「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, on the front surface of the YAG phosphor 3, a transparent resin layer 4 which diffused translucency particles, such as quartz particles (SiO2; transparency) with a diameter of about 5-50 μm, 0.02 to 20% in a heavy quantitative ratio is formed.例文帳に追加

また、ＹＡＧ蛍光体３の表面に直径5〜50μm程度の石英粒子(SiO2;透光性)などの透光性粒子を重量比で0.02〜20％拡散させた透明樹脂層４を設けている。 - 特許庁

The basicity of sintered ore (CaO/SiO2) is held to 1.4 to 1.9, the content of SiO2 to 3.5 to 5.5 mass%, Al2O3 to 1.5 to 2.3 mass%, and MgO to 0.2 to 1.5 mass% each in a proper range.例文帳に追加

焼結鉱の塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ_2）を１．４〜１．９、ＳｉＯ_2を３．５〜５．５質量％、Ａｌ_2Ｏ_3を１．５〜２．３質量％、かつＭｇＯを０．２〜１．５質量％と適正な範囲に維持する。 - 特許庁

A gate leakage current is reduced because the ohmic contact layer 27 positioned between a source electrode 13 and the SiO2 film 11 as well as between a drain electrode 14 and the SiO2 film 11 is disconnected.例文帳に追加

ソース電極１３及びＳｉＯ_２膜１１間、ドレイン電極１４及びＳｉＯ_２膜１１間に位置するオーミックコンタクト層２７は分断されていることによりゲートリーク電流を低減できる。 - 特許庁

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁

The film 21 is structured, for example so that SiO2 particulates are dispersed uniformly in an SiO2 film matrix, and the Sin2 particulates dispersed in the matrix produce projections and recesses at the film surface.例文帳に追加

凹凸膜２１は、例えば、ＳｉＯ_2膜マトリックスにＳｉＯ_2微粒子を均一に分散して形成され、該膜マトリックスの中に分散されたＳｉＯ_2微粒子により膜表面に凹凸が形成される。 - 特許庁

The stress application part is formed of B2O3-SiO2 glass doped with B2O3 of 15 to 20 mole %.例文帳に追加

また、該応力付与部は１５〜２０モル％のＢ_２Ｏ_３をドープしたＢ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２ガラスからなる。 - 特許庁

Further, suitably, the basicity of the above powder, i.e., CaO/SiO2 is made to 0.8-1.0 and the viscosity at 1300°C is made to ≥1.5 P.例文帳に追加

また、好適には上記パウダーの塩基度、すなわち、CaO/SiO_2を0.8〜1.0.、1300℃における粘度を1.5P以上とする。 - 特許庁

An SiO2 film 7 is formed so as to be filled into the trench 5 through an HDP-CVD(high density plasma- chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤ法によりトレンチ５の内部に埋め込むようにＳｉＯ_2 膜７を形成する。 - 特許庁

The content of Y2O3 is 3.6 to 8.8 pts.wt., and each of SiO2 and TiO2 is included by 0.05 to 0.5 pts.wt.例文帳に追加

Ｙ_2Ｏ_3は３．６〜８．８重量部であり、ＳｉＯ_2とＴｉＯ_2とは、それぞれ０．０５〜０．５重量部である。 - 特許庁

SELECTIVE ETCHING TREATMENT METHOD FOR THIN FILMS OF SIO2, TI AND IN2O3 APPLIED TO FERAM DEVICE例文帳に追加

ＦｅＲＡＭ装置に適用するＳｉＯ２、ＴｉおよびＩｎ２Ｏ３薄膜の選択的エッチング処理法 - 特許庁

Metallic wiring 20 is made at the bottom of the trench 14, where the SiO2 film 16 is made.例文帳に追加

そしてＳｉＯ_2膜１６が形成される溝部１４の底面には金属配線２０が形成される。 - 特許庁

Since the etching rate of a SiO2 film 3 for isolation in the n-type well 6, into which both of phosphorus and boron are implanted, is higher than that of the points where either of phosphorus or boron is implanted, a recess or step difference 3a is formed in the SiO2 film 3 during the etching operation of the SiO2 film 4 for protection which becomes positioning patterns 10.例文帳に追加

