「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a resin composition containing carbon fiber produced by vapor phase method, presenting higher electrical conductivity than conventional such compositions even if the compounding amount of the carbon fiber is equivalent to those for the conventional compositions, or to obtain such a resin composition presenting electrical conductivity equivalent to or higher than those of conventional compositions even if the compounding amount of the carbon fiber is less than those for the conventional compositions.例文帳に追加

気相法炭素繊維を含む導電性樹脂組成物において、気相法炭素繊維の配合量が従来と同等でも、従来のものより優れた導電性を示す樹脂組成物、あるいは気相法炭素繊維の配合量が従来より少なくても、従来のものと同等もしくはそれ以上の導電性を示す樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A mixture gas, containing a chlorinated silane gas such as hydrogen and dichloro-silane and having an H/Cl ratio of 1 to 50 as a ratio of the number of hydrogen atoms to the number of chlorine atoms is used as a material gas, polycrystalline silicon is deposited on a substrate, such as a glass substrate through a plasma chemical vapor deposition method to form a polycrystalline silicon film which does not substantially contain amorphous silicon phase.例文帳に追加

水素、及びジクロルシラン等の塩素化シランガスを含む混合ガスであって、且つ該混合ガス中の塩素原子数に対する水素原子数の比（Ｈ／Ｃｌ）が１〜５０である混合ガスを原料ガスとして用いて、プラズマ化学蒸着法によりガラス基板等の基層上に多結晶シリコンを析出させ、実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

The single crystal diamond is grown by a vapor phase synthesis method, wherein the retardation between two mutually orthogonal linearly polarized lights outgoing from a principal surface being the opposite surface by irradiation of a linearly polarized light regarded as the synthesis of two mutually orthogonal linearly polarized lights on the other principal surface is a maximum of ≤50 nm per 100 μm of a sample thickness across the whole sample.例文帳に追加

１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 - 特許庁

The method for producing textile products containing cellulosic fiber and having durable creases and pleats comprises treating, by crease-making processing or pleating, a fabric containing cellulosic fiber pretreated with liquid ammonia, sewing the fabric and treating the cellulosic fiber in sewing by crosslinking treatment with a crosslinking agent vapor or with a gas phase containing small drops of the agent.例文帳に追加

液体アンモニアで前処理されたセルロース系繊維を含有する布帛をシワ付けまたはプリーツ付け処理した後、該布帛を縫製し、次いで該縫製品中のセルロース系繊維をセルロースの架橋剤の蒸気または小滴を含む気相で架橋処理することを特徴とする耐久性のシワまたはプリーツを有するセルロース系繊維含有繊維製品の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a polynitrile compound in high yield while suppressing a combustion side reaction to reduce the loss of raw materials without lowering the productivity by the vapor-phase catalytic reaction of a carbocyclic compound or heterocyclic compound having plural organic substituents (polysubstituted organic compound) with ammonia and an oxygen- containing gas to effect an ammoxidation reaction.例文帳に追加

複数個の有機置換基を有する炭素環化合物または複素環化合物（ポリ置換基有機化合物）を、アンモニアおよび酸素含有ガスとの気相接触反応によりアンモ酸化させてポリニトリル化合物を製造する方法において、生産性を損なうことなく副反応の燃焼反応を抑制して原料ロスを低減し、目的とするニトリル化合物を高収率で得る方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the fuel cell catalyst layer includes the steps of: forming a dendritic structure member including a catalyst precursor by vapor phase method; providing a coating layer on a surface of the dendritic structure member; and subjecting the dendritic structural member having the coating layer provided thereon to a reduction treatment.例文帳に追加

燃料電池用触媒層の製造方法であって、触媒の前駆体からなる樹枝状構造体を気相法により形成する工程と、前記触媒の前駆体からなる樹枝状構造体の表面に被覆層を設置する工程と、前記被覆層が設置された前記触媒の前駆体からなる樹枝状構造体に還元処理を行う工程と、を有する燃料電池用触媒層の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the radiographic image conversion panel, which includes a process of forming a stimulable phosphor layer through a gas-phase layup of stimulable phosphors on the substrate, by using a vapor flow from a vaporization source has a process of heating and retaining the vaporization source at its melting point or lower for a fixed period of time just before the vaporization source is vaporized in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

