「Te-Ti」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In addition, the air conditioner is controlled so that the deviation of the temperature Ti from the set temperature Ts may fall within the range of ±Te (Te>Tn) which is larger than that in the normal mode.例文帳に追加

そのとき、設定温度Ｔｓに対する室内温度Ｔｉのずれが、通常モードよりも大きな±Ｔｅ（Ｔｅ＞Ｔｎ）の範囲内に入るように制御される。 - 特許庁

In cooling operation at low-outside air temperature, the opening of an expansion valve and/or the rotating speed of an outdoor fan of an outdoor heat exchanger are controlled so that temperature difference Tx (=Te-Ti) between temperature Te of the outdoor heat exchanger and temperature Ti of an indoor heat exchanger is settled within a preset predetermined range.例文帳に追加

低外気温下での冷房運転時には、室外熱交換器の温度Ｔｅと室内熱交換器の温度Ｔｉとの温度差Ｔｘ（＝Ｔｅ−Ｔｉ）があらかじめ設定された所定範囲内に納まるように、膨張弁の開度および／または室外熱交換器の室外ファンの回転数を制御する。 - 特許庁

The high-strength sputtering target has a composition containing, by atomic %, 10 to 30% Ge, 10 to 25% Sb, and 0.5 to 5% Ti, and consists of the balance Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１０〜３０％、Ｓｂ：１０〜２５％、Ｔｉ：０．５〜５を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する高強度スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The memory layer 17 is doped with an ion conduction material such as Te or the like, Cu, Ag, Ge or Zn as a metal element, and, further, any one from a group of Si, Zr, Al, Ti and Cr.例文帳に追加

記憶層１７は、Ｔｅなどのイオン伝導材料と共に、金属元素としてＣｕ，Ａｇ，ＧｅまたはＺｎ、更に、Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，ＴｉおよびＣｒのうちのいずれか１種が添加されている。 - 特許庁

When the detected temperature Ti of a thermistor 3 is equal to or lower than the braking temperature (abnormal temperature) Te of the device and equal to or higher than the upper limit temperature Th, a heater lamp 2 is forcibly turned off.例文帳に追加

サーミスタ３の検出温度Ｔｉが装置の破壊温度（異常温度）Ｔｅ以下で、上限温度Ｔｈよりも大きい場合には、ヒータランプ２を強制的にＯＦＦとする。 - 特許庁

For example when a compound expressed by (Ti, Zr)4C2(S, Se, Te)2 is at least dispersedly formed in the alloy structure, this effect is remarkable.例文帳に追加

特にこの効果は、上記（Ｔｉ、Ｚｒ）系化合物として、例えば（Ｔｉ、Ｚｒ）_４Ｃ_２（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）_２で表わされる化合物が、合金組織中に少なくとも分散形成されている場合に顕著である。 - 特許庁

The first recording layer (2) consists of Sn or Bi and contains 0.1 to 5 atomic percent at.% of at least one element selected from Te, Ti, V, Y, Mn, Ni, Pd and Zr.例文帳に追加

第一記録層（２）はＳｎ又はＢｉから成り、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

The composition of the metal oxide is shown by the formula: MoViAjBkOy (whrein A is Te or Sb; and B is at least one element selected from Nb, Ta, W, Ti, Zr, rare earth elements, and alkali metal elements).例文帳に追加

組成式；ＭｏＶｉ Ａｊ Ｂｋ Ｏｙ（式中、ＡはＴｅ又はＳｂであり、Ｂは、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ、希土類元素及びアルカリ金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素である。） - 特許庁

A (Ti, Zr) series compound containing at least either Ti or Zr as metallic element components, containing, as bonding components with the metallic element components, C as the essential components and moreover containing one or two or more kinds selected from S, Se and Te is formed into a matrix metal phase.例文帳に追加

ＴｉとＺｒとの少なくともいずれかを金属元素成分として含有し、その金属元素成分との結合成分として、必須成分としてのＣを含有し、さらにＳ、Ｓｅ及びＴｅから選ばれる１種又は２種以上とを含有する（Ｔｉ、Ｚｒ）系化合物が基質金属相中に形成される。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 30 consisting of a Ti metal layer or a Ti alloy layer, an insulative coating layer 40 and a thermoelectric material layer 50 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属層若しくはＴｉ合金層からなる緩衝層３０と、絶縁性皮膜層４０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層５０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

In the write-once type optical recording medium wherein information is recorded by irradiating a recording layer with light, the recording layer is constituted mainly of In and Te and at least one element selected from Ti, Zr and Al is added thereto.例文帳に追加

記録層に光を照射することにより情報記録するライトワンス型光記録媒体において、該記録層がＩｎとＴｅとを主成分とし、これにＴｉとＺｒとＡｌから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

