Taを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2401件
A sputtering target composed of high purity Ta is used.例文帳に追加
高純度Taからなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁
Particularly, the carbides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta or the like are suitable.例文帳に追加
特にTi,Zr,Hf,V,Nb,Ta等の炭化物が好適である。 - 特許庁
Mistress epps won't even grant me no soap ta clean with.例文帳に追加
エプス奥様は 石鹸を使うのを許されません - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
in China during the Chou dynasty, the position 'Ta ssu-ma' (referred to in Japanese as 'Daishiba') 例文帳に追加
大司馬という,中国周代の官職 - EDR日英対訳辞書
As the result, the internal stress of the ta-C film can be relaxed, and the toughness of the ta-C film can be improved.例文帳に追加
その結果、ta−C膜の内部応力が緩和され、ta−C膜の靱性が向上する。 - 特許庁
The slot machine 10 executes the rescue pay when a value Ta of a unit game counter has reached Ta max k.例文帳に追加
スロットマシンは、単位ゲームカウンタの値TaがTa max kに達した際に、レスキューペイを実行する。 - 特許庁
A slot machine 10 executes rescue pay when a value Ta of a unit game counter has reached Ta max.例文帳に追加
スロットマシン10は、単位ゲームカウンタの値TaがTa maxに達した際に、レスキューペイを実行する。 - 特許庁
Therefore, an air flowmeter element temperature is raised from an ordinary usage temperature Ta to a predetermined temperature Tb.例文帳に追加
これにより、エアフロメータ素子温度が通常使用温度Taから所定温度Tbまで上昇せしめられる。 - 特許庁
The TCP/IP processing section 105 transmits control data set in the extracted IP datagram to a TA control processing section.例文帳に追加
TCP/IP処理部105は、抽出されたIPデータグラムに格納された制御データをTA制御処理部に送る。 - 特許庁
(Li, Na, K)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁
Amongst players, the shakuhachi is sometimes referred to simply as "bamboo" ("ta-ke"). 例文帳に追加
演奏者のあいだでは単に竹とも呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To prepare a catalyst greatly improved in an activity of HC cleaning by expanding the specific surface area of M.TiOx (M is at least one of Ta and Nb) structure coordinated with at least one of Ta and Nb to a part of Ti in TiO2.例文帳に追加
TiO_2におけるTiの一部にTa及びNbの少なくとも一種を配位させた構造体M・TiO_x(MはTa及びNbの少なくとも一種)の比表面積をさらに増大させ、HC浄化活性がさらに向上した触媒とする。 - 特許庁
The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加
下部層31はTa−Si−O、Ta−Si−O−N、Ta−Si−Al−O又はTa−Si−Al−O−Nのいずれかで形成され、発熱抵抗層33も同様の組成で形成される。 - 特許庁
The wire more preferably contains ≤3% Mo, ≤2% Cu and one or more kinds selected from Zr, V, Nb, Ti and Ta by ≤2% in total.例文帳に追加
より好ましくは、Moを3%以下、Cuを2%以下、Zr、V、Nb、Ti、Taのうち一種又は二種以上を合計で2%以下含有する。 - 特許庁
Alpha-Ta made to change structurally from beta-Ta is arranged in the just upper part of a heating resistor at least.例文帳に追加
発熱抵抗体の少なくとも直上部は、β—Taから構造変化させたα—Taを配置する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY Ta MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体デバイス用高純度Ta材の製造方法 - 特許庁
This optical system comprises a positive objective optical system (TA), a mirror (MR), a roof prism (PD), and a positive ocular optical system (SE) in order from an object side.例文帳に追加
物体側より順に、正の対物光学系(TA),ミラー(MR),ダハプリズム(PD),正の接眼光学系(SE)から成る。 - 特許庁
Each lobe has its axially facing surface defining a twist angle TA, and each lobe defines a helix angle HA.例文帳に追加
各ローブは、ねじり角度(TA)を定めるように軸方向に面する表面を有し、各ローブは、螺旋角度(HA)を定める。 - 特許庁
The cemented carbide body consists of, by mass, WC, 3.5-9% Co, <2% Ta and Ti, and a Nb carbide.例文帳に追加
超硬合金本体は、WCと、3.5 〜9質量%のCoと、2質量%未満のTa,Ti 及びNbの炭化物とからなる。 - 特許庁
When the intake valve timing VVT reaches a timing advance rated value (t1), a throttle opening TA is controlled to be fully closed (C).例文帳に追加
吸気バルブタイミングVVTが進角規定値に到達した時点t1で、スロットル開度TAが全閉に制御される(図3(C))。 - 特許庁
The control device 9 stops the circulating device 35 when the air temperature Ta becomes lower than a first air temperature Ta.例文帳に追加
制御装置9は、気温Taが第1気温Ta未満になったときに、循環装置35を停止させる。 - 特許庁
The ratio (Tb/Ta) of the thickness Ta of the thick part 4 and the thickness Tb of the thin part 5 is specified to 0.6 to 0.9.例文帳に追加
厚肉部4の厚さTaと薄肉部5の厚さTbとの比(Tb/Ta)を0.6〜0.9とする。 - 特許庁
Therefore, the air quantity signals Q and air temperature signals Ta can be transmitted to the controller 2 through one transmission line.例文帳に追加
このため空気量信号Qと空気温度信号Taとを1本の伝送線で制御装置2に伝送できる。 - 特許庁
(Li, Na, K, Bi)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
(Li,Na,K,Bi)(Nb,Ta)O3系圧電材料及びその製造方法 - 特許庁
(Li, Na, K) (Nb, Ta, Sb) O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
(Li,Na,K)(Nb,Ta,Sb)O3系圧電材料、及びその製造方法 - 特許庁
His full name is Ta Amidabutsu but this is abbreviated to Taa. 例文帳に追加
