「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Sidewall spacers 26a constituted of a P/DPS film, on which P whose concentration is almost 2 wt.% is doped, is formed via an SiO2 film 24 on the sidewalls of a gate electrode 20.例文帳に追加

ゲート電極２０側壁にＳｉＯ_2 膜２４を介して濃度２ｗｔ．％程度のＰがドープされたＰ−ＤＰＳ２６膜からなるサイドウォール・スペーサ２６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a SiO2 buffer layer by which etching to produce a perpendicular cross section is possible without using dry etching, and the center electrode is not deteriorated.例文帳に追加

ドライエッチングに依らずに垂直な断面を有するエッチングを可能とすると共に、中心電極を劣化させないＳｉＯ_2 バッファ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The surface of Si substrate is irradiated with electron ray or ultraviolet ray so that an SiO2 thin film on the Si substrate is removed, and then an oxide thin film is formed.例文帳に追加

Ｓｉ基板表面に電子線照射あるいは紫外線照射をおこない、Ｓｉ基板上のＳｉＯ_2 薄膜を除去した後、酸化物薄膜を形成する。 - 特許庁

A substitute 50 is formed from a first layer 1 consisting of monocrystal silicon, a second layer 2 consisting of SiO2, and a third layer 3 consisting of monocrystal silicon, which are laminated one over another.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、単結晶シリコンから成る第３層３とを順次に積層した基板５０を準備する。 - 特許庁

An electrothermal conversion element H1103, a transistor H1121, a wiring line H1120 for connecting these element and transistor, etc., are arranged on the Si substrate H1110, with a protecting film H1124 of SiO2 or the like formed to an entire face thereof.例文帳に追加

Ｓｉ基板Ｈ１１１０上に、電気熱変換素子Ｈ１１０３と、トランジスタＨ１１２１と、これらを接続する配線Ｈ１１２０等が配設されている。 - 特許庁

The low expansion glass composition comprises 76.8-83.4 wt.% SiO2, 0.3-1.0 wt.% Al2O3, 15.5-21.0 wt.% B2O3 and 0.8-1.2 wt.%, in total, of Na2O and K2O.例文帳に追加

ＳｉＯ_2が76.8〜83.4重量％と、Ａｌ_2Ｏ_3が0.3〜1.0重量％と、Ｂ_2Ｏ_3が15.5〜21.0重量％と、Ｎａ_2ＯおよびＫ_2Ｏが合わせて0.8〜1.2重量％からなる低膨張ガラス組成物とする。 - 特許庁

In the manufacturing or initialization of the device 1 for image formation, fine powder of free external additives, such as silica (SiO2) in a developer is preliminarily deposited and accumulated in an electrifying member 9.例文帳に追加

画像形成装置１の製造時または初期化動作時に、現像剤のシリカ（Ｓ_iＯ_2）等の遊離外添剤の微粉末を帯電部材９に予め付着蓄積させている。 - 特許庁

As shown in figure (f), a patterning mask 7 consisting of SiO2 is formed on a region, facing a recessed part 3 on the surface of a metal wiring film 6 by a photolithographic technique.例文帳に追加

図１(f) に示すように、金属配線膜６の表面の凹部３と対向する領域に、フォトリソグラフィ技術によって、ＳｉＯ_2からなるパターニング用マスク７を形成する。 - 特許庁

A low melting point glass consisting of 0-11 mol% SiO2, 55-90 mol% B2O3, 5-25 mol% ZnO and 4-15 mol% R2O (R is Li, Na or K) is used for the sealing.例文帳に追加

封着に、ＳｉＯ_2：０〜１１ｍｏｌ％、Ｂ_2Ｏ_3：５５〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５〜２５ｍｏｌ％、Ｒ_2Ｏ：４〜１５ｍｏｌ％（Ｒ＝Ｌｉ、ＮａまたはＫ）からなる低融点ガラスを用いる。 - 特許庁

This sintered product has a tissue in which R2O3.nSiO2 (R is Sc and/or Y) that is the reaction product of SiO2 with a rare earth element oxide in a sintering process is dispersed in the particle boundary of MoSi2 matrix.例文帳に追加