蒸発源からの蒸気流を用いて基板に輝尽性蛍光体を気相堆積させ、輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、不活性ガス雰囲気下で蒸発源を蒸発させる直前に、蒸発源を融点以下で一定時間加熱保持する工程を有することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

The state of the reaction product left on the reaction furnace component 11 is detected by irradiating a predetermined wavelength of light, for example, a black light 16 to the reaction furnace component 11 so as to detect the light emitting state of the reaction product left on the reaction furnace component 11 after cleaning the reaction product adhered to the reaction furnace component 11 after vapor phase growth of the thin film on a substrate.例文帳に追加

基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 - 特許庁

The method for manufacturing a moisture adsorbent 1 involves forming a metal compound 3 having deliquescence on the surface of a zeolite 2 having at least one kind of metal cation selected from the group consisting of calcium, lithium, potassium, sodium, and magnesium by allowing chemical reaction of the metal cation of the zeolite 2 with at least one kind of gas molecule selected from the group consisting of hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and chlorine in a vapor phase.例文帳に追加

吸湿剤１の製造方法は、カルシウム、リチウム、カリウム、ナトリウムおよびマグネシウムからなる群より選択される少なくとも一種の金属カチオンを有するゼオライト２の金属カチオンを、塩化水素、硫酸、硝酸および塩素からなる群より選択される少なくとも一種の気体分子と気相中で化学反応させてゼオライト２表面に潮解性を有する金属化合物３を形成させてなる。 - 特許庁

The method of growing a nitride semiconductor includes a step of forming, through vapor-phase growth, a first concave-convex structure 30 made of nitride semiconductor crystals on a substrate 10; and a step of forming a second concave-convex structure 32, made of nitride semiconductor crystals on the first concave-convex structure 30, by making a nitride semiconductor grow selectively from the tops of the convex portions of the first concave-convex structure 30.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A vapor-phase growth device includes a processing chamber 10 for holding a substrate 12 to be processed inside, exhaust members, more specifically, an exhaust gas introduction port 15 and an exhaust gas line 16 which are connected to the processing chamber 10 for exhausting the gas from the processing chamber 10, and a pressure loss generation member 18 provided in an exhaust path from the substrate 12 disposed in the processing chamber 10 to the exhaust member.例文帳に追加

処理対象物である基板１２を内部に保持する処理室１０と、上記処理室１０からガスを排気するため上記処理室１０に接続された排気部材すなわち排気ガス導入口１５および排気ガスライン１６と、処理室１０に配置された基板１２から上記排気部材までの排気経路に設置された、圧力損失発生部材１８と、を備える気相成長装置とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitrile compound from a carbocyclic compound or a heterocyclic compound having an organic substituent, ammonia and air by a vapor-phase catalytic ammoxidation reaction, realizing a reaction under a good condition by adjusting a supplied gas composition and the contact time, or the like, without using a particular auxiliary apparatus and producing the nitrile compound on an industrial scale in high yield at a low cost.例文帳に追加

有機置換基を有する炭素環化合物または複素環化合物、アンモニアおよび空気を原料として気相接触アンモ酸化反応によりニトリル化合物を製造する方法において、特別な付帯設備なしに供給ガス組成や接触時間等を調節して良好な反応条件での反応を実現し、高い収率をもって工業的に有利にニトリル化合物を得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of cleaning the reaction vessel of an epitaxial growth device and a method of manufacturing an epitaxial wafer, which can suppress generation of a deep crack on the back of a wafer by fusion of the wafer and a polysilicon film formed on a susceptor surface and can reduce the effects of contaminants that have got into a hydrogen chloride gas used for cleaning by vapor-phase etching.例文帳に追加

ウェーハとサセプタ表面上に形成されたポリシリコン膜とが融着することによって、ウェーハ裏面に深いキズが生じてしまうことを抑制でき、さらに気相エッチングによるクリーニングに用いられる塩化水素ガスに取り込まれた汚染物質の影響を低減することができるエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a radiation image conversion plate whose stimulable phosphor layer is thinned, which is highly sensitive and is excellent in granularity, where less radiation and excitation light diffuse in the thickness of a stimulable phosphor layer, which is excellent in sharpness by a vapor phase deposition method and to provide the radiation image conversion plate manufactured by the manufacturing method mentioned above.例文帳に追加

