「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁

Properly selecting the film thickness of the ZnO thin film 13, the interdigital electrodes 11, 12, and the SiO2 thin film 14 can conduct to realize prescribed performance.例文帳に追加

これらＺｎＯ薄膜１３、くし型電極１１，１２およびＳｉＯ_２薄膜１４の膜厚を適切に選ぶことにより、所定の性能を実現する。 - 特許庁

The spacer 16 is formed by patterning a SiO2 film deposited on the sealing board 15 and formed integrally with the sealing board 15.例文帳に追加

このスペーサ１６は、封止用基板１５に堆積させたＳｉＯ_2膜をパターン形成したものであり、封止用基板１５に一体的に形成されている。 - 特許庁

The incineration ash to be used contains 40 to 55% silicon dioxide (SiO2), and 5 to 10% calcium oxide (CaO), and has a Blaine value of ≥8,000 cm2/g.例文帳に追加

使用する焼却灰は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）４０〜５５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）５〜１０％、ブレーン値８０００ｃｍ２／ｇ以上を含むものである。 - 特許庁

Furthermore, a target film 12 of gold, aluminum, copper, silicon, silicon oxide(SiO2), or silicon nitride(Si3N4) is formed on the gas generating film 11.例文帳に追加

さらに、ガス発生膜１１上に、金、アルミニウム、銅、シリコン、シリコン酸化物（ＳｉＯ_2 ）、又はシリコン窒化物（Ｓｉ_3 Ｎ_4 ）のようなターゲット膜１２が形成されている。 - 特許庁

The side-wall deposit 118a is oxidized with oxygen ion at O2-RIE in a resist film removing process S6, to become an SiO2 film.例文帳に追加

かかる側壁堆積物１１８ａは，レジスト膜除去工程Ｓ６におけるＯ_２−ＲＩＥ時に酸素イオンにより酸化されて，ＳｉＯ_２膜となる。 - 特許庁

The titania metal oxide composite particulate is composed primarily of TiO2 and contains SiO2 as a major secondary component, ZrO2 and K2O as minor secondary components.例文帳に追加

チタニア系酸化金属複合微粒子が、ＴｉＯ_2 を主体としＳｉＯ_2 を主副成分とし、更に、ＺｒＯ_2 及びＫ_2 Ｏを微量副成分とするものある - 特許庁

In this case, the SiO2 film 8 is machined so that thickness at the side of the drain electrode 6 becomes larger than that at the side of the source electrode 6 of the gate electrode 9.例文帳に追加

ここで、ＳｉＯ_2膜８はゲート電極９のソース電極６側の厚さよりドレイン電極７側の厚さが厚くなるように加工している。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIO2 SHAPED BODY WHICH HAS BEEN VITRIFIED PARTIALLY OR ENTIRELY, SUCH SHAPED BODY, AND VACUUM LASER SINTERING APPARATUS USED IN THE METHOD例文帳に追加

部分的に又は完全にガラス化されたＳｉＯ２成形体の製造方法、この種の成形体、及びこの方法のための真空レーザー焼結装置 - 特許庁

Therefore, an ink absorbing layer 12 containing spherical SiO2 particles 10, a polyvinyl acetal resin and a water-soluble acrylic resin is formed on the surface of the resin layer 4.例文帳に追加

本発明では、樹脂層4の表面に球状ＳｉＯ_2粒子10とポリビニルアセタール樹脂と水溶性アクリル樹脂とを含むインク吸収層12を形成する。 - 特許庁

SiO2 POWDER OF SINTERED COMPACT TARGET FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM FORMING, MANUFACTURING METHOD OF SINTERED COMPACT TARGET USING THE POWDER AND SINTERED COMPACT TARGET例文帳に追加

光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットのＳｉＯ２粉末及び該粉末を用いた焼結体ターゲットの製造方法、並びに焼結体ターゲット - 特許庁

The fine linear oxide films 8a and 8b are formed of fine lines of SiO2 prescribed in line diameter and provided in a channel region 5 on the surface of the board 2.例文帳に追加

各細線状酸化膜８ａ，８ｂは、チャネル領域５における基板２の表面に形成された一定線径のＳｉＯ_2の細線から成る。 - 特許庁

To enable an insulating film of SiO2 or the like to be processed into a required shape, close to infinite selectivity to an Si3N4 layer which is used as an etching stopper.例文帳に追加

エッチングストッパとして用いられているＳｉ_3 Ｎ_4 に対して、無限大に近い選択性でＳｉＯ_2 等絶縁膜を所望の形状に加工する。 - 特許庁

Then an SiO2 film 21 is formed on the cap layer 20 and the film 21 in a stripe area having a width of about 1-3 μm is removed.例文帳に追加

