「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

This oxide ceramic has a composition comprising 40≤SiO2≤50, 33≤Al2O3≤43, 0≤TiO2≤6.5, and 6≤Li2O≤16, and a thermal expansion coefficient of -2 to -13×106/°C, and especially contains an eucryptite crystal as an essential component.例文帳に追加

重量％で、４０≦ＳｉＯ_2 ≦５０で、３３≦Ａｌ_2Ｏ_3≦４３で、０≦ＴｉＯ２ ≦６．５で、 ６≦Ｌｉ２Ｏ ≦１６の組成を有し、室温から１０００℃における熱膨張係数が−２〜−１３×１０^-6／℃である酸化物セラミックスからなり、特にユークリプタイト結晶を必須成分として含有するようにセラミックスを構成する。 - 特許庁

The optical multilayer film filter used in optical communications with a light in the near infrared region is manufactured by using niobium pentoxide (Nb2O5) as a high refractive index substance and silicon dioxide (SiO2) as a low refractive index substance and by alternately laminating the high refractive index substance layer and the low refractive index substance layer.例文帳に追加

近赤外領域の光による光通信に用いられる光学多層膜フィルタが、高屈折率物質として五酸化ニオブ（Ｎb_2Ｏ_5）が用いられ、低屈折率物質として二酸化ケイ素（ＳiＯ_2）が用いら、高屈折率物質層と低屈折率物質層とを交互に積層して作られる。 - 特許庁

A Cr reflection film 8 is formed on the top surface of a substrate 3, and further a TiO2 film 10 consisting of a photocatalytic substrate (a photocatalytic layer containing a photocatalytic substrate) is formed thereon, and still further a porous SiO2 film 12 (a hydrophilic layer containing a hydrophilic substance) is formed on the surface.例文帳に追加

基板３の表面側にＣｒ反射膜８、さらにその表面に光触媒性物質からなるＴｉＯ_２膜１０（光触媒性物質を含む光触媒層）、さらにその表面に多孔質ＳｉＯ_２膜１２（親水性物質を含む親水性層）が設けられている。 - 特許庁

Preferably Li2O is 2-45 mol%, RO (R is at least one kind selected from a group constituted of Ba, Sr, Ca, and Mg) is 5-40 mol%, (Ti, Si)O2 is 30-70 mol% (SiO2 is 15 mol% or more) as the composition of the sintering supporting agent.例文帳に追加

好ましくは、焼結助剤の組成は、Ｌｉ_2 Ｏが２〜４５モル％、ＲＯ（ただし、Ｒは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、およびＭｇからなる群から選ばれた少なくとも１種）が５〜４０モル％、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ_2 が３０〜７０モル％（ただし、ＳｉＯ_2 は１５モル％以上）とされる。 - 特許庁

The protective film 32 has an SiN film of 20 nm thick for generating a compressive stress as a first protective film 32a and an SiO2 film of 20 nm thick for generating a tensile stress as a second protective film 32b in the form of a two-layer laminate structure.例文帳に追加

保護膜３２は、第１の保護膜３２ａとして成膜され、圧縮応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜と、第２の保護膜３２ｂとして成膜され、引っ張り応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜との２層の積層構造として形成されている。 - 特許庁

For the method for manufacturing a silicon nitride-based power, the raw material contains oxygen in the range of ≥0.02 wt.%, <2 wt.% in SiO2 conversion and has a specific surface area of ≥0.5 m2/g, is characteristically heated above 1,400 degree C in the non-acidic atmosphere of nitrogen or nitrogen/hydrogen.例文帳に追加

ＳｉＯ_２換算として0.02ｗｔ％以上、２ｗｔ％未満の酸素を含み、比表面積が0.5m^２/g以上である窒化ケイ素質粉末原料を窒素あるいは窒素/水素の非酸性雰囲気下にて、温度1400℃以上で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末の製造方法。 - 特許庁

This glass for the substrate of an information recording medium contains, by mol, 25-45% SiO2, 25-45% TiO2, 20-35% RO, 0-10% Al2O3 and 0-8% ZrO2 (Al2O3+ZrO2≤15%).例文帳に追加

モル％で、ＳiＯ2を２５〜４５％、ＴiＯ2を２５〜４５％、ＲＯを２０〜３５％、Ａl2Ｏ3を０〜１０％、ＺrＯ2を０〜８％含み、かつ、Ａl2Ｏ3とＺｒＯ2の合計が１５％以下であることを特徴とする情報記録媒体の基板用ガラス、及び、このガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板。 - 特許庁

