intermediate film 32.例文帳に追加

中間膜３２としては、ＳｉＯ2膜とＳｉ−Ｂ−Ｏ膜の積層体が用いられる。 - 特許庁

It is preferable that deoxidizing refining is executed under slag having a compsn. satisfying (CaO)/(SiO2): 1.2 to 2.0 and (Al2O3): ≤10 wt.%.例文帳に追加

（CaO ）／（SiO_2）：1.2 〜2.0 、（Al_2O_3 ）：10wt％以下を満足する組成のスラグの存在下で脱酸製錬するのが好ましい。 - 特許庁

Then an SiO2 film is formed on the surface of the substrate 10 as a surface protective film 26.例文帳に追加

次に、半導体基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜を表面保護膜２６として形成する。 - 特許庁

A polycrystalline Si film 3 and an SiO2 2 are removed to form a groove element isolation region 9.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜３およびＳｉＯ_2 膜２を除去し、溝素子分離領域９を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

An SiO2 film 2 is formed on the surface of a glass substrate 1, and an amorphous silicon layer 3 is formed on the film 2.例文帳に追加

下地基板の表面上に多結晶シリコンからなる第１の層を形成する。 - 特許庁

After that, an SiO2 film 4 is formed using TEOS gas and a flattening of the surface of the film 4 is performed.例文帳に追加

その後、ＴＥＯＳガスを用いてＳｉＯ_2 膜４を形成し表面平坦化を行う。 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the surface of an Si substrate 10 by performing a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜１２が熱酸化処理によって形成されている。 - 特許庁

DISPERSION CONTAINING HOLLOW SiO2, COATING COMPOSITION AND SUBSTRATE HAVING REFLECTION-PREVENTING COATING例文帳に追加

中空状ＳｉＯ２を含有する分散液、塗料組成物及び反射防止塗膜付き基材 - 特許庁

Ag2O, NaAlO2, SiO2, Al(OH)3 and halides of fission products are mixed.例文帳に追加

Ａｇ_2Ｏ、ＮａＡｌＯ_2、ＳｉＯ_2、Ａｌ(ＯＨ)_3及び核分裂生成物のハロゲン化物を混合する。 - 特許庁

Low-silica AFI zeolite having an SiO2/Al2O3 ratio of about 10 or less and high purity gmelinite zeolite are synthesized.例文帳に追加

ＳｉＯ_2／Ａｌ_2Ｏ_3比が約１０以下である低シリカＡＦＩゼオライト及び高純度グメリナイトゼオライト。 - 特許庁

The matrix comprises at least one member selected from SiO2, Al2O3, TiO2, and ZrO2.例文帳に追加

多孔質マトリックスはＳｉＯ_2 ，Ａｌ_2 Ｏ__3 ，ＴｉＯ_2 およびＺｒＯ_2 から選択される一種よりなる。 - 特許庁

As the non-vitreous low- temperature sintered ceramic, BaO-Al2O3-SiO2 mixed ceramic porcelain is used.例文帳に追加

非ガラス系低温焼結セラミックとして、ＢａＯ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2混合セラミック磁器を用いる。 - 特許庁

To provide a technology by which the uniformity of film thickness of an SiO2 film can be improved in a plasma CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法において、SiO_2膜の膜厚の緻密性を高くする技術を提供する。 - 特許庁

An edge is formed at the condensing spot 16 so that the SiO2 layer having the high refractive index becomes the tip end side.例文帳に追加

そして、集光点１６に、高屈折率SiO_2層が先端側となるようにエッジを形成する。 - 特許庁

A base 10 is composed of a substrate 16, an interlayer insulating film 18 and an SiO2 film 20.例文帳に追加

下地１０は、基板１６と、層間絶縁膜１８と、ＳｉＯ_2 膜２０とで構成されている。 - 特許庁

Accordingly, the reproducibility of the thickness of the resultant deposited SiO2 thin film can be increased as compared with that of the conventional one.例文帳に追加

従って、成膜されたSiO_2膜の薄膜の膜厚の再現性が従来に比して高くなる。 - 特許庁

The variable resistance element VR is a mixture of silicon oxide (SiO2) and a transition metal oxide.例文帳に追加

可変抵抗素子ＶＲは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と遷移金属酸化物の混合物である。 - 特許庁

The aluminum silicate powder may contain bound water, or the like, in addition to SiO2 and Al2O3.例文帳に追加

珪酸アルミニウム粉末には、ＳｉＯ_2及びＡｌ_2Ｏ_3の他に、結合水等が含有されていても良い。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING SIO2 PARTICLE AND SIC PARTICLE, AND SEPARATED/RECOVERED SIC例文帳に追加

ＳｉＯ２粒子とＳｉＣ粒子を分離する方法及び装置並びに分離回収ＳｉＣ - 特許庁

CaO-MgO-SiO2 BASED BIOACTIVE GLASS AND SINTERED CALCIUM PHOSPHATE BODY USING THE SAME例文帳に追加

ＣａＯ−ＭｇＯ−ＳｉＯ２系生体活性ガラス及びそれを用いたリン酸カルシウム焼結体 - 特許庁

SYNTHESIS OF METAL ORGANIC DEPOSITION PRECURSOR SOLUTION AND TERBIUM-DOPED SiO2 THIN FILM DEPOSITION例文帳に追加

有機金属堆積用の前駆溶液の合成およびテルビウムを添加したＳｉＯ２薄膜の堆積 - 特許庁