この上にSiO_2膜21を形成し、1〜3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜21を除去し、これをマスクとして、In_xGa_1-xP電流狭窄層19、p-In_xGa_1-xP層18をエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device to form a versatile high-K gate insulating film, where formation of an interface SiO2 is surely suppressed with no additional failure accompanied while no re- growth of SiO2 is caused even in post processes including formation of a gate insulating film.例文帳に追加

付加的に生じる不具合を何等伴なうことなく界面ＳｉＯ_2形成を確実に抑止することができるとともに、ゲート絶縁膜形成以降の後工程においてもＳｉＯ_2の再成長を起こさない、汎用性の高いＨｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The low melting point glass has ≤650°C softening point and ≤90×10-7/°C average linear expansion coefficient, contains B2O3, SiO2 and CuO and the content of B2O3, SiO2 and CuO are respectively ≥11%, ≥5% and 0.1-1% expressed by percentage.例文帳に追加

軟化点が６５０℃以下であり、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が９０×１０^-7／℃以下である低融点ガラスであって、Ｂ_2Ｏ_3、ＳｉＯ_2およびＣｕＯを含有し、質量百分率表示で、Ｂ_2Ｏ_3含有量が１１％以上、ＳｉＯ_2含有量が５％以上、ＣｕＯ含有量が０．１〜１％である低融点ガラス。 - 特許庁

A substrate for recording medium has a track pattern constituted of plural concentric circle-, spiral-or stripe-shaped recessed and projecting parts for dividing tracks thereon and the recessed and projecting parts are manufactured by applying a liquid compound including a precursor for forming a SiO2 layer thereon and converting the liquid compound into SiO2.例文帳に追加

基板上に同心円状、スパイラル状もしくは縞状に多数のトラック分割用の凹凸部から構成されるトラックパターンを有し、前記凹凸部がＳｉＯ_2層を作るための前駆体を含む液状化合物を塗布し、前記液状化合物を転化してＳｉＯ_2となすことにより作製された記録媒体用基板。 - 特許庁

The elastic wave element includes a substrate 4, electrodes 2 containing interdigital electrodes 2a formed on the substrate 4, and dielectric layers 5 formed on the electrodes 2, wherein a SiO2 film 6 is provided at least between interdigital electrodes 2a and the SiO2 film 6 between the electrodes is formed with SOG (Spin on Glass).例文帳に追加

基板４と、基板４上に形成された櫛歯電極２ａを含む電極２と、電極２上に形成された誘電体層５とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極２ａ間にＳｉＯ２膜６を備え、電極間のＳｉＯ２膜６は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer is removed from the sapphire substrate except from a region on the SiO2 film, then a P electrode 13 is formed on the top surface of the GaN semiconductor layer 18 on the SiO2 film, and the P electrode 13 is joined to an ohmic electrode 15a on the GaAs substrate 14.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜上の領域を除いてＧａＮ系半導体層をエッチングにより除去した後、ＳｉＯ_2膜上のＧａＮ系半導体層１８の上面にｐ電極１３を形成し、ＧａＮ系半導体層１８上のｐ電極１３をＧａＡｓ基板１４上のオーミック電極１５ａに接合する。 - 特許庁

A resist 67 is formed on a silicon oxide film SiO2 66 to have an opening 62 corresponding to a contact hole and an opening 64 for monitor and then the silicon oxide film SiO2 66 is subjected to dry etching through the opening 64 for monitor along with an essential pattern, i.e., the opening 62 corresponding to a contact hole.例文帳に追加

酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）６６上にコンタクトホールに対応した開口部６２と共にモニタ用開口部６４を有するようにレジスト６７を形成し、本来のパターンであるコンタクトホールに対応した開口部６２と共にモニタ用開口部６４を介して酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）６６をドライエッチングする。 - 特許庁

When an alkaline agent is added to the ash of the rubbish incinerator as an additive to produce the solidified body by making good use of hydrothermal solidification reaction, a material containing SiO2 other than the alkaline agent is added as another additive so that the incinerated ash has a specific basicity below 1.0, preferably below 0.8, as CaO/SiO2 molar ratio.例文帳に追加

廃棄物焼却灰にアルカリ剤を添加剤として加え、水熱固化反応を利用して固化体を製造するに際し、焼却灰中の塩基度、すなわちＣａＯ／ＳｉＯ__2 モル比が１．０以下、望ましくは０．８以下となるように、添加剤としてアルカリ剤以外にＳｉＯ_2 を含む物質を加える。 - 特許庁

