「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal particle layer 2 as a conductive film of high refractivity, and a silica layer (SiO2) 3 as a transparent film of lower refractivity than the metal particle layer 2 are laminated on a glass plate 1 of a face panel of the cathode ray tube.例文帳に追加

陰極線管のフェースパネルのガラスプレート１上に高屈折率の導電膜である金属微粒子層２、及び金属微粒子層２より低い屈折率の透明膜としてシリカ膜（ＳｉO_2）３が積層されている。 - 特許庁

A solvent 5 (oil, fluorine type inert liquid) solubilizing a substance to be detoxified (SiHCl3) by the gas-liquid contact with exhaust gas 4 (SiHCl3, HCl, H2) and not forming a harmless solid substance (SiO2) is prepared.例文帳に追加

排ガス４（ＳiＨＣｌ3、ＨＣｌ、Ｈ2）との気液接触により被除害物質（ＳiＨＣｌ3）を可溶するとともに無害の固体物質４２（ＳiＯ2）を生成しない溶媒５（油、フッ素系不活性液体）が用意される。 - 特許庁

An interlayer dielectric 29 is formed after a plate electrode 28 is formed, and a CMP operation is carried out, using the plate electrode 28 on an SiO2 film 34 formed in a peripheral circuit region 56 as a stopper to make the surface flat.例文帳に追加

プレート電極２８の形成後に層間絶縁膜２９を形成し、周辺回路領域５６に形成されたＳｉＯ_２膜３４上のプレート電極２８をストッパーにＣＭＰを行い、平坦化している。 - 特許庁

Further, the bonding surface of the glass substrates 1, 2 and the inner surface of the flow channel groove 6 are covered with SiO2 films 4, 5 formed by a sputtering method and a fluoric acid aqueous solution is interposed between the glass substrates 1, 2 to bond the substrates.例文帳に追加

さらに、ガラス基板１、２の接合面および流路溝６内面をスパッタ法により成膜したＳｉＯ_２膜４、５で覆い、フッ酸水溶液を界面に介在させてガラス基板１、２を接合する。 - 特許庁

A component adjusting material is added before or during incineration of a combustible waste, and hereby contents of CaO, SiO2, Al2O3, and Fe2O3 in an incineration residue are controlled to fall within ±2% by weight of a target value.例文帳に追加

可燃性廃棄物の焼却前あるいは焼却中に成分調整材を加え、焼却残さ中のＣａＯ、ＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3およびＦｅ_2Ｏ_3含有量を目標値±２重量％以内に制御する方法。 - 特許庁

Concretely, Al is deposited in a direction making an inclination (deposition angle) of 85° (5° with the spacer film 5 surface, shown by the arrow in the drawing) with the normal n to the SiO2 spacer film 5 surface.例文帳に追加

具体的には，ＳｉＯ_２スペーサ膜５の表面の法線方向ｎに対して８５°（蒸着角度）の傾きを成す方向（スペーサ膜５の表面から５°の傾きを成す方向，図中の矢印の方向）からＡｌを蒸着する。 - 特許庁

To provide a semiconductor base that has a high-quality epitaxial film where dislocation density is reduced using a mask material such as SiO2 that is used for conventional selective growth, and a growth method.例文帳に追加

従来の選択成長に用いられるＳｉＯ_2などのマスク材料を用いること無しに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供すること。 - 特許庁

An electrolyte consisting of a solvent containing at least one of ethylene carbonate and propylene carbonate and LiN(C2F5SO2)2 dissolved therein is combined with a positive electrode which is capable of storing and releasing lithium ion and a negative electrode consisting of an amorphous oxide such as MgO-SiO2.例文帳に追加

リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極、MｇO-SiO_2などの非晶質酸化物からなる負極、およびエチレンカーボネートとプロピレンカーボネートの少なくとも一方を含む溶媒にLiN(C_2F_5SO_2)_2を溶解した電解液を組み合わせる。 - 特許庁

In the optical waveguide having a core waveguide 2 to propagate light on a substrate 1, a synthetic quartz glass substrate consisting of pure SiO2 and containing substantially no hydroxyl group is used for the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に光を伝播するためのコア導波路２が形成された光導波路において、基板１として、純粋ＳｉＯ_2 からなり水酸基を実質的に含まない合成石英ガラス基板を用いる。 - 特許庁

