「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A catalyst main component selected from the group consisting of Pt, Pd, V and W and a catalyst carrier wherein a SiO2/TiO2 molar ratio is 0.01-0.15 are supported on a honeycomb ceramic filter on the clean side thereof.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｖ、Ｗよりなる群から選択された触媒主成分と、ＳｉＯ_2／ＴｉＯ_2モル比が０．０１〜０．１５の触媒担体とを、ハニカムセラミックフィルターのクリーン側に担持させる。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SIO2 GLASS BULB HAVING AT LEAST ONE ELECTRIC CURRENT INTRODUCING PART, HIGH OUTPUT HAVING THE GLASS BULB DISCHARGE LAMP AS WELL AS AIRTIGHT COUPLING BETWEEN THE GLASS BULB AND RECEPTACLE例文帳に追加

少なくとも１つの電流導入部を有するＳｉＯ２ガラス球、該ガラス球を有する高出力の放電ランプならびに該ガラス球とソケットとの間に気密な結合を製造する方法 - 特許庁

The sintered material is slowly cooled and, thereby, the pellet-like artificial aggregate 23 in which the coal ash particles are encapsulated by the artificial matrix having a three-dimensional recrystallization structure of SiO2- CaO-FeO is provided.例文帳に追加

その焼成物を徐冷すれば、石炭灰粒子がＳｉＯ_2 −ＣａＯ−ＦｅＯ三元系再結晶構造の人工マトリックスで包蔵されたペレット状人工骨材２３が得られる。 - 特許庁

Thereby, the dipoles 14 are aligned by the electric field produced between the argon ion and the lower electrode 16, which develops nonlinear optical characteristics in the SiO2-GeO2 thin film 12.例文帳に追加

以上により、アルゴンイオンと下部電極１６との間に生じる電界により、ダイポール１４が配向され、ＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2薄膜１２に非線形光学特性が発現される。 - 特許庁

The shape retaining layer 31 constitutes the surface layer on the apex of a ridge section 5, acting to compensate for the adhesiveness between an insulating film 44 consisting of SiO2 and the contact layer 16.例文帳に追加

この形状保持層３１は、リッジ部５の頂部の最表層を構成し、ＳｉＯ２からなる絶縁膜４４とコンタクト層１６との間の密着性を補うように作用する。 - 特許庁

(2) The post-treated film is incorporated with one or more kinds of the salts of Ni, Zn, Al, Mg, Ti, Co, Mn, Sn, Fe and Zr by a ratio of 0.01 to 0.5 to the quantity of SiO2 as the total of the quantity expressed in terms of the metal.例文帳に追加

（２）後処理皮膜中にＮｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｒの１または２種以上の塩を、金属換算量の総計としてＳｉＯ_2 量に対して０．０１〜０．５の比で含有する。 - 特許庁

The lead-free glaze contains 16 to 49 wt.% of SiO2, 15 to 35 wt.% of B2O3, 0 to 10 wt.% of Al2O3 and 0 to 10 wt.% of ZnO.例文帳に追加

無鉛釉薬は，１６〜４９％（重量％を意味する。以下，同様。）のＳｉＯ_２と，１５〜３５％のＢ_２Ｏ_３と，０〜１０％のＡｌ_２Ｏ_３と，０〜１０％のＺｎＯとを含有している。 - 特許庁

To obtain a polishing composition which has an excellent polishing performance, is suitable for flattening the surfaces of wafers for semiconductor devices, and consists mainly of Al2O3/SiO2 compound particles.例文帳に追加

優秀な研磨性能を有し、半導体デバイスウェーハ表面の平坦化加工に適した、Ａｌ_2Ｏ_3／ＳｉＯ_2複合体微粉末を主成分とした研磨用組成物を提供することである。 - 特許庁

By this setup, the lower edge of the side wall 109 is brought into contact with the light shielding WSi2 film 102, and the upper edge is positioned to be nearly flush with the top surface of the gate insulting SiO2 film 105.例文帳に追加

これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 - 特許庁

It is preferable that a content x, which is converted into oxide (SiO2 conversion) of Si component contained in the ceramic conductor layer of 100 wt.% be set at 0.24≤x≤20 wt.%.例文帳に追加

セラミック導電材層１００質量％に含まれるＳｉ成分の酸化物換算（ＳｉＯ_2換算）における含有量ｘは、０．２４≦ｘ≦２０質量％とするのがよい。 - 特許庁

An A1SiCu film 12 formed on a laminate of an Si substrate 4, SiO2 6, Ti film 8 and so forth is formed by setting the pressure in a sputtering chamber at 0.5 mtorr or lower.例文帳に追加