Furtherore, depositing a SiO2 protection layer 17 containing at least any of Li2O, MgO, Al2O3 on the layer 14 can almost nullify the TCF of the entire element so as to realize a communication device such as a high frequency filter and an oscillator with a small insertion loss and excellent temperature stability.例文帳に追加

さらにその上にＬｉ_2Ｏ、ＭｇＯ、Ａｌ_2Ｏ_3の少なくとも一つを含むＳｉＯ_2保護層１７を堆積することにより、素子全体のＴＣＦを零に近づけることができ、挿入損失が小さく温度安定性に優れた高周波発振器などの通信デバイスを実現することができる。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 26.5 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２６．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 43.5 wt.%≤SiO2≤48 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 20 wt.%≤MgO≤22 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４３．５ｗｔ％以上で且つ ４８ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２０ｗｔ％以上で且つ ２２ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

A mixture consisting of alloy powder of a composition of Si of 1 to 10 wt.% with the remnant of Fe, a compound for producing an SiO2 and MgCO3 or MgO powder is compression molded to heat-treat the compression molded mixture, whereby a glass layer for securing an insulation between magnetic particles is formed.例文帳に追加

１〜１０重量％Ｓｉ、残部Ｆｅなる組成の合金粉末と、ＳｉＯ_２を生成する化合物と、ＭｇＣＯ_３またはＭｇＯの粉末からなる混和物を圧縮成形して、熱処理することにより、磁性粒子間に絶縁を確保するためガラス層を形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

By using SiO2 targets 8-1 to 8-4 containing Ge of a same compsn. for the formation of the core region 3 and clad region 2, 4, the Ge contents of the core region 3 and of the clad region 2, 4 can be controlled to match with each other with high accuracy.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４の形成に用いるＧｅを含有するＳｉＯ_2 ターゲット８−１〜８−４として同一組成のものを用いれば容易にコア領域３とクラッド領域２、４におけるＧｅの含有量を高精度で一致させることができる。 - 特許庁

In this light amplifying glass, 0.01-10 wt.% of Er is added to the matrix glass which includes Bi2O3, CeO2 and at least one of B2O3 and SiO2 as essentials and in which their contents are respectively 0-74.89 mol%, 0-79.99 mol%, 20-80 mol%, and 0.01-10 mol%.例文帳に追加

Ｂ_2Ｏ_3とＳｉＯ_2の内の少なくともいずれか１種とＢｉ_2Ｏ_3とＣｅＯ_2とを必須とし、それらの含有量がそれぞれモル％で、０〜７４．８９、０〜７９．９９、２０〜８０、０．０１〜１０であるマトリクスガラスに、０．０１〜１０重量％のＥｒを添加した光増幅ガラス。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤47.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤12 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４７．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤48.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤17 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４８．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １７ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

To MnZn ferrite consisting principally of 50 to 56 mol% Fe2O3, 3 to 25 mol% ZnO, and MnO as the remainder, 0.02 to 0.1 wt.% CaO, 0.002 to 0.05 wt.% SiO2, 0.005 to 0.1 wt.% ZrO2, and 0.005 to 0.05 wt.% NaO are added as accessory ingredients.例文帳に追加

主成分としてＦｅ_2 Ｏ_3 ５０〜５６モル％、ＺｎＯ３〜２５モル％、残部がＭｎＯからなるＭｎＺｎフェライトに、副成分としてＣａＯ０．０２〜０．１重量％、ＳｉＯ_2 ０．００２〜０．０５重量％、ＺｒＯ_2 ０．００５〜０．１重量％、Ｎａ０．００５〜０．０５重量％を添加する。 - 特許庁

This glass composition has the composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤48.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 21.5 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４８．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２１．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass has the following composition ranges for the main components; 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 23-25.5 wt.% MgO and 5-12 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２３ｗｔ％以上で且つ ２５．５ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤49.5 wt.%, 20.5 wt.%≤Al2O3≤23.5 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥40.5 and ≤43.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤19.5 wt.% of Al2XO3, ≥10 and ≤30 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４３．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １９．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

This glass composition contains SiO2 in an amount of 35-44.5 wt.%, Al2O3 in an amount of 16.5-19.5 wt.%, MgO in an amount of 10-30 wt.%, and TiO2 in an amount of 5-20 wt.% as main components.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が１６．５ｗｔ％以上で且つ １９．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

