「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, the SiO2 film 6 and the polycrystalline silicon 9 in the trench 7 are polished and removed at the same time, using the Si3N4 film 5 as stopper by CMP.例文帳に追加

この後、ＣＭＰにより、Ｓｉ_3Ｎ_4膜５をストッパとして、ＳｉＯ_2膜６とトレンチ７内の多結晶シリコン９を、同時に研磨除去する。 - 特許庁

Heating treatment is performed in a reaction furnace in the atmosphere of O2, and the SiO2 film 2 of film thickness A is formed on an Si substrate 1 being an Si layer.例文帳に追加

反応炉内で、Ｏ_2 雰囲気中で加熱処理を行い、Ｓｉ層であるＳｉ基板１上に膜厚ＡのＳｉＯ_2 膜２を形成する。 - 特許庁

IMPROVEMENT IN SENSITIVITY AND SELECTIVITY OF SPV (SURFACE PHOTOELECTRIC VOLTAGE METHOD) NOX GAS SENSOR USING METAL OXIDE MODIFIED MESOPOROUS SIO2 THIN FILM例文帳に追加

金属酸化物修飾したメソポーラスＳｉＯ２薄膜を用いて、ＳＰＶ（表面光電圧法）ＮＯｘガスセンサーの感度と選択性の改善 - 特許庁

An insulating film 12 made of SiO2 is piled up on an Si semiconductor substrate 10, and a contact hole 12a is selectively made in the insulating film 12.例文帳に追加

Ｓｉの半導体基板１０の上に、ＳｉＯ_2 の絶縁膜１２を堆積し、絶縁膜１２にコンタクトホール１２ａを選択的に開口する。 - 特許庁

In the toner T, the amount of a non-synchronizing external additive (SiO2) 13 is controlled to ≤5% proportion to the whole toner amount.例文帳に追加

本発明のトナーＴは、非同期の外添剤（ＳｉＯ_2）１３の量が全体のトナー量に対して５％以下になるように設定されている。 - 特許庁

An SiO2 film 3 having a stripe shape as a growing mask is formed on a GaN layer 2 grown on a c-face sapphire substrate 1.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板１上に成長させたＧａＮ層２上に、成長マスクとしてストライプ形状を有するＳｉＯ_2 膜３を形成する。 - 特許庁

In addition, a form with a further biodegradable film provided on the metallized silicon oxide (SiO2) and/or aluminum oxide (Al2O3) is preferable.例文帳に追加

また、前記蒸着された酸化ケイ素（ＳｉＯ_2）及び／又は酸化アルミニウム（Ａｌ_2Ｏ_3）上に、更に生分解性フィルムを設けてなる態様が好ましい。 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the entire surface of the substrate, an opening is made in the ridge part, and thereafter a p-electrode is formed in a region other than the element periphery.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜12を全面に形成しリッジ部に開口を形成した後、ｐ電極を素子周辺を除いた領域に形成する。 - 特許庁

Thickness of each TiO_2 thin film 31 and each SiO_2thin film 32 is 74 nm and total film thickness t2 of the optical thin film 30 is 666 nm.例文帳に追加

各TiO2の薄膜３１及び各SiO2の薄膜３２の厚さは共に７４ｎｍであり、光学薄膜３０総膜厚ｔ２は６６６ｎｍである。 - 特許庁

A plurality of projections 4 (made of the same SiO2 film as the interlayer insulating film 2) are formed in the interior of the stepped recess in the film 2 to the halfway of the step difference.例文帳に追加

層間絶縁膜２との段差による窪みの内部に段差途中まで複数の突起部４（層間絶縁膜２と同じＳｉＯ2 膜）で構成される。 - 特許庁

A photocatalytic TiO2 film 20 having 100 to 1000 nm thickness is formed on the surface of a mirror, and further, a porous SiO2 film 22 having 10 to 50 nm thickness is formed thereon.例文帳に追加

鏡の表面に１００〜１０００ｎｍの光触媒ＴｉＯ_２膜２０を成膜し、その上に１０〜５０ｎｍの多孔質ＳｉＯ_２膜２２を成膜する。 - 特許庁

SIO2 POWDER FOR SINTERED COMPACT TARGET FOR FORMING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM, PRODUCTION METHOD OF SINTERED COMPACT TARGET USING THE POWDER, AND SINTERED COMPACT TARGET例文帳に追加

