「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This powder consists essentially of material having two or more kinds among Cab, SiO2, Al2O3, B2O3, fluoride, alkaline metal oxides and has two liquid phases or solid-liquid coexisting phase at 1300°C.例文帳に追加

ＣａＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、フッ化物、アルカリ金属酸化物のうち２種以上の物質を主成分とし、１３００℃で２液相または固液共存相を有する。 - 特許庁

A catalyst main component selected from the group consisting of Pt, Pd, V and W and a catalyst carrier wherein a SiO2/TiO2 molar ratio is 0.01-0.15 are supported on a honeycomb ceramic filter on the clean side thereof.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｖ、Ｗよりなる群から選択された触媒主成分と、ＳｉＯ_2／ＴｉＯ_2モル比が０．０１〜０．１５の触媒担体とを、ハニカムセラミックフィルターのクリーン側に担持させる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SIO2 GLASS BULB HAVING AT LEAST ONE ELECTRIC CURRENT INTRODUCING PART, HIGH OUTPUT HAVING THE GLASS BULB DISCHARGE LAMP AS WELL AS AIRTIGHT COUPLING BETWEEN THE GLASS BULB AND RECEPTACLE例文帳に追加

少なくとも１つの電流導入部を有するＳｉＯ２ガラス球、該ガラス球を有する高出力の放電ランプならびに該ガラス球とソケットとの間に気密な結合を製造する方法 - 特許庁

The sintered material is slowly cooled and, thereby, the pellet-like artificial aggregate 23 in which the coal ash particles are encapsulated by the artificial matrix having a three-dimensional recrystallization structure of SiO2- CaO-FeO is provided.例文帳に追加

その焼成物を徐冷すれば、石炭灰粒子がＳｉＯ_2 −ＣａＯ−ＦｅＯ三元系再結晶構造の人工マトリックスで包蔵されたペレット状人工骨材２３が得られる。 - 特許庁

By dry etching, a second trench connecting with this is successively formed on a first trench bottom and the first deposit 7 is covered with a second SiO2-based deposit 8.例文帳に追加

続いて、ドライエッチングにより、前記第１のトレンチ底部に、これと連なる第２のトレンチを形成すると共に、前記第１の堆積付着物７をＳｉＯ_2系の第２の堆積付着物８で覆う。 - 特許庁

An aqueous solution of an alkali metal silicate (sodium silicate) is made to react with an aqueous solution of a mineral acid (sulfuric acid) to effect the hydrogelatinization to obtain a silica hydrogel having a weight ratio of water to SiO2 of 1.5-5.0.例文帳に追加

シリカヒドロゲルのＳｉＯ_2 に対する水の量を特定の重量比としたスラリーを水熱処理することにより水熱微粉砕処理し、これをスプレードライヤ等の手段で乾燥する。 - 特許庁

In the case the component is water and the other component is a volatile organic substance, a water-selective adsorbent is a low silica adsorbent with a SiO_2/Al_2O_3 ratio of 5 or lower and silica coat agent of the low silica adsorbent.例文帳に追加

当該成分が水分、その他の成分が揮発性有機物の場合の水分選択型吸着剤は、SiO2/Al2O3比が５以下の低シリカ吸着剤および同左シリカコート剤である。 - 特許庁

(SiO2)h= WSiO2, (CaF2)h=(WF-WLi2O×1.27-WNa2O×0.613-WK2O×0.403)×2.05, and (fluoride of alkali metal)h=WLi2O×1.74+WNa2O×1.35+WK2O×1.23.例文帳に追加

ここで、（ＣａＯ）_h＝（Ｗ_CaO−（ＣａＦ_2）_h×0.718）、（ＳｉＯ_2）_h＝Ｗ_SiO2、（ＣａＦ_2）_h＝（Ｗ_F−Ｗ_Li2O×1.27−Ｗ_Na2O×0.613−Ｗ_K2O×0.403）×2.05、（アルカリ金属の弗化物）_h ＝Ｗ_Li2O×1.74＋Ｗ_Na2O×1.35＋Ｗ_K2O ×1.23 - 特許庁

(2) The post-treated film is incorporated with one or more kinds of the salts of Ni, Zn, Al, Mg, Ti, Co, Mn, Sn, Fe and Zr by a ratio of 0.01 to 0.5 to the quantity of SiO2 as the total of the quantity expressed in terms of the metal.例文帳に追加

（２）後処理皮膜中にＮｉ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｒの１または２種以上の塩を、金属換算量の総計としてＳｉＯ_2 量に対して０．０１〜０．５の比で含有する。 - 特許庁

The lead-free glaze contains 16 to 49 wt.% of SiO2, 15 to 35 wt.% of B2O3, 0 to 10 wt.% of Al2O3 and 0 to 10 wt.% of ZnO.例文帳に追加

