「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a means for improving adhesion of a barrier metal film consisting of a Ti film and a TiN film, which is formed when a W film is formed on the semiconductor wafer on which a SiO2 film is formed.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜が成膜された半導体ウェハ上にＷ膜を成膜する場合に形成される、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からなるバリアメタル膜のバリアメタル膜の密着性を改善するための手段を提供すること。 - 特許庁

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion.例文帳に追加

強誘電体材料や高誘電率材料の構成元素であるＴｉやＰｂなどがＳｉＯ_2 膜や半導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode, a wiring material, a gate electrode, an inductor or a capacitor electrode of the next generation by using copper alloy to improve adhesion of copper to a Si or SiO2 surface and to improve smoothness in addition.例文帳に追加

銅合金を使用することにより銅のＳｉあるいはＳｉＯ_２表面への付着力を向上させ、更に平滑性を改善し、次世代の、オーミック電極、配線材、ゲート電極、インダクタ及びコンデンサ電極を提供する。 - 特許庁

The optical waveguide element has an optical waveguide formed by doping a multi-component glass material of a Na2O-B2O3-Al2O3-SiO2 glass containing 5 to 13 mol% Na2O with Ag by exchange ion.例文帳に追加

Ｎａ_2 Ｏ−Ｂ_2 Ｏ_3 −Ａｌ_2 Ｏ_3 −ＳｉＯ_2 系ガラスであって、Ｎａ_2 Ｏを５〜１３モル％含有する多成分系ガラス材料に、イオン交換によりＡｇをドープすることで光導波路が形成されている光導波路素子である。 - 特許庁

The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks.例文帳に追加

基板１０上に形成したＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2系ガラス薄膜１２に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。 - 特許庁

The Ba ferrite of the permanent magnet 3 contains 10 mol% CuO or lower, and 1 wt.% or lower of at least a compound selected from among Bi2O3, B2O3, V2O5, Na2B4O7, H3BO3, and SiO2 is added to the ferrite.例文帳に追加

但し、ここでの永久磁石３のＢａフェライトは、ＣｕＯを１０ｍｏｌ％以下含有すると共に、Ｂｉ_2 Ｏ_3 ，Ｂ_2 Ｏ_3 ，Ｖ_2 Ｏ_5 ，Ｎａ_2 Ｂ_4 Ｏ_7 ，Ｈ_3 ＢＯ_3 ，及びＳｉＯ_2 のうちの少なくとも１種を１重量％以下添加して成る。 - 特許庁

Toner T is set so that the inclination (grain size of external additive/grain size of base grain) θ of an approximate straight line α obtained by approximating the distribution of grain size of an external additive (SiO2) to the grain size of base grain (C) by minimum square method is 0.6 or less.例文帳に追加

母粒（Ｃ）子の粒径に対する外添剤（ＳｉＯ_2）の粒径の分布を最小２乗法で近似した近似直線αの傾き（外添剤の粒径／母粒子の粒径）θが０.６以下であるように、トナーＴが設定されている。 - 特許庁

The deeply colored glass, containing Fe2O3 (hematite) at 0.3% or more as a coloring component for soda-lime silica type glass, is manufactured by adding Li2O at 0.01-0.5% into the soda-lime silica type glass comprising SiO2-Al2O3-MgO-CaO-Na2O-K2O as basic components.例文帳に追加

ソーダ石灰シリカ系ガラスにおける着色成分としてFe_2O_3（全鉄）0.3％以上含有するガラスであって、前記ソーダ石灰シリカ系ガラスが SiO_2−Al_2O_3−MgO−CaO−Na_2O−K_2Oからなる基礎成分にLi_2O 0.01〜0.5％を導入した濃着色ガラス。 - 特許庁

An SOI substrate 10, on which a handle wafer 11 composed of Si, a BOX 12 composed of SiO2, and a device wafer 13 composed of Si are stacked, is provided with a nitride layer 12a whose nitrogen peak concentration exists in the vicinity of the boundary face of the BOX 12 with the device wafer 13.例文帳に追加

