「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the slag hardening body by way of hydration hardening of a mixture of slag containing free CaO and a material containing SiO2, the mixture includes 0.5% or more in terms of S of CaS and/or S.例文帳に追加

遊離ＣａＯを含有するスラグとＳｉＯ_2含有物質との混合物を水和硬化させるスラグ硬化体の製造方法において、前記遊離ＣａＯを含有するスラグとＳｉＯ_2含有物質との混合物中に、ＣａＳ及び/又はＳをＳ換算で０．５質量％以上含有させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.例文帳に追加

シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the film 30 for the touch panel, an internal ITO film 35 whose geometric film thickness is 20nm, a SiO2 film 36 whose film thickness is 70nm and a surface layer ITO film 37 whose film thickness is 10nm are laminated under a substrate film 31 made of PET.例文帳に追加

タッチパネル用フィルム３０は、ＰＥＴ製の基材フィルム３１の下面に、幾何学的膜厚が２０ｎｍである内層ＩＴＯ膜３５と、膜厚が７０ｎｍのＳｉＯ２膜３６と、膜厚が１０ｎｍある表面層ＩＴＯ膜３７とが積層してある構成である。 - 特許庁

This laminated wiring is constituted by a Ti adhered layer 12 of 100 nm thick, a TiN barrier layer 14 of 30 nm thick, and an Al-Si wiring material layer 16 of 800 nm thick laminated in this order via an underlayer SiO2 film 10 on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板（図示せず）上に下地ＳｉＯ_2 膜１０を介して順に積層された厚さ１００ｎｍのＴｉ密着層１２、厚さ３０ｎｍのＴｉＮバリア層１４、及び厚さ８００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ配線材層１６から積層配線が構成される。 - 特許庁

The calcium aluminate-based desulfurizing agent has a composition of 30-60 wt.% CaO, 3-10 wt.% MgO, 25-50 wt.% Al2O3, and 5-15 wt.% SiO2, and the melting point of this desulfurizing agent is made to 1300-1600°C to obtain satisfactory fluidity.例文帳に追加

溶鋼の脱硫に使用するカルシウムアルミネート系脱硫剤であって、ＣａＯ：３０〜６０重量％、ＭｇＯ：３〜１０重量％、Ａｌ_2 Ｏ_3 ：２５〜５０重量％、ＳｉＯ_2 ：５〜１５重量％の成分を有し、この脱硫剤の融点を１３００〜１６００℃として流動性を良好にした。 - 特許庁

This glass is obtained by designing its composition so as to essentially comprise 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 16.5-30 wt.% MgO and 13.5-19 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１６．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が１３．５ｗｔ％以上で且つ １９ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

A material having a higher heat conductivity than Al2O3, SiO2 or the like used for the upper and lower insulating films 11, 12, e.g. one or more insulating materials selected from AlN, SiC and DLC(diamond-like carbon) are used as the material of the rear insulating film 13.例文帳に追加

そして、後部絶縁膜１３の材料として、上部絶縁膜１１及び下部絶縁膜１２に用いるＡｌ_2Ｏ_3やＳｉＯ_2等に比べて熱伝導率の高い材料、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）のいずれか１種以上の絶縁材料を用いる。 - 特許庁

This glass composition contains SiO2 in an amount of 35-44.5 wt.%, Al2O3 in an amount of 20.5-23.5 wt.%, MgO in an amount of 10-30 wt.% and TiO2 in an amount of 5-20 wt.% as main components.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

The surface of the sand core 7 is coated with a three-layered structure consisting of a primer coating agent containing TiO2 applied on the lowermost layer, a ceramic coating agent essentially consisting of SiO2 and MgO applied as a second layer and a flaky graphite coating agent applied as a third layer.例文帳に追加

砂中子７の表面は、最下層に塗布されるＴｉＯ_2を含有する下塗りコート剤、第２層として塗布されるＳｉＯ_2とＭｇＯを主成分とするセラミック系コート剤、第３層として塗布される鱗片状黒鉛コート剤とからなる３層構造で被覆されている。 - 特許庁

Low purity alumina is acid-cleaned and a mixture of 100 parts (by mol) of the acid-cleaned alumina, 0.05-2.5 parts at least one of oxides of the group Va metals and 0.01-4 parts SiO2 is formed and fired at 1,320-1,600°C to anisotropically grow alumina grains under control.例文帳に追加