Ｓｉ基板４、ＳｉО_２６、Ｔｉ膜８等を積層した上に形成するＡｌＳｉＣｕ膜１２を、スパッタチャンバー内の圧力を０．５ｍｔｏｒｒ以下として形成することとした。 - 特許庁

After forming a first Si3N4 film 21 and a second SiO2 film 22 on a base board, a Pt film 23 is formed, and heat treatment is applied so that the particle size of Pt of the Pt film 23 becomes large.例文帳に追加

基板上に第１のＳｉ_3Ｎ_4膜２１と第２のＳｉＯ_2膜２２を形成した後Ｐｔ膜２３を形成し、Ｐｔ膜２３のＰｔの粒径が大きくなるような熱処理を施す。 - 特許庁

The insulating film 16 has a structure, in which a first AlN insulating film 16a and a second SiO2 insulating film 16b are laminated sequentially from a side of the electron transit layer 15.例文帳に追加

絶縁膜１６はＡｌＮよりなる第１の絶縁膜１６ａとＳｉＯ_2 よりなる第２の絶縁膜１６ｂとが電子走行層１５の側から順に積層された構造を有している。 - 特許庁

By dry etching, a second trench connecting with this is successively formed on a first trench bottom and the first deposit 7 is covered with a second SiO2-based deposit 8.例文帳に追加

続いて、ドライエッチングにより、前記第１のトレンチ底部に、これと連なる第２のトレンチを形成すると共に、前記第１の堆積付着物７をＳｉＯ_2系の第２の堆積付着物８で覆う。 - 特許庁

This powder consists essentially of material having two or more kinds among Cab, SiO2, Al2O3, B2O3, fluoride, alkaline metal oxides and has two liquid phases or solid-liquid coexisting phase at 1300°C.例文帳に追加

ＣａＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、フッ化物、アルカリ金属酸化物のうち２種以上の物質を主成分とし、１３００℃で２液相または固液共存相を有する。 - 特許庁

Here, the opening width of an opening 11 formed in the SiO2 insulation film 8 becomes narrower gradually as it goes down from an upper part to a down part (namely, as coming near the semiconductor substrate).例文帳に追加

ここで、ＳｉＯ_2絶縁膜８に形成される開口部１１の開口幅は上部から下部に行くに従って（すなわち、半導体基板に向かうに従って）徐々に狭くなっている。 - 特許庁

As the inorganic fine particles, metal fine particles, oxide fine particles or mixed fine particles of them can be used but SiO2 fine particles are especially preferable.例文帳に追加

無機質微粒子としては、金属微粒子、酸化物微粒子等の１種、又はこれらの２種以上の混合微粒子を用いることができるが、特にＳｉＯ__2微粒子が好ましい。 - 特許庁

A SOI substrate has an SiO2 film 230 the center of which is positioned to the depth of the damage peak at which crystal defects become the maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板（１０）に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するＳｉＯ_2膜（２３０）を有する。 - 特許庁

A photoelectric transfer target part 110 has a glass substrate 111 of glass such as borosilicate glass, and an ion barrier layer 112 of SiO2 formed on one surface thereof.例文帳に追加

光電変換ターゲット部１１０は、ホウケイ酸ガラスのようなガラスから構成したガラス基板１１１と、その一方の面に形成されたＳｉＯ_２から構成したイオンバリア層１１２とを有する。 - 特許庁

An emitter electrode is disposed between a collector electrode and a base electrode, a LOCOS formed of oxide film of SiO2 and a trench of insulator are disposed directly below the base electrode.例文帳に追加

コレクタ電極とベース電極の間にエミッタ電極を配置し、前記ベース電極の直下に酸化膜SiO_2で形成されたＬＯＣＯＳ及び絶縁体で形成されたトレンチを配置する。 - 特許庁

The powdery slag 1 and CaO in the binder 3 causes pozzolan reaction with SiO2 in the sand washing sludge 2 to be solidified to form a bulky solid as an agglomerated material 5.例文帳に追加

粉状スラグ１およびバインダ３中のＣａＯと、洗砂汚泥２中のＳｉＯ_2とがポゾラン反応等を起こして固化し、塊状の固体が塊成化物５として生成される。 - 特許庁

To provide a simple method for regenerating a TiO2 photocatalyst deactivated by a coating film of SiO2 produced when silicon-containing organic gas is decomposed by photocatalyst reaction.例文帳に追加

ケイ素系有機ガスが光触媒反応で分解する際に生成したＳｉＯ_２の被覆によって失活してしまったＴｉＯ_２光触媒を再生するための簡易な方法を提供する。 - 特許庁

Component A: an organosilicate 100 pts.wt. calculated as SiO2 Component B: catalyst 0.1-10 pts.wt., Component C: water 100-50,000 pts.wt., Component D: solvent 100-50,000 pts.wt.例文帳に追加