Preferably, the Ti-MWW layered precursor is one giving an X-ray diffraction pattern having values below and having a composition represented by general formula: xTiO_2-(1-x)SiO_2 (wherein x is a numerical value of 0.0001-0.1).例文帳に追加

該Ｔｉ-ＭＷＷ層状前駆体としては、下記に示す値のＸ線回折パターンを有し、かつ一般式ｘTiO2・(1−x)SiO2（式中ｘは0.0001〜0.1の数値を表す。）で表される組成を有するものであることが好ましい。 - 特許庁

A powder of tale formed of SiO2 and MgO can be used as the inorganic powder, and binders such as water glass are not mixed so that the inorganic powder may have no exothermic peak at 700°C or less in differential thermal analysis.例文帳に追加

無機粉末としては、ＳｉＯ_２とＭｇＯからなる滑石粉末を用いることが出来るが、示差熱分析で７００℃以下において発熱ピークを有さない材料となるように、水ガラスなどのバインダを混入させない。 - 特許庁

(2) The refractory oxide except MgO as the main components in the ultra fine grain mentioned in the above (1), is one or more kinds among MnO, SiO2, Na2O, K2O, Fe2O3, Al2O3, TiO2, CaO, Y2O3 and ZrO3.例文帳に追加

（２）上記（１）に記載の超微粒子の主成分であるＭｇＯを除く耐火性の酸化物がＭｎＯ、ＳｉＯ_2 、Ｎａ_2 Ｏ、Ｋ_2 Ｏ、Ｆｅ_2 Ｏ_3 、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＴｉＯ_2 、ＣａＯ、Ｙ_2 Ｏ_3 、ＺｒＯ_2 の内の１種以上である。 - 特許庁

A film of a photocatalytic substance having a Ti-O-N of Ti-O-S structure is formed on a substrate 11, and then, a water-storing substance composed of SiO2, or the like, is mixed with the film to form a composite layer 12.例文帳に追加

基板１１上に、Ｔｉ−Ｏ−ＮまたはＴｉ−Ｏ−Ｓ構造の光触媒物質の膜を形成し、その後ＳｉＯ_2等からなる蓄水物質を混合することで、複合層１２を形成する。 - 特許庁

This heat absorbing film is provided on a conductive reflecting film formed on a phosphor surface 11 on an inner surface of a panel 10 of this color cathode ray tube 1, and contains heat absorbing material and SiO2.例文帳に追加

カラー陰極線管１においてそのパネル１０の内面の蛍光面１１上に形成された導電反射膜の上に設けられる熱吸収膜であり、熱吸収材料とＳｉＯ_2 とを有している。 - 特許庁

The material is made of ceramics containing all or a part of Al2O3, MgO, Fe2O3 or SiO2 and having a sedative action, and the ceramics contain carbon so as to be made powdery to adhere on the skin of the human body.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3、ＭｇＯ、Ｆｅ_2Ｏ_3、ＳｉＯ_2、のうち全部若しくは一部を含み鎮静作用を有するセラミックスであり、該セラミックスに炭素が含有されて、人体の皮膚に粉体にして付着させる粉状遠赤外線放射体。 - 特許庁

A laminated structure of an insulating film 1 consists of, or consisting Al2O3, SiO2, AlN, or Si3N4 as essential components, and high- resistance films 2, 3, 4 and 5 like semiconductor is adopted as a lower gap film or as an upper gap film.例文帳に追加

下部ギャップ膜あるいは上部ギャップ膜として、Ａｌ_2Ｏ_3，ＳｉＯ_2，ＡｌＮ，Ｓｉ_3Ｎ_4あるいはこれらを主成分とする絶縁膜１と、半導体のような高抵抗膜２，３，４，５との積層構造を採用する。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate 1011, a fine particle diffusion region 1012, an SiO2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n-type polycrystalline silicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided in the order of lower part.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2 膜1015、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。 - 特許庁

This infrared heater is so structured that a thin-film SiO2-ZrO2 coating layer is formed on the surface of an armoring body 1 formed of a quartz glass pipe transparent for an infrared ray by using a solution obtained by a sol-gel method.例文帳に追加

ゾルーゲル法により得られた溶液を用いて赤外線に対して透明な石英ガラスパイプからなる外装体１の表面に薄膜のＳｉＯ２−ＺｒＯ２のコーティング層９を形成する構成とした。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