Ｓｉからなるハンドルウエハ１１、ＳｉＯ２からなるＢＯＸ１２、Ｓｉからなるデバイスウエハ１３が積層されたＳＯＩ基板１０の、ＢＯＸ１２のデバイスウエハ１３界面近傍に窒素濃度ピークのある窒化層１２ａを設けた。 - 特許庁

The mirror 42 consisting of three pairs of Si films and SiO2 films and the electrode 24 are respectively provided at the position, which opposes to the window 38, on the rear of the substrate and at the region excepting the mirror 42 of the rear of the substrate.例文帳に追加

Ｇa Ａs 基板の裏面には、光出射窓と対向する位置に３ペアのＳｉ膜／ＳｉＯ_2 膜の対からなる裏面多層膜反射鏡４２と、裏面多層膜反射鏡を除く領域に裏面側電極２４が設けてある。 - 特許庁

A gate insulating film 4 contains SiO2 as its main component and the quantity of carbon in the insulating film 4 is set at 2×1019 cm-3 or more, whereby a thin film transistor, which has the high concentration film 4 and is little changed its threshold voltage Vt, is provided.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４がSiO_2を主成分とし、前記ゲート絶縁膜内のカーボンの量を2×10^19cm^-3以上にすることにより、緻密な前記ゲート絶縁膜４を持つしきい値電圧Vtの変化の小さい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Heat generated by the irradiation with a laser beam is restrained from being conducted by the SiO2 film 2, so that the temperature of the tempered glass board 1 hardly reaches around the melting point of glass, and the tempered glass board 1 is capable of retaining the effect of a tempered treatment and kept high enough the strength.例文帳に追加

レーザ光の照射時に発生した熱の伝わりがＳｉＯ_2 膜２にて抑制され、強化ガラス板１はガラス溶融点に近い温度にまで達せず、強化処理の効果を持続して、十分な強度を維持する。 - 特許庁

Toner T is constituted so that the inclination (grain size of external additive/grain size of base grain) θ of an approximate straight line αobtained by approximating the distribution of grain size of an external additive (SiO2) to the grain size of base grain (C) by minimum square method is 0.4 or less.例文帳に追加

母粒子（Ｃ）の粒径に対する外添剤（ＳｉＯ_2）の粒径の分布を最小２乗法で近似した近似直線αの傾き（外添剤の粒径／母粒子の粒径）θが０.４以上であるように、トナーＴが構成されている。 - 特許庁

The funnel for a cathode ray tube is obtained by chemically strengthening glass containing, by wt.%, 45 to 60% SiO2, 0.1 to 15% Al2O3, 5 to 20% Na2O and 15 to 30% PbO.例文帳に追加

本発明の陰極線管用ファンネルは、重量％で、４５％〜６０％のＳｉＯ_2、０．１％〜１５％のＡｌ_2Ｏ_3、５％〜２０％のＮａ_2Ｏ、１５％〜３０％のＰｂＯを含有するガラスを化学強化して得られたものである。 - 特許庁

In particular, as the material to make into the main body, a glass material essentially consisting of SiO2 is used, and as the additive, fluorine is used, by which the gradient material in which the etching rate by an aqueous solution of hydrofluoric acid is changed in the depth direction can be obtained.例文帳に追加

とくに、主体となる材料を、ＳｉＯ２を主成分とするガラス材料とし、添加物をフッ素とすることにより、フッ酸水溶液によるエッチング速度が深さ方向に変化した傾斜材料を得ることができる。 - 特許庁

This core is formed of a ceramics of the average gain size of 1 to 5 μm including Al2O3 of 90 to 98 wt.%, SiO2 of 0.5 to 8 wt.%, MgO of 0.5 to 5 wt.% and CaO of 0.5 to 5 wt.% and its initial permeability (μi) is 1.2 or less.例文帳に追加

Ａｌ_2 Ｏ_3 ９０〜９８重量％、ＳｉＯ_2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径を１〜５μｍとしたセラミックスでインダクター用コアを形成する。 - 特許庁