The contents in slag in a ladle before the vacuum treatment are adjusted to 0.6-2.0 CaO/Al2O3 ratio of CaO content to Al2O3 content and 2-10 wt.% the total of FeO and MnO contents, ≤12 wt.% SiO2 content and 5-10 wt.% Mg content.例文帳に追加

真空処理前の取鍋内のスラグ中のＣａＯ含有率とＡｌ_2 Ｏ_3 含有率の比ＣａＯ／Ａｌ_2 Ｏ_3 を０．６〜２．０、ＦｅＯおよびＭｎＯの含有率を合計で２〜１０重量％、ＳｉＯ_2 含有率を１２重量％以下、ＭｇＯ含有率を５〜１０重量％に調整する。 - 特許庁

An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.例文帳に追加

直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁

This glass is obtained by designing its composition so as to essentially comprise 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 18.5-30 wt.% MgO and 9.5-12 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１８．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が９．５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has the composition ranges of main components being 40.5 wt.%≤SiO2≤44 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 7 wt.%≤TiO2≤10 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４４ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が７ｗｔ％以上で且つ １０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This cemented chip board consists of cement, wood chips and vermiculite having a 0.5-5.0 mm average particle size, a 32-40% SiO2 content and a 9-16 wt.% ignition loss, wherein the vermiculite content in the resulting cemented chip board is 0.5-10 wt.% on the basis of the weight of the board.例文帳に追加

セメント、木片および平均粒径０．５〜５．０ｍｍ、ＳｉＯ_2 含有率３２〜４０％、強熱減量９〜１６重量％であるバーミキュライトからなる木片セメント板であって、前記バーミキュライトの含有量が得られた木片セメント板の０．５〜１０重量％であることを特徴とする。 - 特許庁

This glass composition characterized in that the composition ranges of main components are 35.5 wt.%≤SiO2≤46.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 16 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５．５ｗｔ％以上で且つ ４６．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が１６ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 40.5 wt.%≤SiO2≤44.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 16.5 wt.%≤MgO≤19 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１６．５ｗｔ％以上で且つ １９ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 13 wt.%≤Al2O3≤15.5 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が１３ｗｔ％以上で且つ １５．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main component being 40.5 wt.%≤SiO2≤44.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 13.5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が１３．５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This method for decomposing the inflammable waste material by bringing the inflammable waste material into contact with the powder fluidized medium, comprises performing the thermal decomposition by using a zeolite having 3.0-100 molar ratio of silica to alumina (SiO2/Al2O3) and 400-800 m2/l specific surface area as at least a part of it.例文帳に追加

可燃性廃棄物を加熱された粉体流動媒体と接触させて熱分解させるに際し、粉体流動媒体の少なくとも一部にシリカとアルミナとのモル比SiO_2/Al_2O_3が３．０〜１００で比表面積が４００〜８００ｍ^2／ｌであるゼオライトを用いて熱分解させる。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 42.5 wt.%≤SiO2≤44.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 9.5 wt.%≤TiO2≤12 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４２．５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が９．５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This block material preferably includes fine particles o the granulated slag and/or a silica-including substance of ≥40 mass % of SiO2 content and the total proportion of the slag particles and/or the silica-including substance is set to ≥80 mass % in the whole binder materials.例文帳に追加

この水中沈設用ブロックは、好ましくは結合材として高炉水砕スラグ微粉末及び／又はＳｉＯ_２を４０mass％以上含有するシリカ含有物質を含み、全結合材中に占める前記高炉水砕スラグ微粉末及び／又は前記シリカ含有物質の合計の割合を８０mass％以上とする。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

This method for producing the high-purity carbonate is characterized in that the carbonate is brought into contact with a synthetic zeolite which comprises 40-51 wt.% of SiO2, 26-38 wt.% of Al2O3 and 18-24 wt.% of Na2O and has ≤5 wt.% binder component (binder).例文帳に追加

ＳｉＯ_2が４０〜５１重量％、Ａｌ_2Ｏ_3が２６〜３８重量％、Ｎａ_2Ｏが１８〜２４重量％からなり、バインダー成分（結合剤）を５重量％以下含有する合成ゼオライトとカーボネートとを接触させることを特徴とする高純度カーボネートの製造方法に関する。 - 特許庁

This glass has the following composition ranges for the main components; 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 20-22 wt.% MgO and 5-12 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２０ｗｔ％以上で且つ ２２ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

The laser trimmable capacitor is formed by laminating a lower electrode 3, an organic resin-made dielectric layer 5 and an upper electrode 6 on a base board 1, and an SiO2 contact layer A is formed between the dielectric layer 5 and the upper electrode 6.例文帳に追加