輝尽性蛍光体層の厚さを薄くし、高感度で、粒状性にすぐれ、輝尽性蛍光体層厚内での放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性の優れた放射線画像変換プレートを気相堆積方法により作製する放射線画像変換プレートの製造方法及び放射線画像変換プレートの製造方法により製造する放射線画像変換プレートの提供。 - 特許庁

To produce an olefinic polymer excellent in grain properties under a condition that catalytic activity is high in polymerizing olefins while preventing both of the adhesion of the polymer to the wall surface of a reactor and the occurrence of an agglomerate polymer in a method for reducing both of the adhesion of the polymer and the occurrence of an agglomerate polymer in a polymerizer in a slurry polymerization method or a vapor-phase polymerization method of an olefin.例文帳に追加

本発明は、オレフィンのスラリー重合法及び気相重合法に関し、重合装置におけるポリマー付着や塊ポリマーの発生を低減させる方法に関するものであって、オレフィン類の重合に適用した場合に触媒の活性が高く、ポリマーの反応器壁面への付着や塊ポリマーの発生を防止し、粒子性状の良好なオレフィン重合体の製造を可能とすることを目的とする。 - 特許庁

Carbomethoxynorbornene is amidated with twice or more molar amount of ethanolamine in the presence of a basic catalyst to give hydroxyethylnorbornenamide represented by formula (1) (R_1 is a hydrogen atom or a methyl group) having ≤0.1 mass % of a divinyl compound precursor content, which is thermally decomposed in a vapor phase and converted to hydroxyethyl (meth)acrylamide having ≤0.1 mass % of divinyl compound content.例文帳に追加

カルボメトキシノルボルネンを、塩基性触媒存在下、２倍モル以上のエタノールアミンを用いアミド化反応することにより、下記式（１）（式中、Ｒ_１は水素原子又はメチル基を表す。）で表されるジビニル化合物前駆体の含有量が０．１質量％以下であるヒドロキシエチルノルボルネンアミドとし、次いでこれを気相熱分解することにより、ジビニル化合物の含有量が０．１質量％以下のヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミドに変換する。 - 特許庁

To provide a method for industrially producing acrylic acid in high yield by vapor phase catalytic oxidation of acrolein or an acrolein-containing gas with molecular oxygen or a gas containing the same using a fixed bed multitubular reactor packed with a catalyst through suppressing heat accumulation at hot-spots in the reactor and also suppressing catalyst deterioration as well so as to enable long-term stable operation.例文帳に追加

触媒を充填した固定床多管式反応器を使用し、アクロレイン又はアクロレイン含有ガスを分子状酸素又は分子状酸素含有ガスにより気相接触酸化してアクリル酸を製造する方法において、反応器内のホットスポット部における蓄熱を押さえ、工業的に高収率でアクリル酸を生産し、また、触媒の劣化を抑えて長期間にわたり安定した運転を可能にする。 - 特許庁

In manufacturing a catalyst containing at least phosphorus, molybdenum and vanadium, which is used for manufacturing methacrylic acid by oxidizing methacrolein with molecular oxygen or gas containing molecular oxygen in a vapor phase, a catalyst precursor formed article, which is obtained by forming a catalyst precursor dried powder that is obtained form a mixed solution or an aqueous slurry containing the catalyst components, is dried by a continuous dryer and then fired.例文帳に追加

メタクロレインを気相にて分子状酸素または分子状酸素を含有するガスにより酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともリン、モリブデン、バナジウムを含む触媒を製造するに際し、触媒成分を含む混合溶液または水性スラリーから得られる触媒前駆体乾燥粉を成型することにより得た触媒前駆体成型品を、連続式乾燥機により乾燥し、次いで焼成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon wafer having a strained silicon layer 10 includes steps of at least forming the surface layer of the silicon wafer as an ion injection layer 11 by injecting ion into a silicon wafer 12, and growing the strained silicon layer by vapor phase epitaxy of the silicon on the ion-injected surface of the silicon wafer after distorting lattices in the in-plane direction.例文帳に追加

歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the acrylonitrile and/or the acrylic acid by a vapor-phase catalytic oxidation reaction of the propane in the presence of a complex metal oxide catalyst consisting essentially of molybdenum, vanadium, and at least one kind of element of tellurium and antimony is characterized in that the concentration of sulfur in a raw material gas introduced into a reaction vessel is regulated so as to be ≤200 ppm.例文帳に追加

