「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Further preferably, the transparent glaze layer is substantially amorphous, and SiO2 remaining after firing does not exist in the layer and also an emulsifier such as ZrSiO4, SnO2 and bone ash is not contained in the layer.例文帳に追加

さらに好ましくは、前記透明釉薬層は実質的に非晶質であり、焼成後に残存するSｉO2が存在せず、かつＺｒＳｉＯ４、ＳｎＯ２、骨灰等の乳濁剤が含有されていないようにする。 - 特許庁

The released Si causes air reaction, while colliding with oxygen as an atmospheric gas and forms clusters, including SiO2, SiOx or holes in a size of several nanometers, Si and oxygen.例文帳に追加

この放出されたＳｉは、雰囲気ガスである酸素と衝突しながら気中反応してＳｉＯ２やＳｉＯｘ、あるいは数ｎｍの大きさの空孔とＳｉおよび酸素、を含むクラスターを形成する。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

The aqueous coating material or aqueous coating film comprises or is added with compounds having the composition formula: CaH2O2, composition formula: SiO2, and composition formula: AlH3O3 as components for suppressing water droplet and absorbing and drying humidity.例文帳に追加

水滴抑制し湿気を吸収乾燥する成分として組成式ＣａＨ２Ｏ２及び組成式ＳｉＯ２及び組成式ＡｌＨ３Ｏ３を含有し、又は添加した水性塗料又は塗膜。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 provides an insulation layer comprising SiO2 or the like of a single layer, forming a trench 50 (first recess part) making the recess part on a base layer 100 comprising Si or the like.例文帳に追加

本発明による半導体基板１は、Ｓｉ等から成る基層１００上に、凹部を成すトレンチ５０（第１の凹部）が形成された単層のＳｉＯ_2等から成る絶縁層１０１が設けられたものである。 - 特許庁

The stress 102A inside the high polymer optical waveguide 13 is canceled by the stress 111A inside the SiO2 layer 12, with a residual stress inside the high polymer optical waveguide 13 desirably becoming zero.例文帳に追加

高分子光導波路１３内の応力１０２ＡはＳｉＯ２層１２内の応力１１１Ａによって相殺されて、高分子光導波路１３内の残留応力は望ましくは零となる。 - 特許庁

The agent is composed of glass which contains 54-60 mol% ZnO, 25-32 mol% B2O3, 7-12 mol% SiO2, and 5-8 mol% an alkali metal oxide, based on the total amount of components.例文帳に追加

構成成分の合計量を基準として、ＺｎＯを５４〜６０モル％、Ｂ__2Ｏ_3を２５〜３２モル％、ＳｉＯ_2を７〜１２モル％、アルカリ金属酸化物を５〜８モル％を含有するガラスからなる抗菌剤。 - 特許庁

A buffer layer 2 that is made of undoped AlGaN, and an undoped GaN layer 3 are formed successively on a sapphire substrate 1, and furthermore a stripe-shaped pattern made of an SiO2 film 4 is formed on it.例文帳に追加

サファイア基板１上に、アンドープのＡｌＧａＮからなるバッファ層２およびアンドープのＧａＮ層３を順に形成し、さらにこの上に、ＳｉＯ_2膜４からなるストライプ状パターンを形成する。 - 特許庁

Next, an SiO2 film is formed as an interlayer insulating film, and furthermore a contact hole for contacting a gate electrode, a diffusion layer and wiring with a tungusten plug is formed by photolithography and dry etching.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜としてＳｉＯ２ 膜を形成し、さらに、ゲート電極及び拡散層と配線とをタングステンプラグでコンタクトするためのコンタクトホールをフォトリソグラフィとドライエッチングによって形成する。 - 特許庁

To obtain a high-modulus glass or glass ceramic of SiO2-B2O3-RO-R2O- ZrO2-TiO2-Nb2O5-La2O3 base, suitable as an optical glass or a substrate for fixed disks.例文帳に追加

ＳｉＯ_2−Ｂ_2Ｏ_3−ＲＯ−Ｒ_2Ｏ−ＺｒＯ_2−ＴｉＯ_2−Ｎｂ_2Ｏ_5−Ｌａ___2Ｏ_3系をベースとした、高い弾性率を有し、固定ディスク用基板や光学ガラスとして適したガラス及びガラスセラミックスを提供する。 - 特許庁

