「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, slag having the composition satisfying the following range is desirable CaO/SiO2: 0.6-1.2,例文帳に追加

ε≧０．３６６Ｒ｛４８ｇ（ρm −ρs ）σ／ρs ^2 ｝^0.581 ……（１） ［ε：不活性ガス流量(watt/ton)，Ｒ：取鍋半径(cm)，ρm ：溶鋼密度(kg/m^3) ，ρs ：スラグ密度(kg/m^3) ，σ：界面張力(N/sec) ］また、本発明方法において用いるスラグとしては、組成が下記（２）〜（５）式を満足するものを用いることが望ましい。 - 特許庁

The wiring pattern of the glass ceramic circuit board includes metallic powder which is mainly composed of Ag, 0.1 to 20.0 pts.wt. of B2O3-SiO2 glass and 0.1 to 5.0 pts.wt. of TeO2 with respect to 100 pts.wt. of metallic powder.例文帳に追加

本発明は、ガラスセラミック回路基板の配線パターンは、Ａｇを主成分とする金属粉末と、金属粉末１００重量部に対してＢ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2系ガラスが０．１〜２０．０重量部及びＴｅＯ_2が０．１〜５．０重量部を含有している。 - 特許庁

This crystallized glass substrate for an information recording medium comprises 35-65 mol% of SiO2, 5-25 mol% of Al2O3, 10-40 mol% of MgO and 5-15 mol% of TiO2, wherein the total of the above components is at least 92 mol% and the main crystals are enstatite and/or its solid solution.例文帳に追加

SiO_2：35−65モル％、Al_2O_3： 5−25モル％、MgO： 10−40モル％、TiO_2： 5−15 モル％を含有し、上記組成の合計が少なくとも92モル％以上であり、主結晶がエンスタタイト及び/又はその固溶体である情報記録媒体用結晶化ガラス基板。 - 特許庁

The powder to be molded is mixed with an acrylic resin solution into which ultrafine particles such as SiO2, Al2O3, etc., of 10 nm class are uniformly dispersed, molded and solidified to give the objective resin molding having multiple functions such as high-strength, high heat resistance, etc.例文帳に追加

被成形粉末に、１０ｎｍクラスのＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3などの超微粒子を均一分散させたアクリル系樹脂液を混練してこれを成形、固化することで高強度、高耐熱性など多機能化した樹脂成形体を得ることができる。 - 特許庁

Because the nitride layer 12a is provided in the vicinity of the Si boundary face of SiO2 of the BOX 12, it is possible to suppress the boron atoms implanted into the body by heat treatment from moving into the BOX when the SOI transistor is manufactured using the SOI substrate 10.例文帳に追加

ＢＯＸ１２のＳｉＯ２のＳｉ界面近傍に窒化層１２ａを設けたので、このＳＯＩ基板１０を用いてＳ０Ｉトランジスタを作成する際の、熱処理によるボディ部に打ち込まれたボロン原子のＢＯＸ中への移動を抑制できる。 - 特許庁

The inorganic hardened body is obtained by heating and hardening a mixture of silica raw material and sodium hydroxide as main components having a weight ratio of the silica content in the silica raw material to sodium content in the sodium hydroxide of 0.05≤Na2O/SiO2≤0.20 in the presence of water.例文帳に追加

シリカ質原料中のシリカ分と水酸化ナトリウム中のナトリウム分との重量比が０．０５≦Na_2O/SiO_2≦０．２０である、シリカ質原料と水酸化ナトリウムを主成分とする水共存下の混合物を加熱硬化してなる無機質硬化体。 - 特許庁

The low melting point glass consists essentially of, by mass, 20-55% Bi2O3, 20-55% B2O3, 0-15% SiO2, 0-15% Al2O3, 0-30% SrO, 0-30% BaO, 0-3% CuO and 0-3% CeO2.例文帳に追加

質量百分率表示で実質的に、Ｂｉ_2Ｏ_3：２０〜５５％、Ｂ_2Ｏ_3：２０〜５５％、ＳｉＯ_2：０〜１５％、Ａｌ_2Ｏ_3：０〜１５％、ＳｒＯ：０〜３０％、ＢａＯ：０〜３０％、ＣｕＯ：０〜３％、ＣｅＯ_2：０〜３％、からなる電極被覆用低融点ガラス。 - 特許庁

