「SiO2」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a low-temperature fired porcelain that is composed of BaO-SiO2-Al2O3 and has a dielectric constant εr of ≤10, a quality factor of ≥2,500 and the absolute value of the temperature coefficient of resonance frequency τf of ≤30 ppm/°C.例文帳に追加

ＢａＯ−ＳｉＯ_2 −Ａｌ_2 Ｏ_3 系の低温焼成磁器において、誘電率εｒが１０以下であり、品質係数Ｑが２５００以上であり、かつ共振周波数の温度係数τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下の、高強度の低温焼成磁器を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11, consisting of an SiO2 film 9 and an SiN film 10, is formed on the entire surface and after a flattened insulating film 14, which have open parts at positions corresponding to a source 7a and drain 7c is formed on the film 10, the contact holes 12 are formed.例文帳に追加

そして全面にＳｉＯ_2膜９、ＳｉＮ膜１０からなる層間絶縁膜１１を形成し、それをソース７ａ及びドレイン７ｃに対応した位置に開口部を有する平坦化絶縁膜１４を形成した後、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

An inorganic material such as SiO2, TiO2 and ZrO2 is dissolved into a solvent including an alkoxide, methoxide, proxide, n-methylpropiden, or the like and a dissolution material of the solvent and an epoxy photosensitive resin is subjected to spin-coating on a metallic substrate 9 to be prebaked to form a first layer 10.例文帳に追加

まず、金属基板９上に、ＳｉＯ_2やＴｉＯ_2、ＺｒＯ_2などの無機物をアルコキシド、メトキシド、プロキシドをｎ−メチルプロピドン等の溶媒に溶解し、エポキシ系の感光性樹脂との溶解物をスピンコートし、プリベークすることで第１の層１０を形成する。 - 特許庁

A porous metal oxide having a primary particle size of 1.0 μm or less, such as AL2O3, Cr2O3, Fe2O3, Ni2O3, ZnO, SiO2 is used as a filter layer 8, and the film thickness is adjusted in the range from the oxide primary particle size to 100 μm at the maximum.例文帳に追加

フィルタ層８として、一次粒子径が１．０μｍ以下のＡｌ_2Ｏ_3，Ｃｒ_2Ｏ_3，Ｆｅ_2Ｏ_3，Ｎｉ_2Ｏ_3，ＺｎＯ，ＳｉＯ_2などの多孔質金属酸化物を用い、膜厚を酸化物一次粒子径から最大１００μｍにすることにより、掲記課題の解決を図る。 - 特許庁

The outer surface of a face panel 1 is provided with a reflection preventive film 12 having a conductive layer 10 formed of metal particulates or metal compound particulates 10a and an upper layer 11 containing mainly silica (SiO2) laminated.例文帳に追加

本発明の陰極線管においては、フェ−スパネル１の外表面に、金属微粒子あるいは金属化合物微粒子１０ａから成る導電層１０と、シリカ（ＳｉＯ_2）を主成分とする上層１１とが積層された反射防止膜１２が形成されている。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

The aluminoborosilicate glass containing no alkali metal has the composition (by mass%, based on oxides) of >58 to 65 SiO2, >6 to 10.5 B2O3, >14 to 25 Al2O3, 0 to <3 MgO, 0 to 9 CaO, >3 to 8 BaO satisfying 8 to 18 MgO+CaO+BaO, and 0 to <2 ZnO.例文帳に追加

次の組成（質量％、酸化物基準）：ＳｉＯ_２ ＞５８〜６５、Ｂ__２Ｏ_３ ＞６〜１０．５、Ａｌ_２Ｏ_３ ＞１４〜２５、ＭｇＯ ０〜＜３、ＣａＯ０〜９およびＢａＯ ＞３〜８、但し、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＢａＯ ８〜１８、ＺｎＯ ０〜＜２を有する、アルカリ金属不含のアルミノホウケイ酸塩ガラス。 - 特許庁

This composition for a cement raw material is a fluidic slurry and is obtained by mixing solid wastes containing at least one component selected from CaO, Al2O3, SiO2 and Fe2O3 of main ingredients for the cement with water supply sludge and/or sewage sludge.例文帳に追加

セメントの主成分であるＣａＯ、Ａｌ_2 Ｏ_3 、ＳｉＯ_2 、Ｆｅ_2 Ｏ_3 から選ばれる少なくとも１成分を含む固形の廃棄物と、浄水汚泥および／または下水汚泥とを混合して流動性のあるスラリー状としたセメント原料組成物により課題を解決できる。 - 特許庁