燐と硼素の双方が注入されるｎ型ウェル６でのアイソレーション用ＳｉＯ_2膜３のエッチングレートは、燐と硼素のいずれかが注入された箇所のそれよりも高くなるので、保護用ＳｉＯ_2膜４のエッチング工程でＳｉＯ_2膜３に位置合わせパターン１０となる窪みないし段差３ａが形成される。 - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2 TRANSPARENT CRYSTALLIZED GLASS PRODUCT AND OPTICAL COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系透明結晶化ガラス物品及びそれを用いた光通信デバイス - 特許庁

A first Ti film 5 and a TiN film 6 are formed one by one on the second SiO2 film 4.例文帳に追加

次に、第２のＳｉＯ_2膜４上に第１のＴｉ膜５及びＴｉＮ膜６を順次形成する。 - 特許庁

Li2O-Al2O3-SiO2 BASE TRANSPARENT CRYSTALLIZED GLASS ARTICLE AND OPTICAL COMMUNICATION DEVICE USING SAME例文帳に追加

Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系透明結晶化ガラス物品及びそれを用いた光通信用デバイス - 特許庁

To provide a method for preventing the generation of particles composed of an SiO2 as a main component in a cylinder for an organic silane compound.例文帳に追加

有機シラン化合物のボンベ内でのＳｉＯ_2を主成分とするパーティクルの発生防止方法。 - 特許庁

The 50% average particle size of SiO2 powder is ≤3.0 μm (more preferably ≤2.0 μm) in manufacturing the low-dielectric constant porcelain having the dielectric constant of the SiO2 system of ≤10 by calcining starting raw material containing the SiO2 powder to obtain a calcined body and subjecting this calcined body to pulverizing and sintering.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 粉末を含む出発原料を仮焼して仮焼体を得、この仮焼体を粉砕し、焼結することによって、ＳｉＯ_2 系の誘電率が１０以下の低誘電率磁器を製造するのに際して、ＳｉＯ_2 粉末の５０％平均粒子径が３．０μｍ以下（好ましくは２．０μｍ以下）である。 - 特許庁

Further, an SiO2 film is deposited on the above Al2O3 film by a sputtering method or an electron beam vapor supposition method.例文帳に追加

Ａｌ_2 Ｏ_3 被膜上にスパッタリング法または電子ビーム蒸着法によりＳｉＯ_2 被膜を形成する。 - 特許庁

SiO2 particles 7 are fed into a gas stream flowing toward a collision board, and are allowed to move with accelerated speed toward the collision board so that the SiO2 particles are heated and softened impurities 9 or molten aggregates 11 are stuck on the collision board and, further, purified SiO2 particles are recovered from the collision plate.例文帳に追加

ＳｉＯ_2粒子が衝突板に向けられるガス流に供給され、その中で加熱されて、軟化夾雑物または融解集塊が衝突板に付着して、精製されたＳｉＯ__2粒子が衝突板から取り出されるように衝突板の方向に加速される、ということが本発明により提案される。 - 特許庁

An SiO2 film 21 and an SiN film 22 are deposited on a silicon substrate 20 and patterned into a desired form.例文帳に追加

シリコン基板２０上に、ＳｉＯ_２膜２１、ＳｉＮ膜２２を堆積し、所望の形状にパターニングする。 - 特許庁

At first, a first SiO2 film 2 is formed on a silicon substrate 1 and an Al film 3 is formed thereon.例文帳に追加

先ず、シリコン基板１上に第１のＳｉＯ_2膜２を形成し、その上にＡｌ膜３を形成する。 - 特許庁

Even when the SiO2 is consumed by reaction with the alkali metal, the composition of the matrix can fall within the optimal range.例文帳に追加

アルカリ金属との反応でSiO_2が消費されても、基材の組成を最適な範囲とすることができる。 - 特許庁

With the pattern as a mask, reactive ion etching is conducted with a mixed gas of CF4/O2 for etching the SiO2.例文帳に追加

このパターンをマスクにＣＦ_4／Ｏ_2の混合ガスで反応性イオンエッチングを行いＳｉＯ_2をエッチングする。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HOLLOW SIO2 MICROPARTICLE LIQUID DISPERSION, COATING COMPOSITION AND SUBSTRATE WITH ANTIREFLECTION COATING FILM例文帳に追加

中空状ＳｉＯ２微粒子分散液の製造方法、塗料組成物及び反射防止塗膜付き基材 - 特許庁

The drain bus wiring 61 is formed of aluminum wiring with an SiO2 film interposed with the Si substrate.例文帳に追加