The glass shoud have the composition of SiO2 65-75 wt.%, Na2O 11-20 wt.%, Al2O3 0-3 (preferably 1-3) wt.%, CeO2 0.2-3 wt.%, ZnO 0-3 wt.%, B2O3 3-8 wt.%, and Sb2O3 5-10 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成をＳiＯ_2 ６５〜７５重量％、Ｎａ_2Ｏ １１〜２０重量％、Ａｌ_2Ｏ_3 ０〜３（好ましくは１〜３）重量％、ＣeＯ_2 ０.２〜３重量％、ＺnＯ ０〜３重量％、Ｂ_2Ｏ_3 ３〜８重量％、Ｓb_2Ｏ_3 ５〜１０重量％とする。 - 特許庁

This thermoplastic fiber comprises a thermoplastic resin such as polyethylene terephthalate containing preferably 0.5-5 wt.% of a soluble glass composed of 15-50 mol.% of ZnO, 20-45 mol.% of Na2O, 10-50 mol.% of SiO2, 10-30 mol.% of B2O3 and 0.01-1.0 wt.% of Ag2O.例文帳に追加

ＺｎＯ：１５〜５０モル％、Ｎａ_2Ｏ：２０〜４５モル％、Ｓｉ０_2：１０〜５０モル％、Ｂ_2Ｏ_3：１０〜３０モル％、Ａｇ_2Ｏ：０．０１〜１．０重量％からなる溶解性ガラスを含有する熱可塑性樹脂からなる防カビ性熱可塑性繊維。 - 特許庁

To provide a multi-deposition SACVD reactor capable of high speed thermal deposition of dielectric materials such as Si3N4, SiO2, SiNO, etc., and nondielectric materials such as polysilicon in an optional order in the same chamber.例文帳に追加

Ｓｉ_3Ｎ_4、ＳｉＯ_2、ＳｉＯＮなどの誘電材料およびポリシリコンなどの非誘電材料を同じチャンバ内で所望の順序にしたがって半導体基板に高速熱付着させることができる高スループット・マルチデポジションＳＡＣＶＤリアクタを提供すること。 - 特許庁

A method for heating up the furnace core part in the pulverized fine coal blowing operation is performed by charging the SiO2-containing auxiliary raw material from the furnace top part of the blast furnace into a range from the center part in the furnace radial direction to 0.6 times of the furnace radius in the furnace.例文帳に追加

微粉炭吹き込み操業において、高炉炉頂よりＳｉＯ_2 含有副原料を炉内の炉半径方向の炉中心部から炉半径の０．６倍までの範囲に装入する微粉炭吹き込み操業における炉芯昇熱方法。 - 特許庁

A raw material which contains SiO2-Al2O3-based material with softening point of 500-1200°C, a fiber, preferably an organic opening fiber, with water content of ≤5%, (A), and/or a cornstarch, (B), are mixed, granulated and fired to form the artificial lightweight aggregate.例文帳に追加

軟化点が500 〜1200℃のSiO_2−Al_2O_3 系物質を含有する原料に、(A) 好ましくは有機質開繊繊維である水分含有量が５％以下の繊維および／または(B) コーンスターチを添加、混合後、造粒、焼成する人工軽量骨材の製造方法。 - 特許庁

A ratio of the oxide powder based on 100 pts.wt. of the conductive powder is preferably 2-10 pts.wt. of SiO2-CaO based glass powder, 1-5 pts.wt. of Al2O3 powder and 0.1-10 pts.wt. of the low softening point glass powder.例文帳に追加

導電粉末１００重量部に対する酸化物粉末の割合は、ＳｉＯ_2−ＣａＯ系ガラス粉末が２〜１０重量部、Ａｌ_2Ｏ_3粉末が１〜５重量部、及び低軟化点ガラス粉末が０.１〜１０重量部であることが好ましい。 - 特許庁

Base layers 6 and 7 are mainly formed of crystallized glass whose main component is SiO2, MgO, Al2O3 and B2O3 and ceramic oxide having a thermal expansion coefficient of ≤6.0 ppm/°C, and a functional layer 8 is mainly formed of amorphous glass whose softening point is ≤800°C.例文帳に追加