この焼結体は、ＭｏＳｉ_2 粉末に、希土類酸化物Ｒ_2 Ｏ_3 （Ｒ＝Ｓｃ，Ｙ）の粉末を少量配合し焼結することにより製造される。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

An inorganic component layer 7 having at least one of SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2 on the surface of a rubber layer 5 is formed on a rubber roll 1 covered with the rubber layer 5 on the surface of a core bar 3.例文帳に追加

芯金３の表面をゴム層５で被覆したゴムロール１において、ゴム層５の表面に、SiO_2、Al_2O_3、TiO_2、ZrO_2のうちの少なくとも１つを有する無機成分層７を形成する。 - 特許庁

By pts.wt., 100 refractory powder essentially consisting of magnesium oxide is blended, as a binder, with ammonium silicate by 2 to 50 expressed in terms of SiO2.例文帳に追加

酸化マグネシウムを主成分とする耐火物粉末１００重量部に、バインダとしてアンモニウムシリケートをＳｉＯ_2換算で２〜５０重量部を配合した鋼材用酸化防止塗料。 - 特許庁

After removing the resist 15 and the SiO2 film 14, when heat treatment is performed at 1050°C by nitrogen and ammonia gas atmosphere, a low-defect GaN layer 16 is formed at the groove part by a mass transport phenomenon.例文帳に追加

レジスト15とSiO_2膜14を除去した後、窒素とアンモニアガス雰囲気で、1050℃で熱処理を行うと、マストランスポート現象により溝部に低欠陥なGaN層16が形成される。 - 特許庁

After forming a mask 43 covering memory cells on a side wall forming SiO2 film 25, and this film 25 is selectively plasma-etched, using a carbon-containing etching gas.例文帳に追加

メモリセル部を覆うマスク４３をサイドウォール形成用のＳｉＯ__2膜２５上に形成した後、炭素を含むエッチング・ガスを用いてＳｉＯ_2膜２５を選択的にプラズマ・エッチングする。 - 特許庁

Thereon a gas barrier 203 composed of SiO2, etc., is laminated and successively thereon an acrylic or epoxy transparent resin layer to be made into the transparent substrate (plastics substrate) 204 is laminated.例文帳に追加

その上にＳｉＯ_2などからなるガスバリア２０３を積層し、この上に透明基板（プラスチック基板）２０４となるアクリル系もしくはエポキシ系の透明樹脂層を積層する。 - 特許庁

A method of producing a thin-film transistor is provided, in which thin film transistor components of SiO2 or metal film are formed on a quartz substrate 10 by reactive ion etching technique.例文帳に追加

反応性イオンエッチング技術を用いて石英基板１０上に、ＳｉＯ_2 や金属膜からなる薄膜トランジスタ構成要素を形成する、薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

Furthermore, it is mounted on a reaction ion etching device capable of performing aeolotropic etching, and the SiO2 film 43g is etched until a surface of an Al film 42g is exposed (f).例文帳に追加

更に、異方性エッチングが可能な反応性イオンエッチング装置に装着し、ＳｉＯ_2膜４３ｇをＡｌ膜４２ｇの表面が露出するまでエッチングする(ｆ)。 - 特許庁

Au (gold) particulates as a coloring agent are dispersed in a TiO2-ZrO2-SiO2 based photocatalyst film having 75-85 wt.% TiO2 content.例文帳に追加

ＴｉＯ_2の含有量が７５〜８５重量％よりなるＴｉＯ_2−ＺｒＯ_2−ＳｉＯ_2系光触媒膜中に着色剤としてのＡｕ微粒子が分散されてなること。 - 特許庁

This stable tungsten oxide-tin oxide-silicon dioxide compound sol comprises the compound colloid particles of tungsten trioxide (WO3), tin dioxide (SnO2), and silicon dioxide (SiO2).例文帳に追加

酸化タングステン（ＷＯ_3）、酸化スズ（ＳｎＯ_2）及び二酸化珪素（ＳｉＯ_2）の複合体コロイド粒子を含有する安定な酸化タングステン−酸化スズ−二酸化珪素複合体ゾル。 - 特許庁