A processing gas including C4F8, CO, and Ar is introduced into the processing chamber 102 of an etching device 300 and then plasma is produced to etch a SiO2 film layer formed on a wafer W on a bottom electrode 106.例文帳に追加

エッチング装置３００の処理室１０２内にＣ_4Ｆ_8とＣＯとＡｒから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し，下部電極１０６上のウェハＷに形成されたＳｉＯ_2膜層２０２をエッチングする。 - 特許庁

A Zn-Al-Fe alloy plating or a Zn-Al-Mg-Fe alloy plating is formed on the surface of a steel sheet containing 0.4-2.0 wt.% Si which is the oxidized state (SiO2) in the inner sheet.例文帳に追加

ＳｉＯ_2の内部酸化状態にしたＳｉ含有量が０．４〜２．０重量％の鋼板の表面に、Ｚｎ−Ａｌ−Ｆｅ合金めっき、又は、Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｆｅ合金めっきを形成する。 - 特許庁

This base 1 for greening comprises a porous body 3 of a ceramic obtained by baking and foaming a raw material comprising SiO2, Al2O3 and CaO as principal ingredients at 700 to 1,200°C to form open cells.例文帳に追加

ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３及びＣａＯを主成分とする原料を、７００〜１２００℃の温度で焼成して発泡させることにより、連続気孔を形成してなるセラミック多孔体３よりなる緑化用基盤１。 - 特許庁

The SiO2-GeO2 thin film 12 is formed on a glass substrate 10 and thermal poling to impress an electric field E is executed while impressing heat with a heat source 16 to orient GeE', by which the nonlinear optical characteristic is developed.例文帳に追加

ガラス基板１０上にＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２を形成し、熱源１６で熱を印加しながら電界Ｅを印加する熱ポーリングを行い、ＧｅＥ’を配向させて非線形光学特性を発現させる。 - 特許庁

The electrophotographic dry toner is obtained by preparing an electrophotographic toner based on toner particles containing at least a bonding resin and a colorant and sticking alumina-silica multiple oxide (Al2O3- SiO2) to the toner particles.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂と、着色剤とを含有するトナー粒子を主成分とする電子写真用トナーに於いて、前記トナー粒子にアルミナとシリカとの複合酸化物（Al_２O_３-SiO_２) を付着してなる電子写真用乾式トナー． - 特許庁

In the method for decomposing the chlorinated organic compound by bringing gas containing the chlorinated organic compound into contact with a catalyst, a catalyst obtained by supporting an active component on an SiO2-MoO3-TiO2 ternary compound oxide carrier is used.例文帳に追加

塩素化有機化合物含有ガスを触媒と接触させる塩素化有機化合物の分解方法であって、ＳｉＯ_2−ＭｏＯ_3−ＴｉＯ_2３元系複合酸化物担体に活性成分が担持された触媒を使用する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HOMOGENEOUS SiO2 MOLDING CLOSELY TO FINAL DIMENSION AND FINAL CONTOUR, AND OPEN POROUS MOLDING AND SILICATE GLASS MOLDING OBTAINED BY THE METHOD, AND USE OF SILICATE GLASS MOLDING例文帳に追加

均質なＳｉＯ２成形体を最終寸法及び最終輪郭に近づけて製造する方法、該方法により得ることができる開放多孔性成形体、珪酸塩ガラス成形体及び該珪酸塩ガラス成形体の使用 - 特許庁

A ferroelectric body capacitor 1 is composed of an Si substrate 100, an SiO2 layer 200, an IrO2 layer 10, a Ti layer 20, a Pt layer 30, a PZT(lead zirconate titanate) layer 35, and an IrO2 layer 40.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１は，Ｓｉ基板１００，ＳｉＯ_２層２００，ＩｒＯ_２層１０，Ｔｉ層２０，Ｐｔ層３０，ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）層３５，およびＩｒＯ_２層４０から成るものである。 - 特許庁

This rayon-based fiber is characterized by comprising one or more kinds of metal oxides selected from alumina (Al2O3), silica (SiO2), magnesia (MgO), calcium oxide (CaO) and titanium dioxide (TiO2) and platinum (Pt).例文帳に追加

アルミナ（Ａｌ_2 Ｏ_3 ）、シリカ（ＳｉＯ_2 ）、マグネシア（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ_2 ）のうちから選択された一種以上の金属酸化物と、プラチナ（Ｐｔ）が含有されてなることを特徴とするレーヨン系繊維とする。 - 特許庁

