「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method, silicon nitride-based insulating films are resepectively formed on substrates in a reaction chamber for chemical vapor phase growth housing at least one substrate by causing a reaction between at least one kind of precursor gas selected from among a group composed of monosilyl amine, disilyl amine, and carbon- and chlorine-free silazane compound and an ammonia gas by supplying both gases into the reaction chamber.例文帳に追加

少なくとも１つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも１種の前駆体ガスとアンモニアガスを供給することにより両ガスを反応させ、基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical fiber preform ingot 11 by sintering vitrifying the soot preform 9, which is obtained by heaping fine glass particles on a starting core preform through outside vapor-phase deposition; the method features coating the end of the preform ingot 11 in cylindrically grinding the ruggedness generated on the surface of the ingot 11.例文帳に追加

外付け法により出発コア母材上にガラス微粒子を堆積して得たスート母材９を、焼結・透明ガラス化して光ファイバ母材インゴット１１を製造する方法において、該母材インゴット１１の表面に生じた凹凸を円筒研削する際、該母材インゴット１１の端部にコーティング加工を施すことを特徴としている。 - 特許庁

The equipment for manufacturing polycrystal silicon, wherein reaction chambers 2 for precipitating and growing silicon by a chemical vapor phase precipitation method on a silicon core material 3 standing on an electrode so as to obtain polycrystal silicon rods 3, are arranged in a factory building, is characterized in that a quake-absorbing structure is applied to the polycrystal silicon rods in the reaction chambers 2.例文帳に追加

電極上に立設されたシリコン芯材３に、化学気相析出法によりシリコンを析出・成長させて多結晶シリコンロッド３を得るための反応容器２が工場建屋内に配設された多結晶シリコン製造設備において、反応容器２内の多結晶シリコンロッド３に対して免震構造が施されていることを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element includes a step for forming by organic vapor phase epitaxy a laminated structure of a compound semiconductor composed of a group III element and a group V element on a substrate 4 mounted on a substrate mounting part 3 provided on a surface of a tray 1 disposed above heating means, the surface being opposed to a surface facing the heating means.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。 - 特許庁

In the method of extracting and cleaning the metal wire film, a metal wire film formed on a semiconductor wafer by a plating method or a vapor-phase deposition method is processed by being exposed for a certain period in carbon dioxide or an inert gas or fluid at high pressure relative to ordinary pressure.例文帳に追加

また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。 - 特許庁

A lithium tantalate single-crystal substrate of congruent composition, which contains magnesium oxide as an additive, the addition amount being set in a range of 0 mol% to 0.15 mol%, is used, and the lithium tantalate single crystal substrate of congruent composition is treated with raw material, at least containing lithium according to a vapor-phase balance method to approach a stoichiometric composition.例文帳に追加

酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を添加物として含み、その添加量を０ｍｏｌ％を超える０．１５ｍｏｌ％以下とするコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶基板を使用して、このコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶基板を、少なくともリチウムを含む原料を用いて気相平衡法により処理することにより、化学量論組成に近づける。 - 特許庁

In the rear-surface-electrode type semiconductor heterojunction solar battery, both the n-type and p-type semiconductors for storing collectively electrons and holes therein respectively and the current deriving electrodes connected respectively with the semiconductors are disposed in the rear surface present on the opposite side to the surface irradiated by sunlight, and the n-type and p-type semiconductors are formed by a catalytic chemistry vapor-phase depositing method.例文帳に追加

電子及びホールを収集するｎ型半導体及びｐ型半導体と、それぞれに接続されている電流取り出し電極のいずれもが、太陽光の照射面とは反対側にある裏面に設置されていると共に、前記ｎ型半導体及びｐ型半導体が触媒化学気相堆積法により形成されている。 - 特許庁

In the inkjet recording medium having a surface layer including fine inorganic particles having an average refractive index of 2.1-2.9 and a binder and a porous layer including a vapor phase method silica having a lone silanol group ratio of 5.0-7.0 and a polyvinyl alcohol on a support, the void volume ratio of the porous layer is at least 60%.例文帳に追加