ドレインバス配線61はアルミ配線で形成されており、Si基板との間にSiO_2膜を挟んだ構造になっている。 - 特許庁

Parts 7a of the SiO2 are left only on the interiors of the grooves 6, and thereafter upper parts thereof are selectively removed.例文帳に追加

溝６の内部にのみＳｉＯ_2 膜の部分７ａを残した後、その上部を選択的に除去する。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

When this fluorine F is introduced into the process chamber 2, the fluorine F reacts chemically with the Si film and SiO2 film sticking to the inside wall, etc., of the process chamber 2 and the Si film and SiO2 film are decomposed away.例文帳に追加

このフッ素Ｆがプロセスチャンバー２内に導入されると、プロセスチャンバー２の内壁等に付着したＳｉ膜やＳｉＯ_2膜に対してフッ素Ｆが化学反応し、Ｓｉ膜及びＳｉＯ_2膜が分解除去される。 - 特許庁

The reaction products, CaO-SiO2-CaCl2, 9CaO-6SiO2-CaCl2, and 2CaO-SiO2-CaCl2, are stable and even in the case of being brought into contact with water, calcium ion and chlorine ion are not eluted in water.例文帳に追加

反応生成物であるＣａＯ・ＳｉＯ_２・ＣａＣｌ_２、９ＣａＯ・６ＳｉＯ_２・ＣａＣｌ_２及び２ＣａＯ・ＳｉＯ_２・ＣａＣｌ_２が安定しており、水と接触してもカルシウムイオンや塩素イオンが溶出することがない。 - 特許庁

In this case, the SiO2 layer 14 is formed by plasma-oxidizing the surface of the probe base material 13, and thereby volume increase caused by SiO2 layer formation is suppressed in comparison with the case of forming by film deposition.例文帳に追加

その際、ＳｉＯ２層１４を、探針素材１３の表面をプラズマ酸化して形成することにより、成膜によって形成する場合に比べて、ＳｉＯ２層形成に伴う体積の増大を抑制する。 - 特許庁

The adsorbent for a water purifying device uses an aluminosilicate-based inorganic ion exchanger in which the composition ratio of SiO2 to Al2O3 of the aluminosilicate-based inorganic ion exchanger satisfies 3<SiO2/Al2O3≤13.例文帳に追加

アルミノケイ酸塩系無機イオン交換体のＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３の組成比が、以下の式 ３＜ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３≦１３ を満足することを特徴とする、アルミノケイ酸塩系無機イオン交換体を用いた浄水器用吸着剤。 - 特許庁

An optical fiber 10 is equipped with a core 11 formed on a SiO2 composition to which a component for enhancing the refractive index is doped and a clad layer 12 disposed so that the core 11 is coated and formed mainly of SiO2.例文帳に追加

光ファイバ１０は、屈折率を高める成分がドープされたＳｉＯ_2組成物により形成されたコア１１と、コア１１を被覆するように配置され且つＳｉＯ_2を主体として形成されたクラッド１２とを備える。 - 特許庁

The magnetic dots 12, 14 are composed of magnetic material and formed on an Si substrate having an SiO2 film 16.例文帳に追加

磁性ドット１２，１４は、磁性材料からなり、ＳｉＯ_2 膜１６付きのＳｉ基板１８上に形成されている。 - 特許庁

An SiO2 pattern layer, having a plurality of trenches or the like, is formed on an Si wafer of a substrate W.例文帳に追加

基板Ｗを構成するＳｉウェハ上に複数のトレンチ等を備えるＳｉＯ_2パターン層を形成する。 - 特許庁

The optical thin film 30 has structure of 9 layer lamination made by alternately laminating a TiO_2 thin film 31 and a SiO_2thin film 32.例文帳に追加

光学薄膜３０は、TiO2の薄膜３１とSiO2の薄膜３２とが交互に９層積層してある構造である。 - 特許庁

To provide a technique of improving the reproducibility of the film thickness of a deposited SiO2 film in a plasma-enhanced CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法において、成膜されたSiO_2膜の膜厚の再現性を高くする技術を提供する。 - 特許庁

A host microcomputer 13 once receiving the USE signal makes a port SIO1 effective and breaks a port SIO2.例文帳に追加

