「TDR」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Further still, a digital logic interface is configured to control the direct transfer of data between the JTAG standard parallel TDR 18 and a corresponding one of a plurality of function registers.例文帳に追加

さらに、デジタル論理インターフェースが、ＪＴＡＧ標準並列ＴＤＲ１８と複数の機能レジスタのうちの対応する１つとの間で、データの直接転送を制御するように構成される。 - 特許庁

To obtain a wiring structure for solder bond inspection which achieves the measurement of impedance difference according to the bonded state of a solder bond portion using TDR, in a printed circuit board having the solder bond portion.例文帳に追加

はんだ接合部を有するプリント配線板において、ＴＤＲを用いて該はんだ接合部の接合状態に応じたインピーダンス差異を計測可能にするはんだ接合部検査用配線構造を得ること。 - 特許庁

A voltage Vdata is applied from the data line 14 to the gate of a drive transistor Tdr and the electrode Ea1 of a capacitor element Ca in the data writing period P1, and the voltage is maintained by the capacitor element Ca matching the voltage Vdata.例文帳に追加

データ書込期間Ｐ1においては駆動トランジスタＴdrのゲートと容量素子Ｃaの電極Ｅa1とにデータ線１４から電位Ｖdataが供給され、これによって電位Ｖdataに応じた電圧が容量素子Ｃaに保持される。 - 特許庁

A line length measuring sensor 45 TDR measures the line lengths L11-L13 of the telephone lines of subscriber side apparatuses 11-13, immediately after the power of the central terminal 1 is turned on, and applies the power to a memory circuit 46.例文帳に追加

線路長測定センサ４５は、局側装置１の電源投入直後に、加入者側装置１１〜１３，…の各々の電話回線の線路長Ｌ１１〜Ｌ１３，…をＴＤＲ測定し、記憶回路４６に与える。 - 特許庁

A capacitor C1 connected to the gate of the driving transistor Tdr and a capacitor C2 connected to the gate of the current supply transistor Tc hold voltage corresponding to a data current Idata-j flowing in the 1st path 501.例文帳に追加

駆動トランジスタＴdrのゲートに接続された容量Ｃ1および電流供給トランジスタＴcのゲートに接続された容量Ｃ2は第１の経路５０１に流れるデータ電流Ｉdata-jに応じた電圧を保持する。 - 特許庁

The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer with the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

Each unit element P has an intermediate conductor 51 including a gate electrode 511 and a driving transistor Tdr for controlling the amount of a current supplied from a power line 15 to a light emitting element E according to the potential of the gate electrode 511.例文帳に追加

単位素子Ｐは、ゲート電極５１１を含む中間導電体５１と、電源線１５から発光素子Ｅに供給される電流量をゲート電極５１１の電位に応じて制御する駆動トランジスタＴdrとを備える。 - 特許庁

This characteristic impedance measuring machine comprises a TDR meter for transmitting an electric signal to a printed wiring board and receiving it; a probe electrically connected thereto; a retaining means for retaining and moving the probe 2; and a table for retaining the printed wiring board.例文帳に追加

プリント配線板に電気信号を発信し受信するＴＤＲメータと，これに電気的に接続されたプローブ２と，プローブ２を保持し移動させる保持手段と，プリント配線板を保持するテーブルとからなる特性インピーダンス測定機。 - 特許庁

The drive transistor Tdr includes a semiconductor layer 31, where a channel region 31c is formed between the source region 31s and the drain region 31d, and a gate electrode 511 facing the channel region 31c across a gate insulating layer Lg.例文帳に追加

この駆動トランジスタＴdrは、ソース領域３１sとドレイン領域３１dとの間にチャネル領域３１cが形成された半導体層３１と、ゲート絶縁層Ｌgを挟んでチャネル領域３１cに対向するゲート電極５１１とを含む。 - 特許庁

Each characteristic control potential V[j] is set for each unit circuit U so that the gradation of the electro-optical element E is uniformized over the plurality of unit circuits when the potential VG of each drive transistor TDR is set to a prescribed potential.例文帳に追加

各特性制御電位Ｖ[j]は、各駆動トランジスタＴDRの電位ＶGを所定値に設定したときの電気光学素子Ｅの階調が複数の単位回路Ｕにわたって均一化されるように単位回路Ｕ毎に設定される。 - 特許庁

