「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The relative ratio of the vapor phase and/or condensed phase to the coating material 23 transported in the process jet is measured by a diagnosis measurement method D.例文帳に追加

プロセス・ジェット中を搬送される被覆材料２３に対する気相および／または凝縮相の相対比率を診断測定法Ｄによって測定する。 - 特許庁

METHOD FOR PURIFYING MIXTURE OBTAINED THROUGH CATALYTIC VAPOR-PHASE OXIDATION OF PROPENE AND/OR ACROLEIN, BY SEPARATION TREATMENT INDUCING PHASE FORMATION例文帳に追加

相を形成させるような分離処理により、プロペンおよび／またはアクロレインを接触気相酸化させることによって得られた混合物を精製する方法 - 特許庁

To provide a vapor phase growth equipment and a vapor phase growth method with the equipment, which enable to control defect caused at a particle surface and to grow a thin film having a uniform composition.例文帳に追加

パーティクル等の表面欠陥の発生を有効に抑制することができ、均一な組成の薄膜を成長させることのできる気相成長装置およびその装置を適用した気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus which can prevent reduction in the yield of acceptable products by detecting the contact between a suspector and a flow channel, and to provide a method of detecting susceptor and flow channel contact of the vapor-phase growth apparatus.例文帳に追加

上記課題を解決し、サセプタとフローチャネルの擦れを検知して、良品歩留の低下を防止することができる気相成長装置のサセプタ擦れ検知方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial growth device that can restrain particles occurring in a processing space from affecting processing without involving deterioration in processing efficiency, and a processing method using the vapor phase epitaxial growth device.例文帳に追加

処理効率の低下を伴うことなく、処理空間内で発生するパーティクルが処理に影響を与えることを抑制できる気相成長装置および気相成長装置を用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method of III-V compound semicon ductor, which makes vapor phase growth method of a semiconductor crystal layer closer to the lattice constant of an InP substrate more than that for one with GaAs substrate on the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ基板の格子定数よりもＩｎＰ基板の格子定数に近い半導体結晶層を気相成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長法をを提供する。 - 特許庁

A portable can is filled with a soft gem substance of vapor phase at a specified pressure in such a manner that a user can inhalate the soft gem in vapor phase when the can or a valve of the can is opened.例文帳に追加

携帯可能なカン本体に、気相の軟玉物質が所定圧力で充填されており、同カン本体の栓またはバルブの開放時に利用者が前記気相の軟玉物質を吸入可能に構成されている。 - 特許庁

Moreover, the substrate 2 is heated by the heater 4 by using the vapor phase growing apparatus, and the first material gas and the second material gas are introduced into the reaction chamber 1 to subject the semiconductor film to vapor phase growth on the substrate 2.例文帳に追加

また、前記の気相成長装置を用いて、基板２をヒータ４で加熱し、第一の原料ガス及び第二の原料ガスを反応室１内に導入して、基板２に半導体膜を気相成長させる。 - 特許庁

The catalyst for vapor-phase dehydration of glycerin contains tantalic acid, which catalyst can allow acrolein to be produced with high selectivity by the vapor-phase dehydration reaction by using glycerin as a raw material.例文帳に追加

タンタル酸を含むグリセリン気相脱水用触媒を用いたグリセリンの気相脱水反応によりアクロレインを高い選択性で反応でき、グリセリンを原料とし、気相脱水反応によりアクロレインを製造できた。 - 特許庁

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the blocking layer 7 made of GaAs_1-aP_a (0.5≤a≤0.9) is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０．５≦ａ≦０．９）よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A vapor-liquid introducing pipe 32 is inserted into a tank body 31 from the under part of the sealed tank body 31, the vapor-liquid introducing pipe 32 is raised upward, and a vapor-liquid mixing phase discharged from the liquid seal type vacuum pump into the tank body 31 by the vapor-liquid introducing pipe 32.例文帳に追加

密閉形の槽体３１の下部から気液導入管３２を槽体３１内に挿入し、上方へ立上げ形成し、この気液導入管３２により液封式真空ポンプから排出した気液混在相を槽体３１内に導入する。 - 特許庁