支持体上に、平均屈折率が２．１〜２．９の無機微粒子とバインダーを含有する表面層と、孤立シラノール基比率が５．０〜７．０の気相法シリカとポリビニルアルコールを含有する多孔質層を有するインクジェット記録媒体であって、該多孔質層の空隙体積率が６０％以上であることを特徴とするインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The monitor wafer for contamination detection detects the presence/absence of the contamination of the heat treating furnace with a metal impurity, the monitor wafer for contamination detection is characterized in that non-doped single-crystal thin films are vapor-phase grown on both principal surfaces of the semiconductor single-crystal substrate manufactured by slicing a single-crystal ingot grown by the CZ method.例文帳に追加

熱処理炉の金属不純物汚染の有無を検出するための汚染検出用モニターウェーハであって、ＣＺ法により育成された単結晶インゴットからスライスして製造された半導体単結晶基板の両主表面に、ノンドープの単結晶薄膜が気相成長されたものであることを特徴とする汚染検出用モニターウェーハ。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

The vapor phase coating exists in such a semi-cemented carbide material that, concerning the chemical composition of the ion-plating treated coating, a ratio of the tungsten carbide is 74-76 wt.% and a ratio of Co is 24-26 wt.%, and that a hardness of the semi-cemented carbide round blade of the cermet material quality before giving the ion-plating treated coating is Hs: 78-81.例文帳に追加

また、本発明は、イオンプレーティング処理皮膜の化学組成が、タングステン炭化物の比率が７４〜７６重量％、Ｃｏの比率が２４〜２６重量％であり、更にイオンプレーティング処理皮膜付与前のサーメット材質のセミ超硬丸刃の硬度がＨｓ：７８〜８１であるセミ超硬材に気相皮膜を有する鋼板トリミング装置用丸刃。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer including a process of performing vapor-phase growth of a silicon single-crystal thin film on the surface of a silicon single-crystal substrate, wherein variation in resistivity in a depth direction between the silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal thin film is steep and the transition width of the resistivity is small.例文帳に追加

シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N.例文帳に追加

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排気ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＮからなる物理気相蒸着した厚さ約２μｍの硬質皮膜を形成したものを用いる。 - 特許庁

In this treatment method of stripping exhaust gas, the polluted water which is polluted with the volatile organic compounds is subjected to stripping treatment to remove the pollutant volatile organic compounds to a vapor phase, and this stripping exhaust gas is introduced into a decomposition device using ultraviolet irradiation to add activation energy, thereby decomposing the volatile organic compounds.例文帳に追加

揮発性有機化合物に汚染された汚染水を、先ずストリッピング処理をして汚染物質である揮発性有機化合物を気相に移し、このストリッピング排ガスを紫外線照射分解装置に導入して活性化エネルギーを加えることにより当該揮発性有機化合物を分解処理することを特徴とするストリッピング排ガスの処理方法。 - 特許庁

The reaction tube 11 of the vapor-phase growth device 10 includes, successively, a gaseous starting material mixing region A for supplying the gaseous starting material to the substrate 13, a reaction region B for thermally decomposing the gaseous starting material from the gaseous starting material mixing region A on the substrate, and a discharging region C for discharging a gas discharged from the reaction region B.例文帳に追加

気相成長装置１０の反応管１１は、原料ガスを基板１３に供給する原料ガス混合領域Ａと、該原料ガス混合領域Ａからの原料ガスを基板上で熱分解させる反応領域Ｂと、該反応領域Ｂから排出されるガスを排気する排気領域Ｃとを連続して備える。 - 特許庁

Such a high quality state that the dislocation density is about 5×10^8/cm^2, drastically reduced in comparison with that (1×10^10/cm^2) of a conventionally obtained GaN layer on a silicon substrate can be attained by forming the GaN layer on the substrate for growing the nitride semiconductor, having such a constitution, by an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

この構成とした窒化物半導体成長用基板の上に、有機金属気相成長法によりＧａＮ層を形成すれば、転位密度が５×１０^8ｃｍ^-2程度と、従来より得られているシリコン基板上のＧａＮ層の１×１０^10ｃｍ^-2に比較し、転位密度が大幅に減少して高品位な状態となる。 - 特許庁

