「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

In the apparatus for using the hot-dip metal coating treatment, a composite coated layer applying a sealing treatment with Cr oxide on a composite ceramics composed of SiO2-Cr2O3-Al2O3, is formed on the surrounding surface of this base material.例文帳に追加

溶融金属めっき処理に用いる機器であって、その基材の周面に、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３からなる複合セラミックスにＣｒ酸化物による封孔処理を施した複合被覆層を形成する。 - 特許庁

Then on a patterned SiO2 film 63 at 970°C, an I layer 64 comprising I-type GaN of film-thickness 1.0 μm is formed by supplying H2 2.5 liter/minute, NH3 at 1.5 liter/minute, TMG at 100 cc/minute, and DEZ at 500 cc/minute.例文帳に追加

その後、パターン形成されたＳｉ０_2 膜６３の上に、温度を 970℃とし、Ｈ_2 を 2.5liter ／分、ＮＨ_3 を 1.5liter ／分、ＴＭＧを 100cc／分、ＤＥＺを 500cc／分で供給して、Ｉ型のＧａＮから成るＩ層６４を膜厚 1.0μｍに形成した。 - 特許庁

A component adjusting material is added before or during incineration of a combustible waste, and hereby contents of CaO, SiO2, Al2O3, and Fe2O3 in an incineration residue are controlled to fall within ±2% by weight of a target value.例文帳に追加

可燃性廃棄物の焼却前あるいは焼却中に成分調整材を加え、焼却残さ中のＣａＯ、ＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3およびＦｅ_2Ｏ_3含有量を目標値±２重量％以内に制御する方法。 - 特許庁

Concretely, Al is deposited in a direction making an inclination (deposition angle) of 85° (5° with the spacer film 5 surface, shown by the arrow in the drawing) with the normal n to the SiO2 spacer film 5 surface.例文帳に追加

具体的には，ＳｉＯ_２スペーサ膜５の表面の法線方向ｎに対して８５°（蒸着角度）の傾きを成す方向（スペーサ膜５の表面から５°の傾きを成す方向，図中の矢印の方向）からＡｌを蒸着する。 - 特許庁

To provide a semiconductor base that has a high-quality epitaxial film where dislocation density is reduced using a mask material such as SiO2 that is used for conventional selective growth, and a growth method.例文帳に追加

従来の選択成長に用いられるＳｉＯ_2などのマスク材料を用いること無しに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供すること。 - 特許庁

An electrolyte consisting of a solvent containing at least one of ethylene carbonate and propylene carbonate and LiN(C2F5SO2)2 dissolved therein is combined with a positive electrode which is capable of storing and releasing lithium ion and a negative electrode consisting of an amorphous oxide such as MgO-SiO2.例文帳に追加

リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極、MｇO-SiO_2などの非晶質酸化物からなる負極、およびエチレンカーボネートとプロピレンカーボネートの少なくとも一方を含む溶媒にLiN(C_2F_5SO_2)_2を溶解した電解液を組み合わせる。 - 特許庁

The mixing ratio of two kinds of the oxide is 0.25 to 4 in the value of the W oxide/t Ti oxide and further Cr2O3, ZrO2, SiO2, MoO3, Fe2O3, Fe3O4, etc., are added thereto at need.例文帳に追加

この２種の酸化物の混合比は、Ｗ酸化物／Ｔｉ酸化物の値が０．２５乃至４であり、更に、必要に応じて、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、ＭｏＯ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３及びＦｅ_３Ｏ_４等を添加する。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate 1011, a fine particle diffusion region 1012, an SiO2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n-type polycrystalline silicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided in the order of lower part.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板1011上には、微粒子分散領域1012、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2 膜1015、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極1016が下から順に設けられている。 - 特許庁

This infrared heater is so structured that a thin-film SiO2-ZrO2 coating layer is formed on the surface of an armoring body 1 formed of a quartz glass pipe transparent for an infrared ray by using a solution obtained by a sol-gel method.例文帳に追加

ゾルーゲル法により得られた溶液を用いて赤外線に対して透明な石英ガラスパイプからなる外装体１の表面に薄膜のＳｉＯ２−ＺｒＯ２のコーティング層９を形成する構成とした。 - 特許庁

In the optical waveguide having a core waveguide 2 to propagate light on a substrate 1, a synthetic quartz glass substrate consisting of pure SiO2 and containing substantially no hydroxyl group is used for the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に光を伝播するためのコア導波路２が形成された光導波路において、基板１として、純粋ＳｉＯ_2 からなり水酸基を実質的に含まない合成石英ガラス基板を用いる。 - 特許庁