To improve the Q value of low-dielectric constant porcelain or to lower necessary calcination temperature to obtain the desired Q value in manufacturing the low-dielectric constant porcelain having a dielectric constant of an SiO2 system of ≤10.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製造するのに際して、低誘電率磁器のＱ値を向上させ、あるいは、所望のＱ値を得るのに必要な仮焼温度を下げる。 - 特許庁

Then, a recess groove 8 is formed by a citric acid base etchant, a metal 9 used as the gate electrode is deposited, the SiO2 is etched by fluoric acid for removing unwanted metal, and recess gate structure is formed.例文帳に追加

そいてクエン酸系のエッチャントでリセス溝８を形成し、ゲート電極となる金属９を蒸着し、フッ酸でＳｉＯ_2をエッチングして不要な金属を除去し、リセスゲート構造を形成する。 - 特許庁

The infinitesimal light source 1 is located in a plate container 3 sandwiched between capillary wave guide routes with thin plates which is made of light elements such as SiO2 glass and whose thickness is 20 μm or less or between two thin plates.例文帳に追加

微小光源１はＳｉＯ_2ガラス等の軽元素でできた２０μｍ以下の薄壁をもつキャピラリ導波路あるいは２枚の薄板で挟まれた板状の容器３中に配置されている。 - 特許庁

And at the same time, the Al source is added in the above molten steel, after progressing of a floatation treatment wherein SiO2 in the molten steel is made to float by degassing treatment.例文帳に追加

Ａｌ歩留り（％）＝ａ×（（ＦｅＯ）／２．１）−（Ａｌ_2Ｏ_3））＋ｂ ここで，（ＦｅＯ）：取鍋内スラグのＦｅＯ濃度（質量％） （Ａｌ_2Ｏ_3）：取鍋内スラグのＡｌ_2Ｏ_3濃度（質量％） ａ，ｂ：鋼種、設備等で決まる定数 - 特許庁

The isolation layers 12 and the buffer layers 13 are formed dispersedly in lines, and etchant flow holes 16 are provided in the side of t layers 12 and 13 through the intermediary of an SiO2 growth stop film 15.例文帳に追加

分離層１２およびバッファ層１３は線状に分散して形成され、それらの側面にはＳｉＯ_2 よりなる成長防止膜１５を介してエッチング剤の流通孔１６が設けられている。 - 特許庁

In conductive paste formed by mixing Al powder, glass frit, and vehicle, as the glass frit, mixture of Bi2O3: 30-70 mol%, B2O3: 20-60 mol%, SiO2: 10-50 mol% is used.例文帳に追加

Ａｌ粉末と、ガラスフリットと、ビヒクルとを配合してなる導電性ペーストにおいて、ガラスフリットとして、Ｂｉ_2Ｏ_3：３０〜７０mol％、Ｂ_2Ｏ_3：２０〜６０mol％、ＳｉＯ_2：１０〜５０mol％を配合したものを用いる。 - 特許庁

A ceramic linear resistor 1 is formed of ZnO, Al2O3, MgO, and SiO2 and has linear voltage/current characteristics and a main crystal composition composed of ZnO and ZnAl2O4.例文帳に追加

セラミックス直線抵抗体１は、ＺｎＯとＡｌ_2Ｏ_3とＭｇＯとＳｉＯ_2を成分とし、電圧−電流特性が直線であり、その主結晶組成がＺｎＯ及びＺｎＡｌ_2Ｏ_4で構成される。 - 特許庁

Then the supply amount of oxygen gas is increased to a prescribed amount of 6.5 cc/min to satisfy the conditions for depositing a thin film, then a thin film 27 of SiO2 is deposited on the surface of a sample 21.例文帳に追加

その後、酸素ガスの供給量を所定量の６．５ｃｃ／ｍｉｎに増やし、薄膜を堆積する条件を満たした後に、ＳｉＯ_2 からなる薄膜２７を試料２１の表面上に堆積する。 - 特許庁

In this method, a hydrogarnet is produced by molding the mixture including CaO component, SiO2 component and Al2O3 component to make the amount of pores having inner diameter of >10 μm <10% of the whole pores and then carrying out a hydrothermal treatment.例文帳に追加