To obtain a crystallized glass inhibiting elution of lithium from the glass by reducing coefficient of thermal expansion due to suppressing coagulation of an α-quartz phase and coarsening of crystal particles in a crystallized glass based on SiO2-Al2O3-Li2O having a lithium disilicate phase and the α-quartz phase.例文帳に追加

リチウムダイシリケート相およびα−石英相を有するＳｉＯ_2 −Ａｌ_2Ｏ_3 −Ｌｉ_2 Ｏ系の結晶化ガラスにおいて、α−石英相の凝集や結晶粒子の粗大化を抑制し、熱膨張係数を小さくし、ガラスからのリチウム溶出を防止する。 - 特許庁

To expand the utilization range of a silicon carbide single crystal as a material for producing a semiconductor device by suppressing the impurity content to ppb order while keeping high quality comparable or superior to that of a device having an SiO2 layer as an intermediate layer and keeping high production efficiency.例文帳に追加

中間層にＳｉＯ_2 を介在させた場合と同等以上の高い品質及び高い製造効率を確保しつつ、不純物をｐｐｂ単位の含有量に抑えて半導体デバイス製作用材料としての利用範囲の拡大が図れるようにする。 - 特許庁

The high thermal conductive vanish 165 contains a high thermal conductive filler, boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si3N4), aluminum oxide (Al2O3), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), strontium titanate (SrTiO3), titanium dioxide (TiO2), silica (SiO2) or diamond (C).例文帳に追加

この高熱伝導性ワニス１６５は高熱伝導性フィラー、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、シリカ（ＳｉＯ２）、またはダイアモンド（Ｃ）を含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing the slag hardening body by way of hydration hardening of a mixture of slag containing free CaO and a material containing SiO2, the mixture includes 0.5% or more in terms of S of CaS and/or S.例文帳に追加

遊離ＣａＯを含有するスラグとＳｉＯ_2含有物質との混合物を水和硬化させるスラグ硬化体の製造方法において、前記遊離ＣａＯを含有するスラグとＳｉＯ_2含有物質との混合物中に、ＣａＳ及び/又はＳをＳ換算で０．５質量％以上含有させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.例文帳に追加

シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the film 30 for the touch panel, an internal ITO film 35 whose geometric film thickness is 20nm, a SiO2 film 36 whose film thickness is 70nm and a surface layer ITO film 37 whose film thickness is 10nm are laminated under a substrate film 31 made of PET.例文帳に追加

タッチパネル用フィルム３０は、ＰＥＴ製の基材フィルム３１の下面に、幾何学的膜厚が２０ｎｍである内層ＩＴＯ膜３５と、膜厚が７０ｎｍのＳｉＯ２膜３６と、膜厚が１０ｎｍある表面層ＩＴＯ膜３７とが積層してある構成である。 - 特許庁

This laminated wiring is constituted by a Ti adhered layer 12 of 100 nm thick, a TiN barrier layer 14 of 30 nm thick, and an Al-Si wiring material layer 16 of 800 nm thick laminated in this order via an underlayer SiO2 film 10 on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板（図示せず）上に下地ＳｉＯ_2 膜１０を介して順に積層された厚さ１００ｎｍのＴｉ密着層１２、厚さ３０ｎｍのＴｉＮバリア層１４、及び厚さ８００ｎｍのＡｌ−Ｓｉ配線材層１６から積層配線が構成される。 - 特許庁

The calcium aluminate-based desulfurizing agent has a composition of 30-60 wt.% CaO, 3-10 wt.% MgO, 25-50 wt.% Al2O3, and 5-15 wt.% SiO2, and the melting point of this desulfurizing agent is made to 1300-1600°C to obtain satisfactory fluidity.例文帳に追加

溶鋼の脱硫に使用するカルシウムアルミネート系脱硫剤であって、ＣａＯ：３０〜６０重量％、ＭｇＯ：３〜１０重量％、Ａｌ_2 Ｏ_3 ：２５〜５０重量％、ＳｉＯ_2 ：５〜１５重量％の成分を有し、この脱硫剤の融点を１３００〜１６００℃として流動性を良好にした。 - 特許庁