モリブデン、バナジウム、およびテルルまたはアンチモンのうちの少なくとも一種の元素を必須成分とする複合金属酸化物触媒の存在下、プロパンの気相接触酸化反応によりアクリロニトリルおよび／またはアクリル酸を製造する方法において、反応器に導入される原料ガス中のイオウの濃度を２００ｐｐｍ以下とすることを特徴とするアクリロニトリルおよび／またはアクリル酸の製造方法。 - 特許庁

An epitaxial wafer comprising a layered nitride semiconductor crystal formed on the dissimilar substrate through a buffer layer wherein the nitride semiconductor crystal is formed by vapor phase epitaxy, a principal surface of the dissimilar substrate on which the nitride semiconductor is formed is made uneven by processing, and void spaces are formed between the concave part of the uneven surface and the nitride semiconductor crystal is prepared.例文帳に追加

異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。 - 特許庁

The transparent gas barrier film 11 has a substrate film 111 of a polyamide resin, an easy adhering layer 112 surface treated by reactive ion-etching and an inorganic oxide layer 113 formed by a vapor phase deposition method thereon, wherein the easy adhering layer 112 is formed on one primary surface of the substrate film 111 and contains nitrogen atoms, an adipic acid and bisphenol glycidyl ether.例文帳に追加

本発明の透明ガスバリア性フィルム１１は、ポリアミド樹脂からなる基材フィルム１１１と、前記基材フィルム１１１の一方の主面上に形成され、窒素原子とアジピン酸とビスフェノールグリシジルエーテルとを含み、リアクティブイオンエッチングによる表面処理が施された易接着層１１２と、前記易接着層１１２上に気相堆積法によって形成された無機酸化物層１１３とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

In growing the carbon nanotube 230 on the nickel membrane 231 by vapor phase synthesis in the reaction jar 101 of microwave plasma CVD device, only cathode line film 202 is set at a lower electric potential than the metal mesh by the bias power source and the gate line film 204 is set at the same potential as the metal mesh, and the carbon nanotube 230 is grown only on the nickel membrane 231 over the cathode line film 202.例文帳に追加

マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応槽１０１内で、気相合成によりニッケル膜２３１上にカーボンナノチューブ２３０を成長させる際、カソードライン薄膜２０２のみをバイアス電源により金属メッシュよりも低い電位に設定し、ゲートライン薄膜２０４は金属メッシュと同じ電位として、カソードライン薄膜２０２上のニッケル膜２３１のみにカーボンナノチューブ２３０を成長させる。 - 特許庁

The forgery prevention sheet is composed of ferromagnetic micro flake which is obtained by miniaturization of a ferromagnetic thin film obtained by a vapor phase growth such as vacuum deposition method, etc., dispersed in a substrate, set to form a specific pattern and having an inherent magnetic characteristics, wherein the substrate is made of a paper or a resin and the prescribed ferromagnetic thin film is set to have a smooth surface.例文帳に追加

この課題を解決するため、本発明による偽造防止シートは、蒸着膜などの気相成長した強磁性体薄膜を微細片化した強磁性体微細片が基材内に分散されて、特定のパターンに形成され、固有の磁気特性を保持せしめており、前記基材が紙であるか、または、前記基材が樹脂であり、前記強磁性体薄膜は、その表面が平滑に形成されている。 - 特許庁

There is provided a method for methacrylic acid production catalyst which is a production method for a methacrylic acid production catalyst used in the production of methacrylic acid by the vapor-phase catalytic oxidation of methacrolein with molecular oxygen and comprises mixing a heteropolyacid alkali metal salt in which the number of moles of ammonium radicals to an alkali metal is not more than 10% with another catalyst raw material containing molybdenum and phosphorus, drying the mixture, and firing the dried product.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素で気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いるメタクリル酸製造用触媒の製造方法であって、アルカリ金属に対するアンモニウム根のモル数が１０％以下であるヘテロポリ酸のアルカリ金属塩と、モリブデン及びリンを含む他の触媒原料とを混合し、乾燥、焼成することを特徴とするメタクリル酸製造用触媒の製造方法。 - 特許庁