The powder is produced by using particularly 'silica sol using water as a dispersion medium' as the SiO2 raw material, neutralizing water soluble iron salt in an aq. solution, in which the silica sol is dispersed, to uniformly mix silica with iron oxide and depositing SiO2 around the iron oxide fine particle in a film state in a heating and firing step.例文帳に追加

該粉末は、ＳｉＯ_2原料として、特に“水を分散媒とするシリカゾル”を用い、シリカゾルが分散されている水溶液中で、水溶性鉄塩を中和することによって、シリカと酸化鉄とを均一に混合させ、加熱焼成過程で、酸化鉄微粒子の周囲にＳｉＯ_2を皮膜状に析出させて製造する。 - 特許庁

To stabilize and easily progress desiliconizing reaction by restraining slag foaming at desiliconizing of molten iron, to effectively utilize CaO ans SiO2 of the main composition in desiliconized slag as a resource on an iron- making operation and further, to reduce the adding quantity of the SiO2 source as a slagging promotor for refining in the converter.例文帳に追加

溶銑の脱珪処理の際のスラグフォーミングを抑制して脱珪処理を安定すると共に脱珪反応を進行し易くし、又、脱珪スラグの主組成物である CaO及びSiO_2を製鉄上の資源として有効に活用し得、更には、転炉での精錬に際して滓化促進剤であるSiO_2源の添加量を低減し得るようにする。 - 特許庁

For a field effect transistor, a conductive oxide is used for a gate electrode 4 and one kind selected from among SiO2, silicate, the boundary reaction layer of a metal oxide or the conductive oxide and Si and the boundary reaction layer of the same and SiO2 is used for a gate insulation layer 3 on a channel, using an Si semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極４に、ＳｉＯ２、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とＳｉとの界面反応層、ＳｉＯ２との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層３に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

In the manufacturing or initialization of the device 1 for image formation, fine powder of free external additives, such as silica (SiO2) in a developer is preliminarily deposited and accumulated in an electrifying member 9.例文帳に追加

画像形成装置１の製造時または初期化動作時に、現像剤のシリカ（Ｓ_iＯ_2）等の遊離外添剤の微粉末を帯電部材９に予め付着蓄積させている。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

If necessary, a prescribed amount of an additive selected from the group consisting of SiO2, La2O3, Ce2O3, Nd2O3, Sm2O3, Dy2O3, Yb2O3, and Pr5O11 is further added to the composition.例文帳に追加

また必要に応じ、前記組成に更に規定量のＳｉＯ_2，Ｌａ_2Ｏ_3，Ｃｅ_2Ｏ_3，Ｎｄ_2Ｏ_3，Ｓｍ_2Ｏ_3，Ｄｙ_2Ｏ_3，Ｙｂ_2Ｏ_3，Ｐｒ_5Ｏ_11群の中から選ばれた添加物を添加する。 - 特許庁

The capacitor portion 8, a tight-contact layer 3, and an oxide layer 1 made of SiO2 are coated with two layers of insulating films 9, i.e. an inorganic protective film 10 and an organic protective film 11.例文帳に追加

キャパシタ部８、密着層３、及びＳｉＯ２からなる酸化物層１は、二層の絶縁膜９、すなわち無機保護膜１０及び有機保護膜１１で被覆されている。 - 特許庁

The solder material is made by mixing a glass material mainly constituted by SiO2 with Ag-Cu-Ti powders, and is heated approximately at 800°C to solder the super abrasive grain.例文帳に追加

ろう材はＡｇ−ＣｕーＴｉ粉末にＳｉＯ_2を主成分とするガラス質材料の粉末を混合したもので、８００℃程度で加熱して超砥粒をろう付けする。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a device to be used for it capable of sufficiently taking the etching selection ratio of metal of a high melting point such as MoW and SiO2.例文帳に追加

ＭｏＷのような高融点金属とＳｉ０_2とのエッチング選択比を十分にとることが可能なドライエッチング方法及びそれに用いる装置を提供する。 - 特許庁

A reflection preventing polarizing plate 24 is made by forming a reflection preventing layer 26 constructed with five layers of ZrO2 and SiO2 laminated on a surface of a polarizing plate 25a by sputtering.例文帳に追加

反射防止偏光板２４は、スパッタ法を用いて偏光板２５ａ表面にＺｒＯ_2層、ＳｉＯ_2層を５層積層し、反射防止層２６を形成して成る。 - 特許庁

A resonator (resonator length L) is configured with a concave face of the external mirror 44 and the 10 pairs of the SiO2/XrO2 distribution reflection films 37 of the area light emission type semiconductor element 39.例文帳に追加

