「Step-growth」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes an arrangement step S1 and a sublimation/growth step S2.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶の製造方法は、配置工程Ｓ１と、昇華・成長工程Ｓ２とを有する。 - 特許庁

The crystal growth step includes a heating step of gradually raising a production temperature.例文帳に追加

結晶成長工程において、製造温度を漸次上昇させる昇温工程を行う。 - 特許庁

The crystal growth interrupted step 20 may include a low-temperature holding step 20b, between the temperature lowering step 20a and the temperature-rising step 20c.例文帳に追加

上記結晶成長中断工程２０において、降温工程２０ａと昇温工程２０ｃとの間に低温保持工程２０ｂを含むことができる。 - 特許庁

In the growth method of the nitride semiconductor thin film, TMG or TEG is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth step) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting at a second set value T2 which is a substrate temperature lower than that of the first growth step.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

After a step 110 of growing an active layer 4, a step 111 of interrupting growth is provided to raise the temperature of a substrate during the period of the step 111.例文帳に追加

活性層４を成長する工程１１０の後、成長中断工程１１１を設けてその期間中に基板温度を昇温する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises an ion implantation step for implanting ions into a first epitaxial growth layer 2 as a base layer at 300°C or higher, an anneal step for annealing following to the ion implantation step and a growth step for forming a second epitaxial growth layer 4 by epitaxial growth on the first epitaxial growth layer 2 as the base layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基層としての第１のエピタキシャル成長層２に対して３００℃以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第１のエピタキシャル成長層２の上にエピタキシャル成長を行ない、第２のエピタキシャル成長層４を形成する成長工程とを含む。 - 特許庁

Foreign matters produced in the epitaxial growth step are removed when the epitaxially grown surface 10a is polished in the epitaxially grown surface polishing step after the epitaxial growth step.例文帳に追加

またエピタキシャル成長後のエピタキシャル成長面研磨工程でエピタキシャル成長面１０ａを研磨することにより、その研磨の過程でエピタキシャル成長の段階で生成される異物を、除去することができる。 - 特許庁

On a generation picture for the growth program displayed on a CRT 2, the step of a process for inputting the data and growth conditions of this step and a step before comparison are displayed as two pictures.例文帳に追加

ＣＲＴ・２に表示される成長プログラムの生成画面には、データを入力するプロセスのステップと、このステップと比較する前のステップの成長条件が２つの画面でそれぞれ表示されている。 - 特許庁

Upon forming a plurality of elements on a semiconductor substrate 1 with a circular substrate surface by implementing a plurality of steps including at least an epitaxial growth step and a device step thereafter, a laser mark 2 is formed at a reference position of mask alignment in the device step before the epitaxial growth step, and the mask alignment is performed taking the laser mark 2 as a reference in the device step after the epitaxial growth step.例文帳に追加

基板面が円形の半導体基板１に、少なくともエピタキシャル成長工程とその後のデバイス工程を含む複数の工程を行って複数の素子を形成する際に、エピタキシャル成長工程以前に、デバイス工程でのマスク位置合わせの基準位置にレーザマーク２を施しておき、該エピタキシャル成長工程後のデバイス工程でそのレーザマーク２を基準としてマスク位置合わせをする。 - 特許庁

In a crystal growth step, the thin film is formed using a thin film forming apparatus 11.例文帳に追加

結晶成長工程では、薄膜形成装置１１を用いて薄膜を形成する。 - 特許庁

Also, the growth in step-flow fashion can be achieved by growing diamond at a comparatively low methane concentration and a high temperature.例文帳に追加

また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。 - 特許庁

Then, the substrate temperature is set to a third set value T3 which is higher than T2 (a third growth step).例文帳に追加

次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。 - 特許庁

Part of the selective growth layer 5 is removed by an amount corresponding to the measured height of the step 6.例文帳に追加

この後、測定された段差部６の高さ分だけ選択成長層５の一部を除去する。 - 特許庁

The generation of watermark growth is restrained by performing the drying step after cooling the temperature-raised substrate in the warm water rinsing step.例文帳に追加