An organic silane solution containing organic silane, water, and alcohol is used, and the organic silane is subjected to acid or alkali hydrolytic treatment and thermally treated in the presence of a surface-active agent, through which a porous SiO2 film is obtained.例文帳に追加

有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用い、該有機シランを酸加水分解またはアルカリ加水分解に付し、界面活性剤の存在下で加熱処理することにより多孔質ＳｉＯ_2膜を得る。 - 特許庁

In this case, a large amount of P2O5 and a small amount of Na2O is doped to the core, and the covalent bond of SiO2 is disconnected so that a large amount of erbium can be doped to the core without generating clustering.例文帳に追加

本発明によれば、多量のＰ_2Ｏ_5及び少量のＮａ_2Ｏをコアに添加してＳｉＯ_2の共有結合を切ることによって、クラスタリングをもたらすことなく、多量のエルビウムをコアに添加することができる。 - 特許庁

Therefore, only the stacked film of a polycrystalline silicon film 24b/SiO2 film 26 remains at the sidewall of the stacked film on the surface side of this edge region, and a part of the polycrystalline silicon film 28 will not be left thereon.例文帳に追加

このため、エッジ領域の表面側の積層膜の側壁部に多結晶シリコン膜２４ｂ／ＳｉＯ_2 膜２６ｂの積層膜のみが残存し、その上に多結晶シリコン膜２８の一部が残存することはない。 - 特許庁

A continuous casting for steel is performed with a mold powder whose viscosity is more than 0.8 Pa.S in 1573K, basicity expressed by CaO/SiO2 (by weight) is 0.3-1.5 and crystallized temperature is more than 1273K.例文帳に追加

１５７３Ｋにおける粘度が０．８Ｐａ・Ｓ以上であり、ＣａＯ／ＳｉＯ_２（重量比）で表される塩基度が０．３〜１．５であり、結晶化温度が１２７３Ｋ以上であるモールドパウダーを用いて鋼の連続鋳造を行う。 - 特許庁

The outside of the face panel 5 of a CRT is provided with an antireflective layer 16 consisting of a lower conductive layer 14 composed of conductive fine particles 17 and an upper layer composed of SiO2 as the main ingredient.例文帳に追加

本発明の陰極線管においては、フェ−スパネル５の外表面に、導電性微粒子１７からなる導電層１４を含めた２層以上の積層による反射防止膜１６が設けられている。 - 特許庁

An Al-Cu alloy wiring is formed by a method where a Ti/TiN laminated film 34, an Al-Cu alloy layer 36 and a TiN/Ti laminated film 38 are deposited on an interlayer insulating film 32, such as an SiO2 film, to form a wiring layer 40.例文帳に追加

本方法では、ＳｉＯ_2 膜等の層間絶縁膜３２上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜３４、Ａｌ−Ｃｕ合金層３６、及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜３８を堆積して、配線層４０を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a Ti film 15 formed on a SiO2 film 13, a TiN film 16 formed on the Ti film 15, an Al pad portion 17 formed on the TiN film 16, a passivation film 21 formed on the Al pad portion 17 and the SiO2 film 13, and a pad opening which is formed in the passivation film 21 and is positioned above the Al pad portion 17.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳｉＯ_2膜１３上に形成されたＴｉ膜１５と、前記Ｔｉ膜１５上に形成されたＴｉＮ膜１６と、前記ＴｉＮ膜１６上に形成されたＡｌパッド部１７と、前記Ａｌパッド部１７及び前記ＳｉＯ_2膜１３の上に形成されたパッシベーション膜２１と、前記パッシベーション膜２１に形成された、前記Ａｌパッド部１７上に位置するパッド開口部と、を具備するものである。 - 特許庁

A subhost (Al2O3, P2O5, Y2O3 and B2O3), which is an oxide of element having the ionic valance different from that of quadrivalent cation constituting host glass (SiO2), is added to both of the first core region 11 and the second core region 12.例文帳に追加

第１コア領域１１および第２コア領域１２の双方には、ホストガラス（ＳｉＯ_2）を構成する陽イオンの価数４と異なる価数を有する元素の酸化物であるサブホスト（Ａｌ_2Ｏ_3，Ｐ_2Ｏ_5，Ｙ_2Ｏ_3，Ｂ_2Ｏ_3）が添加されている。 - 特許庁