The construction sludge is solidified by using the solidifying agent containing calcium oxide(CaO), silicon dioxide(SiO2), sulfur trioxide(SO3) and aluminum oxide (Al2O3) as main components.例文帳に追加

主成分として酸化カルシウム（ＣａＯ）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ__2 ）と三酸化硫黄（ＳＯ_3 ）と酸化アルミニウム（Ａｌ_2 Ｏ_3 ）とを含んでなる固化剤を用いて建設汚泥を固化する。 - 特許庁

Using the SiO2 film 2 and the side walls 18 as a mask, the silicon substrate 1 is implanted with Si ions to form a gettering layer in only the bottoms of the trenches 5.例文帳に追加

SiO_2膜２およびサイドウォール１８をマスクとして、Si等の欠陥形成用イオンをシリコン基板１に注入することにより、トレンチ５の底部にのみゲッタリング層１を形成する。 - 特許庁

The carbon silicate preferably contains 20-70 mass % carbon and 80-30 mass % SiO2 Natural shungite is an example of the carbon silicate.例文帳に追加

カーボンシリケイトは、炭素含有量が２０〜７０質量％、ＳｉＯ_2含有量が８０〜３０質量％のものが好ましく、このようなものとしては、天然シュンガイトが例示される。 - 特許庁

SiN and SiO2 films 2 and 3 are deposited through CVD method on an HEMT substrate 1, where a channel layer or the like is grown successively and epitaxially on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にチャネル層等を順次エピタキシャル成長したＨＥＭＴ基板１にＣＶＤ法によりＳｉＮ膜２及びＳｉＯ_2膜３を堆積する。 - 特許庁

Since an Si rich silicon oxide film is employed, voids are extinguished, the SiO2 film is protected against cracking due to contraction during oxidation and the Si substrate is protected against eneration of defect due to expansion.例文帳に追加

Ｓiリッチなシリコン酸化膜とすることにより、ボイドを消滅させ、酸化時の収縮によるSiO_2膜のクラックや、膨張によるSi基板への欠陥発生を防止する。 - 特許庁

This blue fluorescent substance for color plasma display comprises powder of an aluminic acid-based blue fluorescent substance coated with an amorphous SiO2 coat having ≤100 nm thickness on the surface.例文帳に追加

アルミン酸系青色蛍光体の粉末表面にアモルファスＳｉＯ_2被覆膜が１００ｎｍ以下の厚さで成膜されているカラープラズマディスプレイパネル用青色蛍光体。 - 特許庁

A stripe-like recess and a protrusion having a rectangular section are formed on the side face of the part 50, and an SIO2 film 20 is formed on the recess and the protrusion.例文帳に追加

段差部５０の側面には矩形状の断面を有するストライプ状の凹部および凸部が形成され、凹部内および凸部上にＳｉＯ_2 膜２０が形成されている。 - 特許庁

To solve the conventional problem that a SiO2 film is used as a gap layer and when lapping of a recording medium facing surface is carried out and completed, the gap layer is protrude from the medium facing surface because of the lower elastic modulus of the SiO2 film and as the result the danger that a thin film magnetic head slider collides with a recording medium is increased.例文帳に追加

従来では、ギャップ層としてＳｉＯ_2膜が使用されていたが、記録媒体との対向面をラップ加工した場合、前記ＳｉＯ_2膜の弾性率が小さいために、前記ラップ加工が終了すると、前記対向面から前記ギャップ層が突き出すといった問題があり、これによって薄膜磁気ヘッドスライダが記録媒体に衝突する危険性が増す。 - 特許庁

The objective antireflection filter 100 for a display device formed on a glass substrate has at least one SiO2-containing antireflection layer 102 and a material layer 103 comprising a composition prepared by adding a compound having small interaction with SiO2 to a compound having alkoxysilane groups at the ends and also having a perfluoro-polyether group.例文帳に追加

ガラス基材上に形成する表示装置用反射防止フィルター１００において、ＳｉＯ_2 を含む少なくとも一層の反射防止層１０２と、末端にアルコキシシラン基を有しかつパーフルオロポリエーテル基を有する化合物に、ＳｉＯ_2と相互作用が小である化合物を添加して生成される組成物による材料層１０３が形成されてなる構成とする。 - 特許庁