ホストマイコン１３はＵＳＥ信号を受信すると、ポートＳＩＯ１を有効にする一方、ポートＳＩＯ２を遮断する。 - 特許庁

An insulating SiO2 film 2 is formed as thick as 1000 Å on the surface or a reinforced glass board 1 (a).例文帳に追加

強化ガラス板１の表面に絶縁膜としてのＳｉＯ_2 膜２（厚さ：１０００Å）を形成する（ａ）。 - 特許庁

After grooves 6 are made in a semiconductor substrate 1, an SiO2 film is formed so as to be embedded into the grooves 6.例文帳に追加

半導体基板１に溝６を形成した後、溝６の内部に埋め込むようにＳｉＯ_2 膜を形成する。 - 特許庁

For forming a light transmission path with SiO2, a mask such as resist pattern is formed on the substrate 1, a well in semicircular form is formed by etching the substrate 1 using the mask, SiO2 exhibiting flowability is grown in the shape of the cross section of a round using the mask through a liquid phase CVD method, and SiO2 is solidified.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 で光伝送路を形成するには、基板上にレジストパターンなどのマスクを形成し、このマスクを用いて基板をエッチングすることにより半円形の溝を形成し、このマスクを用いて液相ＣＶＤ法により溝の部分に流動性を有するＳｉＯ_2 を円形の断面形状に成長させた後、このＳｉＯ_2 を固化させる。 - 特許庁

A volatile organic compound-decomposition membrane 2 is formed by forming a titanium oxide(TiO2) surface layer on a silicone oxide(SiO2) ground membrane or forming a titanium oxide(TiO2) surface layer on a silicone oxide(SiO2) ground membrane via niobium oxide(Nb2O5).例文帳に追加

揮発性有機化合物分解膜２は、酸化珪素（ＳiＯ_2）下地膜の上に酸化チタン（ＴiＯ_2）表層を形成するか、或いは酸化珪素（ＳiＯ_2）下地膜の上に酸化ニオブ（Ｎb_2Ｏ_5）を介して酸化チタン（ＴiＯ_2）表層を形成する。 - 特許庁

This catalyst consists of a matrix having a composition containing SiO2 and a coat layer comprising a porous support carrying at least a noble metal and an alkali metal and formed on the surface of the matrix, wherein the matrix has an SiO2 content of 50-65 wt.% based on the entire base.例文帳に追加

SiO_2を組成中に含む基材と、基材の表面に形成され少なくとも貴金属とアルカリ金属とを担持した多孔質担体よりなるコート層と、からなり、基材中のSiO_2含有量を基材全体の50〜65重量％とした。 - 特許庁

To improve an adhesion of an inorganic barrier film composed of SiC or hydrogenated SiC to an copper surface and an adhesion of an insulation film composed of SiO2, fluorinated SiO2 or SiOC to the inorganic barrier film in a copper interconnection structure.例文帳に追加

銅相互接続構造の銅表面に対するＳｉＣまたは水素化ＳｉＣからなる無機バリア膜の接着性および無機バリア膜に対するＳｉＯ_2，フッ化ＳｉＯ_2，またはＳｉＯＣからなる絶縁膜の接着性を改良する。 - 特許庁

The modifier added to the SiO2 glass layer is any one or more kinds of B2O3, CaO, MgO, Na2O, Li2O and Al2O3 and the SiO2 layer can be prepared by a spin-on-glass(SOG) method including a sol-gel method.例文帳に追加

ここで、ＳｉＯ_2ガラス層に添加される調整剤は、Ｂ_2Ｏ_3、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｎａ_2Ｏ、Ｌｉ_2Ｏ、Ａｌ_2Ｏ_3のいずれか１種類以上であり、ＳｉＯ２の層を形成するにはゾルゲル法を含むスピンオングラス（ＳＯＧ）法で作製することができる。 - 特許庁

The photosensor has a structure of three layers consisting of a first layer silicon oxide film (SiO2) 21 having a thickness of 1.12 μm, a second layer polysilicon oxide film (Poly-Si) 22 having a thickness of 0.5 μm, and a third layer silicon oxide film 23 having a thickness of 1.12 μm.例文帳に追加

厚さが１．１２μｍである第１層目のシリコン酸化膜(SiO2)２１と、厚さが０．５μｍである第２層目のポリシリコン膜(Poly-Si)２２と、厚さが１．１２μｍである第３層目のシリコン酸化膜２３とよりなる３層の構成である。 - 特許庁