High-permeability Mn-Zn ferrite source iron oxide containing 0.01 or less weight % of SiO2, 0.02 weight % or less of P and 0.003 weight % or less of insoluble Ca is obtained by atomizingly or fluidically roasting an aqueous solution of ferric chloride.例文帳に追加

塩化鉄水溶液の噴霧焙焼または流動焙焼により、ＳｉＯ_２の含有量が０．０１重量％以下、Ｐの含有量が０．００２重量％以下、不溶性Ｃａの含有量が０．００３重量％以下の高透磁率Ｍｎ−Ｚｎフェライト原料酸化鉄を得る。 - 特許庁

A capacitor section 102 is formed of a lower electrode 111 provided on a SiO2 layer 119 on a doped layer 117 provided on a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

The high reflection electrode layer 6 has a multilayer structure wherein a low refractive index layer consisting of SiO2 and a high refractive index layer consisting of Nb2O5 are alternately laminated on a highly electric conducting layer consisting of ITO, and this is constituted so that a reflectivity is made higher and an absorbance is made lower.例文帳に追加

高反射電極層６は、ＩＴＯからなる高導電層上に、ＳｉＯ_2 からなる低屈折率層とＮｂ_2 Ｏ_5 からなる高屈折率層とを交互に積層した多層構造を有し、反射率が高くかつ吸収率が低くなるように構成されている。 - 特許庁

A silicon oxide film (SiO2 film) 104 which substantially does not contain impurities and a BPSG film 105, which contains boron and phosphorus and is a silicon oxide film, are deposited in the order on a silicon substrate 101 and thereafter, a contact hole is formed in the films 105 and 104.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上に、不純物を実質的に含まない酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2 ）１０４と、ボロン及びリンを含む酸化シリコン膜であるＢＰＳＧ膜１０５とを順次堆積した後、ＢＰＳＧ膜１０５及び酸化シリコン膜１０４にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The composition comprises (a) a blend of low-molecular weight and high-molecular weight vinylic polydimethy-siloxane fluids, (b) a hydrogenated siloxane, and (c) a vinyl resin containing chemically bonded trimethylsiloxy units and SiO2 units, and is a platinum-catalyzed heat-curable mixture containing substantially no organic solvent.例文帳に追加

（ａ）低分子量と高分子量のビニル含有ポリジメチルシロキサン流体のブレンド、（ｂ）水素化シロキサン、および（ｃ）化学結合したトリメチルシロキシ単位とＳｉＯ_２単位を含むビニル樹脂を含んでなる、有機溶剤を実質的に含まず白金により触媒された熱硬化性のシリコーン混合物である。 - 特許庁

An SiO2 film 8 is formed on the substrate where the source and drain electrodes 6 and 7 are formed, the part between the source and drain electrodes 6 and 7 is opened, the n-type GaAs layer 5 is etched through the opening to form a recess groove 13, and a gate electrode 9 is provided.例文帳に追加

このソース電極６ドレイン電極７を形成した基板にＳｉＯ_2膜８を形成した後、ソース電極６とドレイン電極７の間を開口し、その開口を通してｎ型ＧａＡｓ層５をエッチングしてリセス溝１３を形成し、ゲート電極９を配設している。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥39.5 and ≤48.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤30 wt.% of Al2O3, ≥23 and ≤25.5 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３９．５ｗｔ％以上で且つ ４８．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２３ｗｔ％以上で且つ ２５．５ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

The drift layer 6 has an oxide layer of a dense SiO2 structure or a structure near to it obtained by heat-treating the porous polycrystalline silicon layer 4 formed by oxidizing the polycrystalline silicon layer 3 with the anode.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、多結晶シリコン層３に陽極酸化処理を施すことにより形成された多孔質多結晶シリコン層４に熱処理を行った後、酸化されており、水素の混入が少なく緻密なＳｉＯ_2の構造若しくはＳｉＯ_2の構造に近い酸化膜を有する。 - 特許庁

A base body of the reflection mirror is a crystallized glass composed of SiO2, Al2O3, BaO, and TiO2 as main components, containing at least K2O and Na2O as modifying components, having celsian with a thermal expansion coefficient α (×10-7/°C) of ranging 30-50, as a main crystal layer.例文帳に追加