The fuel tank 20 in a fuel vapor purge system can gas-phase communicate with an intake passage 12 of an engine through a vapor passage 33, a canister 40, and a purge passage 34.例文帳に追加

燃料蒸気パージシステムにおける燃料タンク２０は、ベーパ通路３３、キャニスタ４０及びパージ通路３４を介してエンジンの吸気通路１２と気相連通可能である。 - 特許庁

A pure silica is produced by severally vaporizing a high purity alkoxysilane and water, feeding the generated vapor into a reactor vessel, and making it hydrolyzed in a vapor phase.例文帳に追加

高純度のアルコキシシランと水を別々に気化させ、発生したバーパーを反応器に導き、気相で加水分解反応させることにより、高純度シリカを製造する。 - 特許庁

A hybrid coating process to combine the characteristics of a thermal spraying method with the characteristics of the reactive vapor phase vapor deposition is performed by applying a thermal process jet 2 to a substrate 3.例文帳に追加

基板３に対し、熱プロセス・ジェット２を用いて、熱溶射法の特性を反応性気相蒸着の特性と組合せることを可能にするハイブリッド被覆法を実行する。 - 特許庁

To provide a rotation/revolution type vapor phase growth apparatus which increases the area of a semiconductor thin film that is vapor phases grown at a time without increasing the size of, for example, a susceptor.例文帳に追加

サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A vapor growth carbon fiber directly formed from the vapor phase and graphite powder are mixed in the starting raw material of amorphous carbon, which is compacted into an optional shape and then sintered.例文帳に追加

アモルファス炭素の出発原料に気相から直接形成される気相成長炭素繊維および黒鉛粉末を混合し、任意の形状に賦形後、焼成する。 - 特許庁

Furthermore, the single-crystal material of the magnesium oxide has a cubic single-crystal structure which is generated through the vapor phase oxidation reaction of vapor with oxygen of the magnesium oxide.例文帳に追加

また、前記酸化マグネシウムの単結晶体は、金属マグネシウムの蒸気と酸素との気相酸化反応で生成された立方体の単結晶構造を有する。 - 特許庁

METAL COMPOUND, RAW MATERIAL COMPRISING THE SAME FOR CHEMICAL VAPOR PHASE GROWTH, AND MANUFACTURING METHOD OF METAL-CONTAINING THIN FILM例文帳に追加

金属化合物、これを含有してなる化学気相成長用原料及び金属含有薄膜の製造方法 - 特許庁

Thus the accumulation and concentration of the condensate water in the horizontal vapor-phase pipe conduit section 120 are prevented.例文帳に追加

このため、横引き気相管路部１２０内の凝縮水が滞留して濃縮されてしまうことはない。 - 特許庁

To supply an organic material being set to be a vapor phase state to the entire surface of a substrate whose temperature is controlled.例文帳に追加

気相の状態にした有機原料を、温度制御された基板の全面に供給できるようにする。 - 特許庁

Layer thickness t of the second coating layer comprising the vapor phase synthesized diamond is set in a range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンドからなる第２のコーティング層１６の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system that can form films with good efficiency of manufacture, and to provide a deposition method.例文帳に追加

製造効率良く成膜することができる気相成長装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The content of the vapor-phase growth carbon fiber at the surface side 2a of the mold material 2 is lowered than that at a bottom side 2b.例文帳に追加

型材２の表面側2aの気相成長炭素繊維の含有率を底面側2bより小さくする。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 12B is formed by a vapor phase method and contains Si as a constitution element.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂは、気相法により形成されたものであり、構成元素としてＳｉを含んでいる。 - 特許庁

Further, the thin covering layer uniform in thickness can be formed since a vapor phase method is used in the invention.例文帳に追加

しかも、本発明では気相法を用いるため、薄くかつ厚さの均一な被覆層を形成することができる。 - 特許庁

The method for producing methyl glyoxal comprises oxidizing acetone by vapor phase reaction in the presence of a metal oxide catalyst.例文帳に追加

アセトンを金属酸化物触媒の存在下、気相反応にて酸化させることによりメチルグリオキサールを製造する。 - 特許庁

The method for the production of acrylonitrile by the vapor-phase catalytic ammoxidation reaction of propane is carried out by keeping the molar ratio of organic acid/unreacted ammonia in the gas produced by the ammoxidation reaction to 1.0-3.0.例文帳に追加