The process for the synthesis of the conductive polymer comprises a step of coating an oxidant on a substrate surface in a thickness of several μm and drying in an oven, a step of carrying out a polymerization reaction on the substrate surface by contacting the oxidant coated substrate with a vapor phase monomer, and a step, after completion of the polymerization, of washing to remove an unreacted monomer and the oxidant.例文帳に追加

本発明は基材表面に酸化剤を数μｍ単位で塗布し、乾燥器で乾燥する段階と、酸化剤で塗布された基材に気体状態の単量体を接触させることで、基材の表面で重合反応を行う段階と、重合が完了した後、未反応単量体及び酸化剤を除去する洗浄段階とを含む伝導性高分子の合成方法を提供することを特徴とする。 - 特許庁

Adhesion by molecular bonding of two free surfaces of first and second substrates, for example formed by monocrystalline silicon wafers, comprises at least successively: a cleaning step of the two free surfaces with hydrofluoric acid in vapor phase to make the two free surfaces hydrophobic, a rinsing step of the free surfaces with deionized water with a time period less than or equal to 30 seconds, and a step of bringing the free surfaces into contact.例文帳に追加

例えば単結晶シリコン・ウエハによって形成される、第１および第２の基板の自由表面の分子接合による接着は、少なくとも連続して、自由表面を疎水性にするための、気相のフッ化水素酸での自由表面の洗浄ステップと、３０秒以下の時間の、脱イオン水での前記自由表面のすすぎステップと、前記自由表面を接触させるステップと、を含む。 - 特許庁

Metal particles that can be alloyed with rhenium are dispersed as a main component in a gas phase, a rhenium oxide vapor is made to be present around these particles, the rhenium oxide is reduced, and the rhenium precipitated on the surface of the main component metal particles as a result of this reduction is diffused under a high temperature into the main component metal particles, which gives a rhenium-containing alloy powder including the main component metal and rhenium.例文帳に追加

気相中に主成分としてレニウムと合金化可能な金属粒子を分散させ、当該粒子の周囲にレニウム酸化物蒸気を存在させ、前記レニウム酸化物を還元し、前記還元によって前記主成分の金属粒子の表面に析出したレニウムを、高温下で当該主成分金属粒子中に拡散させることにより主成分金属及びレニウムを含むレニウム含有合金粉末を得る。 - 特許庁

A crown part 3a, or an outer shell part of this golf club head 1 is manufactured by preparing a solid phase magnesium composite material formed by dispersing a prescribed amount of fine carbon fibers such as carbon nanotube, fullerene, vapor grown carbon fiber (VGCF) in pure magnesium or magnesium alloy, dividing the magnesium composite material into a plurality of ones, melting the divided magnesium composite materials, molding it into a prescribed shape and solidifying it.例文帳に追加

純マグネシウムまたはマグネシウム合金中にカーボンナノチューブ、フラーレン、気相法炭素繊維（ＶＧＣＦ）等の微細炭素繊維を所定量だけ分散させた固相のマグネシウム複合材料を準備し、該マグネシウム複合材料を複数に分割し、分割されたマグネシウム複合材料を溶融して所定形状に成形した後に固化することでゴルフクラブヘッド１の外殻パーツであるクラウンパーツ３ａを作製する。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

A solid electrolytic capacitor has an electrode in which a solid electrolyte layer of a polymer composed at least of one compound selected from among a compound having a thiophene skeleton having a fibril structure, a compound having a polycyclic sulfide skeleton, a compound having a pyrrole skeleton, a compound having a furan skeleton, and a compound having an aniline skeleton is formed on a dielectric coating film composed of a porous valve-action metal by vapor phase polymerization.例文帳に追加

多孔質弁作用金属の誘電体皮膜上に気相重合によりフィブリル構造を有するチオフェン骨格を有する化合物、イソチアナフテン骨格を有する化合物、ピロール骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物及びアニリン骨格を有する化合物からなる群の少なくとも１つの化合物からなる重合体の固体電解質層を形成した電極を有する固体電解コンデンサ。 - 特許庁

The preparation method of the propylene/ethylene-α-olefin block copolymer comprises a former step of preparing a crystalline propylene polymer component using a metallocene catalyst comprising a transition metal compound of formula (I) and a latter step of preparing a copolymer component comprising ethylene and at least one comonomer chosen from 4-20C α-olefins through vapor phase polymerization.例文帳に追加

