「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the SiO2 film is formed between the SiN film 34 and the ITO film 36, peelings caused on the interface between the silver alloy film 33 and the SiN film 34 due to stresses produced by heat, etc., in the production process can be prevented.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３４とカラーフィルタ電着用ＩＴＯ膜３６との間に、ＳｉＯ_2膜を形成することによって、製造工程で受ける熱などによって発生する応力で、銀の合金膜３３とＳｉＮ膜３４との界面に生じる剥離を防ぐことができる。 - 特許庁

This manufacturing process comprises a process forming a lining glass layer 2 on the surface of a base material 1 to manufacture a glass- lined product, wherein the surface of lining glass layer 2 is coated with SiO2 by a sol-gel method to form a silica coating layer 3.例文帳に追加

ライニングガラス層２が母材１の表面に形成されたグラスライニング被覆製品を製造する方法において、前記ライニングガラス層２の表面に、ゾルゲル法によりＳｉＯ_2をコーティングすることにより、シリカコーティング層３を形成して製造することを特徴とする。 - 特許庁

After forming a dummy gate resist pattern 24 on a GaAs substrate 11 for which a buffer layer 12, a channel layer 13, an electron supply layer 14, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 are laminated, an SiO2 film 26 provided with a gate-opening part 25 is formed by vapor deposition and lift-off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

A coating compsn. containing polysilazane and the silane coupling agent is prepared and a coating film is formed on the base material from the coating compsn. and subjected to ceramics forming treatment to form the ceramics film substantially comprising SiO2.例文帳に追加

ポリシラザン及びシランカップリング剤を含むコーティング組成物を調製し、次いで前記コーティング組成物の塗膜を基材上に形成し、その後前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にＳｉＯ_2 からなるセラミックス膜を形成することを特徴とする方法。 - 特許庁

The outer surface of a face panel 1 is provided with a reflection preventive film 12 having a conductive layer 10 formed of metal particulates or metal compound particulates 10a and an upper layer 11 containing mainly silica (SiO2) laminated.例文帳に追加

本発明の陰極線管においては、フェ−スパネル１の外表面に、金属微粒子あるいは金属化合物微粒子１０ａから成る導電層１０と、シリカ（ＳｉＯ_2）を主成分とする上層１１とが積層された反射防止膜１２が形成されている。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

The aluminoborosilicate glass containing no alkali metal has the composition (by mass%, based on oxides) of >58 to 65 SiO2, >6 to 10.5 B2O3, >14 to 25 Al2O3, 0 to <3 MgO, 0 to 9 CaO, >3 to 8 BaO satisfying 8 to 18 MgO+CaO+BaO, and 0 to <2 ZnO.例文帳に追加

次の組成（質量％、酸化物基準）：ＳｉＯ_２ ＞５８〜６５、Ｂ__２Ｏ_３ ＞６〜１０．５、Ａｌ_２Ｏ_３ ＞１４〜２５、ＭｇＯ ０〜＜３、ＣａＯ０〜９およびＢａＯ ＞３〜８、但し、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ ８〜１８、ＺｎＯ ０〜＜２を有する、アルカリ金属不含のアルミノホウケイ酸塩ガラス。 - 特許庁

This composition for a cement raw material is a fluidic slurry and is obtained by mixing solid wastes containing at least one component selected from CaO, Al2O3, SiO2 and Fe2O3 of main ingredients for the cement with water supply sludge and/or sewage sludge.例文帳に追加

セメントの主成分であるＣａＯ、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＳｉＯ_2 、Ｆｅ_2 Ｏ_3 から選ばれる少なくとも１成分を含む固形の廃棄物と、浄水汚泥および／または下水汚泥とを混合して流動性のあるスラリー状としたセメント原料組成物により課題を解決できる。 - 特許庁

To obtain a crystallized glass inhibiting elution of lithium from the glass by reducing coefficient of thermal expansion due to suppressing coagulation of an α-quartz phase and coarsening of crystal particles in a crystallized glass based on SiO2-Al2O3-Li2O having a lithium disilicate phase and the α-quartz phase.例文帳に追加

リチウムダイシリケート相およびα−石英相を有するＳｉＯ_2 −Ａｌ_2Ｏ_3 −Ｌｉ_2 Ｏ系の結晶化ガラスにおいて、α−石英相の凝集や結晶粒子の粗大化を抑制し、熱膨張係数を小さくし、ガラスからのリチウム溶出を防止する。 - 特許庁