無鉛釉薬は，１６〜４９％（重量％を意味する。以下，同様。）のＳｉＯ_２と，１５〜３５％のＢ_２Ｏ_３と，０〜１０％のＡｌ_２Ｏ_３と，０〜１０％のＺｎＯとを含有している。 - 特許庁

By this setup, the lower edge of the side wall 109 is brought into contact with the light shielding WSi2 film 102, and the upper edge is positioned to be nearly flush with the top surface of the gate insulting SiO2 film 105.例文帳に追加

これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 - 特許庁

This paper for newspaper comprises white carbon and calcium carbonate so as to have the ratio of SiO2 to CaO in an atomic absorption spectroscopy of ash at 550°C defined by JIS P 8128 is 9:1-5:5.例文帳に追加

ホワイトカーボンと炭酸カルシウムとをＪＩＳ Ｐ ８１２８に規定の５５０℃の灰分の原子吸光分析におけるＳｉＯ_2とＣａＯとの割合が９：１〜５：５となるように含有させる。 - 特許庁

The shape retaining layer 31 constitutes the surface layer on the apex of a ridge section 5, acting to compensate for the adhesiveness between an insulating film 44 consisting of SiO2 and the contact layer 16.例文帳に追加

この形状保持層３１は、リッジ部５の頂部の最表層を構成し、ＳｉＯ２からなる絶縁膜４４とコンタクト層１６との間の密着性を補うように作用する。 - 特許庁

The agent for reducing heavy metal elution agent is prepared under a reduction atmosphere at ≥1000°C and consists essentially of ≥2 components among CaO, Al2O3 and SiO2 chemical components and containing a reducing material.例文帳に追加

1000℃以上の還元雰囲気下で製造され、化学成分としてCaO、Al_2O_3、SiO_2のうちの２成分以上を主成分とし、かつ、還元性物質を含有する重金属溶出低減材。 - 特許庁

A substrate layer 12 which is made of crystallized glass thinner than the adhesive glass layer 3 or is made of a kind among Al2O3, SiO2, Cr or the like, is provided between the nonmagnetic substrate 2 and the adhesive glass layer 3.例文帳に追加

非磁性基板２と接着ガラス層３との間に、接着ガラス層３より薄い結晶化ガラス、或いはＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｃｒ等の一種からなる下地層１２を設ける。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

A SOI substrate has an SiO2 film 230 the center of which is positioned to the depth of the damage peak at which crystal defects become the maximum when oxygen ions are implanted into an Si substrate 10.例文帳に追加

ＳＯＩ基板は、Ｓｉ基板（１０）に酸素イオンをイオン注入した際に結晶欠陥最大となるダメージピークの深さ位置に中心を有するＳｉＯ_2膜（２３０）を有する。 - 特許庁

As the inorganic fine particles, metal fine particles, oxide fine particles or mixed fine particles of them can be used but SiO2 fine particles are especially preferable.例文帳に追加

無機質微粒子としては、金属微粒子、酸化物微粒子等の１種、又はこれらの２種以上の混合微粒子を用いることができるが、特にＳｉＯ__2微粒子が好ましい。 - 特許庁

Here, the opening width of an opening 11 formed in the SiO2 insulation film 8 becomes narrower gradually as it goes down from an upper part to a down part (namely, as coming near the semiconductor substrate).例文帳に追加

ここで、ＳｉＯ_2絶縁膜８に形成される開口部１１の開口幅は上部から下部に行くに従って（すなわち、半導体基板に向かうに従って）徐々に狭くなっている。 - 特許庁

An emitter electrode is disposed between a collector electrode and a base electrode, a LOCOS formed of oxide film of SiO2 and a trench of insulator are disposed directly below the base electrode.例文帳に追加

コレクタ電極とベース電極の間にエミッタ電極を配置し、前記ベース電極の直下に酸化膜SiO_2で形成されたＬＯＣＯＳ及び絶縁体で形成されたトレンチを配置する。 - 特許庁

A photoelectric transfer target part 110 has a glass substrate 111 of glass such as borosilicate glass, and an ion barrier layer 112 of SiO2 formed on one surface thereof.例文帳に追加

光電変換ターゲット部１１０は、ホウケイ酸ガラスのようなガラスから構成したガラス基板１１１と、その一方の面に形成されたＳｉＯ_２から構成したイオンバリア層１１２とを有する。 - 特許庁

The powdery slag 1 and CaO in the binder 3 causes pozzolan reaction with SiO2 in the sand washing sludge 2 to be solidified to form a bulky solid as an agglomerated material 5.例文帳に追加

粉状スラグ１およびバインダ３中のＣａＯと、洗砂汚泥２中のＳｉＯ_2とがポゾラン反応等を起こして固化し、塊状の固体が塊成化物５として生成される。 - 特許庁

To provide a simple method for regenerating a TiO2 photocatalyst deactivated by a coating film of SiO2 produced when silicon-containing organic gas is decomposed by photocatalyst reaction.例文帳に追加