一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物からなるメタロセン触媒を用いて、結晶性プロピレン重合体成分を製造する前段工程、及びエチレンと、炭素数４〜２０のα−オレフィンから選ばれる少なくとも一種のコモノマーとの共重合体成分を気相重合で製造する後段工程からなることを特徴とするプロピレン／エチレン−αオレフィン系ブロック共重合体の製造方法などを提供した。 - 特許庁

To provide a method for safely and stably producing acrolein and acrylic acid, or methacrolein and methacrylic acid at a high yield by preventing occurrence of an abnormal reaction due to considerable temperature rise on the material gas outlet side in comparison with the material gas inlet side of an Mo-Bi-Ni-Co-Fe type catalyst packed in a reaction tube during the vapor-phase contact oxidation of propylene, isobutylene and the like.例文帳に追加

プロピレンまたはイソブチレン等を気相接触酸化する際、反応管に充填されたＭｏ−Ｂｉ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ系触媒の温度に関し、原料ガス出口側のほうが原料ガス入口側よりも相当高くなることで異常反応が発生する現象を回避し、安全安定的且つ高収率なアクロレインおよびアクリル酸、または、メタクロレインおよびメタクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

A process for preparing the drying polymer substance adapted to pervaporate the fluid (water, water vapor and the both) includes: mixing at least two polymers for producing the hetero-phase polymer composition, wherein at least one of the two or more polymers can contain the group adapted to be sulfonated; and processing the polymer blend into a desirable form.例文帳に追加

流体（水、水蒸気またはその両方など）をパーベーパレーションするように適合された乾燥用ポリマー物質の調製のためのプロセスは、不均一相ポリマー組成物を生成するために２以上のポリマーを混合する工程であって、この２以上のポリマーのうちの少なくとも１つはスルホン化されるように適合された基を含んでいてもよい工程と、このポリマーブレンドを所望の形態に加工する工程とを含む。 - 特許庁

This prepolymerization catalyst for the vapor phase polymerization of an olefin having each specific volatiles and intrinsic viscosity comprises a solid catalytic component containing specific components and a specific weight-average particle size, an organoaluminum compound and an ethylene and/or x-olefin prepolymer, with each specific molar ratio of aluminum to titanium and weight ratio of the solid catalytic component to the final prepolymerization catalyst.例文帳に追加

特定の成分を含有し、特定の重量平均粒径を有する固体触媒成分、有機アルミニウム化合物及びエチレン及び／またはα−オレフィンの予備重合体からなり、特定のアルミニウムとチタンの比、特定の予備重合触媒と固体触媒成分の比、特定の揮発成分量及び特定の固有粘度を有するオレフィンの気相重合用予備重合触媒及びその製造方法。 - 特許庁

The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets.例文帳に追加

気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 - 特許庁

To provide a method for producing a propylene polymer, restraining generation of a massive polymer, enhancing production efficiency, and having excellent transparency and low-temperature heat sealability, in a production process of the propylene polymer obtained by polymerizing propylene by a continuous vapor phase polymerization method, using a horizontal polymerization reactor including a stirrer rotated around a horizontal axis inside, so as to remove polymerization heat by utilizing vaporization heat of liquefied propylene.例文帳に追加

液化プロピレンの気化熱を利用して重合熱を除去する、水平軸回りに回転する撹拌機を内部に備えた横型重合反応器を用い、連続気相重合法によりプロピレンを重合させてなるプロピレン系重合体の製造プロセスにおいて、塊状ポリマーの発生を抑制し、生産効率を高めると共に、更に、透明性や低温ヒートシール性に優れたプロピレン系重合体を製造する方法を開発する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal oxide catalyst containing molybdenum, bismuth and iron, used when unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid are synthesized by subjecting propylene, isobutylene or tertiary butyl alcohol to vapor phase catalytic oxidation using molecular oxygen, a liquid raw material containing molybdenum, bismuth, iron and 0.001-5 moles aldehyde and/or formic acid on the basis of 1 mole molybdenum is used.例文帳に追加