成分（Ａ）オルガノシリケート ＳｉＯ_2 換算で１００重量部 成分（Ｂ）触媒 ０．１〜１０重量部 成分（Ｃ）水 １００〜５００００重量部 成分（Ｄ）溶剤 １００〜５００００重量部 - 特許庁

Eight kinds of compounds of ZnO, SiO2, CuO, Al2O3, MgO, BaCO3, B2O3 and Bi2O3 are added to (BaNdSm)TiO3 and then the resulting mixture is wet-mixed for 3 h.例文帳に追加

（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３に、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＣｕＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＢａＣＯ_３、Ｂ_２Ｏ_３、及びＢｉ_２Ｏ_３の８種類の化合物を加えて３時間湿式混合する。 - 特許庁

On the ZnO film 3 an n-type GaN glad layer 4, a p-type GaN active layer 5 and a p-type GaN active layer 6 are provided and an SiO2 film 7 is formed on the top face thereof.例文帳に追加

ＺｎＯ膜３の上にｎ型ＧａＮクラッド層４、ｐ型ＧａＮ活性層５及びｐ型ＧａＮクラッド層６を設け、その上面にＳｉＯ_2膜７を形成する。 - 特許庁

The slow-acting potash fertilizer includes a water-soluble potash compound containing K2O and SiO2 and further containing one or ≥kinds selected from the group consisting of CaO, MgO, MnO and FetO and a water-soluble potash compound containing K2O and SiO2 and further containing or not containing one or ≥kinds selected from the group consisting of CaO, MgO, MnO and FetO.例文帳に追加

緩効性カリ肥料は、Ｋ_２Ｏ、ＳｉＯ_２を含有し、さらにＣａＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｆｅ_ｔＯからなる群から選ばれた１種または２種以上を含有するク溶性カリ化合物と、Ｋ_２Ｏ、ＳｉＯ_２を含有し、さらにＣａＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｆｅ_ｔＯからなる群から選ばれた１種または２種以上を含有または含有しない水溶性カリ化合物とを含む。 - 特許庁

The low melting point glass paste is to be used to form a dielectric layer on a transparent electrode pattern formed on a plasma display substrate and the paste is prepared by incorporating oxides as the main component of the transparent electrode by 0.1 to 10 wt.% into PbO-SiO2-B2O5-ZnO or PbO- SiO2-B2O3-ZnO-BaO glass.例文帳に追加

プラズマディスプレイ用基板に配した透明電極パターン上に誘電体層を形成するための低融点ガラスペーストであって、ＰｂＯ−ＳｉＯ_2−Ｂ_２Ｏ___３−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、前記透明電極の主成分をなす酸化物を０．１〜１０ｗｔ％の範囲で含ませてペースト化してなることを特徴とする。 - 特許庁

When forming a sub-mount 4, the pattern of an oxide film, which has a certain width of groove on the top, is made by growing an SiO2 film on the face (100) of a silicon substrate 41, both whose sides of top and bottom are polished.例文帳に追加

サブマウント４を形成するとき、上下両面が研磨されたシリコン基板４１の（１００）面にＳｉＯ_2膜を成長させて上面に一定幅の溝を有する酸化膜のパターンをつくる。 - 特許庁

A substrate 50 composed by sequentially stacking a first layer 1 formed of single-crystal silicon, a second layer 2 formed of SiO2, a third layer 3 formed of SiN and a fourth layer 4 formed of single-crystal silicon is prepared.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、ＳｉＮから成る第３層３と、単結晶シリコンから成る第４層４とを順次に積層した基板５０を準備する。 - 特許庁

The reflecting sections 15, 21 are formed of Fumed SiO2 having ultrafine porous structure and the heaters 16, 22 are embedded and secured while exposing a part thereof to the surface of the reflecting section 15.例文帳に追加

そして反射部１５、２１は超微細多孔構造を有するＦｕmｄＳｉｏ２で形成され、また発熱体１６、２２はその一部が反射部１５の表面に露出するようにして埋設・固定されている。 - 特許庁

On the surface of the Li2O-Al2O3-SiO2 crystallized glass with thermal expansion coefficient of -30 to 60×10-7/°C, particles with less thermal expansion coefficient than that, are fused.例文帳に追加

−３０〜６０×１０^-7／℃の熱膨張係数を有するＬｉ_2Ｏ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系結晶化ガラスの表面に、それより小さい熱膨張係数を有する粒子が融着していることを特徴とする。 - 特許庁

In the case the reflection preventing layer constructed with laminating the five layers of ZrO2 and SiO2 is utilized reflection of incident light can be lowered over an entire range of visible light.例文帳に追加