温純水リンスステップにて温度上昇した基板等を冷却してから乾燥ステップをすることで、ウォータマークの発生が抑制される。 - 特許庁

Then the crystal recovery heat treatment using the epitaxial growth device is carried out (step S14a) and then an epitaxial film is formed (step S15a).例文帳に追加

そして、エピタキシャル成長装置を用いて結晶回復熱処理を行い（ステップＳ１４ａ），次いで、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ１５ａ）。 - 特許庁

The method of manufacturing the light emitting element includes an epitaxial growth step of adhering a film to the surface of the substrate through epitaxial growth, a flattening step of flattening the rear surface of the substrate by grinding after the epitaxial growth step, and a substrate treating step of performing prescribed treatment to the surface of the substrate after the flattening step.例文帳に追加

発光素子の製造方法として、基板の表面にエピタキシャル成長によって膜付けを行うエピタキシャル成長工程と、このエピタキシャル成長工程の後に基板の裏面を研磨によって平坦化する平坦化工程と、この平坦化工程の後に基板の表面に所定の処理を行う基板処理工程とを有する。 - 特許庁

The inventive method comprises a step for providing a preferable growth substrate and forming a first unpreferable growth layer on the shading surface of the preferable growth substrate.例文帳に追加

本発明の方法は、好適な成長基板を提供して、この好適な成長基板のシーディング表面上に第１の好適でない成長層を形成するステップを含む。 - 特許庁

It is exposed by (a) polishing or etching the surface of the substrate, (b) varying the growth conditions in two stages at the time of lateral growth, or (c) forming a protective film above the nuclei in the way of lateral growth step.例文帳に追加

露出は、（ａ）基板表面の研磨やエッチング、（ｂ）横成長時の成長条件を２段階に変化させる、（ｃ）横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。 - 特許庁

This invention relates to the method for producing a growth medium testing sheet comprising a step printing a plurality of growth spots 10 on the surface of a substrate by coating droplets of a growth medium on the substrate 12.例文帳に追加

基板上１２に増殖培地の滴を付着させることによって、基板の表面上に複数の増殖スポット１０をプリントするステップを含む、増殖培地検査シートを製造する方法。 - 特許庁

On the other hand, a step flow growth is smoothly developed on the crystal growth surface with a width L located between the stripes thanks to setting of an appropriate off angle θ(:θ^2=θ_1^2+θ_2^2), thereby permitting a high-quality and flat growth layer 2.例文帳に追加

一方、各ストライプの間に位置する幅Ｌの結晶成長面では、良好なオフ角θ（：θ^2 ＝θ_1 ^2 ＋θ_2 ^2 ）の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層２が得られる。 - 特許庁

Next, the selective growth mask 4 is removed, and the height of a step 6 formed at the boundary between an area on the first epitaxial layer 2 other than the removed selective growth mask 4 and the selective area 3 having the selective growth layer 5 laminated thereon is measured.例文帳に追加

この後、選択成長用マスク４を除去し、選択成長用マスク４が除去された領域と、選択成長層５が積層されている選択領域３との境界部分に形成された段差部６の高さを測定する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus and a growth method which shorten a temperature decrease time of a wafer substrate after an epitaxial growth step to make it easy to realize a high throughput in film formation of an epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程後のウェーハ基板の降温時間を短縮させ、エピタキシャル層の成膜における高スループット化を容易にする気相成長装置及び成長方法を提供する。 - 特許庁

The method of testing for the presence of microorganisms includes (i) a step of bringing the hydrogen peroxide-containing gaseous environment into contact with an agar growth medium, (ii) a step of placing the growth medium in an environment favoring the development of colonies of microorganisms, (iii) a step of determining the presence of colonies of microorganisms which have developed during the step (ii).例文帳に追加

工程：（ｉ）ピルビン酸の塩を含有する寒天生育培地に過酸化水素を含有する気体環境を接触させる（ｉｉ）微生物のコロニーの生育に好都合な環境に生育培地を置くこと（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）の間に生育した微生物のコロニーの存在を測定する。 - 特許庁