This glass for the stem and exhaust tube pipe of the HID lamp is characterized as comprising a lead-free glass having an SiO2-B2O3-Al2O3-RO-R '2O-based composition and ≤0.6 mass ratio of Na2O/(Na2O+K2O) and having ≥108.7 Ω.cm volume resistivity.例文帳に追加

ＳｉＯ_2−Ｂ_2Ｏ_3−Ａｌ_2Ｏ_3−ＲＯ−Ｒ’_2Ｏ系の組成を有し、かつＮａ_2Ｏ／（Ｎａ_2Ｏ＋Ｋ_2Ｏ）が質量比で０．６以下の無鉛ガラスからなり、２５０℃における体積抵抗率が１０^8.7Ω・ｃｍ以上であること特徴とする。 - 特許庁

The heat dissipating film is formed by coating paint composed of a binder composed of an alkoxide compound, a pigment containing at least one of silica (SiO2), alumina (Al2O3), magnesia (MgO2), and a chromium trioxide (Cr2O3), and a solvent.例文帳に追加

放熱膜は、アルコキシド化合物からなるバインダーと、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、マグネシア（ＭｇＯ２）、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）の少なくとも一つを含む顔料と、溶媒からなる塗料を塗布して形成した膜とすることができる。 - 特許庁

An AlGaAs layer 1 of a P-N-P-N structure is formed on a GaAs substrate 2, the layer 1 is subjected to mesa etching, the layer 1 is partially removed, mesa etched parts 6 are formed in the layer 1, and the layer 1 is covered with an SiO2 insulating film 3 including the parts 6.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にｐｎｐｎ構造のＡｌＧａＡｓ層１が形成され、メサエッチングされてＡｌＧａＡｓ層が一部除去されて、メサエッチング部６が形成され、ＳｉＯ_2 絶縁膜３で被覆されている。 - 特許庁

The alkaline-free glass consists of, by mol%, 60 to 75 SiO2, 1 to 16 Al2O3, 1 to 20 B2O3, 0 to 10 MgO, 0 to 12 CaO, 0 to 10 SrO, 0 to 1.5 BaO and 0.05 to 5 Y2O3 and does not substantially contain alkali metal oxides.例文帳に追加

モル％表示で、ＳｉＯ_2：６０〜７５、Ａｌ_2Ｏ_3：１〜１６、Ｂ_2Ｏ__3：１〜２０、ＭｇＯ：０〜１０、ＣａＯ：０〜１２、ＳｒＯ：０〜１０、ＢａＯ：０〜１．５、Ｙ_2Ｏ_3：０．０５〜５からなり、アルカリ金属酸化物を実質的に含有しない無アルカリガラス。 - 特許庁

For preventing hydrogen generated from this film 24 from diffusing into the electrodes 4, p-type SiO2 films 8, 9, 11, 15, 17, 19 and 21 are formed between the film 24 and the electrodes 4.例文帳に追加

このシリコン窒化膜２４から生じた水素がフローティングゲート電極４へ拡散するのを防止するため、シリコン窒化膜２４とフローティングゲート電極４との間に、ｐ−ＳｉＯ_2膜８、９、１１、１５、１７、１９、２１が形成されている。 - 特許庁

The composition of the powder of weathered granite consists of 7-17 mass % Al2O3, 2-10 mass % alkali metal oxides and/or alkaline earth metal oxides, 1-6 mass % ignition loss and the balance substantially SiO2.例文帳に追加

風化した花崗岩の粉末の組成は、Ａｌ_2Ｏ_3が７〜１７質量％、アルカリ金属酸化物又は／及びアルカリ土類金属酸化物が２〜１０質量％、灼熱減量が１〜６質量％、ＳｉＯ_2が実質残部である。 - 特許庁

The catalyst contains a gallosilicate having an SiO2 to Ga2O3 molar ratio of 100-1,230, CeO2 having ≥13.0 nm average crystallite diameter and Pt and B supported on the gallosilicate.例文帳に追加