基体層６，７が、ＳｉＯ_2 、ＭｇＯ、Ａｌ_2 Ｏ_3 およびＢ_2 Ｏ_3を主成分とする結晶化ガラスと、熱膨張係数６．０ｐｐｍ／℃以上の酸化物セラミックとを主成分とし、機能層８が、軟化点８００℃以下の非晶質ガラスを主成分とする。 - 特許庁

A semiconductor laser device is provided with a semiconductor element 22 as an excitation light source, a heat sink 42 to which the side of SiO2 (thickness of λ/4nSi02)/ZrO2 (thickness of λ/4nZr02) distribution reflective film 37 of a surface light-emitting type semiconductor element 39 is fitted, a condenser lens 41, and an external mirror 46.例文帳に追加

半導体レーザ素子22を励起光源とし、面発光型半導体素子39のＳｉＯ_2（厚さがλ／４ｎ_SiO2）/ＺｒＯ_2(厚さがλ／４ｎ_ZrO2)分布反射膜37側が取り付けられたヒートシンク42と、集光レンズ41と、外部ミラー46とを備えている。 - 特許庁

The cement admixture is obtained by heat treating a CaO raw material, SiO2 raw material and a CaF2 raw material and contains free calcium, calcium fluorosilicate and CaF2, and the cement composition contains cement and this cement admixture.例文帳に追加

ＣａＯ原料、ＳｉＯ_2原料及びＣａＦ_2原料を熱処理して得られる物質であって、遊離石灰、カルシウムフロロシリケート及びＣａＦ_2を含有してなるセメント混和材であり、セメントと、該セメント混和材とを含有してなるセメント組成物を構成とする。 - 特許庁

The dielectric material has a composition comprising, by mass, expressed in terms of each oxide, 20 to 80% SiO2, 5 to 40% CaO, 5 to 30% MgO, 1 to 15% B2O3, and 0 to 10% Al2O3 and essentially contains no alkaline metal oxide.例文帳に追加

酸化物に換算して、質量百分率でＳｉＯ_2 ２０〜８０％、ＣａＯ５〜４０％、ＭｇＯ ５〜３０％、Ｂ_2Ｏ_3 １〜１５％、Ａｌ_2Ｏ_3 ０〜１０％の組成を有し、本質的にアルカリ金属酸化物を含まないことを特徴とする。 - 特許庁

The light amplifying glass contains 0.001-10 mass% Tm added to the matrix glass containing 15-80 mol% Bi2O3 and also containing at least one of SiO2 and B2O3.例文帳に追加

マトリクスガラスに質量百分率表示で０．００１〜１０％のＴｍが添加されている光増幅ガラスであって、該マトリクスガラスがＢｉ_２Ｏ_３を１５〜８０モル％含有し、かつＳｉＯ_２およびＢ_２Ｏ_３の少なくともいずれか一方を含有する光増幅ガラス。 - 特許庁

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma.例文帳に追加

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。 - 特許庁

This coating fluid for silica-based film forming is composed of an organic solvent solution containing a basic hydrolytic condensation product of a polyalkoxysilane compound composed of a tetraalkoxysilane and an alkyltrialkoxysilane in an amount of 5-25 wt.% expressed in terms of SiO2 reduced concentration.例文帳に追加

テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとからなるポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物を、ＳｉＯ2換算濃度５〜２５重量％の割合で含有する有機溶剤溶液からなるシリカ系被膜形成用塗布液。 - 特許庁

The coal having contents of 30-35 wt.% CaO and 10-14 wt.% Fe2O3 and low contents of 10-12 wt.% Al2O3 and 20-35 wt.% SiO2 in the burnt ash components is supplied into the blast furnace for iron-making.例文帳に追加

燃焼灰成分において、ＣａＯが３０−３５ｗｔ．％及びＦｅ_2Ｏ_3が１０−１４ｗｔ．％と多く、Ａｌ_2Ｏ_3が１０−１２ｗｔ．％及びＳｉＯ_2が２０−３５ｗｔ．％と少ない石炭を、製鉄用の高炉に供給する。 - 特許庁