反射鏡の基体は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＯおよびＴｉＯ_２を主要構成成分とし、かつ、少なくともＫ_２ＯおよびＮａ_２Ｏを修飾成分とするもので、熱膨張係数α（×１０^−７／℃）が３０〜４５の範囲にあるセルジアンを主結晶層とする結晶化ガラスである。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device by forming a first gate insulation film of SiO2 and a second gate insulation film of high dielectric constant metal oxide on a single crystal silicon substrate in which the second gate insulation film is etched without damaging the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、ＳｉＯ_2を材料とする第１のゲート絶縁膜と、高誘電率の金属酸化物からなる第２のゲート絶縁膜を形成する半導体装置において、基板にダメージを与えることなく第２のゲート絶縁膜をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥35 and ≤44.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤11.5 wt.% of Al2O3, ≥10 and ≤30 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １１．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

This glass composition has compositional ranges of principal components of ≥35 and ≤39.5 wt.% of SiO2, ≥5 and ≤l9.5 wt.% of Al2O3, ≥10 and ≤30 wt.% of MgO and ≥5 and ≤20 wt.% of TiO2 in the glass composition.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ３９．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ １９．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor structure by sputtering a sputtered SiO2 above a trench and possibly depositing the same on both sides of the trench, resulting in excessive build-up, and restricting an opening where a bottom up gap filling is achieved in STI gap filling.例文帳に追加

ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

In the burnt ash components, the burnt ash of the coal having much contents of 30-35 wt.% CaO and 10-14 wt.% Fe2O3 and little contents of 10-12 wt.% Al2O3 and 20-35 wt.% SiO2, is used as the additive when the sintered ore for iron manufacturing is produced.例文帳に追加

燃焼灰成分において、ＣａＯが３０−３５ｗｔ．％及びＦｅ_2Ｏ_3が１０−１４ｗｔ．％と多く、Ａｌ_2Ｏ_3が１０−１２ｗｔ．％及びＳｉＯ_2が２０−３５ｗｔ．％と少ない石炭の燃焼灰を、製鉄用の燒結鉱を製造する際の添加材として使用する。 - 特許庁

(1) CaO-containing dephosphorizing agent is blown into the molten iron by using oxygen as carrier gas to execute the dephoshorization, and desulfurizing agent is blown into the molten iron after executing the dephosphorizing treatment without discharging the dephosphorized slag making ≥1.7 slag basicity (wt. ratio: CaO/SiO2) after executing the phosphorizing treatment, to execute the desulfurization.例文帳に追加

（１）酸素をキャリアーガスとしてＣａＯ含有脱燐剤を溶銑に吹き付けて脱燐し、脱燐処理後のスラグ塩基度（重量比：ＣａＯ／ＳｉＯ_2 ）を１．７以上とした脱燐スラグを排出することなく脱硫剤を脱燐処理後の溶銑中に吹き込んで脱硫する。 - 特許庁

The surface of the sand core 7 is coated with a three-layered structure consisting of a primer coating agent containing TiO2 applied on the lowermost layer, a ceramic coating agent essentially consisting of SiO2 and MgO applied as a second layer and a flaky graphite coating agent applied as a third layer.例文帳に追加

砂中子７の表面は、最下層に塗布されるＴｉＯ_2を含有する下塗りコート剤、第２層として塗布されるＳｉＯ_2とＭｇＯを主成分とするセラミック系コート剤、第３層として塗布される鱗片状黒鉛コート剤とからなる３層構造で被覆されている。 - 特許庁

This glass is obtained by designing its composition so as to essentially comprise 35-50 wt.% SiO2, 5-30 wt.% Al2O3, 16.5-30 wt.% MgO and 13.5-19 wt.% TiO2.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１６．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が１３．５ｗｔ％以上で且つ １９ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

A material having a higher heat conductivity than Al2O3, SiO2 or the like used for the upper and lower insulating films 11, 12, e.g. one or more insulating materials selected from AlN, SiC and DLC(diamond-like carbon) are used as the material of the rear insulating film 13.例文帳に追加

そして、後部絶縁膜１３の材料として、上部絶縁膜１１及び下部絶縁膜１２に用いるＡｌ_2Ｏ_3やＳｉＯ_2等に比べて熱伝導率の高い材料、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）のいずれか１種以上の絶縁材料を用いる。 - 特許庁

This glass composition contains SiO2 in an amount of 35-44.5 wt.%, Al2O3 in an amount of 20.5-23.5 wt.%, MgO in an amount of 10-30 wt.% and TiO2 in an amount of 5-20 wt.% as main components.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４４．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