To expand the utilization range of a silicon carbide single crystal as a material for producing a semiconductor device by suppressing the impurity content to ppb order while keeping high quality comparable or superior to that of a device having an SiO2 layer as an intermediate layer and keeping high production efficiency.例文帳に追加

中間層にＳｉＯ_2 を介在させた場合と同等以上の高い品質及び高い製造効率を確保しつつ、不純物をｐｐｂ単位の含有量に抑えて半導体デバイス製作用材料としての利用範囲の拡大が図れるようにする。 - 特許庁

The drift layer 6 has an oxide layer of a dense SiO2 structure or a structure near to it obtained by heat-treating the porous polycrystalline silicon layer 4 formed by oxidizing the polycrystalline silicon layer 3 with the anode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、多結晶シリコン層３に陽極酸化処理を施すことにより形成された多孔質多結晶シリコン層４に熱処理を行った後、酸化されており、水素の混入が少なく緻密なＳｉＯ_2の構造若しくはＳｉＯ_2の構造に近い酸化膜を有する。 - 特許庁

A base body of the reflection mirror is a crystallized glass composed of SiO2, Al2O3, BaO, and TiO2 as main components, containing at least K2O and Na2O as modifying components, having celsian with a thermal expansion coefficient α (×10-7/°C) of ranging 30-50, as a main crystal layer.例文帳に追加

反射鏡の基体は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＯおよびＴｉＯ_２を主要構成成分とし、かつ、少なくともＫ_２ＯおよびＮａ_２Ｏを修飾成分とするもので、熱膨張係数α（×１０^−７／℃）が３０〜４５の範囲にあるセルジアンを主結晶層とする結晶化ガラスである。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤47.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤12 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４７．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤48.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤17 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４８．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １７ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has the composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤48.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 21.5 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４８．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２１．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass has the following composition ranges for the main components; 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 23-25.5 wt.% MgO and 5-12 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２３ｗｔ％以上で且つ ２５．５ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 45.5 wt.%≤SiO2≤49.5 wt.%, 20.5 wt.%≤Al2O3≤23.5 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

To MnZn ferrite consisting principally of 50 to 56 mol% Fe2O3, 3 to 25 mol% ZnO, and MnO as the remainder, 0.02 to 0.1 wt.% CaO, 0.002 to 0.05 wt.% SiO2, 0.005 to 0.1 wt.% ZrO2, and 0.005 to 0.05 wt.% NaO are added as accessory ingredients.例文帳に追加

主成分としてＦｅ_2 Ｏ_3 ５０〜５６モル％、ＺｎＯ３〜２５モル％、残部がＭｎＯからなるＭｎＺｎフェライトに、副成分としてＣａＯ０．０２〜０．１重量％、ＳｉＯ_2 ０．００２〜０．０５重量％、ＺｒＯ_2 ０．００５〜０．１重量％、Ｎａ０．００５〜０．０５重量％を添加する。 - 特許庁

Accordingly, the quantity of the external additive adhered to the base grain (C) and the grain size are limited, and the liberation of the external additive (SiO2) from the base grain (C) is reduced at the contact development step with a latent image carrier or the contact transfer step with a transfer device in image forming process.例文帳に追加

これにより、母粒子（Ｃ）に付着する外添剤（ＳｉＯ_2）の量および粒径が制限され、画像形成プロセス中の、潜像担持体との接触現像工程時や転写器との接触転写工程時などにおいて、母粒子（Ｃ）からの外添剤（ＳｉＯ_2）の遊離が低減する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device by forming a first gate insulation film of SiO2 and a second gate insulation film of high dielectric constant metal oxide on a single crystal silicon substrate in which the second gate insulation film is etched without damaging the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、ＳｉＯ_2を材料とする第１のゲート絶縁膜と、高誘電率の金属酸化物からなる第２のゲート絶縁膜を形成する半導体装置において、基板にダメージを与えることなく第２のゲート絶縁膜をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

Benzothiophene and naphthalene are separated and recovered from mixture containing benzothiophene and naphthalene by using a zeolite which is a faujasite type zeolite, in which a molar ratio of SiO2/Al2O3 of zeolite constituting the skeleton is 1-6 as an absorbent and using a 6-9C aromatic hydrocarbon as a desorbent.例文帳に追加