ベース基板１上に、下側電極３、誘電体層５、上側電極６を順次積層してなるとともに、誘電体層５が有機樹脂からなるレーザートリマブルコンデンサであって、誘電体層５と上側電極６との間に、ＳｉＯ_2からなる密着層Ａが形成されている。 - 特許庁

The silicon substrate is then heat treated at 1000°C-1400°C for an appropriate time to produce an ion implantation transition layer 3 including a plurality of voids 6, 6,... which are employed as heterogeneous nuclei of SiO2 phase in the formation of a buried oxide layer 4 and a surface silicon layer 5.例文帳に追加

このシリコン基板を、１０００℃以上１４００℃以下の温度で適宜時間だけ熱処理することによって、複数のボイド６，６，…を含むイオン注入遷移層３を生成し、ボイド６，６，…をＳｉＯ_2 相の不均質核として埋め込み酸化層４及び表面シリコン層５を形成する。 - 特許庁

There is provided an antifungal resin composition formed by blending an anti-fungus agent comprising a silver-containing borosilicate glass with a material comprising a synthetic resin, wherein the anti-fungus agent is preferably a silver-containing borosilicate glass which is primarily composed of SiO2, B2O3, Na2O and ZnO and contains Ag2O.例文帳に追加

合成樹脂からなる材料に銀含有ほう珪酸ガラスからなる抗菌剤を配合することを特徴とする抗菌性樹脂組成物であり、好ましくは、抗菌剤がＳｉＯ_2 、Ｂ_2 Ｏ_3 、Ｎａ_2 Ｏ、ＺｎＯを主成分としてＡｇ_2 Ｏを含有している銀含有ほう珪酸ガラスである。 - 特許庁

The flux for submerged arc build-up welding used by being combined with the stainless steel strip-like electrode containing ≥16% Cr and ≥8% Ni contains, by mass %, 20 to 35% SiO2, 20 to 30% MgO, 5 to 15% CaF2, ≤20% Cab, 15 to 25% Al2O3 and ≤0.7% total C.例文帳に追加

Cr：16％以上、Ni：８％以上を含むステンレス鋼の帯状電極と組み合わせて用いるサブマージアーク肉盛溶接用フラックスであって、このフラックスは、質量％で、SiＯ_２：20〜35％、MgＯ：20〜30％、CaＦ_２：５〜15％、CaＯ：20％以下、Al_２Ｏ_３：15〜25％、全Ｃ：0.7 ％以下を含有したものとする。 - 特許庁

The simple apparatus suitable for executing this process is equipped with a burner gas or a burner 1 which is introduced for burner gas flame, a feeding device for supplying SiO2 particles containing impurities to the burner gas or burner gas flame and the collision board to which the burner gas flame is allowed to flow.例文帳に追加

本方法の実施に適した簡単な装置は、バーナーガスがバーナーガス炎のために導入されるバーナーと、夾雑物を含有するＳｉＯ_2粒子がバーナーガスまたはバーナーガス炎に供給される供給装置、ならびにバーナーガス炎が向けられる衝突板を装備する。 - 特許庁

This method for producing the cyclopentanol is characterized by using a protonic zeolite having ≥10 ratio of (SiO2)/(Al2O3) and regulated in x-ray diffraction pattern substantially to the pattern represented by the table 1 as a catalyst in the method for producing the cyclopentanol by hydrating the cyclopentene in the presence of the catalyst.例文帳に追加

触媒の存在下でシクロペンテンを水和してシクロペンタノールを製造する方法において、ＳｉＯ_2/Ａｌ_2Ｏ_3比が１０以上であり、且つＸ線回折パターンが実質的に第１表のパターンで規定されるプロトン型ゼオライトを触媒として使用することを特徴とするシクロペンタノールの製造方法。 - 特許庁

This insulator ceramic composition comprises (A) an MgO-MgAl2 O3-based ceramic powder and (B) a glass powder comprising silicon oxide, boron oxide and aluminum oxide in the proportion of 13-50 wt.% expressed in terms of SiO2, 3-60 wt.% expressed in terms of B2O3 and ≤20 wt.% expressed in terms of Al2O3 respectively.例文帳に追加

（Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ_2Ｏ_4 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ_2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ_2Ｏ_3換算で３〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ_2Ｏ_3 換算で２０重量％以下の割合でこれらを含むガラス粉末とを含む絶縁体磁器組成物。 - 特許庁