In a vapor phase method where a gas containing titanium halide and an oxidizing gas are reacted, the raw material gases are reacted while controlling heating temperature and heating time, and thereafter, dehalogenation is performed, so that low rutile type ultrafine-grained titanium oxide in which the content of rutile is ≤5%, and having a high BET (Brunauer, Emett and Teller) specific surface area and specified characteristics is obtained.例文帳に追加

ハロゲン化チタンを含有するガス及び酸化性ガスを反応させる気相法において、該原料ガスを加熱温度、加熱時間を制御しながら反応させた後、脱ハロゲンすることにより、ルチル含有率が５％以下の酸化チタンであって、かつ、高いＢＥＴ比表面積及び特定の特性を有する低ルチル型の超微粒子酸化チタンを得る。 - 特許庁

An insulator layer 11 is formed on a substrate 10 by supplying group III raw materials, a carrier gas and an oxygen gas into a reaction furnace, and afterwards, vapor phase growing of a III-V compound semiconductor layer is conducted by heating this substrate 10 and supplying the group III raw a materials, a group V raw material gas, doping raw materials and the carrier gas onto the insulator layer 11.例文帳に追加

反応炉内に III族原料とキャリアガスと酸素ガスとを供給して基板１０上に絶縁体層１１を形成した後、この基板１０を加熱し、絶縁体層１１上に III族原料及びＶ族原料ガスとドーピング原料とキャリアガスとを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

When producing the fatty acid ester by transesterification reaction of oils and fats with a monohydric alcohol, an alcohol in an amount which is excessive than a required theoretical chemical equivalent is used for the reaction in a state of overheated vaporized alcohol and the reaction product, etc., are collected as a mixed vapor phase flow with the overheated vaporized alcohol and the transesterification reaction is carried out in the presence of a zeolite.例文帳に追加

油脂類と一価アルコールを反応させてエステル交換反応により脂肪酸エステルを製造する際に、必要な理論化学当量より過剰のアルコールを過熱気化アルコールの状態で反応に使用し、反応生成物等を過熱気化アルコールとの混合気相流として採取し、エステル交換反応をゼオライトの存在下で行う。 - 特許庁

In the method for introducing the hygroscopic or solidifiable powdery raw material, in the case of collectively or dividedly introducing the powdery raw material which absorbs moisture or is easily solidified by vapor existing in the gas phase of a reaction tank, into the same from a hopper provided in the upper part of the reaction tank, the inside of the hopper is made to a pressurized state by dry gas.例文帳に追加

反応槽の気相部に存在する蒸気により吸湿又は固結し易い粉体原料を、反応槽の上方に設置されたホッパーから反応槽に一括又は分割して導入する際に、乾燥気体によりホッパー内を加圧状態にすることを特徴とする吸湿性又は固結性の粉体原料の導入方法。 - 特許庁

After isolation grooves 4 are formed in the main surface of a semiconductor substrate 1S, an insulation film 6 having a thickness of not less than D+W/2, wherein D denotes the depths of the isolation grooves 4 and W denotes a minimum width of active regions surrounded by the isolation grooves 4, is deposited on the main surface by a high density plasma chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面に分離溝４を形成した後、その主面上に、分離溝４の深さをＤ、その分離溝４により囲まれる活性領域の最小幅をＷとした場合に、Ｄ＋Ｗ／２またはそれ以上となるような厚さを持つ絶縁膜６を高密度プラズマ化学気相成長法により堆積する。 - 特許庁

The substance crystallizer includes the container 2, hermetically closed so as to hold two or more of solutions of which the compositions are different from each other while separating the solutions mutually so as not to move them to the inner wall of the container regardless of a gravitational direction and to mix the vapors from the solutions through the vapor phase in the container, and a rotary device 1 for rotating the container.例文帳に追加

互いに組成の異なる２種以上の溶液を容器の内壁に、重力の方向にかかわらず移動しないように、互いに離間しつつ保持し、容器内の気相を介して前記各溶液からの蒸気が混合できるように密閉された容器２と、該容器を回転する回転装置１とを含む物質結晶化装置。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