The electrophotographic dry toner is obtained by preparing an electrophotographic toner based on toner particles containing at least a bonding resin and a colorant and sticking alumina-silica multiple oxide (Al2O3- SiO2) to the toner particles.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂と、着色剤とを含有するトナー粒子を主成分とする電子写真用トナーに於いて、前記トナー粒子にアルミナとシリカとの複合酸化物（Al_２O_３-SiO_２) を付着してなる電子写真用乾式トナー． - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

The SiO2-GeO2 thin film 12 is formed on a glass substrate 10 and thermal poling to impress an electric field E is executed while impressing heat with a heat source 16 to orient GeE', by which the nonlinear optical characteristic is developed.例文帳に追加

ガラス基板１０上にＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２を形成し、熱源１６で熱を印加しながら電界Ｅを印加する熱ポーリングを行い、ＧｅＥ’を配向させて非線形光学特性を発現させる。 - 特許庁

A Zn-Al-Fe alloy plating or a Zn-Al-Mg-Fe alloy plating is formed on the surface of a steel sheet containing 0.4-2.0 wt.% Si which is the oxidized state (SiO2) in the inner sheet.例文帳に追加

ＳｉＯ_2の内部酸化状態にしたＳｉ含有量が０．４〜２．０重量％の鋼板の表面に、Ｚｎ−Ａｌ−Ｆｅ合金めっき、又は、Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｆｅ合金めっきを形成する。 - 特許庁

This base 1 for greening comprises a porous body 3 of a ceramic obtained by baking and foaming a raw material comprising SiO2, Al2O3 and CaO as principal ingredients at 700 to 1,200°C to form open cells.例文帳に追加

ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３及びＣａＯを主成分とする原料を、７００〜１２００℃の温度で焼成して発泡させることにより、連続気孔を形成してなるセラミック多孔体３よりなる緑化用基盤１。 - 特許庁

A processing gas including C4F8, CO, and Ar is introduced into the processing chamber 102 of an etching device 300 and then plasma is produced to etch a SiO2 film layer formed on a wafer W on a bottom electrode 106.例文帳に追加

エッチング装置３００の処理室１０２内にＣ_4Ｆ_8とＣＯとＡｒから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し，下部電極１０６上のウェハＷに形成されたＳｉＯ_2膜層２０２をエッチングする。 - 特許庁

To obtain a low SiO2 sintered ore, with which the low Si operation is stably enabled for long time in a blast furnace, desirably so as to stably keep the Si concn. in molten iron to ≤0.3 wt.%.例文帳に追加

高炉において長期間安定した低Ｓｉ操業、好ましくは溶銑中Ｓｉ濃度が安定して０．３重量％以下に維持されるような低Ｓｉ操業を可能ならしめる低ＳｉＯ_2焼結鉱を得る。 - 特許庁

In the operation method of a blast furnace by pulverized coal blowing, pulverized coals in which, as the componential composition of ash, the average value of (CaO+MgO)/SiO2 is >0.3 is used, and the pulverized coals are blown from a tuyere.例文帳に追加

微粉炭吹き込み高炉操業法において、灰分の成分組成として（ＣａＯ＋ＭｇＯ）／ＳｉＯ_2 の平均値が０．３を超えるような微粉炭を用い、該微粉炭を羽口から吹込むことを特徴とする微粉炭吹き込み高炉操業法。 - 特許庁

(2) The refractory oxide except MgO as the main components in the ultra fine grain mentioned in the above (1), is one or more kinds among MnO, SiO2, Na2O, K2O, Fe2O3, Al2O3, TiO2, CaO, Y2O3 and ZrO3.例文帳に追加

（２）上記（１）に記載の超微粒子の主成分であるＭｇＯを除く耐火性の酸化物がＭｎＯ、ＳｉＯ_2 、Ｎａ_2 Ｏ、Ｋ_2 Ｏ、Ｆｅ_2 Ｏ_3 、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＴｉＯ_2 、ＣａＯ、Ｙ_2 Ｏ_3 、ＺｒＯ_2 の内の１種以上である。 - 特許庁

A powder of tale formed of SiO2 and MgO can be used as the inorganic powder, and binders such as water glass are not mixed so that the inorganic powder may have no exothermic peak at 700°C or less in differential thermal analysis.例文帳に追加

無機粉末としては、ＳｉＯ_２とＭｇＯからなる滑石粉末を用いることが出来るが、示差熱分析で７００℃以下において発熱ピークを有さない材料となるように、水ガラスなどのバインダを混入させない。 - 特許庁