Then, a stripe area where the SiO2 film 14 of the width of 5 μm is removed is formed with the interval of about 25 μm, it is turned to a mask, the GaN layer 13 is removed for the depth of about 3 μm by dry etching and rectangular groove stripes are formed.例文帳に追加

その後SiO_2膜14を形成し、レジスト15を塗布後、幅5μmのSiO_2膜14を除去したストライプ領域を25μm程度の間隔で形成し、これをマスクにしてGaN層13をドライエッチングにより深さ3μm程度除去し、矩形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁

A process for implanting Ge ions in an Si layer 3 in an SOI wafer, thermally oxidizing the Si layer 3, forming a SiO2 layer 4 on a surface and converting it into a thinned SiGe layer 3G is included.例文帳に追加

ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層３にＧｅイオンを注入してからＳｉ層３を熱酸化して表面にＳｉＯ_2 層４を形成すると共に薄層化されたＳｉＧｅ層３Ｇに変換する工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a zinc oxide varistor, which is provided with a deposited film that contains a Zn compound as a main component, and has high resistance with respect to acid or alkali, and formed on the surface of the varistor, without having to carry out a reheat treatment in SiO2, after baking.例文帳に追加

本発明は焼成の後、ＳｉＯ_2中での再度熱処理を行わなくても表面に耐酸性あるいは耐アルカリ性を有するＺｎ化合物を主成分とする析出膜を有する酸化亜鉛型バリスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the case the reflection preventing layer thus formed by laminating the five layers of ZrO2 and SiO2 layers is utilized, reflectivity of incident light from a polarizing plate 5 over an entire range of visible light is decreased from 4% to 0.5%.例文帳に追加

このようなＺｒＯ_2層およびＳｉＯ_2層を５層積層して形成される反射防止層を用いた場合には、入射光の可視域全域にわたって偏光板５からの反射率を４％から０．５％に低減することができる。 - 特許庁

In this friction material comprising a granular material blended with a fibrous base material, a friction-adjusting material and a binder, wherein the non-fibrous granular material of rock wool, slag wool or Al2O3-SiO2 based ceramic as an abrasive component, is used.例文帳に追加

繊維基材、摩擦調整材及び結合材よりなる摩擦材において、ロックウール、スラグウールまたはＡｌ_2 Ｏ_3 −ＳｉＯ_2 系セラミックスの非繊維状の粒状物を研磨成分として配合したことを特徴とする粒状物を使用する摩擦材。 - 特許庁

A spray coated film layer 7 of oxide ceramics comprising ZrO2 by 20 to 80 mass %, the balance of Al2O3, SiO2 or TiO2 or these mixtures and having a thickness of 0.2 to 0.4 mm is formed on the inner surface of a cold crucible 1 including a furnace wall part 3.例文帳に追加

ＺｒＯ_2 が２０〜８０質量％、残部がＡｌ_2 Ｏ_3 、ＳｉＯ_2 もしくはＴｉＯ_2 、またはこれらの混合物からなり、厚さが０．２〜０．４ｍｍの酸化物系セラミックスの溶射被膜層７を炉壁部３を含むコールドクルーシブル１の内面に形成させる。 - 特許庁

At least one of an upper and a lower gap films is a composite film wherein an oxide or a nitride of a group IVa metal element, a group Va metal element on the periodic table or alloy consisting essentially of these elements is formed on SiO2 having high with stand voltage.例文帳に追加

上部または下部ギャップ膜の少なくとも一方を絶縁耐圧の高いＳｉＯ_２上に、周期律表上のIVａ金属元素、Ｖａ金属元素あるいはこれらを主成分とする合金の酸化物または窒化物を形成した複合膜にする。 - 特許庁

After a dummy gate resist pattern 24 is formed on a GaAs substrate 11 on which a buffer layer 12, a channel layer 13, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 have been stacked, an SiO2 film 26 having a gate opening 25 is formed through evaporation and lift off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

The toner T is set so that the inclination (equivalent particle diameter of external additive/equivalent particle diameter of base particle) θof an approximate straight line α obtained by approximating the distribution of the equivalent particle diameter of the external additive (SiO2) to the equivalent particle diameter of the base particle (C) by a method of least squares may be ≤0.6.例文帳に追加

