「Transconductance」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The current control part 30 outputs adjustment current for adjusting Gm values corresponding to each transconductance amplifier to the first Gm-C filter part 32 using a signal output from a central control part 20 as input.例文帳に追加

電流制御部３０は、中央制御部２０から出力された信号を入力として、第１Ｇｍ−Ｃフィルタ部３２に対し、それぞれのトランスコンダクタンスアンプに対応した、Ｇｍ値を調整するための調整電流を出力する。 - 特許庁

To provide an enhanced voltage-current conversion circuit a transconductance of a transconductor section (amplifier section) of which is independent of a current and the power consumption of which can be controlled in a way of being adaptive to a reception environment.例文帳に追加

トランスコンダクタ部（増幅部）のトランスコンダクタンスが電流に依存せず、かつ受信環境に適応させて消費電力を制御可能にすることができるように改良された電圧−電流変換回路を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

The LV device is configured to include one or both of a reduced output resistance due to, for example, a modified body implant region and a reduced transconductance due to, for example, a modified oxide thickness to cause a gain of the composite semiconductor device to be less than approximately 10,000.例文帳に追加

このＬＶデバイスは、例えば修正したボディ打込み領域により低減した出力抵抗、及び例えば修正した酸化物の厚さにより低減したトランスコンダクタンスの一方または両方を含むように構成されて、複合半導体デバイスのゲインを約10,000以下にすることができる。 - 特許庁

The equivalent inductor circuit has a capacitor C1, a gyrator constituted by a plurality of operational transconductance amplifiers 1 and 2 having the capacitor C1 as a load, and a resistor R1 for suppressing a negative resistance component in the impedance within a used frequency band and being connected in series to the capacitor C1.例文帳に追加

容量Ｃ１と、複数の演算トランスコンダクタンス増幅器１、２で構成され容量Ｃ１を負荷とするジャイレータと、容量Ｃ１に直列接続されて、使用する周波数帯域内でインピーダンスが負性抵抗成分を示さないようにするための抵抗Ｒ１と、を有する等価インダクタ回路。 - 特許庁

To provide a capacitor circuit in a Gm-C filter, which can adapt itself to widening of the frequency band of the Gm-C filter by dealing with its low-frequency signals and by reducing the parasitic capacitances of the transistors of the capacitor circuit connected with the output of a transconductance amplifier.例文帳に追加

低速度に対応するとともに、トランスコンダクタンス増幅器の出力に接続される容量回路のトランジスタによる寄生容量を低減することにより、広帯域化に適応できるＧｍ−Ｃフィルタにおける容量回路の提供。 - 特許庁

The filter circuit comprises a plurality of equivalent inductor circuits (L3', L4', L5', and L6') each including a capacitor, a gyrator composed of a plurality of operational transconductance amplifiers and having the capacitor as a load, and a resistor serially connected to the capacitor.例文帳に追加

容量と、複数の演算トランスコンダクタンス増幅器で構成され前記容量を負荷とするジャイレータと、前記容量に直列接続される抵抗と、を有する等価インダクタ回路（Ｌ３’、Ｌ４’、Ｌ５’、Ｌ６’）を備えることを特徴とするフィルタ回路。 - 特許庁

A four-phase input-output transconductance amplifier 13 is connected between the first or fourth input terminals 11a, 11b, 11c, and 11d and a reference potential GND in order to pass signals of phase differences of 0° and 180° through the four-phase input-output RC polyphase filter 11.例文帳に追加

４相入出力トランスコンダンタンスアンプ１３は、第１乃至第４入力端子１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄと基準電位ＧＮＤの間に接続され、４相入出力ＲＣポリフェイズフィルタ１１に位相差が０°および１８０°の信号を通過させる。 - 特許庁

In the case that the value I of a current flowing in a circuit is kept constant by using a current path controlling circuit C, transconductance (gain) is decreased or increased when scale W/L of the transistor is decreased or increased, and IIP3 is increased or decreased.例文帳に追加

回路に流れる電流値Ｉを電流経路制御回路Ｃで一定に保つことにより、トランジスタの大きさＷ／Ｌが縮小または増大すると、トランスコンダクタンス（利得）が低下または上昇し、ＩＩＰ３が増大または減少する。 - 特許庁

The mixer 3 comprises: a transconductance stage 10 for changing an incoming signal which is a voltage signal into a current signal; a switching stage 11 for changing the frequency of the current signal; and a transimpedance stage 12 for changing the current signal outputted from the switching stage 11 into a voltage signal.例文帳に追加

ミキサ３は、電圧信号である入力信号を電流信号に変換するトランスコンダクタンス段１０と、電流信号の周波数を変換するスイッチング段１１と、スイッチング段１１から出力された電流信号を電圧信号に変換するトランスインピーダンス段１２とを有する。 - 特許庁