このようなＺｒＯ_2層およびＳｉＯ_2層を５層積層して形成される反射防止層を用いた場合には、入射光の可視域全域にわたって反射を低く抑えることができる。 - 特許庁

Thereby the residual foreign substance such as silicon oxide (SiO2) remaining in the charge case of the corona charge device is discharged outside together with air stream from the exit opened toward the sensitized body 10 of the charge case.例文帳に追加

これにより、コロナ帯電装置の帯電ケース内に残留した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などの残留異物が、気流と共に帯電ケースの感光体１０側に向いている開口から排出される。 - 特許庁

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１２が上面に形成されたＳｉ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。 - 特許庁

Except for respective junction surfaces of the plastic base plates 101 and 102, the inner wall surface of the passage 103 is entirely covered with an SiO2 film 200 having a chemical resistance to strong acid.例文帳に追加

プラスチック基板１０１及びプラスチック基板１０２の各接合面を除いて、流路１０３の内壁面は全て強酸に対する化学的耐久性を有するＳｉＯ_2膜２００によって被膜されている。 - 特許庁

This target material is composed of a hot press sintered material of a powdery mixture having a blended composition of, by weight, 3 to 25% SiO2 and 5 to 35% TiO2, and the balance ZnS.例文帳に追加

光記録媒体保護層形成用ターゲット材を、重量％で、ＳｉＯ_2：３〜２５％、ＴｉＯ_2：５〜３５％、ＺｎＳ：残り、の配合組成を有する混合粉末のホットプレス焼結体で構成する。 - 特許庁

The toner T is constituted so that the ratio of the amount of toner synchronizing with an external additive to the total amount of the toner, that is, the synchronization ratio of the base particle (C) 12 with the external additive (SiO2) 13 may be ≥60%.例文帳に追加

トナーＴは、外添剤同期トナー量とトナー全体量との比、すなわち母粒子（Ｃ）１２と外添剤（ＳｉＯ_2）１３との同期率が６０％以上になるように構成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

An insulating film 19 made of SiO2 is coated on the surface of the piezoelectric substrate 2 other than the surfaces of excitation electrode parts 4 and 11, electrode pad parts 7 and 15, and a reflector 18 of the surface acoustic wave element 3.例文帳に追加

弾性表面波素子３の励振電極部４，11、電極パッド部７，15および反射器18の表面を除いた圧電性基板２の表面に、ＳｉＯ_2 の絶縁性膜19を被覆形成する。 - 特許庁

Double-cored base material 1a is formed from a first core region 10 to which a first dopant Ge raising the refractive index is added, and a second core region 20 consisting of pure SiO2.例文帳に追加

屈折率を上げる第１ドーパントＧｅが添加された第１コア領域１０、及び純粋ＳｉＯ_2からなる第２コア領域２０からなる２重コアを有するコア母材１ａを作成する。 - 特許庁

This monolithic structure comprises an SiO2 glass layer containing a modifier added thereto in order to adjust the coefficient of thermal expansion thereof to that of a crystalline ceramic substrate 1 and formed on the crystalline ceramic substrate 1.例文帳に追加

結晶質セラミック基板の上に該セラミック基板との熱膨張係数を合わせるために調整剤を加えたＳｉＯ_2ガラス層が形成されてモノリシックな構造であることを特徴とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 of plasma SiO2 or the like is formed as deposited to a thickness of 2.0 μm on a semiconductor substrate 1, on which a semiconductor element having a gate electrode 2 is formed as a lower layer.例文帳に追加

下層電極となるゲート電極２などから成る半導体素子が形成された半導体基板１の上に、プラズマＳｉＯ_2膜などからなる層間絶縁膜３を２．０μｍ堆積する。 - 特許庁

In this toner, the value obtained by dividing the average grain size of the toner (external additive synchronous toner) having an external additive (SiO2) adhered to a base particle (C) of a resin by the average grain size of the whole tone is set larger than 1.例文帳に追加

トナーが、樹脂の母粒子（Ｃ）に外添剤（ＳｉＯ_2）が付着しているトナー（外添剤同期トナー）の平均粒径をトナー全体の平均粒径で除した値が１よりも大きくなるように設定されている。 - 特許庁

To provide a low-temperature fired porcelain that is composed of BaO-SiO2-Al2O3 and has a dielectric constant εr of ≤10 and a high strength with a quality factor of ≥2,500.例文帳に追加

ＢａＯ−ＳｉＯ_2 −Ａｌ_2 Ｏ_3 系の低温焼成磁器において、誘電率εｒが１０以下であり、品質係数Ｑが２５００以上である高強度の低温焼成磁器を提供する。 - 特許庁