Preferably, the Ti-MWW layered precursor is one giving an X-ray diffraction pattern having values below and having a composition represented by general formula: xTiO_2-(1-x)SiO_2 (wherein x is a numerical value of 0.0001-0.1).例文帳に追加

該Ｔｉ-ＭＷＷ層状前駆体としては、下記に示す値のＸ線回折パターンを有し、かつ一般式ｘTiO2・(1−x)SiO2（式中ｘは0.0001〜0.1の数値を表す。）で表される組成を有するものであることが好ましい。 - 特許庁

A film of a photocatalytic substance having a Ti-O-N of Ti-O-S structure is formed on a substrate 11, and then, a water-storing substance composed of SiO2, or the like, is mixed with the film to form a composite layer 12.例文帳に追加

基板１１上に、Ｔｉ−Ｏ−ＮまたはＴｉ−Ｏ−Ｓ構造の光触媒物質の膜を形成し、その後ＳｉＯ_2等からなる蓄水物質を混合することで、複合層１２を形成する。 - 特許庁

This heat absorbing film is provided on a conductive reflecting film formed on a phosphor surface 11 on an inner surface of a panel 10 of this color cathode ray tube 1, and contains heat absorbing material and SiO2.例文帳に追加

カラー陰極線管１においてそのパネル１０の内面の蛍光面１１上に形成された導電反射膜の上に設けられる熱吸収膜であり、熱吸収材料とＳｉＯ_2 とを有している。 - 特許庁

Further, the bonding surface of the glass substrates 1, 2 and the inner surface of the flow channel groove 6 are covered with SiO2 films 4, 5 formed by a sputtering method and a fluoric acid aqueous solution is interposed between the glass substrates 1, 2 to bond the substrates.例文帳に追加

さらに、ガラス基板１、２の接合面および流路溝６内面をスパッタ法により成膜したＳｉＯ_２膜４、５で覆い、フッ酸水溶液を界面に介在させてガラス基板１、２を接合する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HOMOGENEOUS SiO2 MOLDING CLOSELY TO FINAL DIMENSION AND FINAL CONTOUR, AND OPEN POROUS MOLDING AND SILICATE GLASS MOLDING OBTAINED BY THE METHOD, AND USE OF SILICATE GLASS MOLDING例文帳に追加

均質なＳｉＯ２成形体を最終寸法及び最終輪郭に近づけて製造する方法、該方法により得ることができる開放多孔性成形体、珪酸塩ガラス成形体及び該珪酸塩ガラス成形体の使用 - 特許庁

In the method for decomposing the chlorinated organic compound by bringing gas containing the chlorinated organic compound into contact with a catalyst, a catalyst obtained by supporting an active component on an SiO2-MoO3-TiO2 ternary compound oxide carrier is used.例文帳に追加

塩素化有機化合物含有ガスを触媒と接触させる塩素化有機化合物の分解方法であって、ＳｉＯ_2−ＭｏＯ_3−ＴｉＯ_2３元系複合酸化物担体に活性成分が担持された触媒を使用する。 - 特許庁

A ferroelectric body capacitor 1 is composed of an Si substrate 100, an SiO2 layer 200, an IrO2 layer 10, a Ti layer 20, a Pt layer 30, a PZT(lead zirconate titanate) layer 35, and an IrO2 layer 40.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１は，Ｓｉ基板１００，ＳｉＯ_２層２００，ＩｒＯ_２層１０，Ｔｉ層２０，Ｐｔ層３０，ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）層３５，およびＩｒＯ_２層４０から成るものである。 - 特許庁

This rayon-based fiber is characterized by comprising one or more kinds of metal oxides selected from alumina (Al2O3), silica (SiO2), magnesia (MgO), calcium oxide (CaO) and titanium dioxide (TiO2) and platinum (Pt).例文帳に追加

アルミナ（Ａｌ_2 Ｏ_3 ）、シリカ（ＳｉＯ_2 ）、マグネシア（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ_2 ）のうちから選択された一種以上の金属酸化物と、プラチナ（Ｐｔ）が含有されてなることを特徴とするレーヨン系繊維とする。 - 特許庁

An organic silane solution containing organic silane, water, and alcohol is used, and the organic silane is subjected to acid or alkali hydrolytic treatment and thermally treated in the presence of a surface-active agent, through which a porous SiO2 film is obtained.例文帳に追加