アンモ酸化反応生成ガス中の有機酸／未反応アンモニアのモル比を１．０〜３．０にする。 - 特許庁

An underlayer 2 comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for a stable catalytic vapor-phase oxidation reaction over a long period in an industrial scale.例文帳に追加

工業的な規模で長期間に渡り安定した接触気相酸化反応を行う方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the silicon material for vapor phase deposition having the dialkylamino group, and a method of manufacturing a silicon-containing thin film using the material.例文帳に追加

本発明の課題は、ジアルキルアミノ基を有する気相成長用シリコン原料によって解決される。 - 特許庁

DIAPHRAGM TYPE PRESSURE DETECTOR, METHOD AND DEVICE FOR VAPOR-PHASE POLYMERIZATION USING THE SAME例文帳に追加

ダイアフラム型圧力検出装置およびこの検出装置を使用した気相重合方法および気相重合装置 - 特許庁

To provide a susceptor, vapor phase epitaxial growth device and method in which the occurrence of slip dislocation can be suppressed.例文帳に追加

スリップ転位の発生を抑制可能なサセプタ、気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To properly grow a single crystal on a seed crystal in manufacturing the single crystal by a vapor phase deposition.例文帳に追加

気相法を用いた単結晶の製造において、種結晶上に適切に単結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide superior reproducibility for reaction analysis for vapor phase components under heating.例文帳に追加

加熱下の気相成分の反応解析に、優れた再現性が得られる気相反応解析装置を提供する。 - 特許庁

HOT WALL HEATING CHEMICAL VAPOR-PHASE GROWTH APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER USING THE APPAARTUS例文帳に追加

ホットウオール加熱型化学気相成長装置、およびその装置を用いて行うエピタキシャルウェーハの作製方法。 - 特許庁

An underlayer 2A comprising a nonpolar group-III nitride is formed on a substrate 1 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。 - 特許庁

Then, a silicon epitaxial layer is grown by vapor phase epitaxy in the reaction chamber on each of the principal planes of the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

The vapor phase growing device 10 comprises a first reacton unit 20, a second reaction unit 30, and a decompression device 40.例文帳に追加

気相成長装置１０は、第１の反応部２０、第２の反応部３０、および減圧装置４０を備える。 - 特許庁

LIQUID STATE RAW MATERIAL SUPPLY DEVICE, CHEMICAL VAPOR PHASE GROWING DEVICE, ETCHING DEVICE AND CLEANING DEVICE例文帳に追加

液体状原料供給装置およびこれを備えた化学気相成長装置、エッチング装置並びに洗浄装置 - 特許庁

To provide equipment which supplies a high purity gallium trichloride in vapor phase to a reactor of a gallium nitride.例文帳に追加

蒸気相の高純度三塩化ガリウムを窒化ガリウムの反応器に供給するための装置を提供する。 - 特許庁

The inorganic solid catalyst can be activated by oxidizing and removing organic compounds in the catalyst by using vapor phase ozone.例文帳に追加

気相状態のオゾンを用いて、無機固体触媒中の有機物を酸化除去し、触媒を活性化する。 - 特許庁

The vapor phase oxidation catalyst is constituted by supporting a composite oxide, which contains molybdenum and vanadium as essential components, on the carrier.例文帳に追加

気相酸化触媒は、前記担体にモリブデンとバナジウムとを必須成分とする複合酸化物を担持してなる。 - 特許庁

EPITAXIAL WAFER, ELECTRONIC DEVICE, AND VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

エピタキシャルウェハ及び電子デバイス並びにＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長法 - 特許庁

To provide a method for producing a 2,6-di-substituted pyrazine (2) in good yield by vapor phase catalytic reaction.例文帳に追加

気相接触反応により２，６−ジ置換ピラジン（２）を好収率で製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The reaction gas is made into a plasma state by microwaves of ≥5 kW to produce the diamond by the vapor phase synthesis.例文帳に追加

また、５ｋＷ以上のマイクロ波により前記反応ガスをプラズマ状態にしてダイヤモンドを気相合成する。 - 特許庁