ＣａＯ分、ＳｉＯ_2分及びＡｌ_2Ｏ_3分を含み、内径が１０μｍ以上の細孔が全細孔量の１０％以下となるような成形後に水熱処理でハイドロガーネットを生成させる。 - 特許庁

This material for artificial cultivation of mushrooms contains a compound in which (x) is >2.2 and (y) is >0 in the molar ratio of (x):1:(y) of (Al2O3)x:MO (M is Mg and/or Ca):(SiO2)y as an active component.例文帳に追加

（Ａｌ_2Ｏ_3）ｘ：ＭＯ（ＭはＭｇ及び／又はＣａ）：（ＳｉＯ_2）ｙのモル比、ｘ：１：ｙにおいて、ｘ＞２．２、ｙ＞０である化合物を有効成分として含有するきのこの人工栽培用材。 - 特許庁

Furthermore, when a selection ratio of Si and SiO2 is adjusted in an etching process, an oxygen gas 42 and a hydrogen gas 43 are led into the etching chamber 1 via mass controllers 52, 53.例文帳に追加

この同位体組成比を異ならせることによって、質量分析で検出される同じ原子組成の検出物質について、エッチング処理の段階に応じて質量に差を生じさせることができる。 - 特許庁

Moreover, the member for heat-treating a semiconductor is transferred to a place to receive it in the state where a polysilicon or SiO2 coating film is formed on the surface of the ceramic film formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

また、基材表面に形成されたセラミックス膜表面にポリシリコンまたはＳｉＯ_２のコーティング膜を形成した状態で、納入先に搬送する半導体熱処理用部材の搬送方法。 - 特許庁

Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed.例文帳に追加

このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。 - 特許庁

To provide a cement clinker having stable quality even using a large amount of an industrial waste consisting essentially of SiO2 and Al2O3 as raw materials, and to a provide a cement composition using the cement clinker.例文帳に追加

SiO_2とAl_2O_3を主成分とする産業廃棄物を原料として大量に使用したセメントクリンカにおいて、品質が安定なセメントクリンカと、そのセメントクリンカを用いたセメント組成物を提供すること。 - 特許庁

The non alkali glass consists of, by mol%, 64 to 74 SiO2, 5 to 14 Al2O3, 5 to 16 B2O3, 1 to 16.5 MgO, 0 to 14 CaO, 0 to 6 SrO and 0 to 2 BaO, preferably satisfying MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)≥0.1.例文帳に追加

モル％表示で、ＳｉＯ_2：６４〜７４、Ａｌ_2Ｏ_3：５〜１４、Ｂ_2Ｏ__3：５〜１６、ＭｇＯ：１〜１６．５、ＣａＯ：０〜１４、ＳｒＯ：０〜６、ＢａＯ：０〜２からなり、好ましくはＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．１以上である無アルカリガラス。 - 特許庁

Furthermore, the SiO2 films are formed thick in this region, by which a capacitance of a floating diffusion layer, a capacity of an output electrode, and a parasitic capacitance of a reset electrode are lessened.例文帳に追加

さらにこの部分のＳｉＯ_２膜を厚くすることで、浮遊拡散層からなる容量と出力電極、または浮遊拡散層からなる容量とリセット電極の寄生容量を低減する。 - 特許庁

This hydrophilic coating material composition contains a water soluble organic polymer having carboxylic group or its salt, an alkali silicate or SiO2 and titanium oxide for a photocatalyst as essential ingredients.例文帳に追加

親水性塗料組成物は、カルボキシル基を有する水溶性有機高分子又はその塩とアルカリ珪酸塩又はSiO_2と光触媒用酸化チタンとを必須成分として含有しているものである。 - 特許庁

The AA4 is overlapped on the STI3, and the glue layer 14 face the AA4 via SiO2 composing the STI3 existing under the overlapped part.例文帳に追加

そして、ＡＡ４はＳＴＩ３上にオーバーラップされ、このオーバーラップした部分ＯＬの下に存在する、ＳＴＩ３を構成するＳｉＯ_2を介して、グルーレイヤー１４がＡＡ４に対向していることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head which is formed with an SiO2 film, etc., particularly having good adhesion and a method for manufacturing the thin-film magnetic head using nickel(Ni) films for electrode terminals etc.例文帳に追加

