「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A layer thickness (t) of a coating layer of a diamond 15 synthesized by a vapor-phase process is set within a range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド１５のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial apparatus capable of unifying the temperature distribution of a substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板の温度分布の均一化を図ることが可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The quantity of state, for example, can be made a total pressure in the vapor phase or a concentration of the source material.例文帳に追加

状態量は、例えば気相中における全圧または原料物質の濃度とすることができる。 - 特許庁

The film with non-transparency is a polycrystalline Si film which is formed by the low-pressure vapor phase growth method.例文帳に追加

非透明性を有する膜は、低圧気相成長法で形成された多結晶Ｓｉ膜である。 - 特許庁

A hydrofluoric acid is reservoired in a storage portion 21 constituting a bottom part of the vapor-phase processing tank 10.例文帳に追加

気相処理槽１０の底部を構成する貯留部２１にはフッ化水素酸が貯留される。 - 特許庁

To provide a method and a system which maintain the concentration of a precursor to a carrier gas in a vapor phase.例文帳に追加

気相中でのキャリアガスに対する前駆体の濃度を維持する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The vapor phase deposition equipment includes a susceptor 5 as a holding member which mounts a substrate 7.例文帳に追加

気相成長装置としての処理装置は、基板７を搭載する保持部材としてのサセプタ５を備える。 - 特許庁

The epitaxial film is vapor-phase grown on a surface of a mirror plane silicon wafer before finish mirror plane polishing.例文帳に追加

仕上げ鏡面研磨されていない鏡面シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を気相成長させる。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing device, with which a membrane can be grown uniformly on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハ上に薄膜を均一に成長させることができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A base film 2 comprising a group III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a thermochemical vapor phase deposition system and to provide a synthesizing method for carbon nanotubes using the same.例文帳に追加

熱化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの合成方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND CATALYTIC CHEMICAL VAPOR PHASE GROWING APPARATUS例文帳に追加

半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および触媒化学気相成長装置 - 特許庁

VAPOR PHASE DECOMPOSITION DEVICE, SAMPLE PRETREATMENT DEVICE USING THE SAME, AND X-RAY FLUORESCENCE ANALYTICAL SYSTEM例文帳に追加

気相分解装置ならびにそれを用いた試料前処理装置および蛍光Ｘ線分析システム - 特許庁

To provide a method and system for reducing particle contamination in a vapor phase raw material distribution system.例文帳に追加

気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

To provide a refrigerating cycle device improved in heat absorbing performance by circulating a refrigerant in a vapor-phase state.例文帳に追加

冷媒が気相状態で循環して吸熱性能を向上できる冷凍サイクル装置を提供する。 - 特許庁

A layer thickness (t) of a coating layer comprising a diamond 15 synthesized by a vapor-phase process is set within the range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド１６のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase reaction film-forming device capable of forming a film with a more uniform film thickness distribution.例文帳に追加

膜厚分布がより均一になるように成膜できる気相反応成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a loop-type heat pipe capable of starting even when vapor-phase working fluid exists in a liquid pipe.例文帳に追加

液管内に気相の作動流体が存在しても起動できるループ型ヒートパイプを提供する。 - 特許庁

Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide an optical fiber preform and a method of manufacturing the same by the use of a method of vapor-phase axial deposition.例文帳に追加

気相軸蒸着法を利用して光ファイバー母材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A vapor phase epitaxial growth apparatus includes a susceptor 13 rotating in a horizontal plane in a reaction pipe 10.例文帳に追加

気相エピタキシャル成長装置は、反応管１０内に水平面内で回転するサセプタ１３を有する。 - 特許庁

To provide the forming method of low dielectric constant porous film consisting of Si-O cohesion mainly through vapor phase method.例文帳に追加

主として、Si-O結合から成る低誘電率多孔質膜を気相法で形成する方法を与える。 - 特許庁

The continuous polymerization apparatus for olefins uses a plurality of vapor phase polymerization tanks having a specific structure (see the figure) serially arranged.例文帳に追加

直列に配置された特定の構造（図１参照）を有する複数の気相重合槽を用いる。 - 特許庁

PROCESSING METHOD IN VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS, FORMING METHOD OF THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

気相成長装置内の処理方法、薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The fiber diameter of the vapor phase epitaxy carbon fiber is preferably within a range of 0.04-0.4 μm.例文帳に追加