プロピレン、イソブチレン又は第三級ブチルアルコールを分子状酸素で気相接触酸化することにより不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸を合成する際に使用される、モリブデン、ビスマス及び鉄を含む金属酸化物触媒の製造方法であって、モリブデンと、ビスマスと、鉄と、モリブデン１モルに対して０．００１〜５モルのアルデヒド及び／又は蟻酸とを含有する原料液を用いることを特徴とする金属酸化物触媒の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the metallic powder used for producing the ultraviolet curable inkjet composition to be ejected by an inkjet method includes a film forming process for forming a film comprising the metallic material by a vapor-phase film forming method; a surface treatment process for applying surface treatment to the surface of the film; and a pulverizing process for pulverizing the surface-treated film.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インクジェット方式により吐出される紫外線硬化型インクジェット組成物の製造に用いられる金属粉末を製造する方法であって、気相成膜法により金属材料で構成された膜を形成する成膜工程と、前記膜の表面に表面処理を施す表面処理工程と、前記表面処理が施された前記膜を粉砕する粉砕工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a propylene polymer excellent in transparency and low-temperature heat sealing property while suppressing generation of a bulk polymer and enhancing the production efficiency, in a process of producing a propylene polymer, the process including polymerizing propylene by a continuous vapor phase polymerization method and removing the polymerization heat by use of vaporization heat of liquefied propylene, by using a horizontal polymerization reactor that incorporates an agitator rotating around a horizontal axis.例文帳に追加

液化プロピレンの気化熱を利用して重合熱を除去する、水平軸回りに回転する撹拌機を内部に備えた横型重合反応器を用い、連続気相重合法によりプロピレンを重合させてなるプロピレン系重合体の製造プロセスにおいて、塊状ポリマーの発生を抑制し、生産効率を高めると共に、更に、透明性や低温ヒートシール性に優れたプロピレン系重合体を製造する方法を開発する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a propylene polymerization reaction apparatus stably and efficiently manufacturing a propylene based block copolymer excellent in a balance of rigidity/impact-resistance strength, suppressing generation of a gel and deposition in a reaction tank and having a wider composition in addition to it without reducing productivity in a multi-stage continuous vapor-phase polymerization method for the propylene based block copolymer using an olefin polymerization catalyst, and a manufacturing method for the propylene based block copolymer.例文帳に追加

オレフィン重合用触媒を用いたプロピレン系ブロック共重合体の多段連続気相重合法において、剛性／耐衝撃強度のバランスに優れ、加えてゲルの発生及び反応槽内の付着が抑制され、加えてより広い組成のプロピレン系ブロック共重合体を、生産性を低下させることなく安定的かつ効率よく製造するプロピレン重合反応装置及びプロピレン系ブロック共重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the silicon carbonitride film film-deposited by a plasma CVD (Chemical Vapor-phase Deposition) method using a material gas consisting of a first gas made of a precursor molecule containing silicon, carbon and hydrogen, and a second gas containing nitrogen, the amount of nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film and present as a Si-N-Si bonding is at least 7% of the amount of all nitrogen atoms in the silicon carbonitride film.例文帳に追加

珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 - 特許庁

The vapor phase deposition apparatus 10 includes a reactor 11, a barrel type susceptor 12 arranged inside the reactor, and a tray 13 arranged on the surface of the susceptor to mount a wafer W, wherein the tray 13 rotates by a rotary shaft which is different from that of the barrel type susceptor 12, the barrel type susceptor 12 rotates by an electric motor 14 for revolution, and the tray 13 rotates by an electric motor 15 for rotation.例文帳に追加

リアクタ１１と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ１２と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ１３とを備えた気相成長装置１０において、前記トレイ１３は前記バレル型サセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、前記トレイ１３は自転用電動モータ１５によって回転する。 - 特許庁

To provide a method for producing a propylene polymer, restraining a massive polymer from being generated, reducing a generation amount of fine powder, enhancing thereby a production efficiency, and producing stably the propylene polymer, in a production process for the propylene polymer of polymerizing propylene by a continuous vapor phase polymerization method, using a reactor provided with a stirrer rotated around a horizontal axis in an inside, to remove polymerization heat by utilizing vaporization heat of a liquefied propylene.例文帳に追加

液化プロピレンの気化熱を利用して重合熱を除去する、水平軸回りに回転する撹拌機を内部に備えた横型重合反応器を用い、連続気相重合法によりプロピレンを重合させてなるプロピレン系重合体の製造プロセスにおいて、塊状ポリマーの発生を抑制し微粉の生成量を低減して、生産効率を高めると共に、安定してプロピレン系重合体を製造する方法を開発する。 - 特許庁