ケイ素系有機ガスが光触媒反応で分解する際に生成したＳｉＯ_２の被覆によって失活してしまったＴｉＯ_２光触媒を再生するための簡易な方法を提供する。 - 特許庁

Component A: an organosilicate 100 pts.wt. calculated as SiO2 Component B: catalyst 0.1-10 pts.wt., Component C: water 100-50,000 pts.wt., Component D: solvent 100-50,000 pts.wt.例文帳に追加

成分（Ａ）オルガノシリケート ＳｉＯ_2 換算で１００重量部 成分（Ｂ）触媒 ０．１〜１０重量部 成分（Ｃ）水 １００〜５００００重量部 成分（Ｄ）溶剤 １００〜５００００重量部 - 特許庁

Eight kinds of compounds of ZnO, SiO2, CuO, Al2O3, MgO, BaCO3, B2O3 and Bi2O3 are added to (BaNdSm)TiO3 and then the resulting mixture is wet-mixed for 3 h.例文帳に追加

（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３に、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＣｕＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＢａＣＯ_３、Ｂ_２Ｏ_３、及びＢｉ_２Ｏ_３の８種類の化合物を加えて３時間湿式混合する。 - 特許庁

On the ZnO film 3 an n-type GaN glad layer 4, a p-type GaN active layer 5 and a p-type GaN active layer 6 are provided and an SiO2 film 7 is formed on the top face thereof.例文帳に追加

ＺｎＯ膜３の上にｎ型ＧａＮクラッド層４、ｐ型ＧａＮ活性層５及びｐ型ＧａＮクラッド層６を設け、その上面にＳｉＯ_2膜７を形成する。 - 特許庁

The slow-acting potash fertilizer includes a water-soluble potash compound containing K2O and SiO2 and further containing one or ≥kinds selected from the group consisting of CaO, MgO, MnO and FetO and a water-soluble potash compound containing K2O and SiO2 and further containing or not containing one or ≥kinds selected from the group consisting of CaO, MgO, MnO and FetO.例文帳に追加

緩効性カリ肥料は、Ｋ_２Ｏ、ＳｉＯ_２を含有し、さらにＣａＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｆｅ_ｔＯからなる群から選ばれた１種または２種以上を含有するク溶性カリ化合物と、Ｋ_２Ｏ、ＳｉＯ_２を含有し、さらにＣａＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｆｅ_ｔＯからなる群から選ばれた１種または２種以上を含有または含有しない水溶性カリ化合物とを含む。 - 特許庁

The low melting point glass paste is to be used to form a dielectric layer on a transparent electrode pattern formed on a plasma display substrate and the paste is prepared by incorporating oxides as the main component of the transparent electrode by 0.1 to 10 wt.% into PbO-SiO2-B2O5-ZnO or PbO- SiO2-B2O3-ZnO-BaO glass.例文帳に追加

プラズマディスプレイ用基板に配した透明電極パターン上に誘電体層を形成するための低融点ガラスペーストであって、ＰｂＯ−ＳｉＯ_2−Ｂ_２Ｏ___３−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスに、前記透明電極の主成分をなす酸化物を０．１〜１０ｗｔ％の範囲で含ませてペースト化してなることを特徴とする。 - 特許庁

Thereby the residual foreign substance such as silicon oxide (SiO2) remaining in the charge case of the corona charge device is discharged outside together with air stream from the exit opened toward the sensitized body 10 of the charge case.例文帳に追加

これにより、コロナ帯電装置の帯電ケース内に残留した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などの残留異物が、気流と共に帯電ケースの感光体１０側に向いている開口から排出される。 - 特許庁

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１２が上面に形成されたＳｉ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。 - 特許庁

Except for respective junction surfaces of the plastic base plates 101 and 102, the inner wall surface of the passage 103 is entirely covered with an SiO2 film 200 having a chemical resistance to strong acid.例文帳に追加

プラスチック基板１０１及びプラスチック基板１０２の各接合面を除いて、流路１０３の内壁面は全て強酸に対する化学的耐久性を有するＳｉＯ_2膜２００によって被膜されている。 - 特許庁

On the surface of the Li2O-Al2O3-SiO2 crystallized glass with thermal expansion coefficient of -30 to 60×10-7/°C, particles with less thermal expansion coefficient than that, are fused.例文帳に追加

−３０〜６０×１０^-7／℃の熱膨張係数を有するＬｉ_2Ｏ−Ａｌ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系結晶化ガラスの表面に、それより小さい熱膨張係数を有する粒子が融着していることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