排気ガス浄化用触媒は，ＳｉＯ_2 ／Ｇａ_2 Ｏ_3 モル比Ｍ１が１００≦Ｍ１≦１２３０であるガロシリケートと，平均結晶子径ＤがＤ≧１３．０nmであるＣｅＯ_2 と，前記ガロシリケートに担持されたＰｔおよびそのＰｔを活性化するＢとを有する。 - 特許庁

SiO2 as a sintering auxiliary in an mount of ≥0.1 wt.% and ≤10 wt.% and in the ratio of the total of the whole sintering auxiliary of ≤15 wt.% may be added to the silicon nitride powder.例文帳に追加

さらに、焼結助剤としてＳｉＯ_2 を、全粉体量に対して０．１重量％以上１０重量％以下で、かつすべての焼結助剤の合計量が１５重量％以下となる割合で混合してもよい。 - 特許庁

The black type sintered quarts, comprising SiO2 as a primary component, is controlled at production to have carbon with 0.05-1.0 wt.%, aluminum with 1,000 wt.ppm or less and nucleus formation compounds other than carbon, silicon and aluminum with 100 wt.ppm or less.例文帳に追加

ＳｉＯ_2を主成分として、０．０５〜１．０重量％の炭素を含有し、アルミニウム含有量を１０００重量ｐｐｍ以下、炭素、ケイ素、アルミニウム以外の核形成剤の総量を１００重量ｐｐｍ以下にする。 - 特許庁

The R-plane sapphire substrate 2 is scribed to cause it to cleave, a lower electrode 8 is formed on the exposed part of the ZnO film 3, and the top face of the p-type GaN clad layer 6 is covered with an upper electrode 9 via the SiO2 film 7.例文帳に追加

この後、Ｒ面サファイア基板２をスクライブしてへき開させ、ＺｎＯ膜３の露出部分の上に下部電極８を形成し、ＳｉＯ_2膜７を介してｐ型ＧａＮクラッド層６の上面を上部電極９で覆う。 - 特許庁

Sr ferrite has 10 mol% or less of CuO and at least one kind of Bi2O3, B2O3, V2O5, Na2B4O7, H3BO3 and SiO2 is added at most 1% at weight percentage in the total amount.例文帳に追加

Ｓｒフェライトは、１０ｍｏｌ％以下のＣｕＯを有しかつＢｉ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５、Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ__７、Ｈ_３ＢＯ_３、及びＳｉＯ_２の中から少なくとも１種をその総量が重量パーセントで多くとも１％添加されたものとする。 - 特許庁

Since refractive index of ZnS-SiO2 forming the dielectric substance layer 12 depends upon temperature of the substrate 10, refractive index of the dielectric substance layer 12 periodically changes in a circumferential direction too and this phenomenon can be utilized as a format signal.例文帳に追加

誘電体層１２を形成するＺｎＳ−ＳｉＯ_２は、屈折率が基板１０の温度に依存するため、誘電体層１２の屈折率も円周方向に周期的に変化し、これをフォーマット信号に利用することが可能となる。 - 特許庁

In the preparation of the activated silica, a water glass aqueous solution (sodium silicate aqueous solution) 4 is added while a mineral acid aqueous solution 3 of at most 1 in pH is stirred, and a silicate aqueous solution of at most 3 in pH and to 12% in SiO2 concentration is generated.例文帳に追加

ｐＨ１以下の鉱酸水溶液を撹拌しながら水ガラス水溶液を添加して、シリカ濃度が５〜１２％でｐＨ３以下の珪酸水溶液を生成させることを特徴とする活性シリカの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing sintered ore for iron manufacturing by using burnt ash having much contents of CaO and Fe2O3 and little contents of Al2O3 and SiO2 such as that obtained by of burning Chinese Shenhua coal in the composition as additive.例文帳に追加

中国産の神華炭等を燃焼させた場合のように、燃焼灰の成分組成においてＣａＯとＦｅ_2Ｏ_3が多く、Ａｌ_2Ｏ_3とＳｉＯ_2が少ない燃焼灰を添加材として使用することにより製鉄用の燒結鉱を製造する方法。 - 特許庁