The low-temperature sinterable potassium-zinc-silicate glass contains 60.0-72.0 wt.% SiO2, 1.0-5.0 wt.% Li2O, 10.0-23.0 wt.% K2O and 8.5-20.0 wt.% ZnO.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 ６０．０〜７２．０重量％、Ｌｉ_2Ｏ １．０〜５．０重量％、Ｋ_2Ｏ １０．０〜２３．０重量％およびＺｎＯ ８．５〜２０．０重量％を含む、低温焼結カリウム−亜鉛−ケイ酸ガラスならびにこのガラスを含む歯科材料。 - 特許庁

This kitchen sink is characterized by that a hydrophilic film comprising a glazed layer is formed on the surface of a stainless steel base material, and the glazed layer contains 25 to 40 wt.% of SiO2 and 1 to 30 wt.% of pigment.例文帳に追加

ステンレス基材表面に、釉薬層からなる親水性被膜が形成されており、前記釉薬層には、ＳｉＯ２が２５〜４０重量％、顔料が１〜３０重量％含有されていることを特徴とするキッチンシンク。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3, a contact part 2, an counter- silicon diffused conductive layer 4, and a lower electrode layer 5 of Ru film are formed on a silicon substrate 1, and a hard mask layer 7 of SiO2, that is subjected to patterning, is formed on it using a photoresist 8.例文帳に追加

シリコン基板１上に、層間絶縁膜３、コンタクト部２、対シリコン拡散導電層４、Ｒｕ膜の下部電極層５を形成し、この上に、フォトレジスト８を用いてパターンニングしたＳｉＯ_2 のハードマスク層７を形成する。 - 特許庁

In an element isolating process for forming a plurality of isolated element regions, a semiconductor layer (SOI layer) is removed by etching from the element isolating region, using the stacked films of a nitride film (Si3N4) and an oxide film (SiO2) as an element isolating mask.例文帳に追加

複数の素子領域を分離形成する素子分離工程において、窒化膜（Ｓｉ_3Ｎ_4）と酸化膜（ＳｉＯ_2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The objective resin composition is prepared by compounding at least 25 to 150 pts.wt. inorganic compound which mainly comprises SiO2 and has a Fe content of ≤100 ppm with 100 pts.wt. resin component comprising a polycarbonate and/or a polyester.例文帳に追加

ポリカーボネートおよび／またはポリエステルからなる樹脂成分１００重量部に対して、ＳｉＯ_2 を主成分とするＦｅ含有率が１００ｐｐｍ以下の無機化合物２５〜１５０重量部を少なくとも配合してなる樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, capable of preventing the polycrystallization of grown single crystal by controlling the formation of SiO2 prior to starting of crystal growth and to obtain a seed crystal used therefore.例文帳に追加

結晶成長開始以前におけるＳｉＯ_2 の生成を抑制することにより、成長結晶の多結晶化を防止した化合物半導体単結晶の製造方法およびこれに使用される種結晶を提供する。 - 特許庁

The molded heat insulating material 3 is one being made in cylindrical form, using a spherical heat insulating material 7 made of material such as Al2O3-SiO2 or the like, and it is of such heat insulating structure that spherical heat insulating materials 7 are stacked in lattice form.例文帳に追加

成型断熱材３は、Ａｌ_2Ｏ_3—ＳｉＯ_2系などの材料で形成された球状の断熱材７を用いて円筒形に成型したものであり、球状の断熱材７を格子状に積層した断熱構造となっている。 - 特許庁

A one-transistor semiconductor memory can be obtained wherein the ferroelectric film like a PZT film is crystallized on an SiO2 insulating film like a gate oxide film or silicon by using the flash lamp, in the state that interface reaction is restrained.例文帳に追加

またフラッシュランプを用いてゲート酸化膜などのＳｉＯ_2 絶縁膜あるいはシリコン上に界面反応を抑制した状態でＰＺＴ膜などの強誘電体膜を結晶化した１トランジスタタイプの半導体メモリが得られる。 - 特許庁

A powdery mixture of TiO2 and SiO2 as metallic oxides is dissolved into a solvent and is applied on the surface of stainless steel 1 as the member to be welded with a brush or the like, the same is dried, and after that, prescribed welding operation is performed.例文帳に追加

金属酸化物であるＴｉＯ_2 及びＳｉＯ_2 の混合粉末を溶剤に溶かしてブラシ等で被溶接部材であるステンレス鋼１の表面に塗布し、これが乾燥した後、所定の溶接作業をするようにした。 - 特許庁