Indium is doped at the growth step of AlGaN while In and Si are doped at the growth step of GaN, to significantly raise the light-emission intensity.例文帳に追加

ＡｌＧａＮの成長ステップにおいてＩｎをドープし、ＧａＮ成長ステップにおいてＩｎ及びＳｉをドープすることにより、発光強度を著しく増大させることができる。 - 特許庁

Since the group III nitride crystal is subjected to a step-flow growth from the portions of the repeated steps, its through-dislocations generated from its upper layer 2 are so bent in response to the step-flow growth of the group III nitride crystal that its penetrative dislocations are eccentrically located as the group III nitride crystal is grown thereafter.例文帳に追加

III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層２からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

A first epitaxial growth step of forming a buffer layer 3 on a base plate and a second epitaxial growth step of forming a compound semiconductor layer 4 on the buffer layer 3 are carried out at a growth temperature of ≤600°C by an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

基体上にバッファ層３を形成する第１のエピタキシャル成長工程と、このバッファ層３上に化合物半導体層４を形成する第２のエピタキシャル成長工程とを、６００℃以下の成長温度におけるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって行う。 - 特許庁

Since the user foresees the growth success image as the image of the growth, when in success, through the process of the STEP S1, he remembers the growth success image and compares it with the displayed image to judge whether the growth is proper or not.例文帳に追加

このとき、ユーザはステップＳ１での処理により、育成を成功した場合の画像である育成成功画像を予め知っていることから、この育成成功画像を思い出して表示された画像とを比較することにより、育成が適正に行われているか否かを判断することができる。 - 特許庁

In a growth method of a nitride semiconductor thin film, TMG (trimethyl gallium) or TEG (triethyl gallium) is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth process) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting, wherein a supply amount of the TMG or TEG is larger than that in the first growth process.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

This liquid fertilizer is produced by regulating a sugar content to a concentration suitable for growth of spawns (step S11), then adding the spawns to the fertilizer (step S12), fermenting the liquid fertilizer (step S13) and adding an organic acid thereto (step S14).例文帳に追加

本発明の液体肥料は、糖分を種菌の増殖に適した濃度に調整し（ステップＳ１１）、この後、種菌を添加し（ステップＳ１２）、発酵させ（ステップＳ１３）、有機酸を添加する（ステップＳ１４）ことによって生産される。 - 特許庁

This method comprises the step of preparing a sapphire substrate 10, the step of forming an intermediate layer 11 containing aluminum and nitrogen on the sapphire substrate 10 by a vapor phase growth method at a growth temperature of 1,100-1,300°C, and the step of growing a group III nitride layer 12 on the intermediate layer 11.例文帳に追加

サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the film-like thermoelectric material comprises a step (a) for forming a film of a material containing tellurium (Te) with a physical vapor growth method, a chemical vapor growth method, or a printing method; and a step (b) for annealing the film formed in the step (a) in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

膜状の熱電材料の製造方法であって、テルル（Ｔｅ）を含有する原料を用いて、物理気相成長法又は化学気相成長法又は印刷法により膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）において形成された膜を水素雰囲気中においてアニールする工程（ｂ）とを含む。 - 特許庁

If photoresist is applied on the ABS(air bearing surface) (step S14) before the plasma oxidation (step S18) and is removed (step S16), the growth of the protrusions is accelerated.例文帳に追加

また、プラズマ酸化（ステップＳ１８）の前に、ＡＢＳにフォトレジストを塗布し（ステップＳ１４）、それを除去する（ステップＳ１６）ようにすると、凸部の成長が促進される。 - 特許庁

The method for producing a compound semiconductor fine particles includes a nucleation reaction step S21, a cooling step S22 and a nuclear growth reaction step S23.例文帳に追加

本発明に係る化合物半導体微粒子の製造方法は、核形成反応ステップＳ２１、冷却ステップＳ２２、核成長反応ステップＳ２３を含む。 - 特許庁

The copper plating is performed so that a current step has a step where current is made to flow only at the opposite direction to the plating growth direction by only one step as shown in figure.例文帳に追加