CaO is added to molten iron and the molten iron is subjected to desiliconizing and dephosphorizing treatments by blowing oxygen thereto, be which the slag having basicity (CaO/SiO2) of ≤3 and containing 15 to 35 mass% soluble silicic acid is batched off and the silicic acid fertilizer is manufactured.例文帳に追加

溶銑にＣａＯを添加するとともに酸素を吹き込んで溶銑を脱珪、脱燐処理することにより、塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ_2 ）が３以下で可溶性珪酸を１５〜３５質量％含有するスラグを分取して珪酸質肥料を製造する。 - 特許庁

At the time of subjecting molten steel of stainless steel deoxidized with an Si source as a deoxidizer after decarburizing refining to continuous casting via a tundish, as flux used in the tundish, tundish flux having a compsn. satisfying CaO/SiO2: ≤2.5 and Al2O3: ≤5 wt.% is used, and the continuous casting is executed.例文帳に追加

Si源を脱酸剤として脱酸されたステンレス鋼溶鋼をタンディッシュを介して連続鋳造するに際し、該タンディシュで使用するフラックスを、CaO／SiO_2：2.5 以下、Al_2O_3 ：５wt％以下を満足する組成のタンディシュフラックスを使用して連続鋳造する。 - 特許庁

A reflection film 18 is formed on the back face 16b of a transparent glass substrate 16, and then the photocatalytic TiO2 film 20 and the porous SiO2 film 22 are formed by vacuum vapor deposition on the surface 16a of the substrate while keeping the substrate temp. to 200 to 450°C.例文帳に追加

透明ガラス基板１６の裏面１６ｂに反射膜１８を成膜し、その後基板温度を２００〜４５０℃に保って、基板表面１６ａに光触媒ＴｉＯ_２膜２０と多孔質ＳｉＯ_２膜２２を真空蒸着で成膜する。 - 特許庁

According to the method, impurity pile up on the Si/SiO2 interface which can not be represented by a conventional Fair model can be represented without solving the diffusion equation related to point defect (i.e., without using a conventional pair diffusion model).例文帳に追加

この方法によれば，従来のＦａｉｒモデルでは表せなかったＳｉ／ＳｉＯ_２界面における不純物パイルアップを，点欠陥に関連した拡散方程式を解くことなく（すなわち従来のペア拡散モデルを用いず）表すことが可能となる。 - 特許庁

The resin molding with a multifunction of high strength, high heat resistance and the like is obtained by kneading the molding powder with an acrylic resin liquid containing uniformly dispersed ultrafine grains of 10 nm class such as SiO2 or Al2O3 and molding/hardening the mixture.例文帳に追加

被成形粉末に、１０ｎｍクラスのＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3などの超微粒子を均一分散させたアクリル系樹脂液を混練してこれを成形、固化することで高強度、高耐熱性など多機能化した樹脂成形体を得ることができる。 - 特許庁

The protecting coating film is self-formed by an oxidation process of a silicon-based ceramic part comprising the reaction of a silicic acid (SiO2) layer on the surface of the silicon-based ceramic with a rare earth metal oxide present in the silicon-based ceramic part.例文帳に追加

ケイ素に基づくセラミックの表面上のケイ酸（ＳｉＯ_2）皮膜層と、ケイ素に基づくセラミック部品の内部に存在している希土類酸化物との間の反応に関連するケイ素に基づくセラミックの酸化プロセスにより、保護塗膜を自己形成する。 - 特許庁

METHOD OF FINDING RELATIONSHIP AMONG LEAKED SURFACE ACOUSTIC WAVE VELOCITY, CHEMICAL COMPOSITION RATIO AND LINEAR EXPANSION COEFFICIENT OF MATERIAL WITH STRIAE, AND METHOD OF MEASURING TiO2 CONCENTRATION IN TiO2-SiO2 GLASS AND METHOD OF MEASURING LINEAR EXPANSION COEFFICIENT USING THE RELATIONSHIP例文帳に追加

脈理を有する材料の漏洩弾性表面波速度と化学組成比および線膨張係数との関係を求める方法、およびその関係を使ったＴｉＯ２−ＳｉＯ２ガラスのＴｉＯ２濃度測定方法および線膨張係数測定方法 - 特許庁