The element conduction part 71 and connection part 61 are formed of the same layer as the power line 15, and disposed on one side along the width (Y direction) of the power line 15 across the driving transistor Tdr when viewed vertically to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

The voltage control circuit 27 sets the voltage A of the voltage supply line 17 to a voltage value Vdd larger than the voltage value Vss in a driving period Pdrv wherein the driving transistor Tdr comes in a conductive state corresponding to the data voltage Vdata.例文帳に追加

電圧制御回路２７は、駆動トランジスタＴdrがデータ電圧Ｖdataに応じた導通状態となる駆動期間Ｐdrvにおいて、電圧供給線１７の電圧Ａを電圧値Ｖssよりも高位の電圧値Ｖddに設定する。 - 特許庁

A pixel circuit 12 includes a holding capacitor Cs, a writing transistor Tws for writing the voltage corresponding to a video signal into the holding capacitor Cs, and a driving transistor Tdr for driving an organic EL element based on the voltage of the holding capacitor Cs.例文帳に追加

画素回路１２は、保持容量Ｃｓと、映像信号に対応する電圧を保持容量Ｃｓに書き込む書込トランジスタＴｗｓと、保持容量Ｃｓの電圧に基づいて有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタＴｄｒとを有している。 - 特許庁

In a plurality of unit periods H before the start of the unit period H[i], a first operation is performed, that is, a voltage VGS between both ends of the holding capacitor C1 in each pixel circuit U in an i-th column is made to gradually come close to a threshold voltage VTH of the drive transistor TDR.例文帳に追加

単位期間Ｈ[i]の開始前の複数の単位期間Ｈにおいて、第ｉ行の各画素回路Ｕにおける保持容量Ｃ1の両端間の電圧ＶGSを駆動トランジスタＴDRの閾値電圧ＶTHに漸近させる第１動作を実行する。 - 特許庁

To improve the combustion performance of a thick and thin combustion burner even when the combustion amount of the burner is near its lower limit by expanding TDR by changing the ratio of the amount of a thin mixed gas to that of a thick mixed gas in accordance with the change of the combustion amount.例文帳に追加

濃淡燃焼バーナの燃焼量が変化しても淡混合ガス／濃混合ガスの比率が一定であるため、ＴＤＲの拡大を図ることが困難であり、燃焼量が下限限界付近のときの燃焼性能を高めることが難しい。 - 特許庁

The element conduction part 71 and the connection part 61 are formed on the same layer as the power source line 15, and are located on one side in a direction (Y direction) of the width of the power source line 15 with the driver transistor Tdr interposed therebetween when seen from a direction perpendicular to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

After that, the selection transistor TS is turned off, and supply of the data potential VX for the drive transistor TDR is stopped by changing a potential of the scanning signal GWR in the prescribed period until reaching a final point te of the writing period PWRT.例文帳に追加

その後、書込期間ＰWRTの終点ｔeに至るまでの所定の期間において走査信号ＧWRの電位を経時的に変化させることで、選択トランジスタＴSをオフ状態にして駆動トランジスタＴDRに対するデータ電位ＶXの供給を停止する。 - 特許庁

During a writing period Pwr, a potential [Vdd+Vdata] is supplied to the gate of the drive transistor Tdr and the electrode Ea1 of a capacitor Ca, and also, a power supply potential Vdd is supplied to an electrode Ea2, then, a voltage Vdata is held by the capacitor Ca.例文帳に追加

書込期間Ｐwrにおいて、駆動トランジスタＴdrのゲートと容量素子Ｃaの電極Ｅa1とに電位「Ｖdd＋Ｖdata」が供給されるとともに電極Ｅa2に電源電位Ｖddが供給されることで容量素子Ｃaに電圧Ｖdataが保持される。 - 特許庁

The element conduction part 71 and the connection part 61 are formed from the same layer as the power source line 15, and are located on one side in a width direction (a Y direction) of the power source line 15 across the driver transistor Tdr while viewing from a direction perpendicular to the substrate 10.例文帳に追加

素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 - 特許庁

A pixel circuit 12 includes a holding capacitor Cs, a writing transistor Tws for writing the voltage corresponding to a video signal into the holding capacitor Cs, and a driving transistor Tdr for driving an organic EL element 11 based on the voltage of the holding capacitor Cs.例文帳に追加