Desirably, the added flux has a melting point of not higher than the solidus line temperature of the molten steel and has a grain diameter of not less than 350 μm and a composition containing 50-95 mass% CaO, SiO2 and Al2O3 in total, 5-30 mass% fluoride or alkali-oxide and further ≥1.5 ratio of CaO to SiO2.例文帳に追加

添加するフラックスは、その融点を溶鋼の固相線温度以下とすること、その粒径を３５０μｍ以上とすること、及び、その組成をＣａＯ、ＳｉＯ_2 、及びＡｌ_2 Ｏ_3 を合計で５０〜９５mass％含有し、弗化物又はアルカリ酸化物を５〜３０mass％含有し、更に、ＣａＯとＳｉＯ_2 との比を１．５以上とすることが好ましい。 - 特許庁

Flux containing 50-100 wt.% of CaF2 is added into a tundish during casting and adjusting a slag composition in the tundish so that CaO/SiO2, in wt ratio with respect to SiO2 wherein the total Ca in the slag is converted to CaO, amount to 1.5 or more and F content rate amounts to 2-30 wt.%.例文帳に追加

ＣａＦ_2 含有率が５０〜１００重量％であるフラックスを、鋳造中にタンディッシュ内に添加し、スラグ中の全Ｃａ分をＣａＯに換算したＣａＯのＳｉＯ_2 に対する重量％の比ＣａＯ／ＳｉＯ_2 が１．５以上、Ｆ含有率が２〜３０重量％になるように、タンディッシュ内のスラグ組成を調整する鋼の連続鋳造方法。 - 特許庁

This hydrophilic membrane formed on the surface of a bent glass and having photocatalytic function comprises Ti02 crystals dispersed in the film forming component consisting of ZrO2 and SiO2, wherein the ratio of each component is 25 to 60% of ZrO2, 15 to 50% of SiO2 and 25 to 45% of TiO2 crystal all by weight basis.例文帳に追加

曲げガラス表面に形成された光触媒作用を有する親水膜は、ＺｒＯ_2とＳｉＯ_2からなる被膜形成成分中にＴｉＯ_2結晶が分散されたものからなり、該膜の各成分の含有量の割合は重量％換算で、ＺｒＯ_2が２５〜６０％、ＳｉＯ_2が１５〜５０％、ＴｉＯ_2結晶が２５〜４５％であること。 - 特許庁

To obtain a polishing composition which has an excellent polishing performance, is suitable for flattening the surfaces of wafers for semiconductor devices, and consists mainly of Al2O3/SiO2 compound particles.例文帳に追加

優秀な研磨性能を有し、半導体デバイスウェーハ表面の平坦化加工に適した、Ａｌ_2Ｏ_3／ＳｉＯ_2複合体微粉末を主成分とした研磨用組成物を提供することである。 - 特許庁

An A1SiCu film 12 formed on a laminate of an Si substrate 4, SiO2 6, Ti film 8 and so forth is formed by setting the pressure in a sputtering chamber at 0.5 mtorr or lower.例文帳に追加

Ｓｉ基板４、ＳｉО_２６、Ｔｉ膜８等を積層した上に形成するＡｌＳｉＣｕ膜１２を、スパッタチャンバー内の圧力を０．５ｍｔｏｒｒ以下として形成することとした。 - 特許庁

It is preferable that a content x, which is converted into oxide (SiO2 conversion) of Si component contained in the ceramic conductor layer of 100 wt.% be set at 0.24≤x≤20 wt.%.例文帳に追加

セラミック導電材層１００質量％に含まれるＳｉ成分の酸化物換算（ＳｉＯ_2換算）における含有量ｘは、０．２４≦ｘ≦２０質量％とするのがよい。 - 特許庁

After forming a first Si3N4 film 21 and a second SiO2 film 22 on a base board, a Pt film 23 is formed, and heat treatment is applied so that the particle size of Pt of the Pt film 23 becomes large.例文帳に追加