有機シランと、水と、アルコールとを含む有機シラン液を用い、該有機シランを酸加水分解またはアルカリ加水分解に付し、界面活性剤の存在下で加熱処理することにより多孔質ＳｉＯ_2膜を得る。 - 特許庁

In this case, a large amount of P2O5 and a small amount of Na2O is doped to the core, and the covalent bond of SiO2 is disconnected so that a large amount of erbium can be doped to the core without generating clustering.例文帳に追加

本発明によれば、多量のＰ_2Ｏ_5及び少量のＮａ_2Ｏをコアに添加してＳｉＯ_2の共有結合を切ることによって、クラスタリングをもたらすことなく、多量のエルビウムをコアに添加することができる。 - 特許庁

Therefore, only the stacked film of a polycrystalline silicon film 24b/SiO2 film 26 remains at the sidewall of the stacked film on the surface side of this edge region, and a part of the polycrystalline silicon film 28 will not be left thereon.例文帳に追加

このため、エッジ領域の表面側の積層膜の側壁部に多結晶シリコン膜２４ｂ／ＳｉＯ_2 膜２６ｂの積層膜のみが残存し、その上に多結晶シリコン膜２８の一部が残存することはない。 - 特許庁

A continuous casting for steel is performed with a mold powder whose viscosity is more than 0.8 Pa.S in 1573K, basicity expressed by CaO/SiO2 (by weight) is 0.3-1.5 and crystallized temperature is more than 1273K.例文帳に追加

１５７３Ｋにおける粘度が０．８Ｐａ・Ｓ以上であり、ＣａＯ／ＳｉＯ_２（重量比）で表される塩基度が０．３〜１．５であり、結晶化温度が１２７３Ｋ以上であるモールドパウダーを用いて鋼の連続鋳造を行う。 - 特許庁

The outside of the face panel 5 of a CRT is provided with an antireflective layer 16 consisting of a lower conductive layer 14 composed of conductive fine particles 17 and an upper layer composed of SiO2 as the main ingredient.例文帳に追加

本発明の陰極線管においては、フェ−スパネル５の外表面に、導電性微粒子１７からなる導電層１４を含めた２層以上の積層による反射防止膜１６が設けられている。 - 特許庁

An Al-Cu alloy wiring is formed by a method where a Ti/TiN laminated film 34, an Al-Cu alloy layer 36 and a TiN/Ti laminated film 38 are deposited on an interlayer insulating film 32, such as an SiO2 film, to form a wiring layer 40.例文帳に追加

本方法では、ＳｉＯ_2 膜等の層間絶縁膜３２上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜３４、Ａｌ−Ｃｕ合金層３６、及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜３８を堆積して、配線層４０を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a Ti film 15 formed on a SiO2 film 13, a TiN film 16 formed on the Ti film 15, an Al pad portion 17 formed on the TiN film 16, a passivation film 21 formed on the Al pad portion 17 and the SiO2 film 13, and a pad opening which is formed in the passivation film 21 and is positioned above the Al pad portion 17.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳｉＯ_2膜１３上に形成されたＴｉ膜１５と、前記Ｔｉ膜１５上に形成されたＴｉＮ膜１６と、前記ＴｉＮ膜１６上に形成されたＡｌパッド部１７と、前記Ａｌパッド部１７及び前記ＳｉＯ_2膜１３の上に形成されたパッシベーション膜２１と、前記パッシベーション膜２１に形成された、前記Ａｌパッド部１７上に位置するパッド開口部と、を具備するものである。 - 特許庁

The molded heat insulating material 3 is one being made in cylindrical form, using a spherical heat insulating material 7 made of material such as Al2O3-SiO2 or the like, and it is of such heat insulating structure that spherical heat insulating materials 7 are stacked in lattice form.例文帳に追加

成型断熱材３は、Ａｌ_2Ｏ_3—ＳｉＯ_2系などの材料で形成された球状の断熱材７を用いて円筒形に成型したものであり、球状の断熱材７を格子状に積層した断熱構造となっている。 - 特許庁

A one-transistor semiconductor memory can be obtained wherein the ferroelectric film like a PZT film is crystallized on an SiO2 insulating film like a gate oxide film or silicon by using the flash lamp, in the state that interface reaction is restrained.例文帳に追加

またフラッシュランプを用いてゲート酸化膜などのＳｉＯ_2 絶縁膜あるいはシリコン上に界面反応を抑制した状態でＰＺＴ膜などの強誘電体膜を結晶化した１トランジスタタイプの半導体メモリが得られる。 - 特許庁