画素回路１２は、保持容量Ｃｓと、映像信号に対応する電圧を保持容量Ｃｓに書き込む書込トランジスタＴｗｓと、保持容量Ｃｓの電圧に基づいて有機ＥＬ素子１１を駆動する駆動トランジスタＴｄｒとを有している。 - 特許庁

Each pixel circuit P includes a capacitive element C including an electrode e1 and an electrode e2, a drive transistor TDR for generating a drive current IDR according to the potential VG of a gate connected to the electrode e1, and a light emitting element E for receiving a drive current IDR to emit light.例文帳に追加

各画素回路Ｐは、電極ｅ1および電極ｅ2を含む容量素子Ｃと、電極ｅ1に接続されたゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する駆動トランジスタＴDRと、駆動電流ＩDRの供給で発光する発光素子Ｅとを含む。 - 特許庁

In an active period PA having a time length corresponding to the grayscale value D within the writing period PWR, the control switch TCR1 is turned on, then, the gate potential of the drive transistor TDR is changed to the grayscale potential VDATA, and also, the voltage VGS is gradually approximated to the threshold voltage VTH.例文帳に追加

書込期間ＰWRのうち階調値Ｄに応じた時間長の動作期間ＰAでは、制御スイッチＴCR1をオン状態とすることで、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位を階調電位ＶDATAに変化させるとともに電圧ＶGSを閾値電圧ＶTHに漸近させる。 - 特許庁

The pixel circuit 12 includes a holding capacitor Cs, a writing transistor Tws writing voltage corresponding to an image signal in the holding capacitor Cs, and a driving transistor Tdr driving the organic EL element 11 based on the voltage of the holding capacitor Cs.例文帳に追加

画素回路１２は、保持容量Ｃｓと、映像信号に対応する電圧を保持容量Ｃｓに書き込む書込トランジスタＴｗｓと、保持容量Ｃｓの電圧に基づいて有機ＥＬ素子１１を駆動する駆動トランジスタＴｄｒとを有している。 - 特許庁

During a writing period Pwr, a potential (Vdd-Vth) corresponding to the threshold voltage Vth of a drive transistor Tdr is supplied to the electrode Eal of a capacitor C1, and also, a potential Vdata corresponding to gradation specified in a unit circuit U is supplied from a data line 14 to the electrode Ea2.例文帳に追加

書込期間Ｐwrにおいては、駆動トランジスタＴdrの閾値電圧Ｖthに応じた電位（Ｖdd−Ｖth）が容量素子Ｃ1の電極Ｅa1に供給されるとともに、単位回路Ｕに指定された階調に応じた電位Ｖdataがデータ線１４から電極Ｅa2に供給される。 - 特許庁

Then, a TDR invocation time adjustment module 101 determines an operation confirmation interval for the display driver 110 of the monitoring module 102 on the basis on statistical information managed as scores of the experience index 151 and updates a system register group 152 for environment setting.例文帳に追加

そこで、ＴＤＲ発動時間調整モジュール１０１は、エクスペリエンスインデックス１５１のスコアとして管理される統計情報に基づき、監視モジュール１０２によるディスプレイドライバ１１０の動作確認間隔を決定し、環境設定用システムレジスタ群１５２を更新する。 - 特許庁

During a driving period Pdr, the electrode Ea2 is connected to the electrode Eb1 through a transistor Tr1, then, the gate potential of the drive transistor Tdr is set as the potential corresponding to the potential Vdata and the threshold voltage Vth, and an electro-optic element E is driven in accordance with the set potential.例文帳に追加

駆動期間Ｐdrでは、電極Ｅa2と電極Ｅb1とがトランジスタＴr1を介して接続されることで駆動トランジスタＴdrのゲートが電位Ｖdataと閾値電圧Ｖthとに応じた電位に設定され、電気光学素子Ｅはこの設定された電位に応じて駆動される。 - 特許庁

Each pixel circuit 60 has a capacity element C holding a voltage corresponding to a data signal, a driving transistor Tdr making the light emitting element 63 emit light according to the voltage of the capacity element C, and a light emission control transistor Tel which controls the light emission.例文帳に追加