低純度アルミナを酸洗浄処理し、その酸洗浄処理したアルミナ（１００ｍｏｌ部）と、５Ａ族金属酸化物の少なくとも１種（０．０５〜２．５ｍｏｌ部）と、ＳｉＯ_2（０．０１〜４ｍｏｌ部）とから成る混合物を形成し１３２０〜１６００℃で焼成してアルミナ粒子を制御的に異方成長させる。 - 特許庁

This oxide ceramic has a composition comprising 40≤SiO2≤50, 33≤Al2O3≤43, 0≤TiO2≤6.5, and 6≤Li2O≤16, and a thermal expansion coefficient of -2 to -13×106/°C, and especially contains an eucryptite crystal as an essential component.例文帳に追加

重量％で、４０≦ＳｉＯ_2 ≦５０で、３３≦Ａｌ_2Ｏ_3≦４３で、０≦ＴｉＯ２ ≦６．５で、 ６≦Ｌｉ２Ｏ ≦１６の組成を有し、室温から１０００℃における熱膨張係数が−２〜−１３×１０^-6／℃である酸化物セラミックスからなり、特にユークリプタイト結晶を必須成分として含有するようにセラミックスを構成する。 - 特許庁

The optical multilayer film filter used in optical communications with a light in the near infrared region is manufactured by using niobium pentoxide (Nb2O5) as a high refractive index substance and silicon dioxide (SiO2) as a low refractive index substance and by alternately laminating the high refractive index substance layer and the low refractive index substance layer.例文帳に追加

近赤外領域の光による光通信に用いられる光学多層膜フィルタが、高屈折率物質として五酸化ニオブ（Ｎb_2Ｏ_5）が用いられ、低屈折率物質として二酸化ケイ素（ＳiＯ_2）が用いら、高屈折率物質層と低屈折率物質層とを交互に積層して作られる。 - 特許庁

A Cr reflection film 8 is formed on the top surface of a substrate 3, and further a TiO2 film 10 consisting of a photocatalytic substrate (a photocatalytic layer containing a photocatalytic substrate) is formed thereon, and still further a porous SiO2 film 12 (a hydrophilic layer containing a hydrophilic substance) is formed on the surface.例文帳に追加

基板３の表面側にＣｒ反射膜８、さらにその表面に光触媒性物質からなるＴｉＯ_２膜１０（光触媒性物質を含む光触媒層）、さらにその表面に多孔質ＳｉＯ_２膜１２（親水性物質を含む親水性層）が設けられている。 - 特許庁

Preferably Li2O is 2-45 mol%, RO (R is at least one kind selected from a group constituted of Ba, Sr, Ca, and Mg) is 5-40 mol%, (Ti, Si)O2 is 30-70 mol% (SiO2 is 15 mol% or more) as the composition of the sintering supporting agent.例文帳に追加

好ましくは、焼結助剤の組成は、Ｌｉ_2 Ｏが２〜４５モル％、ＲＯ（ただし、Ｒは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、およびＭｇからなる群から選ばれた少なくとも１種）が５〜４０モル％、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ_2 が３０〜７０モル％（ただし、ＳｉＯ_2 は１５モル％以上）とされる。 - 特許庁

The protective film 32 has an SiN film of 20 nm thick for generating a compressive stress as a first protective film 32a and an SiO2 film of 20 nm thick for generating a tensile stress as a second protective film 32b in the form of a two-layer laminate structure.例文帳に追加

保護膜３２は、第１の保護膜３２ａとして成膜され、圧縮応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜と、第２の保護膜３２ｂとして成膜され、引っ張り応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜との２層の積層構造として形成されている。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser device has a structure where an N-type nitride semiconductor layer 2, an active layer 3, and a P-type nitride semiconductor layer 4 are successively laminated on a substrate 1, and a P- electrode 6 is formed on the P-type nitride semiconductor layer 4 through the intermediary of a current constriction insulating film 5 of SiO2.例文帳に追加

基板１上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、およびｐ型窒化物半導体層４が順に積層された構造を有し、このｐ型窒化物半導体層４上面にＳｉＯ_2よりなる電流狭窄用絶縁膜５を介して、ｐ電極６を形成する。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤47.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤19.5 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４７．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １９．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