Heat generated by the irradiation with a laser beam is restrained from being conducted by the SiO2 film 2, so that the temperature of the tempered glass board 1 hardly reaches around the melting point of glass, and the tempered glass board 1 is capable of retaining the effect of a tempered treatment and kept high enough the strength.例文帳に追加

レーザ光の照射時に発生した熱の伝わりがＳｉＯ_2 膜２にて抑制され、強化ガラス板１はガラス溶融点に近い温度にまで達せず、強化処理の効果を持続して、十分な強度を維持する。 - 特許庁

Toner T is constituted so that the inclination (grain size of external additive/grain size of base grain) θ of an approximate straight line αobtained by approximating the distribution of grain size of an external additive (SiO2) to the grain size of base grain (C) by minimum square method is 0.4 or less.例文帳に追加

母粒子（Ｃ）の粒径に対する外添剤（ＳｉＯ_2）の粒径の分布を最小２乗法で近似した近似直線αの傾き（外添剤の粒径／母粒子の粒径）θが０.４以上であるように、トナーＴが構成されている。 - 特許庁

The funnel for a cathode ray tube is obtained by chemically strengthening glass containing, by wt.%, 45 to 60% SiO2, 0.1 to 15% Al2O3, 5 to 20% Na2O and 15 to 30% PbO.例文帳に追加

本発明の陰極線管用ファンネルは、重量％で、４５％〜６０％のＳｉＯ_2、０．１％〜１５％のＡｌ_2Ｏ_3、５％〜２０％のＮａ_2Ｏ、１５％〜３０％のＰｂＯを含有するガラスを化学強化して得られたものである。 - 特許庁

In particular, as the material to make into the main body, a glass material essentially consisting of SiO2 is used, and as the additive, fluorine is used, by which the gradient material in which the etching rate by an aqueous solution of hydrofluoric acid is changed in the depth direction can be obtained.例文帳に追加

とくに、主体となる材料を、ＳｉＯ２を主成分とするガラス材料とし、添加物をフッ素とすることにより、フッ酸水溶液によるエッチング速度が深さ方向に変化した傾斜材料を得ることができる。 - 特許庁

This core is formed of a ceramics of the average gain size of 1 to 5 μm including Al2O3 of 90 to 98 wt.%, SiO2 of 0.5 to 8 wt.%, MgO of 0.5 to 5 wt.% and CaO of 0.5 to 5 wt.% and its initial permeability (μi) is 1.2 or less.例文帳に追加

Ａｌ_2 Ｏ_3 ９０〜９８重量％、ＳｉＯ_2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径を１〜５μｍとしたセラミックスでインダクター用コアを形成する。 - 特許庁

This glass for the stem and exhaust tube pipe of the HID lamp is characterized as comprising a lead-free glass having an SiO2-B2O3-Al2O3-RO-R '2O-based composition and ≤0.6 mass ratio of Na2O/(Na2O+K2O) and having ≥108.7 Ω.cm volume resistivity.例文帳に追加

ＳｉＯ_2−Ｂ_2Ｏ_3−Ａｌ_2Ｏ_3−ＲＯ−Ｒ’_2Ｏ系の組成を有し、かつＮａ_2Ｏ／（Ｎａ_2Ｏ＋Ｋ_2Ｏ）が質量比で０．６以下の無鉛ガラスからなり、２５０℃における体積抵抗率が１０^8.7Ω・ｃｍ以上であること特徴とする。 - 特許庁

A powdery mixture of TiO2 and SiO2 as metallic oxides is dissolved into a solvent and is applied on the surface of stainless steel 1 as the member to be welded with a brush or the like, the same is dried, and after that, prescribed welding operation is performed.例文帳に追加

金属酸化物であるＴｉＯ_2 及びＳｉＯ_2 の混合粉末を溶剤に溶かしてブラシ等で被溶接部材であるステンレス鋼１の表面に塗布し、これが乾燥した後、所定の溶接作業をするようにした。 - 特許庁

Slaked lime [Ca(OH)2] is charged as an additive to an ash hopper 3 for incineration ash 2 in an amount to get a basicity (CaO/SiO2) of 1 and the incineration ash 2 is burnt in an ash melting furnace 1 to form a molten slag.例文帳に追加

焼却灰２が供給される灰ホッパ３に、添加剤として塩基度を（ＣａＯ／ＳｉＯ_2）１となるように消石灰（Ｃａ（ＯＨ）_2）を投入した後、灰溶融炉１で焼却灰２を燃焼して溶融スラグ化する。 - 特許庁