Intake and exhaust thrust bearing parts Ti and Te provided on a cam holder H to rotatably support an intake cam shaft 11 and an exhaust cam shaft 12 to be drive-connected by a pair of helical gears 17 and 18 to be engaged with each other are integrated with bearing parts Ji4 and Je4.例文帳に追加

相互に噛合する１対のヘリカルギヤ１７，１８により駆動連結される吸気カム軸１１および排気カム軸１２を回転可能に支持するカムホルダＨに設けられる吸気および排気スラスト受け部Ｔｉ，Ｔｅは、軸受部Ｊｉ４，Ｊｅ４と一体成形される。 - 特許庁

While the pressure in a swash plate chamber of a variable- displacement compressor is under PI(Proportional Integral) control, the value of the proportional control constant Kp and the integral control constant Ti^-1 of a PI control equation are made to increase as the absolute value of the difference between the target after-evaporator temperature Teo and the after- evaporator temperature Te increases.例文帳に追加

可変容量型圧縮機の斜板室内の圧力をＰＩ制御するとともに、目標蒸発器後温度Ｔｅｏとエバ後温度Ｔｅと差の絶対値が大きくなるほど、ＰＩ制御式の比例制御定数Ｋｐ及び積分制御定数Ｔｉ^-1の値を大きくする。 - 特許庁

Furthermore, one or more kinds among V, Ti and B may be incorporated into the above steel, and moreover, one or more kinds among Pb, Bi, Te, Zr and Ca of fixed contents may be incorporated as the elements which further improve its machinability and do not remarkably impede its fatigue characteristics.例文帳に追加

又、上記鋼にＶ、Ｔｉ、Ｂのうちから１種または２種以上を含有したもの、さらに被削性を向上する元素で疲労特性を著しく阻害しない元素として、一定含有量のＰｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｚｒ、Ｃａのうちから１種または２種以上含有することもある。 - 特許庁

This mica composite is obtained by ion exchange of 10-95 eq.% of exchangeable cations among the interlayer ions of a swellable synthetic mica with at least one kind of ions selected from the group consisting of K, Ba, Cu, Ag, Te, Bi, Pb, Ce, Fe, Mo, Nb, W, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Co, Zn, Zr and Ti ions.例文帳に追加

膨潤性合成雲母の層間イオンのうち、交換性陽イオンの１０〜９５当量％を、Ｋ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃｅ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，ＺｒおよびＴｉからなる群から選ばれる１種または２種以上のイオンとイオン交換させて得られる合成雲母複合体により課題を解決できる。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 20 formed by distributingly laminating a plurality of independent laminate portions 21 comprising Ti metal or Ti alloy, and a thermoelectric material layer 30 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属若しくはＴｉ合金からなる独立積層部２１を複数、相互に分散して積層形成してなる緩衝層２０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層３０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

Further, free cuttability impartion compound phases containing Ti and/or Zr as the main metallic element component, and essentially consisting of C and containing at least one selected from S, Se and Te as bonding components with the metalic element component are dispersedly formed in the structure in the range of 0.1 to 10% by area in the cross section.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ及び／又はＺｒを金属元素成分の主成分とし、該金属元素成分との結合成分として、Ｃを必須とし、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅの少なくともいずれかを含有する快削性付与化合物相が、断面における面積率にて０．１〜１０％の範囲にて組織中に分散形成されている。 - 特許庁

In a structure of the recordable optical recording medium, (1) a recording layer comprises two layers, the first recording layer in the side of a substrate comprises an alloy containing one element selected from In, O, Ni, Mn, and Mo, and the second recording layer comprises an alloy containing one element selected from Se and/or Te, O, Ti, Pd, and Zr.例文帳に追加

（１）記録層が二層から成り、基板側の第一の記録層が、Ｉｎ、Ｏ（酸素）、及びＮｉ、Ｍｎ、Ｍｏの中から選ばれた一つの元素を含む合金から成り、第二の記録層が、Ｓｅ及び／又はＴｅ元素、Ｏ（酸素）、及びＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれた一つの元素を含む合金から成る追記型光記録媒体。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor memory 10 which can write, erase, and read information electrically, deterioration of a memory cell 11 is detected by comparing a erasing time Te required to erase information of the memory cell 11 with a reference erasing time Ti stored previously in a reference erasing time memory 15, and progress of deterioration is suppressed.例文帳に追加

本発明は、電気的に情報の書き込み、消去、読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置１０において、メモリセル１１の情報消去に要した消去時間Ｔ_eと、予め基準消去時間メモリ１５に記憶された基準消去時間Ｔ_iとを比較することでメモリセル１１の劣化を検出し、該劣化の進行を抑制する構成である。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