There is provided a method for treating an ammonia-containing regeneration waste liquid discharged when a condensate demineralizer in a nuclear power plant is regenerated, which includes the steps of: adding an alkali to the ammonia-containing regeneration waste liquid discharged; separating ammonia in the vapor phase by aeration under heating; and decomposing the formed ammonia gas with a catalyst.例文帳に追加

原子力発電プラントの復水脱塩器の再生時に排出されるアンモニア含有再生廃液の処理方法であって、排出されたアンモニア含有再生廃液にアルカリを添加する工程と、加熱下に空気を通気してアンモニアを気相分離させる工程と、生じたアンモニアガスを触媒で分解する工程とを含む前記方法。 - 特許庁

The method for manufacturing single wall carbon nanotubes is characterized in that the method is a vapor phase flow method and that a source mixture comprising catalyst metal particles as reversed micelle in a hydrocarbon solvent is rendered into a fume state and supplied together with carbon dioxide gas and hydrogen gas as a carrier gas to a heated reaction pipe.例文帳に追加

気相流動法によるカーボンナノチューブの製造方法であって、炭化水素溶媒中に触媒金属粒子を含有する逆ミセルを有して成る原料混合物を煙霧状にして二酸化炭素ガスとキャリヤガスとしての水素ガスと共に、加熱された反応管中に供給することを特徴とつする単層のカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

The single crystal diamond substrate is composed of at least two layers in which the contents of nitrogen atoms are different, and includes a first layer containing nitrogen atoms and a second layer in which the content of nitrogen atoms is low in comparison with that of nitrogen atoms in the first layer, wherein the two layers are formed by a vapor phase synthetic method.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。 - 特許庁

A method of producing the surface-coated fluororesin substrate comprises effecting the gas phase polymerization on a fluororesin substrate by a vapor plasma of an acrylic type monomer under atmospheric pressure in a plasma atmosphere of an inert gas by corona discharge, to thereby form an acrylic resin layer being graft-polymerized with the surface of the above fluororesin substrate.例文帳に追加

コロナ放電による不活性ガスのプラズマ雰囲気かつ大気圧下で、フッ素樹脂基体上でアクリル系モノマーの蒸気プラズマにより気相重合を起こし、前記フッ素樹脂基体の表面とグラフト重合したアクリル系樹脂層を得ることを特徴とする表面被覆フッ素樹脂基体の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a high corrosion resistance R-T-B rare earth magnet prevented from the weakness of the magnet and the elution of elements due to generation of hydrogen differently from electrolytic/electroless plating, having film thickness thicker than that of a vapor phase deposition method, capable of eliminating the use of poisonous solutions as compared with chemical conversion treatment after Al deposition, and having easy operability.例文帳に追加

電解・無電解めっきのように水素の発生による磁石の脆性や元素の溶出などがなく、気相蒸着法よりも膜厚で優れ、さらにはＡｌ蒸着後に化成処理を行なうものと比較して有毒な処理液を使用せずかつ作業性が容易である高耐食性Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石を提供する - 特許庁

To provide a processing method for carbon fiber affording sufficient surface activity that is free from problems relating to the reduction of mechanical strength of the processed carbon fiber, capable of continuously processing in good efficiency in an industrial scale in a vapor phase oxidation without requiring the use of ozone or plasma.例文帳に追加

オゾンやプラズマを使用する必要のない気相酸化法によって炭素繊維を処理する方法において、得られる炭素繊維の表面の活性化が十分であり、かつ得られる炭素繊維の機械的強度の低下の問題がなく、しかも効率の良い連続処理を工業的規模で行なうことが可能な処理方法を提供すること。 - 特許庁

The processing method for the ammonia-containing regenerated waste solution discharged when a condensate demineralizer of the nuclear power plant is regenerated comprises the steps of alkalizing the used ammonia-containing regenerated waste solution discharged, blowing air under a heating condition to separate ammonia in vapor phase and decomposing the ammonia gas obtained in the previous step by using a catalyst.例文帳に追加