正しくは他阿弥陀仏と称し、他阿と略する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In order to gradually reduce Ta from the maximum value Tma when VSP=0 as VSP increases, Tm reduces as VSP increases after starting.例文帳に追加
VSPの上昇につれTaがVSP=0時の最大値Tmaから漸減するため、発進後TmはVSPの上昇につれ低下する。 - 特許庁
An error detection and correction circuit detects whether a bit D0(ta) or a bit D1(ta) includes an error by comparing bits D0(ta), D0(tb) and D1(ta), and D1(tb), and corrects a detected error.例文帳に追加
誤り検出訂正回路が、ビットD0(ta)、D0(tb)及びD1(ta)、D1(tb)の比較により、ビットD0(ta)又はビットD1(ta)が誤りを含むか否かを検出し、かつ、検出された誤りを訂正する。 - 特許庁
The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加
下地高抵抗層22はTa−Si−O、Ta−Si−O−N、Ta−Si−Al−O又はTa−Si−Al−O−Nのいずれかで形成され、発熱抵抗層23も同様の組成で形成される。 - 特許庁
The alarm clock device (10) comprises an illumination control part (40), having a time setting part (51) for setting the rising scheduled time (Ta), an alarm part (30) for generating the alarm sound at the rising scheduled time (Ta), an illumination part (20), and first and second parts (41, 42).例文帳に追加
目覚まし装置(10)は、起床予定時刻(Ta)を設定する時刻設定部(51)、起床予定時刻(Ta)にアラーム音を発生するアラーム部(30)、照明部(20)、及び第1及び第2制御部(41,42)を有した照明制御部(40)を備えている。 - 特許庁
One of the two 4-th lens groups (Gr4A, Gr4B) is switched and arranged in the optical path as the closest to image-side lens group of the objective optical system (TA), so as to optionally vary the focal length of the objective optical system (TA).例文帳に追加
対物光学系(TA)の最も像側のレンズ群として2つの第4レンズ群(Gr4A,Gr4B)のうちのいずれか1つを光路中に切替配置することにより、対物光学系(TA)の焦点距離を任意に変更しうるように構成した。 - 特許庁
The first protection film 15 consists of Ti, Ta or Nb.例文帳に追加
第1の保護膜15は、Ti,TaまたはNbからなる。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR DISCRIMINATING CRYSTAL STRUCTURE OF Ta THIN FILM例文帳に追加
Ta薄膜結晶構造判別装置およびその方法 - 特許庁
When set up torque TS is bigger than the maximum torque TA, the maximum torque TA is established as set up torque TS (step 230, 235).例文帳に追加
設定トルクTS が最大トルクTA より大きいときには、最大トルクTA を設定トルクTS とする(ステップ230,235)。 - 特許庁
Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.例文帳に追加
30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta>0at%、30≧Ni>0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)>0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁
Thereafter, if the user does not perform the scroll operation for a time period TA, the display apparatus returns to the low-speed scroll mode.例文帳に追加
そして、その後、ユーザがスクロール操作を行っていない状態が期間TA継続したならば、低速スクロールモードに復帰する。 - 特許庁
To provide Ta wiring composed of low resistance α-Ta by improving throughput in filming and controllability in etching.例文帳に追加
成膜時のスループットおよびエッチングの制御性を向上して低抵抗なα−TaからなるTa配線を得る。 - 特許庁
In a first stage, it is ON by time T1 followed by OFF by time T2 (T2=TA-T1) in the period TA.例文帳に追加
なお、第1ステージでは、時間TA中で時間T1だけONした後時間T2(T2=TA−T1)だけOFFする。 - 特許庁
Ta TARGET FOR FILM-FORMING BARRIER MATERIAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
バリア材成膜用Ta系ターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
When a channel selection managing part 104 receives the channel selection request information CR, it refers to a channel selection right table TA in a memory 103.例文帳に追加
チャネル選択管理部104はチャネル選択要求情報CRの受信時、メモリ103内のチャネル選択権テーブルTAを参照する。 - 特許庁
First, accumulated Cu 13, for example, is removed with a fixed abrasion pad that stops on a barrier layer 12, such as Ta or TaN, using CMP.例文帳に追加
初めに、堆積したCu13を、例えば、Ta又はTaNのような障壁層12上で止まる固定研磨パッドでCMPによって取り除く。 - 特許庁
A cemented carbide body contains WC, 5 to 12 mass % Co, 2 to 11 mass % Ta and Ti, and cubic carbide.例文帳に追加
超硬合金本体は、WCと、5〜12質量%のCoと、3〜11質量%のTa,Ti 及びWの立方晶炭化物とを含む。 - 特許庁
A first layer select transistor Ta has a first gate electrode 10a and is in a normally-on state on the first semiconductor layer 3a.例文帳に追加
第1のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第1のゲート電極10aを有し、第1の半導体層3aでノーマリオン状態である。 - 特許庁
The intermediate layer 14 is constituted of a non-magnetic alloy consisting essentially of Co and Cr and oxides of Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and the like.例文帳に追加
中間層14はCoおよびCrを主原料とする非磁性合金と、Al, Cr, Hf, Mg, Nb, Si, Ta, Ti, Zr等の酸化物で構成される。 - 特許庁
I'm really glad to try the original of koi ta例文帳に追加
本当に 「恋太」の原作やってみるでよかったんだよな - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
I don't trust senator ta, his plans for our world after the war.例文帳に追加
ター議員と彼の戦争後の計画を信用できない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
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