電極の端子等にニッケル（Ｎｉ）膜を使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、付着力の良好なＳｉＯ_2 膜等を形成する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。 - 特許庁

This embodiment is a method for protecting a metal 112 from oxidization during various oxidization steps such as CVD SiO2 oxidization, smile oxidization, deposition of a side wall 116, and the like for forming an oxide layer 114 overlaid thereon.例文帳に追加

上に重なる酸化物層１１４を形成するためのＣＶＤ ＳｉＯ_2酸化、スマイル酸化、及び側壁１１６デポジションなどの種々の酸化工程の間、酸化から金属１１２を保護する方法。 - 特許庁

The precision abrasive comprises ≥50 mass% calculated as SiO2 and Al2O3 of the total of Si and Al in the molar ratio of Si to Al of 0.01<Si/Al≤100 in the aluminosilicate powder.例文帳に追加

アルミノシリケート粉末におけるＳｉ、Ａｌ含有量がＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3換算で合計５０質量％以上であり、ＳｉとＡｌのモル比が０．０１＜Ｓｉ／Ａｌ＜１００である上記記載の精密研磨材。 - 特許庁

In an etching processing apparatus having an upper electrode 21 and a susceptor 5 serving as a lower electrode within an evacuatable processing chamber 2, at least part of the electrode 21 is made of SiO2.例文帳に追加

減圧自在な処理室２内に上部電極２１と下部電極となるサセプタ５を有するエッチング処理装置１において、上部電極２１の少なくとも一部をＳｉＯ_２で構成する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining alkylbenzenes in high yield by using a catalyst based on an inexpensive mordenite having at least ≥20 molar ratio of SiO2/Al2O3 without accelerating dealumination.例文帳に追加

脱アルミニウムを促進することなくSiO_2／Ａl_2O_3モル比が少なくとも２０以上の廉価なモルデナイトをベースとした触媒を用い、高収率でアルキルベンゼン類を得る方法を提供すること目的とするものである。 - 特許庁

The surface of a glass sheet 6 is coated with an insulating film 7 of SiO2, silicon oxynitride or silicon nitride in a multilayered state by reactive sputtering using silicon as a target and oxygen and/or nitrogen.例文帳に追加

ガラス板表面にＳｉＯ_2、シリコン酸窒化物あるいは窒化シリコンのいずれかの絶縁膜を、シリコンをターゲットとする酸素または／および窒素との反応性スパッタリングにより多層となるように被覆する。 - 特許庁

This inorganic coating containing an alkali metal silicate also contains zeolite with molar ratios SiO2/Al2O3 and R2O (R is Na, K or Li)/Al2O3 of ≥4.0 and ≤0.20 respectively.例文帳に追加

アルカリ金属珪酸塩を含有する無機質塗料に、ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３（モル比）が４．０以上かつＲ_２Ｏ（ＲはＮａ，Ｋ，又はＬｉ）／Ａｌ_２Ｏ__３（モル比）が０．２０以下であるゼオライトを含有させる。 - 特許庁

An optical ceramic has a range of an average particle size of favorably 5-300 μm and includes at least one sintering auxiliary agent selected from the group consisting of SiO_2, TiO_2, ZrO_2, HfO_2, Al_2O_3 and fluorides in a starting material.例文帳に追加

光学セラミックスの平均粒子寸法は好ましくは５から３００μｍの範囲で、出発物質にSiO2,TiO2,ZrO2,HfO2,Al2O3およびフッ化物からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含む。 - 特許庁

This target material is composed of a hot press sintered body of a powdery mixture having a blended composition of, by weight, 3 to 20% SiO2 and 0.3 to 10% Si3N4, and the balance ZnS.例文帳に追加

光記録媒体保護層形成用ターゲット材を、重量％で、ＳｉＯ_2：３〜２０％、Ｓｉ_3Ｎ_4：０．３〜１０％、ＺｎＳ：残り、の配合組成を有する混合粉末のホットプレス焼結体で構成する。 - 特許庁