To provide a voltage-current converter circuit by which the transconductance Gm is nearly constant as keeping the a low noise property and a high linearity even when the frequency domain is widespread and a differential voltage amplifier circuit provided with it, a voltage controlled gain variable amplifier circuit and a mixer circuit.例文帳に追加

低ノイズ性と高い線形性とを保ちつつ、かつ周波数領域が広範囲に及ぶ場合でも、トランスコンダクタンスＧｍの大きさがほぼ一定である電圧—電流変換回路及びそれを備えた差動電圧増幅回路、電圧制御利得可変増幅回路ならびにミキサ回路を実現する。 - 特許庁

Upon receiving the plurality of clock signals respectively, transconductance amplifiers 22a-22d output a plurality of current outputs I1-I4 whose amplitudes are controlled by allowing resistors R1-R4 to change the resistances according to the resistance control signals.例文帳に追加

トランスコンダクタ・アンプ２２ａ〜２２ｄは、複数のクロック信号をそれぞれ受けて、抵抗値制御信号に応じて抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値が変化することにより振幅が制御された複数の電流出力Ｉ１〜Ｉ４を出力する。 - 特許庁

This linear transconductance amplifier is provided with n-channel MOS transistors M1, M2, M3 and M4 with their sources grounded, a current mirror circuit 1 for outputting a fixed current 4Ib and a current mirror circuit 2 with the input current to output current ratio of 2:1.例文帳に追加

本発明の線形トランスコンダクタンスアンプは、ソースが接地されたｎチャネルのＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４と、一定電流４Ｉ__ｂを出力するカレントミラー回路１と、入力電流と出力電流との比が２：１であるカレントミラー回路２とを備えている。 - 特許庁

A pair of differential input transistors Q1, Q2 include a transconductance function for converting a differential input voltage applied to the respective input terminals Vinp, Vinm into a differential current, and drain currents I1, I2 of the respective transistors Q1, Q2 become the differential currents.例文帳に追加

一対の差動入力トランジスタＱ１，Ｑ２は、各入力端子Ｖinp，Ｖinmに印加された差動入力電圧を差動電流に変換するトランスコンダクタンス機能を有し、各トランジスタＱ１，Ｑ２のドレイン電流Ｉ１，Ｉ２が差動電流となる。 - 特許庁

An input amplifying stage (205) includes a transconductance stage (202) biased by a first bias current, a first transimpedance amplifier (TIA) (204) biased by a second bias current, and a first feedback resistance connected between an input (208) and an output (210) of the first TIA.例文帳に追加

入力増幅段（205）は、第１のバイアス電流によりバイアスをかけられるトランスコンダクタンス段(202)、第２のバイアス電流によりバイアスをかけられる第１のトランスインピーダンス増幅器(TIA)(204)、及び第１のTIAの入力(208)と出力(210)との間に結合された第１のフィードバック抵抗を含む。 - 特許庁

A filter circuit has a filter circuit body having a transconductance amplifier in at least an input stage; and an amplitude limiter circuit in which the amplitude of an input signal is limited to within a dynamic input range of the filter circuit body to input to the filter circuit body.例文帳に追加

本発明のフィルタ回路は、少なくとも入力段にトランスコンダクタンスアンプを有するフィルタ回路本体と、入力信号の振幅を上記フィルタ回路本体の入力ダイナミックレンジ以内に制限して上記フィルタ回路本体に入力する振幅制限回路とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a digital-analog converter of a data driver for a liquid crystal display device and a converting method thereof, in details, the digital-analog converter for the data driver and the converting method thereof in which information corresponding to a lower bit is converted into an analog signal by the control of current transmission paths and the control of a transconductance ratio.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置用データドライバーのデジタルアナログ変換装置及びその変換方法に関するものであり、より詳細には、電流伝送路制御とトランスコンダクタンスの割合調整を通じて下位ビットに該当する情報をアナログ信号に変換するデータドライバーのデジタルアナログ変換装置及びその変換方法に関するものである。 - 特許庁

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification.例文帳に追加

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。 - 特許庁

The peak amplifier can be pumped by an RF signal more efficiently than can be achieved using an equal power split, thus compensating for transconductance characteristics of a transistor close to threshold and increasing back-off capability for the same efficiency or improving linearity at the same back-off point.例文帳に追加

ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 - 特許庁

To provide a differential amplifier using body-source cross coupling whose gain can be improved by cross-coupling both sides bodies of a common gate differential amplifier, in which a common gate amplifier is implemented in a differential structure, with the source of opposite phase side to cause transconductance to increase due to body effect and in which the weakness where the breakdown voltage becomes low can be reduced.例文帳に追加