ベンゾチオフェン及びナフタレンを含有する混合物を、吸着剤としてフォージャサイト型ゼオライトであって、その骨格を構成するゼオライトのSi0_2/Al_2O_3モル比が１〜６であるゼオライトを使用し、脱離剤として炭素数が６から９の芳香族炭化水素を使用するベンゾチオフェンとナフタレンの分離、回収方法。 - 特許庁

A capacitor 102 is formed of a lower electrode 111 provided over the SiO2 layer 119 on an impurity layer 117 provided to a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film (SiO2 film) 104 which substantially does not contain impurities and a BPSG film 105, which contains boron and phosphorus and is a silicon oxide film, are deposited in the order on a silicon substrate 101 and thereafter, a contact hole is formed in the films 105 and 104.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上に、不純物を実質的に含まない酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2 ）１０４と、ボロン及びリンを含む酸化シリコン膜であるＢＰＳＧ膜１０５とを順次堆積した後、ＢＰＳＧ膜１０５及び酸化シリコン膜１０４にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The composition comprises (a) a blend of low-molecular weight and high-molecular weight vinylic polydimethy-siloxane fluids, (b) a hydrogenated siloxane, and (c) a vinyl resin containing chemically bonded trimethylsiloxy units and SiO2 units, and is a platinum-catalyzed heat-curable mixture containing substantially no organic solvent.例文帳に追加

（ａ）低分子量と高分子量のビニル含有ポリジメチルシロキサン流体のブレンド、（ｂ）水素化シロキサン、および（ｃ）化学結合したトリメチルシロキシ単位とＳｉＯ_２単位を含むビニル樹脂を含んでなる、有機溶剤を実質的に含まず白金により触媒された熱硬化性のシリコーン混合物である。 - 特許庁

An SiO2 film 8 is formed on the substrate where the source and drain electrodes 6 and 7 are formed, the part between the source and drain electrodes 6 and 7 is opened, the n-type GaAs layer 5 is etched through the opening to form a recess groove 13, and a gate electrode 9 is provided.例文帳に追加

このソース電極６ドレイン電極７を形成した基板にＳｉＯ_2膜８を形成した後、ソース電極６とドレイン電極７の間を開口し、その開口を通してｎ型ＧａＡｓ層５をエッチングしてリセス溝１３を形成し、ゲート電極９を配設している。 - 特許庁

The high reflection electrode layer 6 has a multilayer structure wherein a low refractive index layer consisting of SiO2 and a high refractive index layer consisting of Nb2O5 are alternately laminated on a highly electric conducting layer consisting of ITO, and this is constituted so that a reflectivity is made higher and an absorbance is made lower.例文帳に追加

高反射電極層６は、ＩＴＯからなる高導電層上に、ＳｉＯ_2 からなる低屈折率層とＮｂ_2 Ｏ_5 からなる高屈折率層とを交互に積層した多層構造を有し、反射率が高くかつ吸収率が低くなるように構成されている。 - 特許庁

High-permeability Mn-Zn ferrite source iron oxide containing 0.01 or less weight % of SiO2, 0.02 weight % or less of P and 0.003 weight % or less of insoluble Ca is obtained by atomizingly or fluidically roasting an aqueous solution of ferric chloride.例文帳に追加

塩化鉄水溶液の噴霧焙焼または流動焙焼により、ＳｉＯ_２の含有量が０．０１重量％以下、Ｐの含有量が０．００２重量％以下、不溶性Ｃａの含有量が０．００３重量％以下の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎフェライト原料酸化鉄を得る。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥39.5 and ≤48.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤30 wt.% of Al2O3, ≥23 and ≤25.5 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３９．５ｗｔ％以上で且つ ４８．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２３ｗｔ％以上で且つ ２５．５ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

In a method for forming a coating film containing polysilazane on a base material and subjecting the same to ceramics forming treatment to form a ceramics film substantially comprising SiO2, a process providing a primer layer containing a silane coupling agent between the base material and the coating film is provided.例文帳に追加

基材上にポリシラザンを含む塗膜を形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にＳｉＯ_2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記基材と前記塗膜の間にシランカップリング剤を含むプライマー層を設ける工程を含むことを特徴とする方法。 - 特許庁

This glass composition contains SiO2 in an amount of 35-44.5 wt.%, Al2O3 in an amount of 16.5-19.5 wt.%, MgO in an amount of 10-30 wt.%, and TiO2 in an amount of 5-20 wt.% as main components.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が１６．５ｗｔ％以上で且つ １９．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