For the method for manufacturing a silicon nitride-based power, the raw material contains oxygen in the range of ≥0.02 wt.%, <2 wt.% in SiO2 conversion and has a specific surface area of ≥0.5 m2/g, is characteristically heated above 1,400 degree C in the non-acidic atmosphere of nitrogen or nitrogen/hydrogen.例文帳に追加

ＳｉＯ_２換算として0.02ｗｔ％以上、２ｗｔ％未満の酸素を含み、比表面積が0.5m^２/g以上である窒化ケイ素質粉末原料を窒素あるいは窒素/水素の非酸性雰囲気下にて、温度1400℃以上で熱処理することを特徴とする窒化ケイ素質粉末の製造方法。 - 特許庁

This glass for the substrate of an information recording medium contains, by mol, 25-45% SiO2, 25-45% TiO2, 20-35% RO, 0-10% Al2O3 and 0-8% ZrO2 (Al2O3+ZrO2≤15%).例文帳に追加

モル％で、ＳiＯ2を２５〜４５％、ＴiＯ2を２５〜４５％、ＲＯを２０〜３５％、Ａl2Ｏ3を０〜１０％、ＺrＯ2を０〜８％含み、かつ、Ａl2Ｏ3とＺｒＯ2の合計が１５％以下であることを特徴とする情報記録媒体の基板用ガラス、及び、このガラスからなる情報記録媒体用ガラス基板。 - 特許庁

Furtherore, depositing a SiO2 protection layer 17 containing at least any of Li2O, MgO, Al2O3 on the layer 14 can almost nullify the TCF of the entire element so as to realize a communication device such as a high frequency filter and an oscillator with a small insertion loss and excellent temperature stability.例文帳に追加

さらにその上にＬｉ_2Ｏ、ＭｇＯ、Ａｌ_2Ｏ_3の少なくとも一つを含むＳｉＯ_2保護層１７を堆積することにより、素子全体のＴＣＦを零に近づけることができ、挿入損失が小さく温度安定性に優れた高周波発振器などの通信デバイスを実現することができる。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 26.5 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２６．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 43.5 wt.%≤SiO2≤48 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 20 wt.%≤MgO≤22 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４３．５ｗｔ％以上で且つ ４８ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２０ｗｔ％以上で且つ ２２ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

A mixture consisting of alloy powder of a composition of Si of 1 to 10 wt.% with the remnant of Fe, a compound for producing an SiO2 and MgCO3 or MgO powder is compression molded to heat-treat the compression molded mixture, whereby a glass layer for securing an insulation between magnetic particles is formed.例文帳に追加

１〜１０重量％Ｓｉ、残部Ｆｅなる組成の合金粉末と、ＳｉＯ_２を生成する化合物と、ＭｇＣＯ_３またはＭｇＯの粉末からなる混和物を圧縮成形して、熱処理することにより、磁性粒子間に絶縁を確保するためガラス層を形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

By using SiO2 targets 8-1 to 8-4 containing Ge of a same compsn. for the formation of the core region 3 and clad region 2, 4, the Ge contents of the core region 3 and of the clad region 2, 4 can be controlled to match with each other with high accuracy.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４の形成に用いるＧｅを含有するＳｉＯ_2 ターゲット８−１〜８−４として同一組成のものを用いれば容易にコア領域３とクラッド領域２、４におけるＧｅの含有量を高精度で一致させることができる。 - 特許庁

In this light amplifying glass, 0.01-10 wt.% of Er is added to the matrix glass which includes Bi2O3, CeO2 and at least one of B2O3 and SiO2 as essentials and in which their contents are respectively 0-74.89 mol%, 0-79.99 mol%, 20-80 mol%, and 0.01-10 mol%.例文帳に追加

Ｂ_2Ｏ_3とＳｉＯ_2の内の少なくともいずれか１種とＢｉ_2Ｏ_3とＣｅＯ_2とを必須とし、それらの含有量がそれぞれモル％で、０〜７４．８９、０〜７９．９９、２０〜８０、０．０１〜１０であるマトリクスガラスに、０．０１〜１０重量％のＥｒを添加した光増幅ガラス。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 35 wt.%≤SiO2≤42.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 20 wt.%≤MgO≤22 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４２．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２０ｗｔ％以上で且つ ２２ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