Further preferably, the transparent glaze layer is substantially amorphous, and SiO2 remaining after firing does not exist in the layer and also an emulsifier such as ZrSiO4, SnO2 and bone ash is not contained in the layer.例文帳に追加

さらに好ましくは、前記透明釉薬層は実質的に非晶質であり、焼成後に残存するSｉO2が存在せず、かつＺｒＳｉＯ４、ＳｎＯ２、骨灰等の乳濁剤が含有されていないようにする。 - 特許庁

The released Si causes air reaction, while colliding with oxygen as an atmospheric gas and forms clusters, including SiO2, SiOx or holes in a size of several nanometers, Si and oxygen.例文帳に追加

この放出されたＳｉは、雰囲気ガスである酸素と衝突しながら気中反応してＳｉＯ２やＳｉＯｘ、あるいは数ｎｍの大きさの空孔とＳｉおよび酸素、を含むクラスターを形成する。 - 特許庁

The toner T is constituted so that the ratio of the amount of toner synchronizing with an external additive to the total amount of the toner, that is, the synchronization ratio of the base particle (C) 12 with the external additive (SiO2) 13 may be ≥60%.例文帳に追加

トナーＴは、外添剤同期トナー量とトナー全体量との比、すなわち母粒子（Ｃ）１２と外添剤（ＳｉＯ_2）１３との同期率が６０％以上になるように構成されている。 - 特許庁

An insulating film 19 made of SiO2 is coated on the surface of the piezoelectric substrate 2 other than the surfaces of excitation electrode parts 4 and 11, electrode pad parts 7 and 15, and a reflector 18 of the surface acoustic wave element 3.例文帳に追加

弾性表面波素子３の励振電極部４，11、電極パッド部７，15および反射器18の表面を除いた圧電性基板２の表面に、ＳｉＯ_2 の絶縁性膜19を被覆形成する。 - 特許庁

Double-cored base material 1a is formed from a first core region 10 to which a first dopant Ge raising the refractive index is added, and a second core region 20 consisting of pure SiO2.例文帳に追加

屈折率を上げる第１ドーパントＧｅが添加された第１コア領域１０、及び純粋ＳｉＯ_2からなる第２コア領域２０からなる２重コアを有するコア母材１ａを作成する。 - 特許庁

In this toner, the value obtained by dividing the average grain size of the toner (external additive synchronous toner) having an external additive (SiO2) adhered to a base particle (C) of a resin by the average grain size of the whole tone is set larger than 1.例文帳に追加

トナーが、樹脂の母粒子（Ｃ）に外添剤（ＳｉＯ_2）が付着しているトナー（外添剤同期トナー）の平均粒径をトナー全体の平均粒径で除した値が１よりも大きくなるように設定されている。 - 特許庁

This monolithic structure comprises an SiO2 glass layer containing a modifier added thereto in order to adjust the coefficient of thermal expansion thereof to that of a crystalline ceramic substrate 1 and formed on the crystalline ceramic substrate 1.例文帳に追加

結晶質セラミック基板の上に該セラミック基板との熱膨張係数を合わせるために調整剤を加えたＳｉＯ_2ガラス層が形成されてモノリシックな構造であることを特徴とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 of plasma SiO2 or the like is formed as deposited to a thickness of 2.0 μm on a semiconductor substrate 1, on which a semiconductor element having a gate electrode 2 is formed as a lower layer.例文帳に追加

下層電極となるゲート電極２などから成る半導体素子が形成された半導体基板１の上に、プラズマＳｉＯ_2膜などからなる層間絶縁膜３を２．０μｍ堆積する。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

The aqueous coating material or aqueous coating film comprises or is added with compounds having the composition formula: CaH2O2, composition formula: SiO2, and composition formula: AlH3O3 as components for suppressing water droplet and absorbing and drying humidity.例文帳に追加

水滴抑制し湿気を吸収乾燥する成分として組成式ＣａＨ２Ｏ２及び組成式ＳｉＯ２及び組成式ＡｌＨ３Ｏ３を含有し、又は添加した水性塗料又は塗膜。 - 特許庁

The reflecting sections 15, 21 are formed of Fumed SiO2 having ultrafine porous structure and the heaters 16, 22 are embedded and secured while exposing a part thereof to the surface of the reflecting section 15.例文帳に追加

そして反射部１５、２１は超微細多孔構造を有するＦｕmｄＳｉｏ２で形成され、また発熱体１６、２２はその一部が反射部１５の表面に露出するようにして埋設・固定されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 provides an insulation layer comprising SiO2 or the like of a single layer, forming a trench 50 (first recess part) making the recess part on a base layer 100 comprising Si or the like.例文帳に追加

本発明による半導体基板１は、Ｓｉ等から成る基層１００上に、凹部を成すトレンチ５０（第１の凹部）が形成された単層のＳｉＯ_2等から成る絶縁層１０１が設けられたものである。 - 特許庁