母粒（Ｃ）子の等価粒径に対する外添剤（ＳｉＯ_2）の等価粒径の分布を最小２乗法で近似した近似直線αの傾き（外添剤の等価粒径／母粒子の等価粒径）θが０.６以下であるように、トナーＴが設定されている。 - 特許庁

Since the glass body 10 is composed of crystallized glass formed from an SiO2-B2O3-ZnO type glass material, it is not re-softened at the temperature (about 600°C) of the heat possessed by the exhaust gas or exhaust pipe and can keep the state covering the periphery of the detection element 100.例文帳に追加

また、ガラス体１０は、ＳｉＯ_2−Ｂ_2Ｏ_3−ＺｎＯ系のガラス材から生成された結晶化ガラスからなるため、排気ガスや排気管が有する熱の温度（約６００℃程度）では再軟化することなく、検出素子１００の周囲を覆った状態を維持できる。 - 特許庁

By having such the toner constitution, a low-stickiness external additive (SiO2) is made to exist at a boundary between a heating member for the fixing unit and a transfer paper, then, the sticking force of the toner on the transfer paper with reference to the heating member is reduced.例文帳に追加

このようにトナーを構成することで、定着器の加熱部材と転写紙との間の界面に粘着性の低い外添剤（ＳｉＯ_2）を存在させることができるようになるため、加熱部材と転写紙上のトナーとが付着しようとする付着力を低減できる。 - 特許庁

At this time, TCP(transformer-coupled plasma)/bias power ratio is larger than 20, and also HBr/HeO2 gas flow ratio is larger than 1.9, and consequently polysilicon: cap SiO2 selectivity becomes larger than 10:1, and a polysilicon line having a substantially vertical profile is formed.例文帳に追加

このとき、ＴＣＰ／バイアス電力比が２０よりも大きく、かつＨＢｒ／ＨｅＯ_2ガス流量比が１．９よりも大きく、その結果、ポリシリコン：キャップＳｉＯ_2選択性が１０：１よりも大きくなり、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線が形成される。 - 特許庁

To provide a copper-metallized composition that enables to calcine simultaneously with a mixed ceramic (BAS ceramic) material containing BaO, Al2O3 and SiO2 and is utilized usefully to obtain a conductor film having a high adhesive strength to a ceramic body including the BAS ceramic material.例文帳に追加

ＢａＯ、Ａｌ_2 Ｏ_3 およびＳｉＯ_2 を含む混合セラミック（ＢＡＳセラミック）材料と同時焼成可能であり、このＢＡＳセラミック材料を含むセラミック基体との接着強度の高い導体膜を得るために有利に用いられる銅メタライズ組成物を提供する。 - 特許庁

A substrate film 12 comprising a fluorine-based resin is formed on the surface of constituent fibers of the fiber sheet 11 composed of the synthetic fibers and a transparent outer surface film 13 composed of ceramics consisting essentially of SiO2 is then formed on the substrate film 12 by physical vapor deposition.例文帳に追加

合成繊維からなる繊維シート１１の構成繊維表面にフッ素系樹脂からなる下地被膜１２を形成し、この下地被膜１２の上にＳi Ｏ_2 を主成分とするセラミックスからなる透明な外面被膜１３を物理蒸着により形成する。 - 特許庁

The crystallized glass is, preferably, a Li2O-Al2O3-SiO2 crystallized glass, wherein a main- crystalline phase is formed with lithium disilicate(Li2O.2SiO2)例文帳に追加

好ましくは、Ｌｉ_2 Ｏ−Ａｌ_2 Ｏ_3 −ＳｉＯ_2 系の結晶化ガラスであって、この結晶化ガラスの主結晶相が二ケイ酸リチウム（Ｌｉ_2 Ｏ・２ＳｉＯ_2 ）であり、副結晶相がクリストバライト相であり、酸化モリブデンおよび／または酸化タンタルを、合計量で０．５−７．０重量％含有する。 - 特許庁

