「Step-growth」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed.例文帳に追加

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the III-V compound semiconductor layer containing N atoms includes a step of growing semiconductor crystals constituting the III-V compound semiconductor layer on a semiconductor substrate to form an epitaxial wafer 1 and an annealing step of heat-treating the semiconductor crystals at a temperature higher than its growth temperature while applying a load to the crystals by putting a weight 104 on the epitaxial wafer 1.例文帳に追加

Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を製造する方法であって、III−Ｖ族化合物半導体層を構成する半導体結晶を半導体基板上に成長させてエピタキシャルウェハ１を形成する工程と、エピタキシャルウェハ１上におもり１０４を載せることで該半導体結晶に対して荷重を付与しつつ、該半導体結晶に対しその成長温度より高い温度で熱処理を行うアニール工程とを備える。 - 特許庁

The method also includes a step (d) of forming a crystalline 3C-SiC film on the amorphous SiC film through epitaxial growth at the crystallization temperature of SiC or higher.例文帳に追加

（ａ）Ｓｉ基板上にｃ−ＢＰ（立方晶リン化ホウ素）をバッファー層として成膜する工程、（ｂ）ＳｉＣが結晶化する温度よりも低い温度でアモルファスＳｉＣ膜をバッファー層の上にエピタキシャル成長により成膜させる工程、（ｃ）原料ガスの供給を停止して、ｃ−ＢＰの成膜温度以下でアニール処理をおこう工程、（ｄ）ＳｉＣが結晶化する温度以上の高い温度で３Ｃ−ＳｉＣ結晶膜をアモルファスＳｉＣ膜の上にエピタキシャル成長により成膜させる工程。 - 特許庁

The method for manufacturing a shaped substrate with curved surface includes the steps of providing a textured substrate with planar surface with one or more of first textured buffer layers, subjecting the substrate covered with the first buffer layers to a shaping step, and providing a second textured buffer layer onto the first buffer layers by epitaxial growth.例文帳に追加

曲がった面を備えた、形状を変化させた基板を作成する方法であって、一つまたは複数のバッファ層を備え、平面を備えたテクスチャ化された基板を供給するステップと、最初のバッファ層で被覆された該基板の形状を変化させるステップと、エピタキシャル成長によって、最初のバッファ上に、テクスチャ化された第２のバッファ層を供給するステップとを含む、形状を変化させた基板を作成する方法。 - 特許庁

3. We reaffirm our commitment to coordinated policy action by all G20 members to achieve strong, sustainable and balanced growth. Our main priority actions include implementing medium term fiscal consolidation plans differentiated according to national circumstances in line with our Toronto commitment, pursuing appropriate monetary policy, enhancing exchange rate flexibility to better reflect underlying economic fundamentals and structural reforms, to sustain global demand, increase potential growth, foster job creation and contribute to global rebalancing. We discussed progress made since the Seoul Summit and stressed the need to reduce excessive imbalances and maintain current account imbalances at sustainable levels by strengthening multilateral cooperation. We agreed on a set of indicators that will allow us to focus, through an integrated two-step process, on those persistently large imbalances which require policy actions. To complete the work required for the first step, our aim is to agree, by our next meeting in April, on indicative guidelines against which each of these indicators will be assessed, recognizing the need to take into account national or regional circumstances, including large commodity producers. While not targets, these indicative guidelines will be used to assess the following indicators: (i) public debt and fiscal deficits; and private savings rate and private debt (ii) and the external imbalance composed of the trade balance and net investment income flows and transfers, taking due consideration of exchange rate, fiscal, monetary and other policies. We also adopted a timetable for developing the 2011 action plan that will implement our Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth and monitor the commitments already made. As agreed in Seoul, we call on the IMF to provide an assessment as part of the Mutual Assessment Process on progress towards external sustainability and consistency of policies at our October meeting. At that time, we will also review a report on the MAP including an action plan informed by the analysis on the root causes of persistently large imbalances based on the agreed guidelines. We will also review an assessment of progress made in meeting commitments made in Seoul. 例文帳に追加

3. 我々は、強固で持続可能かつ均衡ある成長を達成するための全ての G20 メンバーによる協調した政策措置へのコミットメントを再確認する。我々の主要な優先的政策措置は、トロントでのコミットメントに沿った、各国の状況によって差別化された中期財健全化計画の実施、適切な金融政策の実現、根底にある経済のファンダメンタルズをよりよく反映した、為替レートの柔軟性の向上及び世界需要を維持し、潜在成長を増大させ、雇用創出を助け、世界的なリバランスに貢献する構造改革を含む。我々は、ソウル・サミット以降の進捗を議論し、多角的協調を強化することにより、過度の不均衡を縮小し経常収支を持続可能な水準で維持することの必要性を強調した。我々は、統合された 2 段階のプロセスを通じて、政策措置を必要とするような継続した大規模な不均衡に焦点を当てることを可能にする一連の項目に合意した。第 1段階に必要な作業を完了するため、我々の目標は、大規模な一次産品生産者を含む、国及び地域の状況を考慮する必要性を認識しつつ、4 月の次回会合までに、これらの項目それぞれを評価する参考となるガイドラインに合意することである。これらの参考となるガイドラインは、目標となるものではないが、以下の項目を評価するのに使用される： (i)公的債務と財政赤字、民間貯蓄率と民間債務、(ii)為替・財政・金融・その他の政策を十分に考慮しつつ、貿易収支、投資所得及び対外移転のネットフローから構成される対外バランス。我々はまた、強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組みを実施し、既に行ったコミットメントをモニターする 2011 年版の行動計画の策定へ向けた予定表を採択した。ソウルで合意したように、我々は、IMF に対し、相互評価プロセスの一部として、対外的な持続可能性と政策の一貫性確保に向けた進捗についての評価を 10 月の会合において提供することを求める。その際、我々はまた、合意されたガイドラインに基づく継続した大規模な不均衡の原因に関する分析によって情報を得て、行動計画を含む MAP に関する報告のレビューを行う。我々はまた、ソウルでのコミットメントを達成するためになされた進捗の評価をレビューする。 - 財務省