各画素回路６０は、発光素子６３と、データ信号に応じた電圧を保持する容量素子Ｃと、容量素子Ｃの電圧に応じて発光素子６３を発光させる駆動トランジスタＴdrと、この発光を制御する発光制御トランジスタＴelとを有する。 - 特許庁

The pixel circuit P includes the electro-optical element E having a grayscale, corresponding to a drive current IDR flowing through a path r1, a drive transistor TDR disposed in the path r1 and controlling the drive current IDR according to the potential VG at the gate, and a capacitive element CA having electrodes a1 and a2.例文帳に追加

画素回路Ｐは、経路ｒ1に流れる駆動電流ＩDRに応じた階調となる電気光学素子Ｅと、経路ｒ1上に配置されてゲートの電位ＶGに応じて駆動電流ＩDRを制御する駆動トランジスタＴDRと、電極ａ1およびａ2を有する容量素子ＣAとを具備する。 - 特許庁

This vehicle behavior estimating device detects driving torque TD output from an engine via an AT to a driving shaft (S140) and detects road surface transmission torque Td_tire in accordance with previously detected rotating speeds Vwdr, Vwdl of driven wheels of a vehicle, a vehicle body speed Vd, and driven wheel torque Tdr, Tdl (S160).例文帳に追加

エンジンからＡＴを介して駆動軸に出力される駆動トルクＴＤの検出を行うと共に（Ｓ１４０）、先に検出しておいた車両の駆動輪の回転速度Ｖwdr、Ｖwdl、車体速度Ｖｄ、駆動輪トルクＴdr、Ｔdlに基づき路面伝達トルクＴd_tireの検出を行う（Ｓ１６０）。 - 特許庁

The control circuit 30 supplies a corrected potential VC obtained by adding an offset voltage Vof proportional to the data potential VD to the data potential, to the gate of the driving transistor TDR in a second period P2 of the second compensation period PCb so as to increase the voltage between both terminals of the storage capacitor CST.例文帳に追加

制御回路３０は、第２補償期間ＰCb内の第２期間Ｐ2において、データ電位ＶＤに比例したオフセット電圧Ｖofを当該データ電位ＶＤに加えた補正電位ＶCを駆動トランジスタＴDRのゲートへ供給して保持容量ＣSTの両端間の電圧を増加させる。 - 特許庁

Upon supply of the data current Imax, in the pixel 20, a transistor selected in reproduction Trep is turned on, such that a drive current Idr corresponding to the data current Imax output from a driving transistor Tdr is supplied to an organic EL element 21, thereby emitting light.例文帳に追加

そして、データ電流Ｉｍａｘが供給されると、画素２０は、再生時選択トランジスタＴｒｅｐをオン状態になり駆動トランジスタＴｄｒから出力されるデータ電流Ｉｍａｘに応じた駆動電流Ｉｄｒが有機ＥＬ素子２１に供給され発光する。 - 特許庁

A probe system 40 including the combination of conductivity/resistance probes 42 and 44 and/or one or more time-domain reflectrometer (TDR) probes 46 is located at least partially inside the downcomer 22 to measure the coolant fluid level 38 and flow velocity of the coolant inside it.例文帳に追加

伝導率／抵抗率プローブ４２、４４及び／又は１つ以上の時間領域反射率計（ＴＤＲ）プローブ４６の組合せを含むプローブシステム４０が、ダウンカマー２２の内部に少なくとも部分的に配置され、ダウンカマー２２の内部における冷却材液面３８及び流速を測定する。 - 特許庁

A driving circuit 30 supplies a driving signal X varying in time variation rate RX of a potential VX with time to the gate of the driving transistor TDR, and stops supplying the driving signal X at a point of time set changeably according to a gray scale D specified for the pixel circuit U.例文帳に追加

駆動回路３０は、電位ＶXの時間変化率ＲXが経時的に変化する駆動信号Ｘを駆動トランジスタＴDRのゲートに供給し、当該画素回路Ｕに指定された階調Ｄに応じて可変に設定された時点で駆動信号Ｘの供給を停止する。 - 特許庁

This impedance measuring device wherein the LSI 50 for receiving a digital signal is used as a measuring object is equipped with the TDR oscilloscope 10, a connection tool 20 for connecting the LSI to be measured which is the measuring object circuit, a capacitance element C1 for direct-current voltage blocking, and a power supply device 30.例文帳に追加