Low purity alumina is acid-cleaned and a mixture of 100 parts (by mol) of the acid-cleaned alumina, 0.05-2.5 parts at least one of oxides of the group Va metals and 0.01-4 parts SiO2 is formed and fired at 1,320-1,600°C to anisotropically grow alumina grains under control.例文帳に追加

低純度アルミナを酸洗浄処理し、その酸洗浄処理したアルミナ（１００ｍｏｌ部）と、５Ａ族金属酸化物の少なくとも１種（０．０５〜２．５ｍｏｌ部）と、ＳｉＯ_2（０．０１〜４ｍｏｌ部）とから成る混合物を形成し１３２０〜１６００℃で焼成してアルミナ粒子を制御的に異方成長させる。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

Accordingly, the quantity of the external additive adhered to the base grain (C) and the grain size are limited, and the liberation of the external additive (SiO2) from the base grain (C) is reduced at the contact development step with a latent image carrier or the contact transfer step with a transfer device in image forming process.例文帳に追加

これにより、母粒子（Ｃ）に付着する外添剤（ＳｉＯ_2）の量および粒径が制限され、画像形成プロセス中の、潜像担持体との接触現像工程時や転写器との接触転写工程時などにおいて、母粒子（Ｃ）からの外添剤（ＳｉＯ_2）の遊離が低減する。 - 特許庁

Benzothiophene and naphthalene are separated and recovered from mixture containing benzothiophene and naphthalene by using a zeolite which is a faujasite type zeolite, in which a molar ratio of SiO2/Al2O3 of zeolite constituting the skeleton is 1-6 as an absorbent and using a 6-9C aromatic hydrocarbon as a desorbent.例文帳に追加

ベンゾチオフェン及びナフタレンを含有する混合物を、吸着剤としてフォージャサイト型ゼオライトであって、その骨格を構成するゼオライトのSi0_2/Al_2O_3モル比が１〜６であるゼオライトを使用し、脱離剤として炭素数が６から９の芳香族炭化水素を使用するベンゾチオフェンとナフタレンの分離、回収方法。 - 特許庁

A capacitor 102 is formed of a lower electrode 111 provided over the SiO2 layer 119 on an impurity layer 117 provided to a substrate 100, a ferroelectric layer 109 provided on the lower electrode 111, and an upper electrode 107 provided on the ferroelectric layer 109.例文帳に追加

基板１００に設けられた不純物層１１７上のＳｉＯ2層１１９上に設けられた下部電極１１１、下部電極１１１上に設けられた強誘電体層１０９、強誘電体層１０９上に設けられた上部電極１０７によってキャパシタ部１０２を形成する。 - 特許庁

In a method for forming a coating film containing polysilazane on a base material and subjecting the same to ceramics forming treatment to form a ceramics film substantially comprising SiO2, a process providing a primer layer containing a silane coupling agent between the base material and the coating film is provided.例文帳に追加

基材上にポリシラザンを含む塗膜を形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にＳｉＯ_2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記基材と前記塗膜の間にシランカップリング剤を含むプライマー層を設ける工程を含むことを特徴とする方法。 - 特許庁

According to this, the toner of large grain size having no external additive (SiO2) adhered thereto can be prevented from being stayed near the nip part of a toner regulating blade making contact with a toner carrier to reduce the generation of carrying stripes.例文帳に追加

これにより、トナーの流動性および帯電性が良好になって、トナー担持体に接触するトナー規制ブレードのニップ部付近に、外添剤（ＳｉＯ_2）の付着していない大粒径のトナーが滞留するようなことがなくなり、搬送すじの発生を低減することができるようになる。 - 特許庁

This glass composition has composition ranges of main components being 35 wt.%≤SiO2≤42.5 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 20 wt.%≤MgO≤22 wt.%, and 5 wt.%≤TiO2≤20 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ４２．５ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが２０ｗｔ％以上で且つ ２２ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

In this composition of glass, the composition ranges of main ingredients are 35 wt.%≤SiO2≤50 wt.%, 5 wt.%≤Al2O3≤30 wt.%, 19.5 wt.%≤MgO≤30 wt.% and 7 wt.%≤TiO2≤9 wt.%.例文帳に追加

ガラス組成において、主成分の組成範囲を、ＳｉＯ_2が３５ｗｔ％以上で且つ ５０ｗｔ％以下、Ａｌ_2Ｏ_3が５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１９．５ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ_2が７ｗｔ％以上で且つ ９ｗｔ％以下、とした。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