Since the SiO2 film is formed between the SiN film 34 and the ITO film 36, peelings caused on the interface between the silver alloy film 33 and the SiN film 34 due to stresses produced by heat, etc., in the production process can be prevented.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３４とカラーフィルタ電着用ＩＴＯ膜３６との間に、ＳｉＯ_2膜を形成することによって、製造工程で受ける熱などによって発生する応力で、銀の合金膜３３とＳｉＮ膜３４との界面に生じる剥離を防ぐことができる。 - 特許庁

This manufacturing process comprises a process forming a lining glass layer 2 on the surface of a base material 1 to manufacture a glass- lined product, wherein the surface of lining glass layer 2 is coated with SiO2 by a sol-gel method to form a silica coating layer 3.例文帳に追加

ライニングガラス層２が母材１の表面に形成されたグラスライニング被覆製品を製造する方法において、前記ライニングガラス層２の表面に、ゾルゲル法によりＳｉＯ_2をコーティングすることにより、シリカコーティング層３を形成して製造することを特徴とする。 - 特許庁

After forming a dummy gate resist pattern 24 on a GaAs substrate 11 for which a buffer layer 12, a channel layer 13, an electron supply layer 14, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 are laminated, an SiO2 film 26 provided with a gate-opening part 25 is formed by vapor deposition and lift-off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

A refractory having the composition of 20-80 wt.% Al2O3, 10-45 wt.% graphite, 1-20 wt.% SiO2 and 0.1 to <3 wt.% CaO, is used for the whole body or the portion where molten steel is passed through in the immersion nozzle, to constitute the continuous casting nozzle.例文帳に追加

組成がＡｌ_2 Ｏ_3 ；２０〜８０重量％、黒鉛；１０〜４５重量％、ＳｉＯ_2 ；１〜２０重量％、ＣａＯ；０．１〜３重量％未満である耐火物を全体あるいは浸漬ノズルの溶鋼が通過する部分に使用して連続鋳造ノズルを構成する。 - 特許庁

When a spiral inductor 151 is formed on the wiring layer of an integrated circuit of silicon process, a polysilicon layer 13 for the gate of a MOS transistor is formed under the inductor 151 and between an SiO2 layer 12 of a field and the inductor 151.例文帳に追加

シリコンプロセス上の集積回路の配線層に、スパイラル形状によるインダクター１５１を形成する場合に、インダクター１５１の下層部に、ＭＯＳ型トランジスタのゲートに用いるポリシリコン層１３を、フィールドのＳｉＯ_2 層１２とインダクター１５１の間にも形成する。 - 特許庁

After a GaN group compound semiconductor film 2 is formed on the surface of a substrate 1, an SiO2 pattern 3 is formed over it, then the pattern 3 is evaporated in an atmosphere containing hydrogen so that an anti- surfactant region (Si residue part 4) is selectively formed.例文帳に追加

基板１表面にＧａＮ系化合物半導体膜２を形成した後、ＳｉＯ２パターン３をその上に形成し、次いでこのパターン３を水素を含む雰囲気で蒸発させることによりアンチサーファクタント領域(Ｓｉ残留部４)を選択的に形成する。 - 特許庁

A coating compsn. containing polysilazane and the silane coupling agent is prepared and a coating film is formed on the base material from the coating compsn. and subjected to ceramics forming treatment to form the ceramics film substantially comprising SiO2.例文帳に追加

ポリシラザン及びシランカップリング剤を含むコーティング組成物を調製し、次いで前記コーティング組成物の塗膜を基材上に形成し、その後前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にＳｉＯ_2 からなるセラミックス膜を形成することを特徴とする方法。 - 特許庁

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁

This soil stabilizer comprises 37-59 wt.% of calcium oxide(CaO) component, 22-32 wt.% of silica(SiO2) component, 10-15 wt.% of alumina(Al2O3) component and 5-10 wt.% of sulfur trioxide(SO3) component and is mixed with soil to solidify and stabilize the soil.例文帳に追加

土質安定材は、酸化カルシウム（ＣａＯ）成分を３７〜５９重量％、シリカ（ＳｉＯ_2）成分を２２〜３２重量％、アルミナ（Ａｌ_2Ｏ_3）成分を１０〜１５重量％及び三酸化硫黄（ＳＯ_3）成分を５〜１０重量％の範囲で含有するものである。 - 特許庁