本発明のインピーダンス測定装置は、デジタル信号を受信するＬＳＩ５０を測定対象とし、ＴＤＲオシロスコープ１０、測定対象回路である被測定ＬＳＩを接続する接続治具２０、直流電圧阻止用のキャパシタンス素子Ｃ１、及び電源装置３０を備える。 - 特許庁

The vertical sectional shape of each barrier rib 231, 232, 233, 234 is formed so that the first to the third top part intervals TDB, TDG, TDR may be the same value and that the first bottom part interval BDB may be greater > the third bottom part interval BDR > the second bottom part interval BDG.例文帳に追加

第１乃至第３頂部間隔ＴＤＢ、ＴＤＧ、ＴＤＲが同一値になる様に、且つ、第１最下部間隔ＢＤＢ＞第３最下部間隔ＢＤＲ＞第２最下部間隔ＢＤＧとなる様に、各隔壁２３１、２３２、２３３、２３４の縦断面形状を形成する。 - 特許庁

A direct current resistance component in the regions other than the measuring region 1 can be reduced by widening the circuit widths of the regions 2, 3 other than the measuring region 1, and impedance in the measuring region 1 can be measured accurately by suppressing floating of a measuring waveform acquired by a TDR method.例文帳に追加

測定領域１以外の領域２、３の回路幅を広げて測定領域１以外の領域の直流抵抗成分を減少させることができ、ＴＤＲ法により得られる測定波形の浮き上がりを抑えて精度良く測定領域１のインピーダンス測定を行うことができる。 - 特許庁

A pixel circuit P is provided with a light emitting element 17 capable of emitting light by current supply, a holding capacitor C for holding voltage between a first electrode L1 and a second electrode L2 and a driving transistor Tdr of which the gate is connected to the first electrode L1 of the holding capacitor C.例文帳に追加

画素回路Ｐは、電流の供給により発光する発光素子１７と、第１電極Ｌ1と第２電極Ｌ2との間の電圧を保持する保持容量Ｃと、ゲート端子が保持容量Ｃの第１電極Ｌ1に接続された駆動トランジスタＴdrとを具備する。 - 特許庁

In a write-in period PWR, second compensating operation that gray scale potential VDATA in accordance with the gray scale value D is supplied to the gate of the drive transistor TDR and voltage between both ends of the holding capacitor C1 is made to gradually approximate to the threshold voltage VTH is performed over time length tb set variably in accordance with the gray scale value D.例文帳に追加

書込期間ＰWRにおいては、階調値Ｄに応じた階調電位ＶDATAを駆動トランジスタＴDRのゲートに供給するとともに、保持容量Ｃ1の両端間の電圧を閾値電圧ＶTHに漸近させる第２補償動作を、階調値Ｄに応じて可変に設定された時間長ｔbにわたって実行する。 - 特許庁

The defrost detection device includes a detecting section in which an electrode is formed on a substrate with a predetermined pattern, a dielectric constant instrument connected with the electrode of the detecting section to obtain the dielectric constant of the detecting section by means of the TDR (Time Domain Reflectometry) method, and a testing apparatus identifying defrost conditions based on the dielectric constant obtained from the dielectric constant instrument.例文帳に追加

基板上に電極が所定のパターンで形成された検知部と、前記検知部の前記電極に接続されてＴＤＲ（Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）法によって前記検知部の比誘電率を求める比誘電率測定器と、前記比誘電率測定器で求められた前記比誘電率に基づいて降霜状態を判定する判定装置とを備える。 - 特許庁

Further, even if the transmission control request torque Ttm is set while it is not the clutch disengaged state (YES in S112) for some reason, since the upper limit is the driver's request torque Tdr (S114, S118), in no case the driving force transmitted to the drive wheel becomes abnormally high, thereby preventing deterioration in the engine operating performance.例文帳に追加

何らかの原因でクラッチ解放状態でない場合に（Ｓ１１２で「ＹＥＳ」）変速制御用要求トルクＴｔｍが設定されていてもドライバー要求トルクＴｄｒを上限として制限しているため（Ｓ１１４，Ｓ１１８）、駆動輪側に伝達される駆動力が異常に高くならずエンジン運転性能の悪化を防止することができる。 - 特許庁