In this composition of glass, the composition ranges of main ingredients are 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 19.5 wt.%≤MgO≤30 wt.% and 7 wt.%≤TiO2≤9 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１９．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が７ｗｔ％以上で且つ ９ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁

In this composition of glass, the composition ranges of main ingredients are 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤18.5 wt.% and 7 wt.%≤TiO2≤9 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ １８．５ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が７ｗｔ％以上で且つ ９ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

and α-quartz (α-SiO2) and the glass ceramic substrate has 65-130×10-7/°C coefficient of thermal expansion in a temperature range of -50 to +70°C and ≤9 Åsurface roughness (roughness of arithmetical mean) after polishing.例文帳に追加

主結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ_2Ｏ・２ＳｉＯ_2）およびα−クォーツ（α−ＳｉＯ_2）結晶であり、熱膨張係数が−５０〜＋７０℃の範囲において６５〜１３０×１０^-7／℃の範囲であり、研磨後の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が９Å以下とすることができる。 - 特許庁

A capacitor section 102 is formed of a lower electrode 111 provided on a SiO2 layer 119 on a doped layer 117 provided on a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

In the conductive paste including a conductive ingredient, a glass frit and a vehicle, the glass frit is obtained by adding at least one selected from the group consisting of alumina (Al2O3), silica (SiO2), titania (TiO2), and zirconia (ZrO2), into a glass ingredient being the primary ingredient.例文帳に追加

導電成分と、ガラスフリットと、ビヒクルとを含有する導電性ペーストにおいて、ガラスフリットとして、主成分であるガラス成分に、さらに、アルミナ（Ａｌ_2Ｏ_3）、シリカ（ＳｉＯ_2）、チタニア（ＴｉＯ_2）、及びジルコニア（ＺｒＯ_2）からなる群より選ばれる少なくとも１種を添加したガラスフリットを用いる。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥35 and ≤44.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤11.5 wt.% of Al2O3, ≥10 and ≤30 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １１．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥35 and ≤39.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤l9.5 wt.% of Al2O3, ≥10 and ≤30 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ３９．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １９．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor structure by sputtering a sputtered SiO2 above a trench and possibly depositing the same on both sides of the trench, resulting in excessive build-up, and restricting an opening where a bottom up gap filling is achieved in STI gap filling.例文帳に追加

ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the burnt ash components, the burnt ash of the coal having much contents of 30-35 wt.% CaO and 10-14 wt.% Fe2O3 and little contents of 10-12 wt.% Al2O3 and 20-35 wt.% SiO2, is used as the additive when the sintered ore for iron manufacturing is produced.例文帳に追加

燃焼灰成分において、ＣａＯが３０−３５ｗｔ．％及びＦｅ_2Ｏ_3が１０−１４ｗｔ．％と多く、Ａｌ_2Ｏ_3が１０−１２ｗｔ．％及びＳｉＯ_2が２０−３５ｗｔ．％と少ない石炭の燃焼灰を、製鉄用の燒結鉱を製造する際の添加材として使用する。 - 特許庁

(1) CaO-containing dephosphorizing agent is blown into the molten iron by using oxygen as carrier gas to execute the dephoshorization, and desulfurizing agent is blown into the molten iron after executing the dephosphorizing treatment without discharging the dephosphorized slag making ≥1.7 slag basicity (wt. ratio: CaO/SiO2) after executing the phosphorizing treatment, to execute the desulfurization.例文帳に追加

（１）酸素をキャリアーガスとしてＣａＯ含有脱燐剤を溶銑に吹き付けて脱燐し、脱燐処理後のスラグ塩基度（重量比：ＣａＯ／ＳｉＯ_2 ）を１．７以上とした脱燐スラグを排出することなく脱硫剤を脱燐処理後の溶銑中に吹き込んで脱硫する。 - 特許庁

The laser trimmable capacitor is formed by laminating a lower electrode 3, an organic resin-made dielectric layer 5 and an upper electrode 6 on a base board 1, and an SiO2 contact layer A is formed between the dielectric layer 5 and the upper electrode 6.例文帳に追加