原子力発電プラントの復水脱塩器の再生時に排出されるアンモニア含有再生廃液の処理方法であって、排出されたアンモニア含有再生廃液にアルカリを添加する工程と、加熱下に空気を通気してアンモニアを気相分離させる工程と、生じたアンモニアガスを触媒で分解する工程とを含む前記方法。 - 特許庁

The production method is that a container filled with carbon black pellet is set in a heating furnace, a hydrocarbon gas and a carrier gas are fed, at this time, the density of the gas is set at 5-15 vol.%, heating temperature is kept in the rage of 1000 to 1200°C to vapor deposit thermal decomposition carbon on the surface of the carbon black by gaseous phase reaction of hydrocarbon gas.例文帳に追加

製造方法はカーボンブラックペレットを容器内に充填して加熱炉にセットし、炭化水素ガス及びキャリアガスを送入し、炭化水素ガスの濃度を５〜１５容量％、加熱温度を１０００〜１２００℃の範囲に設定して炭化水素ガスを気相反応により熱分解して、カーボンブラックの表層部に熱分解炭素を析出沈着させる。 - 特許庁

To provide methods for efficiently manufacturing grains usable for high activity single site catalyst adjustment, carriers, catalyst components for addition polymerization, high activity catalysts for addition polymerization, and addition polymers, all applicable to polymerization accompanying addition polymerization grain formation (slurry polymerization, vapor phase polymerization, bulk polymerization, etc.).例文帳に追加

付加重合体粒子の形成を伴う重合（たとえばスラリー重合、気相重合、バルク重合等）に好適に適用される高活性なシングルサイト触媒の調整に有用な粒子、担体および付加重合用触媒成分、高活性な付加重合用触媒、ならびに付加重合体の効率的な製造方法を提供すること。 - 特許庁

A water-soluble binder is added to a silica dispersion obtained by dispersing a mixed solution which contains silica particulates synthesized by a vapor phase method and an amino acid having one carboxyl group in a molecule.例文帳に追加

気相法で合成されたシリカ微粒子と、分子中に1個のカルボキシル基を有するアミノ酸と、を含む混合液を分散して得られたシリカ分散液に水溶性バインダーを添加することを特徴とするインク受容層用塗布液の製造方法及びその方法により得られたインク受容層用塗布液並びにこの塗布液を用いたインクジェット記録媒体及びその製造方法。 - 特許庁

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。 - 特許庁

A long molding containing a vapor phase inhibitor, such as a tubular (small tube-shaped) molding constituted by dispersing and mixing nitrite of dicyclohexylamine into polyethylene, is inserted along prestressing steel into the sheath, into which the prestressing steel is inserted, and taken out after a lapse of some time; and after that, the grout is injected into the sheath.例文帳に追加

ＰＣ鋼材が挿通されているシース内に、同ＰＣ鋼材に沿って長尺の気化性防錆剤含有成形体（例えばポリエチレンにジシクロヘキシルアミンの亜硝酸塩を分散混入させてなるチューブ（細管）状のもの）を挿入し、暫時経過後、同長尺の気化性防錆剤含有成形体を取り出し、しかる後同シース内にグラウトを注入する。 - 特許庁

In this method for alkylating benzene with isopropanol or a mixture of isopropanol and propylene, the alkylation is carried out under a pressure to make the mixture existing in a reaction zone into a completely vapor phase, such as 1-20 bar at a temperature condition such as 150-230°C in the presence of a catalyst containing beta-zeolite and an inorganic ligand.例文帳に追加

イソプロパノール、またはイソプロパノールとプロピレンの混合物でベンゼンをアルキル化する方法であって、反応区域に存在する混合物が完全に気相になる圧力、例えば１〜２０バール及び温度条件下例えば、１５０〜２３０℃、およびベータゼオライトおよび無機配位子を含んでなる触媒の存在下で行なうことを特徴とする方法。 - 特許庁

This greening material excellent in sprouting and growing plants is obtained by treating vegetable fiber in a condition of moderately having water in gap, using ammonia of vapor phase so as to let the vegetable fiber hold ammonia through water on the surface and modify a matter which inhibits plant growth, such as tannin, a phenol-based matter and refine oil.例文帳に追加