光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットのＳｉＯ２粉末及び該粉末を用いた焼結体ターゲットの製造方法、並びに焼結体ターゲット - 特許庁

The main body of the pot is made of a graphite member, and has a double-layered oxidation-resisting coating film on the surface consisting of a lower layer of SiC and an upper layer of SiO2 glass.例文帳に追加

本体が黒鉛質部材からなり、その表面にＳｉＣの下層とＳｉＯ２系ガラス上層の二重層とした耐酸化皮膜を具備する。 - 特許庁

The method of forming SiO2 blank changes shape of flame of a burner by an electric field which corresponds to a position of the burner during a series of operations of a deposition burner.例文帳に追加

本発明ではデポジションバーナーの一連の動作中、該バーナーの位置に応じた電界によってバーナー炎の形状を変化させる方法を提案する。 - 特許庁

The basicity (weight ratio of CaO/SiO2) of slag is controlled so that the melting temperature of slag S being produced by melting becomes not more than 1,400°C.例文帳に追加

溶融によって生成するスラグＳの溶融温度が１４００℃以下となるようにこのスラグの塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ_2 重量比）を調整する。 - 特許庁

Also, for the SiC pipes 1 and 2, in a manufacturing process by the CVD method, Si does not react to water, and SiO2 is not contained in the SiC pipe.例文帳に追加

また、ＳｉＣパイプ１、２は、ＣＶＤ法による製造工程において、Ｓｉが水分と反応せず、ＳｉＯ_2 がＳｉＣパイプに含有されていない。 - 特許庁

A reflecting surface 14 such as being condensed at one spot (condensing spot 16) of the side of the device is formed by digging the SiO2 layer having the high refractive index by etching.例文帳に追加

この高屈折率SiO_2層をエッチングで掘り抜くことにより、デバイスの辺の１点（集光点１６）に集光するような反射面１４を形成する。 - 特許庁

This suppresses a weak layer from growing on the interface of the barrier metal layer 15 and the SiO2 film 13 of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.例文帳に追加

これにより、バリアメタル層１５とＳｉＯ_2膜１３の界面において脆弱層の生成を抑制でき、ボンディング時のパッド剥がれを抑制できる。 - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2-MgO-K2O-F-BASED CRYSTALLIZABLE GLASS AND CRYSTALLIZED GLASS AND MANUFACTURING METHOD OF THE CRYSTALLIZABLE GLASS AND CRYSTALLIZED GLASS例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｋ２Ｏ−Ｆ系結晶性ガラス及び結晶化ガラス、ならびに該結晶性ガラス及び結晶化ガラスの製造方法 - 特許庁

As a result, the Young's modulus E of the gap layer 18 can be made to be more than 123.2 (GPa) and this value is higher than Young's modulus E of the conventional SiO2 film.例文帳に追加

これによって前記ギャップ層１８のヤング率Ｅを、１２３．２（ＧＰａ）よりも大きくでき、この値は従来のＳｉＯ_2膜のヤング率Ｅに比べて大きい。 - 特許庁

As the metal oxide, one or more ones selected from the group consisting of SiO2, CeO2, Al2O3 and ZrO2 and having 20-300 m2/g surface area are used.例文帳に追加

金属酸化物はＳｉＯ_２，ＣｅＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｒＯ_２からなる郡から選択される１種以上であり、表面積が２０〜３００ｍ^２／ｇである。 - 特許庁

The substrate layer is constituted of a CoO-SiO2 film and has honeycomb structure in which crystalline particles 12 of a regular hexagon are partitioned by crystalline grain boundary parts 14 of uniform width.例文帳に追加

下地層はCoO-SiO_2膜から構成され、正六角形の結晶粒子12が均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。 - 特許庁

The denitration catalyst contains titanium oxide (TiO2), titanium- silicon multiple oxide (TiO2-SiO2), vanadium oxide and molybdenum oxide as catalyst components.例文帳に追加

触媒成分として、チタン酸化物（ＴｉＯ_2）と、チタン−ケイ素複合酸化物（ＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2）と、バナジウム酸化物と、モリブデン酸化物とを含んでなる脱硝触媒。 - 特許庁