外部ミラー44の凹面と面発光型半導体素子39の１０ペアのＳｉＯ_2／ＺｒＯ_2分布反射膜37とにより共振器（共振器長Ｌ）が構成されている。 - 特許庁

In the case a volatile organic substance is the component and the other component is water, the volatile organic substance-selective adsorbent is a high silica adsorbent with a SiO_2/Al_2O_3 ratio of 5 or higher.例文帳に追加

当該成分が揮発性有機物、その他の成分が水の場合の揮発性有機物選択型吸着剤は、SiO2/Al2O3比が５以上の高シリカ吸着剤である。 - 特許庁

The precipitation phase 10 is precipitated at the crystal grain boundary in the sintered pellet 8 and made of at least one kind selected out of Si, Al, SiO2, and Al2O3.例文帳に追加

この析出相10は焼結ペレット８内の結晶粒界に析出しており、Ｓｉ，Ａｌ，ＳｉＯ_2，Ａｌ_2Ｏ_3から選択された少なくとも一種からなっている。 - 特許庁

The diboran decomposes itself at the given temperature and decomposed boron is attached to the surface of a dielectric, for e.g., SiO2, forming a nucleation site and/or a seed layer.例文帳に追加

ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。 - 特許庁

As shown in figure (f), a patterning mask 7 consisting of SiO2 is formed on a region, facing a recessed part 3 on the surface of a metal wiring film 6 by a photolithographic technique.例文帳に追加

図１(f) に示すように、金属配線膜６の表面の凹部３と対向する領域に、フォトリソグラフィ技術によって、ＳｉＯ_2からなるパターニング用マスク７を形成する。 - 特許庁

A low melting point glass consisting of 0-11 mol% SiO2, 55-90 mol% B2O3, 5-25 mol% ZnO and 4-15 mol% R2O (R is Li, Na or K) is used for the sealing.例文帳に追加

封着に、ＳｉＯ_2：０〜１１ｍｏｌ％、Ｂ_2Ｏ_3：５５〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５〜２５ｍｏｌ％、Ｒ_2Ｏ：４〜１５ｍｏｌ％（Ｒ＝Ｌｉ、ＮａまたはＫ）からなる低融点ガラスを用いる。 - 特許庁

The substrate layer is a MgO-SiO2 film formed by a ECR sputtering method and has honey-comb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon of MgO are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width.例文帳に追加

下地層はECRスパッタ法により形成したMgO-SiO_2膜で、MgOである正六角形の結晶粒子12が、均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。 - 特許庁

A crystal phase, including SiO2 is interposed at least at a part of the jointing interface between the zirconia-based solid electrolyte plate 11 and the alumina-based insulating plate 13.例文帳に追加

上記ジルコニア系固体電解質板１１と上記アルミナ系絶縁板と１３の接合界面の少なくとも一部にはＳｉＯ_2を含む結晶相を介在させる。 - 特許庁

A reflection preventing polarizing plate 24 comprises a reflection preventing layer 26 formed by laminating five layers of ZrO2 and SiO2 layers on a surface of a polarizing plate 25a by a sputtering method.例文帳に追加

反射防止偏光板２４は、スパッタ法を用いて偏光板２５ａ表面にＺｒＯ_2層、ＳｉＯ_2層を５層積層し、反射防止層２６を形成して成る。 - 特許庁

The nonlinear optical silica thin film 22 is formed principally of SiO2-GeO2 while irradiated with '+' or '-' polarity particles and the inside of the silica thin film is polarized and aligned.例文帳に追加

＋又は−極性粒子を照射しながらＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2を主材料とする非線形光学シリカ薄膜２２を成膜しシリカ薄膜内を分極配向させる。 - 特許庁

To provide a ZnS-SiO2 target material capable of applying DC sputtering and provided with high-speed and stable sputtering properties thereby and to provide its production method.例文帳に追加

ＤＣスパッタの適用が可能であり、これにより高速で安定したスパッタ性を備えたＺｎＳ−ＳｉＯ_2 系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The agent is composed of glass which contains 40-80 mol% ZnO, 5-35 mol% SiO2, and 5-30 mol% CaO, based on the total amount of components.例文帳に追加

構成成分の合計量を基準として、ＺｎＯを４０〜８０モル％、ＳｉＯ_2を５〜３５モル％、ＣａＯを５〜３０モル％を含有するガラスからなる抗菌剤。 - 特許庁

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

In this example of implementation, a Ti layer 11 and a TiN layer 12 are formed as barrier metal on an SiO2 film 10 and a substantial aluminum layer 13 is formed thereupon.例文帳に追加

この実施形態では、ＳｉＯ_2 膜１０上にバリアメタルとしてＴｉ層１１、ＴｉＮ層１２、その上に実質的なアルミニウム層１３が形成されている。 - 特許庁