The conductive particles are one or more kinds of particles out of LaB6, GdB6, GdB4, YB4 and YB6 and the insulating particles are one or more kinds of particles out of Al2O3, SiO2 and TiO2.例文帳に追加

導電性粒子は、ＬａＢ_6、ＧｄＢ_6、ＧｄＢ_4、ＹＢ_4、ＹＢ_6のいずれか１種類以上の粒子であり、そして、絶縁性粒子は、Ａｌ_2Ｏ_3、ＳｉＯ_2、ＴｉＯ_2のいずれか１種類以上の粒子である。 - 特許庁

In the operation method of a blast furnace by pulverized coal blowing, pulverized coals in which, as the componential composition of ash, the average value of (CaO+MgO)/SiO2 is >0.3 is used, and the pulverized coals are blown from a tuyere.例文帳に追加

微粉炭吹き込み高炉操業法において、灰分の成分組成として（ＣａＯ＋ＭｇＯ）／ＳｉＯ_2 の平均値が０．３を超えるような微粉炭を用い、該微粉炭を羽口から吹込むことを特徴とする微粉炭吹き込み高炉操業法。 - 特許庁

To obtain a low SiO2 sintered ore, with which the low Si operation is stably enabled for long time in a blast furnace, desirably so as to stably keep the Si concn. in molten iron to ≤0.3 wt.%.例文帳に追加

高炉において長期間安定した低Ｓｉ操業、好ましくは溶銑中Ｓｉ濃度が安定して０．３重量％以下に維持されるような低Ｓｉ操業を可能ならしめる低ＳｉＯ_2焼結鉱を得る。 - 特許庁

In the apparatus for using the hot-dip metal coating treatment, a composite coated layer applying a sealing treatment with Cr oxide on a composite ceramics composed of SiO2-Cr2O3-Al2O3, is formed on the surrounding surface of this base material.例文帳に追加

溶融金属めっき処理に用いる機器であって、その基材の周面に、ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３からなる複合セラミックスにＣｒ酸化物による封孔処理を施した複合被覆層を形成する。 - 特許庁

Then on a patterned SiO2 film 63 at 970°C, an I layer 64 comprising I-type GaN of film-thickness 1.0 μm is formed by supplying H2 2.5 liter/minute, NH3 at 1.5 liter/minute, TMG at 100 cc/minute, and DEZ at 500 cc/minute.例文帳に追加

その後、パターン形成されたＳｉ０_2 膜６３の上に、温度を 970℃とし、Ｈ_2 を 2.5liter ／分、ＮＨ_3 を 1.5liter ／分、ＴＭＧを 100cc／分、ＤＥＺを 500cc／分で供給して、Ｉ型のＧａＮから成るＩ層６４を膜厚 1.0μｍに形成した。 - 特許庁

Then, after forming a second SiO2 film 25 and a second Si3N4 film 26 on the metallic wiring 3 and 5, the base board is etched by leaving these films from the opposite side of these films to form a thin film part.例文帳に追加

続いて、金属配線３、５上に第２のＳｉＯ_2膜２５と第２のＳｉ_3Ｎ_4膜２６を形成した後、基板をこれらの膜とは反対側からこれらの膜を残してエッチングすることで薄膜部を形成する。 - 特許庁

A TEOS oxide film (SiO2) 6 is subjected to heat, which is an insulation film formed over the entire surface of a wafer before an emitter 9 is formed, by using a lamp annealer so as to apply heat uniformly over the entire surface of the wafer.例文帳に追加

エミッタ部９を形成する前の、ウエーハ全面に形成した絶縁膜であるＴＥＯＳ酸化膜（ＳｉＯ_2）６上にランプアニーラで熱処理を施すことにより、ウエーハ全面に均一な熱を加える。 - 特許庁

Further, in the case the substrate is composed of aluminum, the alloy thereof, SiO2 or Si, when the concentrations are controlled to ≤0.25 mol/L, etching under the conditions where influence is hardly exerted on the substrate is possible.例文帳に追加

更に、下地が、アルミニウム及びその合金、ＳｉＯ_2、Ｓｉの場合、フッ酸と過酸化水素水の濃度を共に０.２５ｍｏｌ／Ｌ以下の低濃度に調製すると、下地にほとんど影響を与えない条件でのエッチングが可能である。 - 特許庁