The borosilicate glass is preferred to comprise, as main components, SiO2 75-85 wt.%, B2O3 14-20 wt.%, and K2O 1-5 wt.%.例文帳に追加

硼珪酸ガラスは、主成分としてＳｉＯ_2 を７５〜８５重量％、Ｂ_2 Ｏ_3 を１４〜２０重量％、Ｋ_2 Ｏを１〜５重量％含むものが好ましい。 - 特許庁

This low dielectric constant alkali-free glass substantially comprises in mol% 60-80 of SiO2, 12 to 25 of B2O3, 0.5 to 8 of PbO, 0 to 9 of Al2O3 and 0 to 7 of MgO+CaO+ZnO.例文帳に追加

モル％で、ＳｉＯ_2：６０〜８０、Ｂ_2Ｏ_3：１２〜２５、ＰｂＯ：０．５〜８、Ａｌ_2Ｏ_3：０〜９、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＺｎＯ：０〜７％から実質的になる低誘電率無アルカリガラス。 - 特許庁

Furthermore, a p+ epitaxial layer 6, whose conductive type is the same as that of the base layer 4, is formed on the base layer 4 between the base electrode 15 and the SiO2 film 14.例文帳に追加

そして、ベース電極１５とＳｉＯ_2 膜１４との間のベース層４上に、ベース層４と同じ導電型のｐ^+ エピタキシャル層６が形成されている。 - 特許庁

This cold cathode has layers on a Si substrate 1 formed from bottom to top in the following order: a boron nitride film 2, a SiO2 layer 3 and a metal thin film 4.例文帳に追加

Si基板１の上に窒化硼素膜２が形成され、その上SiＯ_2層３が形成されており、さらにその上に金属薄膜４が形成されている。 - 特許庁

The second base layer is a CoO-SiO2 film or the like and has a honeycomb structure in which each hexagonal crystal grain 12 is separated from others by the intergranular part 14 having uniform width.例文帳に追加

第2下地層はCoO-SiO_2膜などで、正六角形の結晶粒子12が均等な幅の結晶粒界部14で隔てられたハニカム構造を有する。 - 特許庁

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁

A GaAs layer positioned just below the base electrode is eliminated, and a low dielectric film (e.g. SiO2) is formed in the eliminated part.例文帳に追加

そして、ベース電極の真下側に位置するＧａＡｓ層が除去されて、この除去部分には低誘電体膜（例えば、ＳｉＯ_2 ）が形成されている。 - 特許庁

SiNx, SiO2, Ti, Ta, Mo, or MoW is stacked on the source drain film Ag alloy film, and then, a collective pattern is made by dry etching or wet etching.例文帳に追加

ソース・ドレイン膜Ａｇ系合金膜上にＳｉＮ_x，ＳｉＯ_2，Ｔｉ，Ｔａ，ＭｏまたはＭｏＷを積層した後ドライまたはウェットエッチにより一括パターン形成する。 - 特許庁

SiO2 source and CaO source are added as a flux into the copper sulfide concentrate, and slag and white metal (containing matte near the white metal) and/or crude copper are produced.例文帳に追加

硫化銅精鉱に溶剤としてＳｉＯ_2源とＣａＯ源を加えて、スラグと、白かわ（白かわに近いマットを含む）および／または粗銅とを生成する。 - 特許庁

The incinerating ash to be used contains 40-55% silicon dioxide (SiO2), 5-10% calcium oxide(CaO) and more than a Braine value of 8000 cm2/g.例文帳に追加

使用する焼却灰は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）４０〜５５％、酸化カルシウム（ＣａＯ）５〜１０％、ブレーン値８０００ｃｍ^２／ｇ以上を含むものである。 - 特許庁

The preferable brittle material includes a silica sand, and in addition thereto, a metal oxide grain such as alumina (Al2O3) and silica (SiO2) or a metal carbide can also be used as the brittle material.例文帳に追加

好ましい脆性材料は硅砂であるが、その他に、アルミナ（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）、シリカ（ＳｉＯ_２ ）等の金属酸化物粒子または金属炭化物も使用できる。 - 特許庁

The target material is produced by sintering a powdery mixture containing ZnS powder and SiO2 powder as essential components and further containing Cu powder.例文帳に追加