共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースに交差カップリングし、ボディー効果によるトランスコンダクタンスを増加させて利得を向上できるとともに、降伏電圧が低くなるという短所を緩和できるボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を提供する。 - 特許庁

The adjustment signal generation circuit 120 generates the transconductance adjustment signal AGM in accordance with the second signal Q and a first output signal OI, in accordance with the first signal I and a second output signal OQ, in accordance with the first signal I and the first output signal OI or in accordance with the second signal Q and the second output signal OQ.例文帳に追加

調整信号生成回路１２０は、第２の信号Ｑと第１の出力信号ＯＩとに基づいて、又は第１の信号Ｉと第２の出力信号ＯＱとに基づいて、又は第１の信号Ｉと第１の出力信号ＯＩとに基づいて、又は第２の信号Ｑと第２の出力信号ＯＱとに基づいて、トランスコンダクタンス調整信号ＡＧＭを生成する。 - 特許庁

After a voltage stress or a current stress is applied to an MIS transistor formed in the scribe region of a semiconductor wafer for forming a product, the S factor, threshold voltage or transconductance characteristics of the transistor is measured, and the results are compared with specified management values, thus managing the fabrication process.例文帳に追加

製品が形成される半導体ウエハのスクライブ領域にＭＩＳトランジスタを形成し、電圧ストレス又は電流ストレスを付加した後に、トランジスタのＳ因子、闘値電圧又は相互コンダクタンス特性を測定し、その測定結果と所定の管理値を比較・判定することで製造工程の管理を行う。 - 特許庁

The present invention allows the mobility and transconductance of the field effect transistor to be improved to exceed those of a deep submicron state-of-the-art Si pMOSFET in addition to having a broad operating temperature range from a temperature (425 K) above room temperature down to an extremely low temperature (0.4 K) for enabling high device performance to be achieved even at low temperatures.例文帳に追加

本発明は、室温より上（４２５Ｋ）から極低温（０．４Ｋ）までの広範な温度動作範囲を有し、低温であっても高いデバイス性能が達成可能であることに加えて、ディープ・サブミクロンの現況技術のＳｉ ｐＭＯＳＦＥＴに勝る、移動度および相互コンダクタンスの向上が可能である。 - 特許庁

Each of mixers 5, 6 includes: a transconductance stage GM to which an RF signal is inputted; a switch means SWI and a load ZI which output a signal IF_I obtained by mixing the RF signal and a local I signal; and a switch means SWQ and a load ZQ which output a signal IF_Q obtained by mixing the RF signal and a local Q signal.例文帳に追加

ミキサ５，６は、ＲＦ信号が入力されるトランスコンダクタンス段ＧＭと、ＲＦ信号とローカルＩ信号とをミキシングした信号ＩＦ＿Ｉを出力するスイッチ段ＳＷＩ及び負荷ＺＩと、ＲＦ信号とローカルＱ信号とをミキシングした信号ＩＦ＿Ｑを出力するスイッチ段ＳＷＱ及び負荷ＺＱとを備える。 - 特許庁

The charged main filter circuit 100 includes transconductors 102, 104, 106 and 108 converting input voltages into currents and outputting them, and an SINC filter 120 having frequency characteristics of SINC-function, and the charged main filter circuit 100 is characterized in that it generates an impulse response by convolving an impulse response corresponding to a charging time and an impulse response corresponding to weighting of transconductance.例文帳に追加

入力電圧を電流に変換して出力するトランスコンダクタ１０２、１０４、１０６、１０８と、周波数特性がＳＩＮＣ関数であるＳＩＮＣフィルタ回路１２０と、を含み、充電時間に対応するインパルス応答と、トランスコンダクタンスの重み付けに対応するインパルス応答との畳み込みを行ってインパルス応答を生成することを特徴とする、チャージドメインフィルタ回路１００が提供される。 - 特許庁

The transistor 22 is disposed on a chip close to the virtual gate electrode 18a of the transfer electrode 18 of a first phase positioned on the next stage of the charge injection electrode 17 and is produced through the same manufacturing steps with the same gate length as the gate of the virtual gate electrode 18a, thereby having the same threshold voltage and the same transconductance gm as a transistor formed from the virtual gate electrode 18a.例文帳に追加

該トランジスタ２２は、電荷注入電極１７の次段に位置する第１相の転送電極１８のバーチャルゲート電極１８ａの近傍のチップ上に配置し、そのバーチャルゲート電極１８ａのゲートと同じゲート長で同じ製造工程で製作することにより、そのバーチャルゲート電極１８ａで形成したときのトランジスタと同じ閾値電圧および同じトランスコンダクタンスｇｍをもつようにする。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