ベース基板１上に、下側電極３、誘電体層５、上側電極６を順次積層してなるとともに、誘電体層５が有機樹脂からなるレーザートリマブルコンデンサであって、誘電体層５と上側電極６との間に、ＳｉＯ_2からなる密着層Ａが形成されている。 - 特許庁

The silicon substrate is then heat treated at 1000°C-1400°C for an appropriate time to produce an ion implantation transition layer 3 including a plurality of voids 6, 6,... which are employed as heterogeneous nuclei of SiO2 phase in the formation of a buried oxide layer 4 and a surface silicon layer 5.例文帳に追加

このシリコン基板を、１０００℃以上１４００℃以下の温度で適宜時間だけ熱処理することによって、複数のボイド６，６，…を含むイオン注入遷移層３を生成し、ボイド６，６，…をＳｉＯ_2 相の不均質核として埋め込み酸化層４及び表面シリコン層５を形成する。 - 特許庁

There is provided an antifungal resin composition formed by blending an anti-fungus agent comprising a silver-containing borosilicate glass with a material comprising a synthetic resin, wherein the anti-fungus agent is preferably a silver-containing borosilicate glass which is primarily composed of SiO2, B2O3, Na2O and ZnO and contains Ag2O.例文帳に追加

合成樹脂からなる材料に銀含有ほう珪酸ガラスからなる抗菌剤を配合することを特徴とする抗菌性樹脂組成物であり、好ましくは、抗菌剤がＳｉＯ_2 、Ｂ_2 Ｏ_3 、Ｎａ_2 Ｏ、ＺｎＯを主成分としてＡｇ_2 Ｏを含有している銀含有ほう珪酸ガラスである。 - 特許庁

The flux for submerged arc build-up welding used by being combined with the stainless steel strip-like electrode containing ≥16% Cr and ≥8% Ni contains, by mass %, 20 to 35% SiO2, 20 to 30% MgO, 5 to 15% CaF2, ≤20% Cab, 15 to 25% Al2O3 and ≤0.7% total C.例文帳に追加

Cr：16％以上、Ni：８％以上を含むステンレス鋼の帯状電極と組み合わせて用いるサブマージアーク肉盛溶接用フラックスであって、このフラックスは、質量％で、SiＯ_２：20〜35％、MgＯ：20〜30％、CaＦ_２：５〜15％、CaＯ：20％以下、Al_２Ｏ_３：15〜25％、全Ｃ：0.7 ％以下を含有したものとする。 - 特許庁

The simple apparatus suitable for executing this process is equipped with a burner gas or a burner 1 which is introduced for burner gas flame, a feeding device for supplying SiO2 particles containing impurities to the burner gas or burner gas flame and the collision board to which the burner gas flame is allowed to flow.例文帳に追加

本方法の実施に適した簡単な装置は、バーナーガスがバーナーガス炎のために導入されるバーナーと、夾雑物を含有するＳｉＯ_2粒子がバーナーガスまたはバーナーガス炎に供給される供給装置、ならびにバーナーガス炎が向けられる衝突板を装備する。 - 特許庁

This method for producing the cyclopentanol is characterized by using a protonic zeolite having ≥10 ratio of (SiO2)/(Al2O3) and regulated in x-ray diffraction pattern substantially to the pattern represented by the table 1 as a catalyst in the method for producing the cyclopentanol by hydrating the cyclopentene in the presence of the catalyst.例文帳に追加

触媒の存在下でシクロペンテンを水和してシクロペンタノールを製造する方法において、ＳｉＯ_2/Ａｌ_2Ｏ_3比が１０以上であり、且つＸ線回折パターンが実質的に第１表のパターンで規定されるプロトン型ゼオライトを触媒として使用することを特徴とするシクロペンタノールの製造方法。 - 特許庁

This insulator ceramic composition comprises (A) an MgO-MgAl2 O3-based ceramic powder and (B) a glass powder comprising silicon oxide, boron oxide and aluminum oxide in the proportion of 13-50 wt.% expressed in terms of SiO2, 3-60 wt.% expressed in terms of B2O3 and ≤20 wt.% expressed in terms of Al2O3 respectively.例文帳に追加

（Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ_2Ｏ_4 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ_2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ_2Ｏ_3換算で３〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ_2Ｏ_3 換算で２０重量％以下の割合でこれらを含むガラス粉末とを含む絶縁体磁器組成物。 - 特許庁