気相のアンモニアを用いて、空隙に水が適度にある状態の植物繊維質を処理することで、表面の水分を介して植物繊維質にアンモニアを保持させるとともに、タンニンやフェノール系物質、精油など、植物の生育を阻害する物質を改質することができ、植物の発芽および生育に良好な緑化資材が提供できる。 - 特許庁

An ink jet recording material is provided with at least one ink acceptive layer containing a vapor phase method silica on a polyolefin resin coated paper substrate, and the surface on the side whereon the ink acceptive layer of the substrate is embossed so that the 75° mirror face glossiness based on the JIS-P8142 is less than 30%.例文帳に追加

ポリオレフィン樹脂被覆紙支持体上に気相法シリカを含有する少なくとも１層のインク受容層を有するインクジェット記録材料において、前記支持体のインク受容層が設けられる側の表面がＪＩＳ−Ｐ８１４２による７５度鏡面光沢度が３０％未満になるようには型付け加工されたことを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

A method of producing the cubic system silicon carbide (3C-SiC) monocrystal using a chemical vapor phase growing method, wherein a raw material gas and carrier gas are supplied from the top of a vertical reactor tube, a silicon substrate is placed vertically to the gas flow so as to supply the gases evenly to both the faces of the substrate.例文帳に追加

化学気相成長法を用いた立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を作製する方法であって、縦型の反応管に上部より原料ガス及びキャリヤーガスを供給し、そのガス流れに対して垂直にＳｉ基板を配置することにより基板全面にガスを供給することを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁

A silica porous body obtained by depositing silica microparticles by the vapor phase axial deposition (VAD) method is impregnated with a solution containing a dopant consisting of at least one kind selected from metals and metal oxides, freeze-dried under vacuum, and then vitrified by heating and fusing to obtain a doped silica glass in which the dopant is contained with a uniform concentration distribution.例文帳に追加

ＶＡＤ法によりシリカ微粒子を堆積させて得たシリカ多孔質体に、金属および金属酸化物から選ばれた少なくとも１種からなるドーパントを含有する溶液を含浸させ、真空凍結乾燥後、加熱溶融してガラス化させることにより、シリカガラス中にドーパントが均一な濃度分布で含まれたドープシリカガラスを得る。 - 特許庁

Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

The bulb tube and the bulb with a reflection mirror are provided with a glass bulb 1 with continuous curved surface parts, a light source 4 arranged inside the bulb 1, and a multi-layer light-interfering film 5 with vapor phase epitaxy formed on the surface of the bulb to a direction within an angle θof not more than 30° against the vertical line from the surface.例文帳に追加

連続した曲面状部を有するガラスバルブ１と、このバルブ１内に配設した光源４と、上記バルブ１表面上に気相成長方向をこの表面からの垂線に対し３０度以内の角度θで形成した多層光干渉膜５とを備えている管球およびこの管球を有する反射鏡付管球である。 - 特許庁

After a GaN semiconductor crystal containing p-type impurities is grown by a vapor-phase growing method, a process is provided in which, at the crystal growth temperature, an atmosphere is changed to a cooling atmosphere containing ammonia by 0.1-30 vol.%, and the semiconductor crystal is cooled in the cooling atmosphere.例文帳に追加

気相成長法によってｐ型不純物を含むＧａＮ系半導体結晶を成長させた後、その結晶成長温度において、雰囲気を、アンモニアを０．１〜３０ｖｏｌ％の割合で含む冷却用雰囲気に切り替え、該冷却用雰囲気中において前記半導体結晶を冷却する工程を有するｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法。 - 特許庁

After a gallium nitride based compound semiconductor layer doped with p-type impurities is grown in a reaction container by vapor phase epitaxial growth, annealing is performed in an atmosphere substantially containing no hydrogen while keeping a specified temperature level in the reaction container thus converting the gallium nitride based compound semiconductor doped with p-type impurities into a p-type gallium nitride based compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長法により、反応容器内にて、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、実質的に水素を含まない雰囲気中、前記反応容器内の温度を所定の温度に保持してアニーリングをすることにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする。 - 特許庁