前記ターゲット材は、ＺｎＳ粉末およびＳｉＯ_2 粉末を本質的成分とし、さらにＣｕ粉末含む混合粉末を焼結することによって製造される。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

A large electric field is generated in the SiO2 layer 3 even by a small potential difference because of its small thickness, therefore, electrons 6 are emitted from the boron nitride film 2.例文帳に追加

SiＯ_2層３の厚さは薄いので、小さな電位差でも大きな電界を生じ、この電界により、窒化硼素膜２より電子６が放出される。 - 特許庁

A zeolite, including the X-ray pattern of xxxx, whose formula is [M2 O]0-9[Q+]1-50[Al2O3]1[SiO2]30-1000[H2O]0-2000, wherein M in the formula is an alkali metal and Q is tetraalkylethylenediamine. 例文帳に追加

０～９M2O・１～50Q＋・Al2O3・30～1000SiO2・０～2000H2Oで表される組成を有し、式中Mはアルカリ金属、Qはテトラアルキルエチレンジアミンであり、×××のＸ線パターンをもつゼオライト。 - 特許庁

To obtain a sintered product capable of stably maintaining good mechanical properties at room temperature and in a high temperature region by adding a rare earth element oxide to molybdenum silicide powder accompanying SiO2 and subsequently sintering the powder mixture.例文帳に追加

二珪化モリブデン系焼結体の、原料粉末から持ち込まれるＳｉＯ_2 ガラス相（粒界すべりを促進する）を除去し機械的性質を高める。 - 特許庁

Then, a SiO film 103, an Si3N4 film 104, and an SiO2 film 105 are sequentially deposited to form a through-hole 106 and a wiring groove 107.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ２膜１０３、Ｓｉ３Ｎ４膜１０４、ＳｉＯ２膜１０５を順に堆積し、スルーホール１０６および配線溝１０７を形成する。 - 特許庁

Furthermore, SiO2 or the like which is an abrasion resistant filler 8 as a filler or graphite as the lubricating component is dispersed and arranged in the metallic bond phase 4.例文帳に追加

更にフィラーとして耐摩耗性フィラー８であるＳｉＯ_2等または潤滑成分としてグラファイトを金属結合相４中に分散配置する。 - 特許庁

A first insulating film 11 comprising an SiO2 film and a second insulating film 12 comprising an SiO film are formed in different regions, respectively, on an ohmic contact layer 27.例文帳に追加

オーミックコンタクト層２７上の異なる領域に、ＳｉＯ_２膜からなる第１の絶縁膜１１とＳｉＯ膜からなる第２の１２が形成されている。 - 特許庁

In a tundish, a slag composition is regulated so that it satisfies FeO+MnO+Cr2O3≤3% and CaO/(SiO2+Al2O3)=1.0 to 3.0, and also a steel composition is regulated so that it contains 0.01-0.3%例文帳に追加

タンディッシュ内でFeO+MnO+Cr_2O_3 ≦３％、CaO/(SiO_2+Al_2O_3)＝1.0 〜3.0 を満足するスラグ組成とし、Ti＝0.01〜0.3 ％、Cr＝10〜30％含有し、T[O]濃度≦70ppm 、Log[Ti(ppm) ×N(ppm)×C(ppm)] ≦8.5 を満足する鋼組成とする。 - 特許庁

Since SiC is hardly etched as compared with SiO2 in the step S24, the SiC of the source area 20 is little etched and, accordingly, the formation of recessed and projecting sections on the internal surfaces of the trench can be suppressed.例文帳に追加

そのため、工程Ｓ２４においても、ＳｉＣはほとんどエッチングされないので、トレンチ内壁に凹凸が形成されるのを抑えることができる。 - 特許庁

The cement clinker uses the industrial waste consisting essentially of SiO2 and Al2O3 as raw materials and has a hydraulic modulus(H.M.) of 1.8-2.3, a silica modulus(S.M.) of 1.3-2.3 and an iron modulus(I.M.) of 1.3-1.8.例文帳に追加

SiO_2とAl_2O_3を主成分とする産業廃棄物を原料として使用し、水硬率（H.M.）が1.8〜2.3、ケイ酸率（S.M.）が1.3〜2.3、鉄率（I.M.）が1.3〜1.8であるセメントクリンカ。 - 特許庁