銅めっきの電流ステップを図１に示すように、めっきを成長させる方向とは逆の方向にのみ電流を流すステップを１ステップのみ有するように銅めっきを実施する。 - 特許庁

In other words, the direction of the growth step flow can be oriented to almost one opposing to the reaction gas flow so that the growth of the single crystal may be stopped, whereby the succession of the defect growth of the micro pipe is suppressed in the seed crystal on its whole faces in the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

つまり、成長ステップフローの向きが炭化珪素原料ガスの流れに略対向する向きで炭化珪素単結晶６が成長しないようにでき、種結晶４の全面において、種結晶４の中に存在するマイクロパイプ欠陥が炭化珪素単結晶６の中に継承することを抑制できる。 - 特許庁

A production method of a hepatocyte growth factor (HGF) including a step for culturing the adipose-derived stem cells (ASC) in the presence of a fibroblast growth factor (FGF) is provided.例文帳に追加

本発明はまた、線維芽細胞増殖因子（ＦＧＦ）の存在下で脂肪由来幹細胞（ＡＳＣ）を培養する工程を包含する、肝細胞増殖因子（ＨＧＦ）の生産方法を提供する。 - 特許庁

This dehumidifying agent contains lithium halide and a crystal growth suppressing component which is precipitated at a concentration step and used for suppressing the crystal growth of lithium halide.例文帳に追加

除湿剤は、空気中の水分を吸収して除湿を行うスラリー又は水溶液の除湿剤であって、ハロゲン化リチウムを含有し、更に、濃縮過程で析出するハロゲン化リチウム結晶の結晶成長抑制成分を含有する。 - 特許庁

In the growth step, crystal growth from the template 20 side to the substrate 11 side is progressed in the thin film precursor 13 by heating the thin film precursor 13 while holding the contact state.例文帳に追加

成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。 - 特許庁

In the sublimation/growth step S2, the rate of argon gas introduced in a reaction system is altered according to early, middle and final stages of growth of the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

昇華・成長工程Ｓ２では、炭化ケイ素単結晶の成長初期、成長中期、成長後期と変わるに連れて、反応系内に導入するアルゴンガスの流量を変化させる。 - 特許庁

Thus, on the crystal growth of the silicon carbide single crystal, the reaction gas flow can be made to be the growth step flows only in all of the faces of the seed crystal where all of the surface of the seed crystal can oppose to the reaction gas flow.例文帳に追加

これにより、炭化珪素単結晶６が結晶成長する際に、種結晶全面において炭化珪素原料ガスの流れの方向に向く成長ステップフローのみとすることができる。 - 特許庁

To provide a chemical vapor growth system and a chemical vapor growth method that omit a post-treatment step such as expensive inverse-active masking, and accelerate the generation of a more uniform film.例文帳に追加

逆活性マスキングのような費用のかかる後処理ステップが省略される、より一様な膜の生成を促進させる化学気相成長システム及び方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a broad embodiment, methods for governing bone growth or those for preventing bone growth into a certain spatial area include the step of forming a spatial barrier by using the presently invented resorbable barrier membrane.例文帳に追加

広義の実施例において、骨成長を管理する方法、または一定の空間領域への骨成長を防止する方法は、本発明の再吸収性バリア膜を用いて空間的バリアを形成するステップを含んでいる。 - 特許庁

In the step of forming the embedding growth part, crystal growth is carried out on the condition that it progresses from the sidewall surface of the opening part and hardly progresses from the surface of the regions other than the opening part.例文帳に追加

埋め込み成長部を形成する工程において、結晶の成長を、開口部の側壁面から進行し、且つ開口部を除く領域の表面から進行し難い条件により行う。 - 特許庁

Thus, the sidewall 172 is formed in a state in which it partly penetrates the groove 310, and the growth of a top bird's beak part 182 can be suppressed in the subsequent growth step of a LOCOS film 180.例文帳に追加

これにより、サイドウォール１７２の一部が溝部３１０にくい込んだ状態で形成され、その後のＬＯＣＯＳ膜１８０の成長工程で、トップバーズビーク部１８２の成長を抑制できる。 - 特許庁