(1) The surface of Sn, Sn alloys, Al or Al alloys is coated with a Cr-free post-treated film containing a lubricant of Si of 10 to 1,000 mg/m2 expressed in terms of SiO2 and P and C, desirably, of the film quantity of 1 to 20 wt.%.例文帳に追加

（１）Ｓｎ，Ｓｎ合金，Ａｌ，Ａｌ合金めっきの表面にＣｒを含有せず、ＳｉＯ_2 換算で１０〜１０００ｍｇ／ｍ^2 のＳｉ，ＰおよびＣと皮膜量の望ましくは１〜２０ｗｔ％の潤滑剤を含有する後処理皮膜を施す。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device, a structure in which GaN thick films 106 are laminated on the first substrate in which a GaN low- temperature buffer layer 102, a GaN layer 103 and a selective growth mask 104 composed of SiO2 are formed sequentially on a sapphire substrate 101 is formed.例文帳に追加

サファイア基板１０１上にＧａＮ低温バッファー層１０２，ＧａＮ層１０３，ＳｉＯ_2からなる選択成長マスク１０４が順次形成された第一の基板上に、ＧａＮ厚膜１０６が積層された構造となっている。 - 特許庁

Dielectric material multi-layered films 310 and 311 each of which consists of n-layered films of Si films 320 having a refractive index Ms=3.11 and SiO2 films 321 having a refractive index Mt=1.415 are provided on both sides of a magnetic material thin film 307 to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加

磁気光学体３００は、磁性体薄膜３０７の両側に屈折率Ms＝３．１１のSi膜３２０と屈折率Mt＝１．４１５のSiO_2膜３２１とのｎ層の積層膜からなる誘電体多層膜３１０，３１１を設けて構成した。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のＣＯＤ耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

After the substrate W, carrying the SiO2 pattern layer, is set in a first deposition unit 12 via a transporting device 10, a Ti layer is formed on the pattern layer and a contact layer is formed, by silicifying the Ti layer through irradiating of the Ti layer with a laser beam.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2パターン層を形成した基板Ｗを、搬送装置１０を介して第１成膜ユニット１２中にセットし、基板ＷのＳｉＯ_2パターン層上に、Ｔｉ層を形成し、レーザ照射によってシリサイド化してコンタクト層とする。 - 特許庁

On this semiconductor substrate (more accurately, on the n-type GaAs contact layer 5), a source electrode 6 and a drain electrode 7 are made of an AuGe/Ni/Au alloy, and additionally, an insulation film 8 (concretely, a SiO2 insulation film) is formed.例文帳に追加

そして、この半導体基板上（より正確にはｎ型ＧａＡｓコンタクト層５）上に、ソース電極６及びドレイン電極７がＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金で形成され、さらに、絶縁膜（具体的にはＳｉＯ___2絶縁膜）８が形成されている。 - 特許庁

Preferred titanium dioxide are the ones obtained by hydrothermal treatment of titania sol at 110-170°C or by coating at least one type of oxides or water-containing oxides of silicon, aluminum or titanium in an amount of 1-20 wt.% as SiO2, Al2O3 or TiO2.例文帳に追加

酸化チタン粒子としては、チタニアゾルを１１０〜１７０℃で水熱処理したもの、珪素、アルミニウム、チタニウムの少なくとも一種類の酸化物または含水酸化物を夫々ＳｉＯ_2 、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＴｉＯ_2 として１〜２０重量％被覆したものが好ましい。 - 特許庁

The methanol modified gas mixed with oxidation gas is brought into contact with the CO selective oxidation catalyst prepared by carrying platinum and ruthenium on a zeolite carrier with a ratio of SiO2/Al2O3 of at least 50 to selectively oxidize and remove only CO in the modified gas.例文帳に追加

ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３比が５０以上のゼオライト担体に、白金およびルテニウムを担持させたＣＯ選択酸化触媒に、酸化ガスを混合したメタノール改質ガスを接触させ、改質ガス中のＣＯのみを選択的に酸化除去する。 - 特許庁