また、気相成長炭素繊維の繊維径としては、好適には０．０４〜０．４μｍの範囲内である。 - 特許庁

VAPOR-PHASE FLUIDIZED BED REACTOR, MULTI-TANK POLYMERIZATION REACTOR, AND METHOD FOR PRODUCING POLYOLEFIN POLYMER例文帳に追加

気相流動層式反応装置、多槽重合反応装置及びポリオレフィン重合体の製造方法 - 特許庁

Further, the ultrafine inorganic particle is preferably amorphous synthetic silica by a vapor phase method or an alumina compound.例文帳に追加

該無機超微粒子が気相法による非晶質合成シリカまたはアルミナ化合物であると好ましい。 - 特許庁

FILM-FORMING METHOD BY METAL ORGANIC VAPOR PHASE DEPOSITION AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR LASER USING THE SAME例文帳に追加

有機金属気相成長による成膜方法及びこれを用いた半導体レーザの製造方法 - 特許庁

An oxygen concentration in a vapor phase brought into contact with the vinylpyrrolidone-based polymer is controlled to ≤50,000 ppm.例文帳に追加

ビニルピロリドン系重合体と接触する気相中の酸素濃度を５００００ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method for carrying out the vapor phase alkylation of an aromatic substrate in a multi-stage alkylation reaction zone.例文帳に追加

多段アルキル化反応区域の中で芳香族基質を蒸気相でアルキル化する方法の提供。 - 特許庁

The nickel-based ultrafine powder can be produced from a nickel chloride vapor or the like with a gas-phase hydrogen reduction method.例文帳に追加

このニッケル基超微粉は、塩化ニッケル蒸気等の気相水素還元法によって製造できる。 - 特許庁

To provide a method for making contaminated soil harmless by dehalogenating vapor-phase harmful organic halogen compounds in the soil.例文帳に追加

土壌中の気相の有害な有機ハロゲン化合物を脱ハロゲンして無害化する方法の提供。 - 特許庁

The hydrogen occluding material can be used for an electrochemical fuel battery and for vapor phase application.例文帳に追加

水素吸蔵材料は、電気化学的、燃料電池および気相応用のために用いることができる。 - 特許庁

A GaN film of about 5μm is formed on the sapphire substrate by a metal organic vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

サファイア基板上に約５μｍのＧａＮ膜を例えば有機金属気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an olefin polymer by a continuous vapor phase polymerization reaction.例文帳に追加

連続的気相重合反応においてオレフィン重合体を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

RAW MATERIAL COMPOUND FOR CVD, AND METHOD FOR CHEMICAL VAPOR-PHASE DEPOSITION OF THIN FILM OF RUTHENIUM OR RUTHENIUM COMPOUND例文帳に追加

ＣＶＤ用原料化合物及びルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 - 特許庁

After rough polishing, the wafer is subjected to vapor phase etching (step S5) to form an epitaxial film (step S6).例文帳に追加

粗研磨終了後、気相エッチングを行い（ステップＳ５）、その後、エピタキシャル膜を形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The carbon fiber effectively uses vapor phase method carbon fiber having a hollow and laminated structure.例文帳に追加

炭素繊維には中空で積層構造を有する気相法炭素繊維を使用するのが有効である。 - 特許庁

HEAD FOR VAPORIZING VARIOUS PRECURSORS IN CHEMICAL VAPOR PHASE DEPOSITION, AND ALLOWING THE PRECURSORS TO FLOW ON SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

化学気相堆積中にいろいろな先駆物質を気化し、半導体ウエハ上に流すためのヘッド - 特許庁

To provide a delivery device for delivering a solid precursor compound in a vapor phase to a reactor.例文帳に追加

気相中で固体前駆体化合物を反応器に供給するための供給装置が提供される。 - 特許庁

The temperature control by pressurizing is enabled because of the vapor phase to enable high-efficiency rapid temperature control.例文帳に追加

気相であるため、加圧による温度管理が可能となり、高効率、迅速な温度調整が可能となる。 - 特許庁

Such a structure can be produced by the vapor-phase growth, therefore, a semiconductor is not contaminated.例文帳に追加

かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 - 特許庁

To provide an article equipped with a hydrophilic laminated structure formable by a low temperature vapor phase growing method.例文帳に追加

低温の気相成長法で形成可能な親水性積層構造を備えた物品を提供する。 - 特許庁

To provide a susceptor for vapor phase growth, which can prevent film thickness distribution of a single crystal thin film to grow from becoming deteriorated by preventing a crack with the reduction of injuries around outer periphery of a semiconductor substrate which is growing in a vapor phase and further by suppressing eccentricity of the semiconductor substrate, and to provide a method for vapor phase growth using the same.例文帳に追加

気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供する。 - 特許庁