The contents in slag in a ladle before the vacuum treatment are adjusted to 0.6-2.0 CaO/Al2O3 ratio of CaO content to Al2O3 content and 2-10 wt.% the total of FeO and MnO contents, ≤12 wt.% SiO2 content and 5-10 wt.% Mg content.例文帳に追加

真空処理前の取鍋内のスラグ中のＣａＯ含有率とＡｌ_2 Ｏ_3 含有率の比ＣａＯ／Ａｌ_2 Ｏ_3 を０．６〜２．０、ＦｅＯおよびＭｎＯの含有率を合計で２〜１０重量％、ＳｉＯ_2 含有率を１２重量％以下、ＭｇＯ含有率を５〜１０重量％に調整する。 - 特許庁

According to this, the toner of large grain size having no external additive (SiO2) adhered thereto can be prevented from being stayed near the nip part of a toner regulating blade making contact with a toner carrier to reduce the generation of carrying stripes.例文帳に追加

これにより、トナーの流動性および帯電性が良好になって、トナー担持体に接触するトナー規制ブレードのニップ部付近に、外添剤（ＳｉＯ_2）の付着していない大粒径のトナーが滞留するようなことがなくなり、搬送すじの発生を低減することができるようになる。 - 特許庁

An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.例文帳に追加

直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁

This glass is obtained by designing its composition so as to essentially comprise 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 18.5-30 wt.% MgO and 9.5-12 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１８．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が９．５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has the composition ranges of main components being 40.5 wt.%≤SiO2≤44 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 7 wt.%≤TiO2≤10 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４４ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が７ｗｔ％以上で且つ １０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This cemented chip board consists of cement, wood chips and vermiculite having a 0.5-5.0 mm average particle size, a 32-40% SiO2 content and a 9-16 wt.% ignition loss, wherein the vermiculite content in the resulting cemented chip board is 0.5-10 wt.% on the basis of the weight of the board.例文帳に追加

セメント、木片および平均粒径０．５〜５．０ｍｍ、ＳｉＯ_2 含有率３２〜４０％、強熱減量９〜１６重量％であるバーミキュライトからなる木片セメント板であって、前記バーミキュライトの含有量が得られた木片セメント板の０．５〜１０重量％であることを特徴とする。 - 特許庁

This glass composition characterized in that the composition ranges of main components are 35.5 wt.%≤SiO2≤46.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 16 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５．５ｗｔ％以上で且つ ４６．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が１６ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 40.5 wt.%≤SiO2≤44.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 16.5 wt.%≤MgO≤19 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１６．５ｗｔ％以上で且つ １９ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 13 wt.%≤Al2O3≤15.5 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が１３ｗｔ％以上で且つ １５．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main component being 40.5 wt.%≤SiO2≤44.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 13.5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４０．５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が１３．５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This method for decomposing the inflammable waste material by bringing the inflammable waste material into contact with the powder fluidized medium, comprises performing the thermal decomposition by using a zeolite having 3.0-100 molar ratio of silica to alumina (SiO2/Al2O3) and 400-800 m2/l specific surface area as at least a part of it.例文帳に追加

可燃性廃棄物を加熱された粉体流動媒体と接触させて熱分解させるに際し、粉体流動媒体の少なくとも一部にシリカとアルミナとのモル比SiO_2/Al_2O_3が３．０〜１００で比表面積が４００〜８００ｍ^2／ｌであるゼオライトを用いて熱分解させる。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 42.5 wt.%≤SiO2≤44.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 10 wt.%≤MgO≤30 wt.%, and 9.5 wt.%≤TiO2≤12 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が４２．５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が９．５ｗｔ％以上で且つ １２ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This block material preferably includes fine particles o the granulated slag and/or a silica-including substance of ≥40 mass % of SiO2 content and the total proportion of the slag particles and/or the silica-including substance is set to ≥80 mass % in the whole binder materials.例文帳に追加

この水中沈設用ブロックは、好ましくは結合材として高炉水砕スラグ微粉末及び／又はＳｉＯ_２を４０mass％以上含有するシリカ含有物質を含み、全結合材中に占める前記高炉水砕スラグ微粉末及び／又は前記シリカ含有物質の合計の割合を８０mass％以上とする。 - 特許庁