基板上に第１のＳｉ_3Ｎ_4膜２１と第２のＳｉＯ_2膜２２を形成した後Ｐｔ膜２３を形成し、Ｐｔ膜２３のＰｔの粒径が大きくなるような熱処理を施す。 - 特許庁

To obtain a dense black SiO2 sintered compact having excellent corrosion resistance even when exposed on corrosive gas, etc., capable of improving energy efficiency of heat treatment and exhibiting high purity black.例文帳に追加

腐食性ガス等に晒された場合においても優れた耐食性を有し、熱処理のエネルギー効率を向上できる高純度の黒色を呈した緻密な黒色ＳｉＯ_2 焼結体を得る。 - 特許庁

A light receiving face 110 of a photo diode 2 is virtually separated into two regions, and SiO2 surface film 8 and 10 with different thickness are formed on the surface of each region.例文帳に追加

フォトダイオード２の受光面１１０は、２つの領域に仮想的に分割され、各領域の表面にはそれぞれ異なる厚さのＳｉＯ_2による表面膜８、１０が形成されている。 - 特許庁

The heavy metal elution reduced material is manufactured under a reduction atmosphere of 1,000°C or more and contains chemical components, i.e., CaO, Al2O3, SiO2 and R2O (alkali metal oxide) as main components and a reductive substance.例文帳に追加

1000℃以上の還元雰囲気下で製造され、化学成分としてCaO、Al_2O_3、SiO_2及びR_2O（アルカリ金属酸化物）を主成分とし、かつ、還元性物質を含有する重金属溶出低減材。 - 特許庁

After an Ir film 7 is formed on the SiO2 film 6 forming the recess part 6a, a lower electrode 8 is formed in the recess part 6a by etching back the Ir film 7 by a CMP method.例文帳に追加

上記凹部６aが形成されたＳiＯ_2膜６上にＩr膜７を形成した後、Ｉr膜７をＣＭＰ法によってエッチバックすることにより凹部６a内に下部電極８を形成する。 - 特許庁

Where, A is the total weight of the chromic acid weight expressed in terms of CrO3, B is the total weight of the silica sol, alumina sol, titania sol or organic resin expressed in terms of SiO2, Al2O3, TiO2 or CH2.例文帳に追加

0.99≧B/(A+B) ≧0.4 …(1) 但し、A:クロム酸重量をＣｒＯ_3 換算とした総重量、B:シリカゾル、アルミナゾル、チタニアゾル、有機樹脂の重量をＳｉＯ_2、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＴｉＯ_2 、ＣＨ_2 換算とした総重量。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Li2O-Al2O3-SiO2 low expansion crystallized glass which does not cause cracks or the like on the surface of the crystallized glass even when the glass is subjected to crystallization heat treatment.例文帳に追加

結晶化熱処理しても結晶化ガラス表面にクラック等を起こさないＬｉ__2Ｏ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系低膨張結晶化ガラスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

After depositing a pad oxide film 4, an Si3N4 film 5 and an SiO2 film 6 on the surfaced of an SOI substrate on the side of a silicon substrate 3, a trench 7 reaching an insulating film 2 is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるシリコン基板３側の表面にパッド酸化膜４、Ｓｉ_3Ｎ_4膜５、ＳｉＯ_2膜６を堆積した後、絶縁膜２にまで達するトレンチ７を形成する。 - 特許庁

An Al pad 11 is formed on an insulating film (not shown) in the upper layer of an integrated circuit formed on an Si substrate 10 and a protective film 12 of SiO2 is formed on the periphery thereof.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０における集積回路上層の絶縁膜（図示せず）上にＡｌパッド１１、その周囲部に例えばＳｉＯ_2 膜でなる保護膜１２が形成されている。 - 特許庁

In a heat resistant resin layer, ceramic particles containing a metal oxide of Al2O3, ZrO2, SiO2, TiO2, MnO2 or the like as a main body of 30 mass % or less is added as needed.例文帳に追加

当該耐熱樹脂層には必要に応じてＡｌ_2Ｏ_3，ＺｒＯ_2，ＳｉＯ_2，ＴｉＯ_2，ＭｎＯ_2等の金属酸化物を主体としたセラミックス粒子が30質量％以下添加される。 - 特許庁